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OKUMURA Tsugunori  奥村 次徳

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Researcher Number 00117699
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Affiliation (based on the past Project Information) *help 2011 – 2013: 首都大学東京, 理工学研究科, 教授
2006: Tokyo Metropolitan University Department of Science and Engineering, Department of Science and Engineering, Professor, 大学院理工学研究科, 教授
2005: 首都大学東京, 都市教養学部, 教授
2005: 首都大学東京, 都市教養学部理工学系, 教授
1999 – 2004: 東京都立大学, 工学研究科, 教授 … More
2003: TOKYO METLOPOLITAN UNIV., DEPT.OF ELECTRICAL ENGINIERRING, PROFESSER, 大学院・工学研究科, 教授
2001: Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University, Professor, 大学院・工学(系)研究科(研究院), 教授
2000 – 2001: 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 教授
1989 – 1996: 東京都立大学, 工学部, 教授
1995: Tokyo Metropolitan University, Faculty of Engeneering, Professor, 工学部・電子情報工学科, 教授
1990: Dept. of Tech. Tokyo Metropol. Univ. Prof., 工学部・電気工学科, 教授
1990: 東京都立大学, 工学部電気工学科, 教授 Less
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Applied materials / Applied materials science/Crystal engineering / Applied materials science/Crystal engineering / Electronic materials/Electric materials / 表面界面物性
Except Principal Investigator
電子デバイス・機器工学 / Electron device/Electronic equipment / 機械工作・生産工学 / 工業物理化学 / 機械工作
Keywords
Principal Investigator
窒化ガリウム / ガリウムひ素 / 顕微光応答法 / GaN / 光容量分光法 / ひ化ガリウム / ショットキ-障壁 / 内部光電子放出効果 / impurity levels / schottky diode … More / III-nitride semiconductors / photocapacitance spectroscopy / isothermal capacitance transient spectroscopy / YB / PPC / ICTS / PHCAP / DLTS / ショットキーダイトード / 不純物準位 / ショットキーダイオード / III族窒化物半導体 / 等温過渡容量分光法 / Surface Damage / Hydrogen Cleaning / Remote Plasma / a-Si / XPS / Fuluoride / Plasma Fluorination / GaAs / 透過電子顕微鏡 / X線光電子分光法 / 表面損傷 / 水素クリーニング / リモートプラズマ / アモルファスひ素 / X線光電子分光 / フッ化物 / プラズマフッ化 / Hetero-junction / Gallium Telluride / Gallium Selenide / Lamellar Semiconductor / エピタキシ- / 異方性 / ヘテロ接合 / ガリウムセレン / ガリウムテルル / 層状化合物半導体 / ネガティブU型欠陥 / ドーパント不活性化 / 深い準位 / 増速拡散 / プラズマ照射誘起欠陥 / 分子線エピタキシ / 不純物ドーピング / 窒素ガリウム / 光電効果 / 静電分離 / 微結晶粒 / 表面準位 / ケルビンフォース顕微鏡(KFM) / 表面パッシベーション / 原子間力顕微鏡(AFM) / フォトルミネッセンス(PL) / 接触帯電 / 低圧インパクタ法 / 半導体研磨屑 / ガリウムヒ素(GaAs) / 光電気化学エッチング / めっき / 電気化学プロセス / ショットキー接触 / 砒化ガリウム / 化合物半導体 / 界面固相反応 / 積層構造電極 / ショットキ-接触 / 金属‐半導体界面 / 熱的安定性 / 積層電極 / プロセス誘起欠陥 … More
Except Principal Investigator
GaAs / GaInP / GaAsP / 共鳴トンネルダイオード / 三重障壁 / Resonant tunneling diodes / 分子線エピタキシ / Fasn Atom Beam Etching / Spiral Inductors / On-chip Antenna / Self Complimentary Structures / Millimeter wave, Sub-millimeter wave, Terahertz / Resonant Tunneling Diodes / Triple-Barrier / Sパラメータ / 高速原子ビーム / スケーリング則 / 低周波雑音スペクトラム / ログスパイラルアンテナ / 三重障壁構造 / テラヘルツ / オンチップ自己補対型アンテナ / 高速原子ビームエッチング / スパイラルインダクタ / オンチップアンテナ / 自己補対構造 / ミリ波・サブミリ波・テラヘルツ / Kevin force microscopy / Triple barrier / Self-oscilation / ショットキーコレクタド / スプリアスノイズ / 自動振動 / 高周波等価回路パラメタ / 3重障壁共鳴トンネル構造 / 自励振動 / 界面不均一 / nano-texture / molecular beam epitaxy / mono crystal silicon / 単結晶シリコン / ナノテクスチャ / Energy level broadening / Overgrown interface / Buried fine metals / GaInp / 埋め込み微細金属ゲート / 共鳴トンネルトランジスタ / エネルギー準位広がり / 共鳴トンネル / 埋め込み微細金属 / 再成長界面 / In situ measurement / Photocurrent / inorganic built-up fi / Organic / Phthalocyanine / Epitaxial growth / ヘテロ積層膜 / GaS / 層状物質 / ヘテロ積尻膜 / フタロシフニン / 量子井戸構造 / 超格子 / その場測定 / 光電流 / 無機累積膜 / 有機 / フタロシアニン / エピタキシャル成長 / Ultra Precision Machining / Molecular Beam Epitaxy / 超精密加工 / ドライエッチング / 電気化学走査型トンネル顕微鏡 / 金属ショットキーゲート / 電子波方向性結合デバイス / コヒーレンス長 / クーロンブロッケード振動 / 細線MOSFET / Si量子細線 / エッジ量子細線 / 電子波コヒーレンス長 / 電解液中STM / 集束イオンビーム注入 / InAs量子箱 / 一次元励起子 / T字形量子細線 / シリコン量子構造 / 走査ホットエレクトロン顕微鏡 / 電子波回折 Less
  • Research Projects

    (17 results)
  • Research Products

    (70 results)
  • Co-Researchers

    (16 People)
  •  Formation, migration and annihilation of plasma-induced defects in gallium nitride (GaN)Principal Investigator

    • Principal Investigator
      OKUMURA Tsugunori
    • Project Period (FY)
      2011 – 2013
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Applied materials science/Crystal engineering
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  エピタキシャル成長層での光電効果を利用した不純物ドーピング制御の試みPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      奥村 次徳
    • Project Period (FY)
      2004 – 2005
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • Research Field
      Applied materials science/Crystal engineering
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  A study for milimeter-wave oscillation and radiation in integrations of resonant tunneling structures and fine thin-filn antennas

    • Principal Investigator
      SUHARA Michihiko
    • Project Period (FY)
      2004 – 2006
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Electron device/Electronic equipment
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  Estimation of overgrown somiconductor interfaces with buried fine metal patterns by using resonant properties of electron wave

    • Principal Investigator
      SUHARA Michihiko
    • Project Period (FY)
      2002 – 2003
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  GENERATING AND ITS EVALUATION OF NANO-TEXTURE ON THE BASIS OF SELF-ORGANIZATION OF ATOMS AND PRE-PATTERNED NUCLEI

    • Principal Investigator
      KAKUTA Akira, 古川 勇二
    • Project Period (FY)
      2001 – 2003
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      機械工作・生産工学
    • Research Institution
      TOKYO METLOPOLITAN UNIVERSITY
  •  Characterization of impurity levels in III-Nitrid semiconductorsPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      OKUMURA Tsugunori
    • Project Period (FY)
      2001 – 2002
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Applied materials science/Crystal engineering
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  Estimation of overgrown semiconductor interfaces with buried fine metal patterns by using resonant properties of electron wave

    • Principal Investigator
      SUHARA Michihiko
    • Project Period (FY)
      2000 – 2001
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  化合物半導体ウェーハ加工に伴う研磨屑の回収・再利用に関する基礎的研究Principal Investigator

    • Principal Investigator
      奥村 次徳
    • Project Period (FY)
      1999 – 2000
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  半導体量子位相デバイス

    • Principal Investigator
      古屋 一仁
    • Project Period (FY)
      1994 – 1996
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Tokyo Institute of Technology
  •  In situ measurement of Phot-electronic Properties and Fabrication of Quantum Well Structures with Super Lattices of Dyes.

    • Principal Investigator
      SHIMURA Michiko
    • Project Period (FY)
      1994 – 1995
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      工業物理化学
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  ショットキー障壁形成機構解明のための電気化学的アプローチPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      奥村 次徳
    • Project Period (FY)
      1993
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      表面界面物性
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  Study on generating a flat for Molecular Beam Epitaxy

    • Principal Investigator
      FURUKAWA Yuuji
    • Project Period (FY)
      1992 – 1993
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
    • Research Field
      機械工作
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  顕微光応答法による金属‐半導体界面反応層のミクロ解析Principal Investigator

    • Principal Investigator
      奥村 次徳
    • Project Period (FY)
      1991
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  Low Temperature Fluorination of GaAs SurfacePrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      OKUMURA Tsugunori
    • Project Period (FY)
      1991 – 1992
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      Applied materials
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan Univ.
  •  顕微光応答法の高分解能化とGaAsショットキ-界面の電気的性質の微視的評価Principal Investigator

    • Principal Investigator
      奥村 次徳
    • Project Period (FY)
      1990
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  顕微光応答法の高分解能化とガリウムひ素ショットキ-界面の電気的性質の微視的評価Principal Investigator

    • Principal Investigator
      奥村 次徳
    • Project Period (FY)
      1989
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  Study of Hetero-junction of Lamellar Semiconductor/GaAsPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      OKUMURA Tsugunori
    • Project Period (FY)
      1989 – 1990
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      Applied materials
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University

All 2014 2013 2012 2011 2007 2006 2005 2004

All Journal Article Presentation

  • [Journal Article] Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing2014

    • Author(s)
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 557 Pages: 212-215

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.10.086

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011, KAKENHI-PROJECT-26390056
  • [Journal Article] Anomalous Enhancement of In-Diffusion of Plasma-Induced Defects in GaN upon Ultraviolet-Light Irradiation2013

    • Author(s)
      Seiji Nakamura, Koichi Hoshino, Yuki Ikadai, Masayuki Suda, and Tsugunori Okumura
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: vol.52 Issue: 8R Pages: 88001-88003

    • DOI

      10.7567/jjap.52.088001

    • NAID

      210000142582

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Journal Article] 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映しSPICEモデリング2007

    • Author(s)
      朝岡直哉, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106, No.520

      Pages: 1-6

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論解析2007

    • Author(s)
      冨岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      2006年電子情報通信学会総合大会講演論文集 C-10-9(CD-ROM)

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映しSPICEモデリング2007

    • Author(s)
      朝岡直哉, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106,No.520

      Pages: 1-6

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論分析2007

    • Author(s)
      富岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      2006年電子情報通信学会総合大会講演論文集 C-10-9(CD-ROM)

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Effects of Geometrical Structures on Broadband Characteristics in Finite-Sized On-Chip Self-Complementary Antennas2006

    • Author(s)
      H.Tomioka, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      2006 Asia-Pacific Workshop of Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 9B-1

      Pages: 281-284

    • NAID

      10018216441

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] GaAs 基板上微小自己補対アンテナのTHz 帯放射特性の解析2006

    • Author(s)
      富岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      2006年電子情報通信学会ソサエテイ大会講演論文集 C-10-4(CD-ROM)

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes2006

    • Author(s)
      M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, T.Okumura
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45, No.6B

    • NAID

      10017998864

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定2006

    • Author(s)
      清水暁人, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      2006年電子情報通信学会ソサエテイ大会講演論文集 CB-1-58(CD-ROM)

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析2006

    • Author(s)
      富岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106,No.403

      Pages: 29-34

    • NAID

      110006162465

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] GaAs基板上微小自己補対アンテナのTHz帯放射特性の解析2006

    • Author(s)
      冨岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      2006年電子情報通信学会ソサエティ大会講演論文集 C-10-4(CD-ROM)

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes2006

    • Author(s)
      M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, T.Okumura
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45,No.6B

      Pages: 5504-5508

    • NAID

      10017998864

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and Application to Mesa Etching Process for GaInP/GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes2006

    • Author(s)
      M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, T.Okumura
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45, N0.6B

      Pages: 5504-5508

    • NAID

      10017998864

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Effects of Geometrical Structures on Broadband Characteristics in Finite-Sized On-Chip Self-Complementary Antennas2006

    • Author(s)
      H.Tomioka, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      2006 Asia-Pacific Workshop of Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 9B・1

      Pages: 281-284

    • NAID

      10018216441

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析2006

    • Author(s)
      冨岡紘斗, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106, No.403

      Pages: 29-34

    • NAID

      110006162465

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] ドライエツチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化率評価2006

    • Author(s)
      松坂則彦, 須原理彦, 松浦永悟, 奥村次徳
    • Journal Title

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106, No.93

      Pages: 5504-5508

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定2006

    • Author(s)
      清水暁人, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      2006年電子情報通信学会ソサエティ大会講演論文集 CB-1-58(CD-ROM)

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] ドライエッチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化2006

    • Author(s)
      松坂則彦, 須原理彦, 松浦永悟, 奥村次徳
    • Journal Title

      電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 Vol.106,No.93

      Pages: 5504-5508

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Analysis of Edge Effect on Millimeter-Sized Planar Logarithmic Spiral Antennas2005

    • Author(s)
      H.Tomioka, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings Vol.5

      Pages: 2924-2926

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Analysis of Scaling-Rule and Size-Reduction Limit of Spiral Inductors to Maximize Quality Factor2005

    • Author(s)
      M.Suhara, M.Okayama, T.Okumura
    • Journal Title

      2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings Vol.5

      Pages: 2844-2846

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Characterization of Argon Fast Atom Beam Source and its Application to the Fabrication of Resonant Tunneling Diodes2005

    • Author(s)
      M.Suhara, N.Matsuzaka, M.Fukumitsu, T.Okumura
    • Journal Title

      Digest of Papers of Microprocesses and Nanotechnology 2005

      Pages: 132-133

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Change of electrical properties in N-GaN exposed to hydrogen plasma2005

    • Author(s)
      M.Suda, S.Nakamura, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      Extended Abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium

      Pages: 155-156

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16656013
  • [Journal Article] Observation of 1/fa Noise of GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes2005

    • Author(s)
      N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      AIP Conference Proceedings of Noise and Fluctuations 780

      Pages: 492-495

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価2005

    • Author(s)
      須田将之, 中村成志, 須原理彦, 奥村次徳
    • Journal Title

      電子情報通信学会技術研究報告 Vol.105・No.434, 435

      Pages: 43-46

    • NAID

      110004018303

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16656013
  • [Journal Article] Nonlinear Variable Capacitance Characteristics in GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes2004

    • Author(s)
      N.Asaoka, M.Fukumitsu, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      Extended abstracts of The 31st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2004)

      Pages: 342-343

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Effect of Mesa Formation Processes on GainP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes2004

    • Author(s)
      M.Suhara, N.Asaoka, M.Fukumitusu, H.Horie, T.Okumura
    • Journal Title

      State-of the Art Program on Compound Semiconductors XLI, Electrochemical Society Proceedings vol.20046

      Pages: 96-102

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] A Relation between Probe-Sample Distance and Effective Contact Potential Difference in Kelvin Probe Force Microscopy2004

    • Author(s)
      M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      The AIUB Journal of Science and Engineering (AJSE) vol.3, no.1

      Pages: 19-24

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] A Relation between Probe-Sample Distance and Effective Contact Potential Difference in Kelvin Probe Force Microscopy2004

    • Author(s)
      M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      The AIUB Journal of Science and Engineering (AJSE) vol.3,no.1

      Pages: 19-24

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Effect of Mesa Formation Processes on GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes2004

    • Author(s)
      M.Suhara, N.Asaoka, M.Fukumitusu, H.Horie, T.Okumura
    • Journal Title

      State-of the Art Program on Compound Semiconductors XLI, Electrochemical Society Proceedings vol.20046

      Pages: 96-102

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Characterization of GainP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes fabricated by fast atom beam etching process2004

    • Author(s)
      M.Fukumitsu, H.Horie, N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      Extended abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2004)

      Pages: 620-621

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Characterization of GaInP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes fabricated by fast atom beam etching process2004

    • Author(s)
      M.Fukumitsu, H.Horie, N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      Extended abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials

      Pages: 620-621

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Journal Article] Fabrication and characterization of GainP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes with Pd/GaAs Schottky collector2004

    • Author(s)
      M.Fukumitsu, N.Asaoka, M.Suhara, T.Okumura
    • Journal Title

      Proc. of 13th International Conference on InP and Related Materials (IPRM04)

      Pages: 265-267

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360178
  • [Presentation] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の光励起を用いた電気特性評価2014

    • Author(s)
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青学大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の光励起を用いた電気特性評価2014

    • Author(s)
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青学大,相模原
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の深い準位を含むアニール挙動の評価2014

    • Author(s)
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青学大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの近赤外光照射による再活性化2014

    • Author(s)
      横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青学大,相模原
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の深い準位を含むアニール挙動の評価2014

    • Author(s)
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青学大,相模原
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの近赤外光照射による再活性化2014

    • Author(s)
      横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青学大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] n型GaN電気的特性劣化におけるプラズマ照射条件の影響2013

    • Author(s)
      本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] バイアスアニールを施したn型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の解析2013

    • Author(s)
      竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] III族窒化物およびIII-V族化合物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥2013

    • Author(s)
      奥村次徳,中村成志
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工大
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Totally Wet Process Based on Photoelectrochemical Techniques for GaN Schottky Contacts2013

    • Author(s)
      Ko ki Kitazawa, Akihiro Koyama, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • Place of Presentation
      Fukuoka, Japan(査読有)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] 光過渡容量法を用いたn型窒化ガリウム中のプラズマ照射誘起欠陥の評価2013

    • Author(s)
      瀧本拓真,横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      電気学会 基礎・材料・共通部門大会
    • Place of Presentation
      横浜国大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] バイアス印加時のn型窒化ガリウム中におけるプラズマ照射誘起欠陥の光照射変化2013

    • Author(s)
      横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      電気学会 基礎・材料・共通部門大会
    • Place of Presentation
      横浜国大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] プラズマ照射によるn型GaNの電気特性劣化のガス種依存性2013

    • Author(s)
      本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Influence of Plasma Induced Defects on Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure and Their Annealing Behavior2013

    • Author(s)
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • Place of Presentation
      Fukuoka, Japan
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] 光過渡容量法を用いたn型窒化ガリウム中のプラズマ照射誘起欠陥の評価2013

    • Author(s)
      瀧本拓真,横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      電気学会基礎・材料・共通部門大会
    • Place of Presentation
      横浜国大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] III族窒化物およびIII-V族化合物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥2013

    • Author(s)
      奥村次徳,中村成志
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川大学
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Totally Wet Process Based on Photoelectrochemical Techniques for GaN Schottky Contacts2013

    • Author(s)
      Koki Kitazawa, Akihiro Koyama, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • Place of Presentation
      Fukuoka, Japan
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] バイアス印加時のn型窒化ガリウム中におけるプラズマ照射誘起欠陥の光照射変化2013

    • Author(s)
      横山大樹,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      電気学会基礎・材料・共通部門大会
    • Place of Presentation
      横浜国大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Influence of Plasma Induced Defects on Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure and Their Annealing Behavior2013

    • Author(s)
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • Place of Presentation
      Fukuoka, Japan(査読有)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] プラズマ照射によるn型GaNの電気特性劣化のガス種依存性2013

    • Author(s)
      本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] バイアスアニールを施したn型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の解析2013

    • Author(s)
      竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] n型GaN電気的特性劣化におけるプラズマ照射条件の影響2013

    • Author(s)
      本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] 荷電状態に依存したn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の回復挙動2012

    • Author(s)
      竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Electrical Plated-Schottky Contact on Photo-electrochemically Controlled Surface of n-GaN2012

    • Author(s)
      Koki Kitazawa, Akihiro Koyama, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • Place of Presentation
      Sapporo
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Characterization of Plasma Induced Damage in Near Surface Region by Using AlGaN/GaN HEMT Structure2012

    • Author(s)
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • Place of Presentation
      Sapporo, JPN(査読有)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] AlGaN/GaNヘテロ構造中のプラズマ照射誘起欠陥に対する熱処理の影響2012

    • Author(s)
      瀧本拓真,竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] 光容量分光法によるn型GaN中の極深準位評価2012

    • Author(s)
      吉田朗子,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Electrical Characteristics of AlGaN/GaN HEMT with Plasma Induced Damages2012

    • Author(s)
      TAKUMA TAKIMOTO,KOJI TAKESHITA,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA
    • Organizer
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Place of Presentation
      Nagoya
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Charge-State Dependent Annealing of Plasma-Induced Defects in n-GaN2012

    • Author(s)
      KOJI TAKESHITA,TAKUMA TAKIMOTO,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA
    • Organizer
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Place of Presentation
      Chubu University, Aichi, Japan(査読有)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Characterization of Plasma Induced Damage in Near Surface Region by Using AlGaN/GaN HEMT Structure2012

    • Author(s)
      Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • Place of Presentation
      Sapporo
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] 光容量分光法によるn 型GaN 中の極深準位評価2012

    • Author(s)
      吉田 朗子,中村 成志,奥村次徳
    • Organizer
      第59 回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] n型GaN表面へのNi電解めっき膜形成における表面前処理の最適化(2)2012

    • Author(s)
      北澤弘毅,小山皓洋,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Charge-State Dependent Annealing of Plasma-Induced Defects in n-GaN2012

    • Author(s)
      KOJI TAKESHITA,TAKUMA TAKIMOTO,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA
    • Organizer
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Place of Presentation
      Nagoya
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] AlGaN/GaNヘテロ接合構造を用いたプラズマ照射誘起欠陥評価2012

    • Author(s)
      瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Electrical Characteristics of AlGaN /GaN HEMT with Plasma Induced Damages2012

    • Author(s)
      TAKUMA TAKIMOTO,KOJI TAKESHITA,SEIJI NAKAMURA AND TSUGUNORI OKUMURA
    • Organizer
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Place of Presentation
      Chubu University, Aichi, Japan(査読有)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] Electrical Plated-Schottky Contact on Photo-electrochemically Controlled Surface of n-GaN2012

    • Author(s)
      Koki Kitazawa, Akihiro Koyama, Seiji Nakamura, and Tsugunori Okumura
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • Place of Presentation
      Sapporo, JPN(査読有)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • [Presentation] バイアスアニーリングによるn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解析2011

    • Author(s)
      竹下浩司,中村成志,奥村次徳
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学
    • Year and Date
      2011-08-31
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-23560011
  • 1.  SHIMURA Michiko (60087294)
    # of Collaborated Projects: 4 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 2.  SUHARA Michihiko (80251635)
    # of Collaborated Projects: 4 results
    # of Collaborated Products: 29 results
  • 3.  FURUKAWA Yuuji (10087190)
    # of Collaborated Projects: 3 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 4.  KAKUTA A. (60224359)
    # of Collaborated Projects: 3 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 5.  NAKAMURA Seiji (70336519)
    # of Collaborated Projects: 2 results
    # of Collaborated Products: 2 results
  • 6.  KAIBE Hiromasa (40224331)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 7.  YOKOGAWA M. (10191496)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 8.  SAKUMA H. (20128573)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 9.  MOROUNKI N. (90166463)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 10.  YANG Ming (90240142)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 11.  MASUDA Hideki (90190363)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 12.  古屋 一仁 (40092572)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 13.  蒲生 健次 (70029445)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 14.  榊 裕之 (90013226)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 15.  平本 俊郎 (20192718)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 16.  生駒 俊明
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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