Miyashita Atsumi 宮下敦巳

… Alternative Names

MIYASHITA Atsumi 宮下敦巳

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Researcher Number	00354944
Other IDs	https://orcid.org/0000-0002-2829-1941
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2022: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所放射線高度利用施設部, 主幹研究員 2021: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員 2020: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員(定常) 2010 – 2012: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 2005 – 2008: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹
Review Section/Research Field	Principal Investigator Electronic materials/Electric materials / Basic Section 32020:Functional solid state chemistry-related / Thin film/Surface and interfacial physical properties Except Principal Investigator Basic Section 80040:Quantum beam science-related
Keywords	Principal Investigator 分子動力学 / 第一原理計算 / 界面物理 / 欠陥準位 / 界面構造 / 炭化ケイ素 / ポジトロニウム分光 / 表面 / 計算科学 / グラフェン … More / 陽電子 / Defect Level / Interfacial Structure / Molecular Dynamics / First-Principles Calculation / Silicon Carbide / 界面欠陥 / 炭化ケイ素半導体 / 欠陥構造 / 炭化珪素半導体 … More Except Principal Investigator 中性化高速ポジトロニウム分光 / 陽電子ビーム / スピン偏極 / スピントロニクス材料評価 / ディレイライン型二次元検出器 / エネルギー・角度分解測定 / スピン偏極電子バンド構造 / スピン偏極低速陽電子ビーム / 高速中性化ポジトロニウム / スピントロニクス / スピン偏極電子バンド状態 / 最表面電子 / スピン偏極陽電子ビーム / 中性化高速ポジトロニウム Less

新しい最表面分析法-中性化高速ポジトロニウム分光は可能か？
- Principal Investigator
  
  前川雅樹
- Project Period (FY)
  2021 – 2024
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Review Section
  
  Basic Section 80040:Quantum beam science-related
- Research Institution
  National Institutes for Quantum Science and Technology
Analysis of Electronic and Positronic States in Long-Period Matched Graphene using Large-Scale First-Principles Band CalculationPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  Miyashita Atsumi
- Project Period (FY)
  2020 – 2022
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 32020:Functional solid state chemistry-related
- Research Institution
  National Institutes for Quantum Science and Technology
Research on interfacial defect clarification of silicon carbide semiconductor device oxide film using first-principle calculation analysisPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  MIYASHITA Atsumi
- Project Period (FY)
  2010 – 2012
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Thin film/Surface and interfacial physical properties
- Research Institution
  Japan Atomic Energy Agency
Research on computational analysis of interface defective structure of oxide film of silicon carbide semiconductorPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  MIYASHITA Atsumi
- Project Period (FY)
  2007 – 2008
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Japan Atomic Energy Agency
Research on atomic structure analysis of silicon carbide semiconductor single crystal and interface of oxide filmPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  MIYASHITA Atsumi
- Project Period (FY)
  2005 – 2006
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Japan Atomic Energy Agency

All 2023 2022 2021 2020 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

All Journal Article Presentation

[Journal Article] 半導体表面からのポジトロニウム放出2022
- Author(s)
  河裾厚男、和田健、宮下敦巳、前川雅樹
- Journal Title
  
  陽電子科学
  
  Volume: 18 Pages: 3-17
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Journal Article] Effect of disorder and vacancy defects on electrical transport properties of Co2MnGa thin films grown by magnetron sputtering2021
- Author(s)
  A. Miyashita, M. Maekawa, C. Suzuki, S. Yamamoto, A. Kawasuso, J. Wang, T. Seki, R. Y. Umetsu, K. Takanashi
- Journal Title
  
  Journal of Applied Physics
  
  Volume: 130 Issue: 22 Pages: 225301-225301
- DOI
  10.1063/5.0071807
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00299, KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Journal Article] Positronium emission from GaN(0001) and AlN(0001) surfaces2021
- Author(s)
  Kawasuso A、Maekawa M、Miyashita A、Wada K、Nagashima Y、Ishida A
- Journal Title
  
  Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics
  
  Volume: 54 Issue: 20 Pages: 205202-205202
- DOI
  10.1088/1361-6455/ac32a0
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-23K21832, KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Journal Article] High-density magnetic-vacancy inclusion in Co<sub>2</sub>MnGa single crystal probed by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2021
- Author(s)
  Miyashita A、Maekawa M、Shimoyama Y、Seko N、Kawasuso A、Umetsu R Y
- Journal Title
  
  Journal of Physics: Condensed Matter
  
  Volume: 34 Issue: 4 Pages: 045701-045701
- DOI
  10.1088/1361-648x/ac3304
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Journal Article] Spin-Polarized Positronium Time-of-Flight Spectroscopy for Probing Spin-Polarized Surface Electronic States2021
- Author(s)
  Maekawa M., Miyashita A., Sakai S., Li S., Entani S., Kawasuso A., Sakuraba Y.
- Journal Title
  
  Physical Review Letters
  
  Volume: 126 Issue: 18 Pages: 186401-186401
- DOI
  10.1103/physrevlett.126.186401
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-18K13985, KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Journal Article] Construction of a Spin-Polarized Positronium Time-of-Flight Measurement Apparatus2020
- Author(s)
  Maekawa M.、Wada K.、Miyashita A.、Kawasuso A.
- Journal Title
  
  Acta Physica Polonica A
  
  Volume: 137 Issue: 2 Pages: 105-108
- DOI
  10.12693/aphyspola.137.105
- Peer Reviewed / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Journal Article] Gadolinium-implanted GaN studied by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2020
- Author(s)
  Maekawa M.、Miyashita A.、Sakai S.、Kawasuso A.
- Journal Title
  
  Physical Review B
  
  Volume: 102 Issue: 5 Pages: 054427-054427
- DOI
  10.1103/physrevb.102.054427
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-18K04931
[Journal Article] Positronium formation at 4H SiC(0001) surfaces2020
- Author(s)
  Kawasuso A、Wada K、Miyashita A、Maekawa M、Iwamori H、Iida S、Nagashima Y
- Journal Title
  
  Journal of Physics: Condensed Matter
  
  Volume: 33 Issue: 3 Pages: 035006-035006
- DOI
  10.1088/1361-648x/abbe7a
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-18H03476
[Journal Article] Spin polarization of graphene on Co2FeGe0.5Ga0.5(001) observed by spin-polarized surface positronium spectroscopy2020
- Author(s)
  Miyashita A.、Li S.、Sakai S.、Maekawa M.、Kawasuso A.
- Journal Title
  
  Physical Review B
  
  Volume: 102 Issue: 4 Pages: 045425-045425
- DOI
  10.1103/physrevb.102.045425
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-18K13985
[Journal Article] The atomic networks at the amorphous SiO_2/SiC interface of the slab model generated with first-principles molecular dynamics simulation2013
- Author(s)
  A. Miyashita, M. Yoshikawa
- Journal Title
  
  JAEA Takasaki Annual Report 2011
  
  Pages: 12-12
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Journal Article] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiO2/SiC Interface of Silicon Carbide Devices (II)2012
- Author(s)
  Atsumi Miyashita
- Journal Title
  
  JAEA Takasaki Annual Report
  
  Volume: 2010 Pages: 17-17
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Journal Article] First- Principles Molecular Dynamics Simulation of SiO_2/SiC Interface of Silicon Carbide Devices (II)2012
- Author(s)
  A. Miyashita, M. Yoshikawa
- Journal Title
  
  JAEA Takasaki Annual Report 2010
  
  Pages: 17-17
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Journal Article] SiC パワーデバイス開発のためのシミュレーション2010
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、吉川正人、土田秀一、岩沢美佐子
- Journal Title
  
  平成21年度先端研究施設共用促進事業「地球シミュレータ産業戦略利用プログラム」利用成果報告書
  
  Pages: 21-18
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Journal Article] SiCパワーデバイス開発のためのシミュレーション2010
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、吉川正人、土田秀一、岩沢美佐子
- Journal Title
  
  平成21年度先端研究施設共用促進事業「地球シミュレータ産業戦略利用プログラム」利用成果報告書
  
  Pages: 21-28
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Journal Article] Dynamical simulation of SiO2/4H-SiC interface on C-face oxidation process: from first principles2009
- Author(s)
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  Pages: 591-594
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC interface on C-face oxidation process : from first principles2009
- Author(s)
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  Pages: 591-594
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of Oxide Layer for SiC Devices2008
- Author(s)
  A. Miyashita, T. Ohnuma, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2007-Mar.2008
  
  Pages: 239-243
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of Oxide Layer for SiC Devices2008
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2007-Mar.2008
  
  Pages: 239-243
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] Generation of amorphous SiO_2/SiC interface structure by the firstprinciples molecular dynamics simulation2007
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  Pages: 521-524
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] Generation of amorphous SiO_2/SiC interface structure by the first-principles molecular dynamics simulation2007
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  Pages: 521-524
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC(0001) interface oxidation process : from first-principles2007
- Author(s)
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  Pages: 615-620
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] Dynamical simulation of SiO2/4H-SiC(0001) interface oxidation process: from firstprinciples2007
- Author(s)
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  Pages: 615-620
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC(0001)interface oxidation process:from first-principles2007
- Author(s)
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  Pages: 615-620
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of Oxide Layer for SiC Devices2007
- Author(s)
  A. Miyashita, T. Ohnuma, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, et. al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2006-Mar.2007
  
  Pages: 241-245
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of Oxide Layer for SiC Devices2007
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2006-Mar.2007
  
  Pages: 241-245
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] Generation of amorphous SiO_2/SiC interface structure by the first-principles molecular dynamics simulation2007
- Author(s)
  A. Miyashita, T. Ohnuma, M. Iwasawa, H. Tsuchida, M. Yoshikawa
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  Pages: 521-524
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] Generation of amorphous SiO_2/SiC interface structure by the firstprinciples molecular dynamics simulation2007
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  Pages: 521-524
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] Generation of amorphous SiO2/SiC interface structure by the first-principles molecular dynamics simulation2007
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- Journal Title
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  Pages: 521-524
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Journal Article] Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface and Dynamical Simulation of Interface Oxidation Process of SiC Device2006
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2005-Mar.2006
  
  Pages: 287-291
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface and Dynamical Simulation of Interface Oxidation Process of SiC Device2006
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr. 2005 - Mar. 2006
  
  Pages: 287-291
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] Structure of SiO_2/4H-SiC interface probed by positron annihilation spectroscopy2006
- Author(s)
  M.Maekawa, A.Kawasuso, M.Yoshikawa, A.Miyashita, et al.
- Journal Title
  
  Phys. Rev. B 73
  
  Pages: 14111-14111
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface and Dynamical Simulation of Interface Oxidation Process of SiC Device2006
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa.et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2005-Mar.2006
  
  Pages: 287-291
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] Structure of SiO_2/4H-SiC interface probed by positron annihilation spectroscopy2006
- Author(s)
  M.Maekaw a, A.Kaw asuso, M.Yoshikaw a, A.Miyashita, et al.
- Journal Title
  
  Phys.Rev.B 73
  
  Pages: 14111-14111
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiC Devices : Generation of Amorphous Si O_2/SiC Interface2005
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2004-Mar.2005
  
  Pages: 287-291
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiC Devices : "Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface"2005
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr. 2004 - Mar. 2005
  
  Pages: 287-291
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Journal Article] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiC Devices : "Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface"2005
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- Journal Title
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2004-Mar.2005
  
  Pages: 287-291
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[Presentation] Positronium emission from semiconductor surfaces2023
- Author(s)
  河裾厚男、和田健、宮下敦巳、前川雅樹、石田明、長島泰之
- Organizer
  Symposium on Electron-Molecule Collisions and Swarm
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム飛行時間測定装置の高効率化2023
- Author(s)
  前川　雅樹, 宮下　敦巳, 河裾　厚男
- Organizer
  日本物理学会 2023年春季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] TaAsにおける不規則性と磁気輸送特性2023
- Author(s)
  河裾厚男, 須田理行, 村川寛, 満汐孝治, 鈴木智広, 天田春代, 宮下敦巳, 前川雅樹, 山本春也, 瀬古典明, 花咲徳亮, 関修平, 大島永康
- Organizer
  日本物理学会2023年春季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] B20型FeSiにおける熱平衡原子空孔生成2022
- Author(s)
  河裾厚男, 宮下敦巳, 前川雅樹, 金澤直也
- Organizer
  第59回アイソトープ・放射線研究発表会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] 高効率スピン偏極ポジトロニウム分光装置の開発2022
- Author(s)
  前川　雅樹, 宮下　敦巳, 河裾　厚男
- Organizer
  令和4年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] Development of spin-polarized positronium time-of-flight method2022
- Author(s)
  Maekawa Masaki, Miyashita Atsumi, Kawasuso Atsuo
- Organizer
  19th International Conference on Positron Annihilation
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] プロトンビーム核反応法を用いた陽電子線源開発2022
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  第59回アイソトープ・放射線研究発表会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] 高効率ポジトロニウム飛行時間測定装置の開発2022
- Author(s)
  前川雅樹, 宮下敦巳, 河裾厚男
- Organizer
  日本物理学会2022年秋季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] Development of spin-polarized positronium time-of-flight method2022
- Author(s)
  Maekawa Masaki, Miyashita Atsumi, Kawasuso Atsuo
- Organizer
  9th International Conference on Positron Annihilation
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] Thermal vacancy formation and induced magnetism in B20 FeSi studied by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2022
- Author(s)
  Kawasuso Atsuo, Miyashita Atsumi, Maekawa Masaki, Suzuki Chihiro, Yamamoto Shunya, Hori Tomohiro, Kanazawa Naoya
- Organizer
  19th International Conference on Positron Annihilation
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] 表面ポジトロニウム分光法の高度化2022
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  日本物理学会第77回年次大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] プロトンビーム核反応法を用いた陽電子線源開発2022
- Author(s)
  前川雅樹, 宮下敦巳, 河裾厚男
- Organizer
  第59回アイソトープ・放射線研究発表会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] NbAs・TaAs単結晶中の点欠陥と電気伝導特性2022
- Author(s)
  河裾厚男, 鈴木智広, 山本春也, 宮下敦巳, 前川雅樹, 村川寛, 満汐孝治, 大島永康, 関修平, 崔旭鎮
- Organizer
  日本物理学会2022年秋季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] FeSi中での陽電子の第一原理バンド計算による解析2022
- Author(s)
  宮下敦巳, 前川雅樹, 河裾厚男, 金澤直也
- Organizer
  第59回アイソトープ・放射線研究発表会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] 高効率ポジトロニウム飛行時間測定装置の開発2022
- Author(s)
  前川　雅樹, 宮下　敦巳, 河裾　厚男
- Organizer
  日本物理学会 2022年秋季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム分光による物質最表面電子状態評価2021
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  日本物理学会2021年秋季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] GaN(0001)表面におけるポジトロニウム生成2021
- Author(s)
  河裾厚男、前川雅樹、宮下敦巳、和田健、長嶋泰之、石田明
- Organizer
  第58回アイソトープ・放射線研究発表会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] ワイル半金属候補物質Co2MnGaの多量原子空孔内包 ―原子空孔の規則化における役割－2021
- Author(s)
  河裾厚男、宮下敦巳、前川雅樹、梅津理恵
- Organizer
  令和3年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム放出エネルギー分光測定による磁性体最表面スピン評価2021
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  第58回アイソトープ・放射線研究発表会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] 第一原理バンド計算によるポジトロニウム分光スペクトルの解析 ―放出角制限におけるk空間選択－2021
- Author(s)
  宮下敦巳、前川雅樹、河裾厚男
- Organizer
  第58回アイソトープ・放射線研究発表会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム分光法の開発2021
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] ワイル半金属候補物質Co2MnGaの多量原子空孔内包 ―原子空孔に付随する電子状態－2021
- Author(s)
  宮下敦巳、前川雅樹、河裾厚男、梅津理恵
- Organizer
  令和3年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] Positronium emission from semiconductors2021
- Author(s)
  A. Kawasuso, A. Miyashita, M. Maekawa, K. Wada, S. Iida, Y. Nagashima
- Organizer
  12.5th International Workshop on Positron and Positronium Chemistry
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] ワイル半金属候補物質Co2MnGaが内包する多量の磁性空孔－スピン偏極陽電子による観測－2021
- Author(s)
  河裾厚男、宮下敦巳、前川雅樹、瀬古典明、下山陽子、梅津理恵
- Organizer
  日本物理学会2021年秋季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム分光法の開発2021
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  令和3年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム放出エネルギー分光測定による磁性体最表スピン評価2021
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  第58回アイソトープ・放射線研究発表会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム分光による物質最表電子状態評価2021
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  日本物理学会2021年秋季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[Presentation] 半導体表面におけるポジトロニウム生成2020
- Author(s)
  河裾厚男、宮下敦巳、前川雅樹、和田健、長嶋泰之、飯田進平、岩森大
- Organizer
  令和2年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム飛行時間測定装置の開発2020
- Author(s)
  前川雅樹、和田健、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  令和2年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] 第一原理バンド計算による表面ポジトロニウム分光解析2020
- Author(s)
  宮下敦巳、前川雅樹、河裾厚男
- Organizer
  令和2年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] スピン偏極ポジトロニウム放出エネルギー測定による表面電子スピンのエネルギー分解2020
- Author(s)
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- Organizer
  日本物理学会2020秋季大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[Presentation] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファス SiO_2/SiC(11-20)原子構造モデルにおける界面欠陥2012
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  2012 年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  東京
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO_2/SiC(11-20)原子構造モデルにおける界面欠陥2012
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  早稲田大学(東京都)
- Year and Date
  2012-03-18
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] 第一原理分子動力学法で生成したa-SiO2/SiC(11-20)原子構造モデルにおける電子構造2012
- Author(s)
  宮下敦巳
- Organizer
  第7回高崎量子応用研究シンポジウム
- Place of Presentation
  高崎シティギャラリー (高崎)
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] 第一原理分子動力学法で生成したa-SiO_2/SiC(11-20)原子構造モデルにおける電子構造2012
- Author(s)
  宮下敦巳、吉川正人
- Organizer
  第7回高崎量子応用研究シンポジウム
- Place of Presentation
  高崎
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファス SiO_2/4H-SiC(11-20)原子構造モデル2011
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会
- Place of Presentation
  名古屋
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] Si 面とC 面の違いによる第一原理分子動力学法で生成したアモルファス SiO_2原子構造モデルの界面欠陥2011
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  2011 年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  厚木
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] Si面とC面の違いによる第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO_2原子構造モデルの界面欠陥2011
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  神奈川工科大学(厚木)
- Year and Date
  2011-03-25
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO_2/4H-SiC(11-20)原子構造モデル2011
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会
- Place of Presentation
  愛知県産業労働センター(名古屋)
- Year and Date
  2011-12-08
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファス SiO_2/SiC 界面原子構造モデルにおける欠陥準位2011
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  第6回高崎量子応用研究シンポジウム
- Place of Presentation
  高崎
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[Presentation] 第一分子動力学法によるSiO_2/4H-SiC C面酸化過程シミュレーション:温度の効果2009
- Author(s)
  大沼敏治, 宮下敦巳, 岩沢美佐子, 吉川正人, 土田秀一
- Organizer
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波
- Year and Date
  2009-03-30
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理分子動力学シミュレーションで生成されたアモルファスSiO2/SiC界面原子構造における界面接続モデル2009
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波
- Year and Date
  2009-03-30
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一分子動力学法によるSiO2/4H-SiC C面酸化過程シミュレーション : 温度の効果2009
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- Organizer
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波
- Year and Date
  2009-03-30
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理分子動力学シミュレーションで生成されたアモルファスSiO_2/SiC界面原子構造における界面接続モデル2009
- Author(s)
  宮下敦巳, 大沼敏治, 岩沢美佐子, 土田秀一, 吉川正人
- Organizer
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波
- Year and Date
  2009-03-30
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理分子動力学法によるSiO2/SiC界面の大規模数値解析2008
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  第3回高崎量子応用研究シンポジウム
- Place of Presentation
  高崎
- Year and Date
  2008-10-09
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理分子動力学法にて生成された大規模アモルファスSiO2/SiCモデルにおける界面構造2008
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会
- Place of Presentation
  東京
- Year and Date
  2008-12-08
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] SiO_2/4H-SiC C面における酸化過程の動的シミュレーション : 温度の効果2008
- Author(s)
  大沼敏治, 宮下敦巳, 岩沢美佐子, 吉川正人, 土田秀一
- Organizer
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
- Place of Presentation
  東京
- Year and Date
  2008-12-08
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] Dynamical simulation of SiO2/4H-SiC C-face interface oxidation process at 1500K2008
- Author(s)
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- Organizer
  E-MRS 2008
- Place of Presentation
  Warsaw
- Year and Date
  2008-09-15
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] アモルファスSiO2/SiC界面構造の第一原理計算による生成III2008
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  船橋
- Year and Date
  2008-03-28
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] Amorphous SiO2/SiC interface defect structure generated with first-principle molecular dynamics simulation2008
- Author(s)
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- Organizer
  2008 MRS fall meeting
- Place of Presentation
  Boston
- Year and Date
  2008-12-02
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] Amorphous SiO_2/SiC interface defect structure generated with first-principle molecular dynamics simulation2008
- Author(s)
  A. Miyashita, T. Ohnuma, M. Iwasawa, H. Tsuchida, M. Yoshikawa
- Organizer
  2008 MRS fall meeting
- Place of Presentation
  Boston
- Year and Date
  2008-12-02
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] SiO2/4H-SiC C面における酸化過程の動的シミュレーション : 温度の効果2008
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- Organizer
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
- Place of Presentation
  東京
- Year and Date
  2008-12-08
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC C-face interface oxidation process at 1500K2008
- Author(s)
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- Organizer
  E-MRS 2008
- Place of Presentation
  Warsaw
- Year and Date
  2008-09-15
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] アモルファスSiO_2/SiC界面構造の第一原理計算による生成III2008
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講i演会
- Place of Presentation
  船橋
- Year and Date
  2008-03-28
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理分子動力学法にて生成された大規模アモルファスSiO_2/SiCモデルにおける界面構造2008
- Author(s)
  宮下敦巳, 大沼敏治, 岩沢美佐子, 土田秀一, 吉川正人
- Organizer
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
- Place of Presentation
  東京
- Year and Date
  2008-12-08
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] SiO2/4H-SiC(000-1)C面における酸化過程の第一原理分子動力学計算2008
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- Organizer
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  船橋
- Year and Date
  2008-03-28
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] SiO_2/4H-SiC(000-1)C面における酸化過程の第一原理分子動力学計算2008
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- Organizer
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講i演会
- Place of Presentation
  船橋
- Year and Date
  2008-03-28
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理分子動力学法によるSiO_2/SiC界面の大規模数値解析2008
- Author(s)
  宮下敦巳, 大沼敏治, 岩沢美佐子, 土田秀一, 吉川正人
- Organizer
  第3回高崎量子応用研究シンポジウム
- Place of Presentation
  高崎
- Year and Date
  2008-10-09
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] SiO2/4H-SiC(000-1)C面における熱酸化過程の第一原理分子動力学シミュレーション -Si 面との違い-2007
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- Organizer
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- Place of Presentation
  名古屋
- Year and Date
  2007-11-29
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理計算によるSiC酸化と界面準位発生の問題-熱酸化過程の動的シミュレーション-2007
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- Organizer
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第2回個別討論会
- Place of Presentation
  東京
- Year and Date
  2007-07-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] Firstprinciples molecular dynamics study of the oxidation process in the SiO2/4HSiC( 0001) interface2007
- Author(s)
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- Organizer
  Conference on Computational Physics 2007
- Place of Presentation
  Brussels
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] SiO_2/4H-SiC(000-1)C面における熱酸化過程の第一原理分子動力学シミュレーション-Si面との違い-2007
- Author(s)
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- Organizer
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- Place of Presentation
  名古屋
- Year and Date
  2007-11-29
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理計算によるSiC酸化と界面準位発生の問題-界面構造生成と欠陥構造-2007
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第2回個別討論会
- Place of Presentation
  東京
- Year and Date
  2007-07-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] Dynamical simulation of SiOa/4H-SiC interface on C-face oxidation process:from first principles2007
- Author(s)
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- Organizer
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- Place of Presentation
  Otsu
- Year and Date
  2007-10-19
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] シミュレーションによるアモルファスSiO_2/SiC界面の生成〜温度条件による界面構造の違い〜2007
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- Place of Presentation
  名古屋
- Year and Date
  2007-11-29
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] Dynamical simulation of SiO2/4H-SiC interface on C-face oxidation process: from first principles2007
- Author(s)
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- Organizer
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- Place of Presentation
  Otsu
- Year and Date
  2007-10-19
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] 第一原理計算によるSiC酸化と界面準位発生の問題-界面構造生成と欠陥構造-2007
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第2回個別討論会
- Place of Presentation
  東京
- Year and Date
  2007-07-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] First-principles molecular dynamics study of the oxidation process in theSiO_2/4H-SiC(0001)interface2007
- Author(s)
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- Organizer
  Conference on Computational Physics 2007
- Place of Presentation
  Brussels
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[Presentation] シミュレーションによるアモルファスSiO2/SiC界面の生成 ~温度条件による界面構造の違い~2007
- Author(s)
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- Organizer
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- Place of Presentation
  名古屋
- Year and Date
  2007-11-29
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560329

1. YOSHIKAWA Masahito (40354948)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 11 results
2. 前川雅樹 (10354945)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 11 results
3. 河裾厚男 (20354946)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 11 results
4. 関剛斎

# of Collaborated Projects: 0 results

# of Collaborated Products: 1 results
5. 李松田

# of Collaborated Projects: 0 results

# of Collaborated Products: 1 results

Miyashita Atsumi 宮下 敦巳

MIYASHITA Atsumi 宮下 敦巳

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

新しい最表面分析法-中性化高速ポジトロニウム分光は可能か？

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Analysis of Electronic and Positronic States in Long-Period Matched Graphene using Large-Scale First-Principles Band CalculationPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Research on interfacial defect clarification of silicon carbide semiconductor device oxide film using first-principle calculation analysisPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Research on computational analysis of interface defective structure of oxide film of silicon carbide semiconductorPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Research on atomic structure analysis of silicon carbide semiconductor single crystal and interface of oxide filmPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

[Journal Article] 半導体表面からのポジトロニウム放出2022

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Effect of disorder and vacancy defects on electrical transport properties of Co2MnGa thin films grown by magnetron sputtering2021

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Positronium emission from GaN(0001) and AlN(0001) surfaces2021

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] High-density magnetic-vacancy inclusion in Co<sub>2</sub>MnGa single crystal probed by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2021

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Spin-Polarized Positronium Time-of-Flight Spectroscopy for Probing Spin-Polarized Surface Electronic States2021

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Construction of a Spin-Polarized Positronium Time-of-Flight Measurement Apparatus2020

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Gadolinium-implanted GaN studied by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2020

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Positronium formation at 4H SiC(0001) surfaces2020

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Spin polarization of graphene on Co2FeGe0.5Ga0.5(001) observed by spin-polarized surface positronium spectroscopy2020

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] The atomic networks at the amorphous SiO_2/SiC interface of the slab model generated with first-principles molecular dynamics simulation2013

Miyashita Atsumi 宮下敦巳

MIYASHITA Atsumi 宮下敦巳