IKEDA Masanori 池田正則

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池田正則イケダマサノリ

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Researcher Number	10222902
Other IDs
Affiliation (Current)	2025: 日本大学, 工学部, 教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2019 – 2023: 日本大学, 工学部, 教授 2012 – 2013: 日本大学, 工学部, 教授 2008 – 2011: 日本大学, 工学部, 准教授
Review Section/Research Field	Principal Investigator Electronic materials/Electric materials Except Principal Investigator Basic Section 29030:Applied condensed matter physics-related / Electronic materials/Electric materials
Keywords	Principal Investigator TFT / 多結晶Si薄膜 / 結晶性評価 / 薄膜トランジスタ / 多結晶シリコン薄膜 / 表面光電圧 Except Principal Investigator イメージング / テラヘルツ波 / スペクトル・ドリル法 / 負誘電率領域 … More / 表面電磁波共鳴 / 超高解像 / 超解像 / 二重共鳴構造 / 表面プラズモン共振器 / 単結晶シリコン / 表面ポテンシャル / 金属不純物 / 酸化膜成長 / 金属誘起電荷 / フラットパネルディスプレイ / 結晶性評価 / 多結晶シリコン薄膜 / 表面光電圧 / 評価技術 / 作成 Less

負誘電率周波数帯の表面電磁波共鳴を用いたテラヘルツイメージングの研究
- Principal Investigator
  
  四方潤一
- Project Period (FY)
  2022 – 2024
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 29030:Applied condensed matter physics-related
- Research Institution
  Nihon University
Super-resolution three-dimensional terahertz imaging using doubly resonant terahertz-wave resonators
- Principal Investigator
  
  SHIKATA Jun-ichi
- Project Period (FY)
  2019 – 2021
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 29030:Applied condensed matter physics-related
- Research Institution
  Nihon University
Development of evaluation method of crystallinity in poly-crystallized silicon thin film for bottom gate type TFT by surface photo-voltagePrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  IKEDA Masanori
- Project Period (FY)
  2011 – 2013
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Nihon University
Development of crystallinity evaluation technique of poly-silicon film aiming at flat panel display on the basis of an alternating current surface photovoltage method
- Principal Investigator
  
  SHIMIZU Hirofumi
- Project Period (FY)
  2008 – 2010
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Nihon University

All 2023 2022 2021 2019 2013 2012 2011 2010 2009 2008 Other

All Journal Article Presentation

[Journal Article] 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法2012
- Author(s)
  池田正則、清水博文、高松弘行、迫田尚和
- Journal Title
  
  電子情報通信学会論文誌C
  
  Volume: J95-C Pages: 41-42
- NAID
  110009327414
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Journal Article] Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成2012
- Author(s)
  池田正則, 清水博文
- Journal Title
  
  表面科学
  
  Volume: 33 Pages: 135-140
- NAID
  10030443347
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Journal Article] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011
- Author(s)
  池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
- Journal Title
  
  日本大学工学部紀要第52巻,第2号
  
  Pages: 35-40
- NAID
  40018809666
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2011
- Author(s)
  H. Shimizu, S. Nagase, and M. Ikeda
- Journal Title
  
  Applied Physics A
  
  Volume: 104 Pages: 929-934
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Journal Article] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011
- Author(s)
  池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Journal Title
  
  日本大学工学部紀要
  
  Volume: 52 Pages: 35-40
- NAID
  40018809666
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface2010
- Author(s)
  H.Shimizu, S.Shimada, S.Nagase, S.Muta, M.Ikeda
- Journal Title
  
  J.Vac.and Technol. Vol.28
  
  Pages: 94-98
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010
- Author(s)
  H.Shimizu, S.Shimada, M.Ikeda
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  Volume: 49
- NAID
  210000068049
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si(001)surface2010
- Author(s)
  H.Shimizu, S.Shimada, S.Nagase, S.Muta, M.Ikeda
- Journal Title
  
  J.Vac.and Technol. 28
  
  Pages: 94-98
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010
- Author(s)
  H.Shimizu, S.Shimada, M.Ikeda
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49
  
  Pages: 38001-38001
- NAID
  210000068049
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Characteristics of Sol-Gel-Derived and Crystallized HfO_2 Thin Films Dependent on Sol Solution2010
- Author(s)
  H.Shimizu, D.Nemoto, M.Ikeda, T.Nishide
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  Volume: 49
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析2009
- Author(s)
  嶋田定剛,清水博文,池田正則
- Journal Title
  
  日本大学工学部紀要第51巻,第1号
  
  Pages: 33-41
- NAID
  40016854754
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析2009
- Author(s)
  嶋田定剛, 清水博文, 池田正則
- Journal Title
  
  日本大学工学部紀要 51
  
  Pages: 33-41
- NAID
  40016854754
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Journal Article] Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si (001) surfaces2008
- Author(s)
  H.Shimizu, H.Wakashima, S.Shimada, T.Ishikawa, M.Ikeda
- Journal Title
  
  Surface and Interface Analysis Vol.40
  
  Pages: 627-630
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Presentation] Si薄膜結晶化過程における交流表面光電圧変化2023
- Author(s)
  畚野梓，池田正則
- Organizer
  電気関係学会東北支部連合大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04940
[Presentation] MIC法により結晶化したSi薄膜の交流表面光電圧2023
- Author(s)
  畚野梓，池田正則
- Organizer
  応用物理学会東北支部第78回学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04940
[Presentation] Al,Au/Ta2O5/Ta 構造の電気特性評価2022
- Author(s)
  伊藤匠生，池田正則
- Organizer
  令和4年度第21回日本金属学会東北支部研究発表大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04940
[Presentation] Si薄膜の金属誘起結晶化過程における交流表面光電圧変化2022
- Author(s)
  畚野梓，池田正則
- Organizer
  令和4年度第21回日本金属学会東北支部研究発表大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04940
[Presentation] Al，Au/Ta2O5/Ta 構造における電気伝導機構2022
- Author(s)
  伊藤匠生，池田正則
- Organizer
  2022年（令和4年）応用物理学会東北支部第77回学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04940
[Presentation] 陽極化成Ta2O5薄膜における電気伝導機構2022
- Author(s)
  伊藤匠生，池田正則
- Organizer
  2022年度電気関係学会東北支部連合大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04940
[Presentation] 交流表面光電圧法による金属誘起結晶化過程における層交換の検出2021
- Author(s)
  永留唯瑛, 池田正則
- Organizer
  2021年応用物理学会東北支部第76回学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19K05286
[Presentation] 真空中でアニールしたSi/Al/SiO2構造の交流表面光電圧測定2021
- Author(s)
  永留唯瑛, 池田正則
- Organizer
  令和2年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19K05286
[Presentation] Al誘起結晶化法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定2019
- Author(s)
  池田正則, 高野隆盛
- Organizer
  令和元年度電気関係学会東北支部連合大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19K05286
[Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2013
- Author(s)
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Organizer
  平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
- Place of Presentation
  日本大学工学部
- Year and Date
  2013-03-12
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価2013
- Author(s)
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Organizer
  日本表面科学会第33回表面科学学術講演会
- Place of Presentation
  つくば国際会議場(27P76)
- Year and Date
  2013-11-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価2013
- Author(s)
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Organizer
  平成25年度電気関係学会東北支部連合大会
- Place of Presentation
  会津大学(1C09)
- Year and Date
  2013-08-22
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2012
- Author(s)
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Organizer
  Cat-CVD研究会第9回研究集会
- Place of Presentation
  日本大学生産工学部(P-04)
- Year and Date
  2012-06-23
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2012
- Author(s)
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Organizer
  福島県ハイテクプラザ研究成果発表会
- Place of Presentation
  福島県ハイテクプラザ
- Year and Date
  2012-07-24
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価2012
- Author(s)
  池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- Organizer
  平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
- Place of Presentation
  東北大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価2012
- Author(s)
  池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Organizer
  平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
- Place of Presentation
  東北大学多元研(P-16)
- Year and Date
  2012-03-09
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2012
- Author(s)
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Organizer
  平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
- Place of Presentation
  秋田県立大学本荘キャンパス(2H15)
- Year and Date
  2012-08-31
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価2011
- Author(s)
  池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- Organizer
  平成23年度電気関係学会東北支部連合大会
- Place of Presentation
  東北学院大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価2011
- Author(s)
  池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- Organizer
  平成23年度電気関係学会東北支部
- Place of Presentation
  東北学院大学(2H12)
- Year and Date
  2011-08-26
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊2011
- Author(s)
  眞田悠司, 清水博文, 池田正則
- Organizer
  平成23年東北地区若手研究者研究発表会
- Place of Presentation
  仙台高等専門学校
- Year and Date
  2011-03-12
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Presentation] Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊2011
- Author(s)
  眞田悠司, 清水博文, 池田正則
- Organizer
  平成22年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会
- Place of Presentation
  東北大学多元研
- Year and Date
  2011-03-10
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Presentation] 熱酸化したFe汚染n型Siの交流表面光電圧による金属誘起負電荷の評価2011
- Author(s)
  萩原寛幸, 加藤悟,清水博文, 池田正則
- Organizer
  平成23年東北地区若手研究者研究発表会
- Place of Presentation
  仙台高等専門学校
- Year and Date
  2011-03-12
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Presentation] 非接触表面光電圧プローブを用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2010
- Author(s)
  池田正則(清水博文)
- Organizer
  平成22年度電気関係学会東北支部連合大会
- Place of Presentation
  八戸工業大学
- Year and Date
  2010-08-26
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Presentation] 非接触SPV測定による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2009
- Author(s)
  池田正則(清水博文)
- Organizer
  第70回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  富山大学
- Year and Date
  2009-09-09
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2008
- Author(s)
  池田正則(清水博文)
- Organizer
  第69回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  中部大学
- Year and Date
  2008-09-02
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- Author(s)
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- Organizer
  Cat-CVD研究会第9回研究集会
- Place of Presentation
  日本大学生産工学部
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- Author(s)
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- Organizer
  福島県ハイテクプラザ研究成果発表会
- Place of Presentation
  福島県ハイテクプラザ
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価
- Author(s)
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- Organizer
  平成25年度電気関係学会東北支部連合大会
- Place of Presentation
  会津大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] ω-SPV法によるSiウェーハの少数キャリア寿命評価
- Author(s)
  板野純希，清水博文，池田正則
- Organizer
  平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
- Place of Presentation
  秋田県立大学本荘キャンパス
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価
- Author(s)
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- Organizer
  日本表面科学会第33回表面科学学術講演会
- Place of Presentation
  つくば国際会議場
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- Author(s)
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- Organizer
  平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
- Place of Presentation
  日本大学工学部
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- Author(s)
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- Organizer
  平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
- Place of Presentation
  秋田県立大学本荘キャンパス
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560372

1. SHIMIZU Hirofumi (10318371)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 36 results
2. SHIKATA Jun-ichi (50302237)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 0 results
3. 時実悠 (80648931)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
4. 南出泰亜 (10322687)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
5. 大野誠吾 (70435634)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results

IKEDA Masanori 池田 正則

池田 正則 イケダ マサノリ

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

負誘電率周波数帯の表面電磁波共鳴を用いたテラヘルツイメージングの研究

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Super-resolution three-dimensional terahertz imaging using doubly resonant terahertz-wave resonators

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Development of evaluation method of crystallinity in poly-crystallized silicon thin film for bottom gate type TFT by surface photo-voltagePrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Development of crystallinity evaluation technique of poly-silicon film aiming at flat panel display on the basis of an alternating current surface photovoltage method

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

[Journal Article] 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法2012

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Journal Article] Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成2012

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Journal Article] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Journal Article] Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2011

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Journal Article] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface2010

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Journal Article] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si(001)surface2010

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

[Journal Article] Characteristics of Sol-Gel-Derived and Crystallized HfO_2 Thin Films Dependent on Sol Solution2010

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析2009

Author(s)

Journal Title

NAID

Data Source

IKEDA Masanori 池田正則

池田正則イケダマサノリ