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INOUE Shigeru  井上 茂

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Researcher Number 10470113
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2012: 東京大学, 生産技術研究所, その他
2008 – 2011: The University of Tokyo, 生産技術研究所, 特任助教
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Electronic materials/Electric materials / Inorganic materials/Physical properties
Keywords
Principal Investigator
表面プラズモン / III族窒化物 / III族窒化物半導体 / FBAR / 結晶成長
  • Research Projects

    (3 results)
  • Research Products

    (12 results)
  •  III族窒化物半導体/金属量子多層構造による高温域熱電変換素子の開発Principal Investigator

    • Principal Investigator
      井上 茂
    • Project Period (FY)
      2012
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Inorganic materials/Physical properties
    • Research Institution
      The University of Tokyo
  •  Improvement in efficiencies of light emitting devices by surface plasmonPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      INOUE Shigeru
    • Project Period (FY)
      2010 – 2011
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      The University of Tokyo
  •  Fabrication of single crystalline FBAR by the use of pulsed sputtering depositionPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      INOUE Shigeru
    • Project Period (FY)
      2008 – 2009
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      The University of Tokyo

All 2012 2011 2009

All Journal Article Presentation

  • [Journal Article] 金属基板上への窒化物半導体低温成長2012

    • Author(s)
      井上茂, 太田実雄, 小林篤, 藤岡洋
    • Journal Title

      日本結晶成長学会誌

      Volume: 38巻 Pages: 249-254

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [Journal Article] Epitaxial growth of GaN on single-crystal Mo substrates using HfN buffer layers2009

    • Author(s)
      岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 太田実雄, 藤岡洋
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth 311巻

      Pages: 1311-1315

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [Journal Article] Epitaxial growth of GaN on single crystal Mo substrates using HfN buffer layers2009

    • Author(s)
      岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 太田実雄, 藤岡洋
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth 311

      Pages: 1311-1315

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [Presentation] PSD法によるAlGaN/GaN HEMT構造の特性2012

    • Author(s)
      丹所昂平,井上茂,太田実雄,藤岡洋
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      2012-03-16
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [Presentation] PSD法によるAlGaN/GaN HEMT構造の特性2012

    • Author(s)
      丹所昂平, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学(東京都)
    • Year and Date
      2012-03-16
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [Presentation] PSD法により作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性2011

    • Author(s)
      丹所昂平,田村和也,井上茂,太田実雄,藤岡洋
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学
    • Year and Date
      2011-09-01
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [Presentation] フルカラーInGaN発光ダイオードの作製と評価2011

    • Author(s)
      田村和也,太田実雄,丹所昂平,小林篤,井上茂,藤岡洋
    • Organizer
      第58回応用物理学関連連合講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学
    • Year and Date
      2011-03-24
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [Presentation] PSD法により作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性2011

    • Author(s)
      丹所昂平, 田村和也, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学(山形県)
    • Year and Date
      2011-09-01
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [Presentation] GaN/HfN/Si(110)ヘテロ構造の作製と界面の評価2009

    • Author(s)
      宋顕成, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋, 伊勢村雅士
    • Organizer
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-30
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [Presentation] Rh(111)基板上へエピタキシャル成長したAlGaNの面内配向関係2009

    • Author(s)
      岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • Organizer
      第39回結晶成長国内会議
    • Place of Presentation
      名古屋大学
    • Year and Date
      2009-11-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [Presentation] Rh(111)基板上ヘエピタキシャル成長したAlGaNの面内配向関係2009

    • Author(s)
      岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • Organizer
      第39回結晶成長国内会議
    • Place of Presentation
      名古屋大学
    • Year and Date
      2009-11-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [Presentation] GaN/HfN/Si(110)へテロ構造の作製と界面の評価2009

    • Author(s)
      宋顕成, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋, 伊勢村雅士
    • Organizer
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      波大学
    • Year and Date
      2009-03-30
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20760209

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