Nishimura Takashi 西村高志

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西村高志ニシムラタカシ

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Researcher Number	10757248
Other IDs	https://orcid.org/0000-0002-0435-0046
Affiliation (Current)	2025: 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 2025: 鈴鹿工業高等専門学校, その他部局等, 准教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2025: 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 2021 – 2022: 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 2018 – 2019: 鈴鹿工業高等専門学校, その他部局等, 准教授
Review Section/Research Field	Principal Investigator Basic Section 30010:Crystal engineering-related / Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Keywords	Principal Investigator 液相エピタキシャル結晶成長 / 表面融液 / ナノニードル結晶 / 局所静電プロセッシング / 電子ビーム溶融 / 高電界印加 / 強磁場印加 / その場観察 / 表面微細パターニング / エレクトロマイグレーション … More / 溶融凝固 / 半導体微細加工法 / 鉄シリサイド / 液相エピタキシャル成長 / 準溶融状態 / シリコン / 表面結晶アレイ / シリサイド微小結晶 / 表面融液エピタキシャル結晶成長 Less

Research Projects
(3 results)
Research Products
(9 results)

局所静電プロセッシングによる材料凸融液の一軸引上成長法の開拓と自己修復結晶の創製Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  西村高志
- Project Period (FY)
  2025 – 2028
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 30010:Crystal engineering-related
- Research Institution
  National Institute of Technology (KOSEN), Suzuka College
質量輸送過程におけるシリコン表面融液局所エピタキシャル結晶成長の精密制御Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  西村高志
- Project Period (FY)
  2021 – 2025
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 30010:Crystal engineering-related
- Research Institution
  Suzuka National College of Technology
The study of surface liquid phase epitaxy for the fabrication of silicon nano-structuresPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  Nishimura Takashi
- Project Period (FY)
  2018 – 2019
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- Review Section
  
  Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
- Research Institution
  Suzuka National College of Technology

All 2023 2022 2021 2020 2019 2018

All Journal Article Presentation

[Journal Article] Effect of a magnetic field on fabrication of Si protrusions by local surface melting of a narrow current path on a Si wafer via resistive heating2023
- Author(s)
  Nishimura Takashi、Tomitori Masahiko
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 62 Issue: 3 Pages: 035503-035503
- DOI
  10.35848/1347-4065/acbff7
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04912
[Journal Article] Fabrication of Si protrusions by local melting of a narrow current path on a Si wafer via resistive heating2021
- Author(s)
  Nishimura Takashi、Tomitori Masahiko
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 60 Issue: 12 Pages: 126506-126506
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac37ef
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04912
[Journal Article] Microanalysis of silicon protrusions with a titanium cap formed via surface melting and solidification under applied tensile stress2019
- Author(s)
  Takashi Nishimura1 and Masahiko Tomitori
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 8 Issue: 2 Pages: 025501-1
- DOI
  10.7567/1347-4065/aaf46c
- NAID
  210000135275
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-18K14129
[Journal Article] Formation of Silicon Protrusions via Surface Melting and Solidification Under Applied Tensile Stress2018
- Author(s)
  T.Nishimura
- Journal Title
  
  ANNUAL REPORT OF THE MURATA SCIENCE FOUNDATION
  
  Volume: 33 Pages: 412-418
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-18K14129
[Presentation] 通電加熱表面融解相から成長させた突起状シリコンの強磁場印加による先鋭化2022
- Author(s)
  西村高志, 富取正彦
- Organizer
  第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04912
[Presentation] 金属蒸着シリコン細路部の局所溶融による突起構造の液相エピタキシャル結晶成長2021
- Author(s)
  西村高志, 富取正彦
- Organizer
  第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04912
[Presentation] 応力印加場での局所表面融液エピタキシャル結晶成長による突起構造形成過程の熱画像解析2020
- Author(s)
  西村高志,磯部文哉,富取正彦
- Organizer
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-18K14129
[Presentation] 局所応力印加下での金属蒸着表面液相エピタキシャル成長による突起構造形成2019
- Author(s)
  西村高志, 富取正彦
- Organizer
  2019年日本表面真空学会学術講演
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-18K14129
[Presentation] 局所応力印加下での表面液相エピタキシャル成長で形成した表面突起構造の断面構造解析2018
- Author(s)
  西村高志, 富取正彦
- Organizer
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-18K14129

Nishimura Takashi 西村 高志

西村 高志 ニシムラ タカシ

Research Projects

Research Products

局所静電プロセッシングによる材料凸融液の一軸引上成長法の開拓と自己修復結晶の創製Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

質量輸送過程におけるシリコン表面融液局所エピタキシャル結晶成長の精密制御Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

The study of surface liquid phase epitaxy for the fabrication of silicon nano-structuresPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

[Journal Article] Effect of a magnetic field on fabrication of Si protrusions by local surface melting of a narrow current path on a Si wafer via resistive heating2023

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Fabrication of Si protrusions by local melting of a narrow current path on a Si wafer via resistive heating2021

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Microanalysis of silicon protrusions with a titanium cap formed via surface melting and solidification under applied tensile stress2019

Author(s)

Journal Title

DOI

NAID

Data Source

[Journal Article] Formation of Silicon Protrusions via Surface Melting and Solidification Under Applied Tensile Stress2018

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Presentation] 通電加熱表面融解相から成長させた突起状シリコンの強磁場印加による先鋭化2022

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 金属蒸着シリコン細路部の局所溶融による突起構造の液相エピタキシャル結晶成長2021

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 応力印加場での局所表面融液エピタキシャル結晶成長による突起構造形成過程の熱画像解析2020

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 局所応力印加下での金属蒸着表面液相エピタキシャル成長による突起構造形成2019

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 局所応力印加下での表面液相エピタキシャル成長で形成した表面突起構造の断面構造解析2018

Author(s)

Organizer

Data Source

Nishimura Takashi 西村高志

西村高志ニシムラタカシ