| Affiliation (based on the past Project Information) *help |
2018 – 2024: 兵庫県立大学, 工学研究科, 教授
2016 – 2017: 兵庫県立大学, 工学研究科, 准教授
2013 – 2014: 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 准教授
2012 – 2013: 兵庫県立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
2008 – 2012: University of Hyogo, 大学院・工学研究科, 准教授
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2007: University of Hyogo, 大学院・工学研究科, 助教
2006: University of Hyogo, Graduate School pf Engineering, Assistant Professor
2006: 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 助手
2006: Hyogo Prefecture University, Faculty of Engineering, research associate, 工学研究科, 助手
2005: 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 助手
2005: 姫路工業大学, 工学研究科, 助手
2004: 兵庫県立大学, 工学研究科, 助手
2002 – 2003: Himeji Inst. Tech., Grad. School of Eng.., Res. Associate, 工学研究科, 助手
2000 – 2001: 姫路工業大学, 工学部, 助手
1999: 姫路工業大学, 工学部・電子工学科, 助手
1996 – 1998: Himeji Inst. Tech., Dept. Electro., Reserch Associate, 工学部, 助手
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| Keywords |
- Principal Investigator
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SPM / MOCVD / SNDM / 分極反転 / 強誘電体ナノ構造 / PZT / 極性結晶 / 高効率 / 太陽電池 / 異常光起電力
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/ 記憶・記録 / 酸化亜鉛 / ハフニア / キャパシタ / ナノワイヤ / 強誘電体メモリ / ナノワイヤキャパシタ / ナノワイヤトランジスタ / 強誘電体 / サイズ依存性 / 基板拘束 / 走査型プローブ顕微鏡 / 圧電定数 / サイズ効果 / 自発分極 / ナノ強誘電体 / BiFeO_3 / 価数制御 / 組成制御 / リーク電流 / 絶縁性 / ビスマスフェライト / ナノアイランド / ナノチューブ / ナノロッド / 極薄膜 / ナノサイズ強誘電体 / CR-PFM / エピタキシャル成長 / 成長様式 / エピタキシヤル成長 / 強誘電体極薄膜 / PFM / AFM / 圧電応答顕微鏡 / 臨界サイズ / 強誘電性 / 多結晶 / エピタキシャル / 不純物 / 高純度化 / 原料純度 / 不揮発性強誘電体メモリ / 低温高速成長 / 高純度 / 相互拡散 / 疲労特性 / 単結晶 / 結晶粒界 / 結晶粒 / 劣化現象 / 強誘電体薄膜
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- Except Principal Investigator
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強誘電体 / MOCVD / MOCVD法 / PZT薄膜 / サイズ効果 / 強誘電体薄膜 / 圧電応答顕微鏡 / Pb(Zr,Ti)O_3 / ビスマスフェライト / surface / polarization / ferroelectric / 分域 / PZT thin film / grain boundary / grain size / size effect / 薄膜 / グレインバウンダリ / グレインサイズ / MFS型デバイス / MFSデバイス / Ir / Ir電極 / SIMS / Pb(Zr,Ti)O_3薄膜 / 強誘電体メモリ / ナノワイヤ / ナノロッド / 二段階成長法 / Ir薄膜 / 低温成長 / 強誘電性 / ナノ構造 / 極薄膜 / 低次元物質 / 光起電力効果 / 整列 / 新現象 / SHG / 近接効果 / proximity / 2D / 帯電ドメインウォール / 金属/強誘電体界面 / バンド変調 / 転写 / BiFeO3 / グラフェン / エネルギーバンド変調 / 擬似ドーパント効果 / バンド構造 / 帯電ドメイン壁 / 擬似ドーパント / 半導体物性 / Synchrotron X-Ray Diffraction / Phase Transition Temperature / Critical Thickness / Piezoresponse Force Microscopy / PbTiO_3 Nanoislands / PbTiO_3 Ultrathin Films / Size Effect / 自己集合化 / 強誘電体ナノ構造 / 強誘電体極薄膜 / 放射光X線回折 / 相転移温度 / 臨界膜厚 / PbTiO_3ナノアイランド / PbTiO_3極薄膜 / depolarization / nanometer / domain / 2-dimenstional electron / 反電界 / ナノ物性 / 2次元電子 / 表面 / 分極 / ferroelectric thin film memory / three-dimensional capacitor / ferroelectric capacitor / Ir thin film step coverage / low temperature growth / 段差被膜性 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT)薄膜 / NOCVD法 / PZTキャパシタ / Ir系電極 / 強誘電体薄膜メモリ / 立体構造キャパシタ / 強誘電体キャパシタ / 段差被覆性 / 低音成長 / TiO_2 thin film / PFM observations / MFS device / A1_2O_3 thin film / MFIS structure / Ferroelectric gate FET / 強誘電性のAFM観察 / TiO_2薄膜 / PFM観察 / Al_2O_3薄膜 / MFIS構造 / 強誘電体ゲートFET / ultra thin PZT films / polarization reversal process / piezoresponse / ferroelectricity / Pb(Zr,Ti)O_3(PZT) thin films / 原子層ステップ / エピタキシャル単結晶PZT薄膜 / 初期成長過程 / PbTiO_3初期核 / グレインサイズの制御 / 強誘電体PZT薄膜 / エピタキシャルPZT薄膜 / グレインサイズ制御 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT) / PZT極薄膜 / 分極反転機構 / 圧電応答 / Pb(Zr, Ti)O_3薄膜 / film thickness / Pb(Zr, Ti)O_3 thin film / memory / ferroelectric thin film / メモリデバイス / 膜厚 / メモリ / Ir electrode / PZT thin films / Semiconductor interface / Ferroelectric thin films / MFS-Device / 半導体界面 / interface state / C-V mesurment / DLTS / barrier / Pb (Zr, Ti) O_3 thin films / MOCVD method / IrO_2 ceramics target / 界面 / 分極反転特性 / IrO_2 / メモリ素子 / 全反射X線回折法 / Pb (Zr, Ti) O_3薄膜 / RFスパッタ法 / 界面準位 / C-V測定 / DLTS法 / バリア層 / IrO_2セラミックターゲット / チタン酸ジルコン酸鉛 / 酸化亜鉛 / 強誘電体ナノキャパシタ / 立体構造メモリ / 1次元構造 / 有機金属気相成長法 / 超高集積強誘電体メモリ / ナノキャパシタ / ナノ材料 / ナノプレート / 微細加工 / 界面制御 / 非平衡プロセス / 薄膜プロセス / ナノチューブ / Pb(Zr, Ti)O_3 / 一次元構造 / PbTiO_3 / ZnOナノロッド / 一次元ナノ構造 / 圧電振動発電デバイス / 選択成長 / PZT / PbTiO3 / ZnO / 電子材料 / 電気 / 結晶制御 / 高圧アニール / 圧電振動応答 / 成長機構 / 島状核 / 立体構造PZTキャパシタ / Stranski-Krastanov成長 / Volmer-Waber成長 / 三次元キャパシタ / 高品質強誘電体薄膜 / エピタキシャル成長 / 自己集合
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