| Affiliation (based on the past Project Information) *help |
2018 – 2019: 兵庫県立大学, 工学研究科, 教授
2016 – 2017: 兵庫県立大学, 工学研究科, 准教授
2013 – 2014: 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 准教授
2012 – 2013: 兵庫県立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
2008 – 2012: University of Hyogo, 大学院・工学研究科, 准教授
… More
2007: University of Hyogo, 大学院・工学研究科, 助教
2006: University of Hyogo, Graduate School pf Engineering, Assistant Professor
2006: 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 助手
2006: Hyogo Prefecture University, Faculty of Engineering, research associate, 工学研究科, 助手
2005: 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 助手
2005: 姫路工業大学, 工学研究科, 助手
2004: 兵庫県立大学, 工学研究科, 助手
2002 – 2003: Himeji Inst. Tech., Grad. School of Eng.., Res. Associate, 工学研究科, 助手
2000 – 2001: 姫路工業大学, 工学部, 助手
1999: 姫路工業大学, 工学部・電子工学科, 助手
1996 – 1998: Himeji Inst. Tech., Dept. Electro., Reserch Associate, 工学部, 助手
Less
|
| Keywords |
- Principal Investigator
-
MOCVD / SPM / PZT / 強誘電体ナノ構造 / 分極反転 / SNDM / 強誘電体薄膜 / 劣化現象 / 結晶粒 / 結晶粒界
… More
/ 単結晶 / 疲労特性 / 相互拡散 / 高純度 / 低温高速成長 / 不揮発性強誘電体メモリ / 原料純度 / 高純度化 / 不純物 / エピタキシャル / 多結晶 / 強誘電性 / 臨界サイズ / 圧電応答顕微鏡 / AFM / PFM / 強誘電体極薄膜 / エピタキシヤル成長 / 成長様式 / エピタキシャル成長 / CR-PFM / ナノサイズ強誘電体 / 極薄膜 / ナノロッド / ナノチューブ / ナノアイランド / ビスマスフェライト / 絶縁性 / リーク電流 / 組成制御 / 価数制御 / BiFeO_3 / ナノ強誘電体 / 自発分極 / サイズ効果 / 圧電定数 / 走査型プローブ顕微鏡 / 基板拘束 / サイズ依存性 / 強誘電体 / ナノワイヤトランジスタ / ナノワイヤキャパシタ / 強誘電体メモリ / ナノワイヤ / キャパシタ / ハフニア / 酸化亜鉛 / 記憶・記録
… More
- Except Principal Investigator
-
強誘電体 / MOCVD / MOCVD法 / PZT薄膜 / Pb(Zr,Ti)O_3 / 圧電応答顕微鏡 / 強誘電体薄膜 / サイズ効果 / 極薄膜 / ナノ構造 / 強誘電性 / 低温成長 / Ir薄膜 / 二段階成長法 / ナノロッド / ナノワイヤ / 強誘電体メモリ / Pb(Zr,Ti)O_3薄膜 / SIMS / Ir電極 / Ir / MFSデバイス / MFS型デバイス / グレインサイズ / グレインバウンダリ / 薄膜 / size effect / grain size / grain boundary / PZT thin film / 分域 / 自己集合 / エピタキシャル成長 / 高品質強誘電体薄膜 / 三次元キャパシタ / Volmer-Waber成長 / Stranski-Krastanov成長 / 立体構造PZTキャパシタ / 島状核 / 成長機構 / 圧電振動応答 / 高圧アニール / 結晶制御 / 電気 / 電子材料 / ZnO / PbTiO3 / PZT / 選択成長 / 圧電振動発電デバイス / 一次元ナノ構造 / ZnOナノロッド / PbTiO_3 / 一次元構造 / Pb(Zr, Ti)O_3 / ナノチューブ / 薄膜プロセス / 非平衡プロセス / 界面制御 / 微細加工 / ナノプレート / ナノ材料 / ナノキャパシタ / 超高集積強誘電体メモリ / 有機金属気相成長法 / 1次元構造 / 立体構造メモリ / 強誘電体ナノキャパシタ / 酸化亜鉛 / チタン酸ジルコン酸鉛 / IrO_2セラミックターゲット / バリア層 / DLTS法 / C-V測定 / 界面準位 / RFスパッタ法 / Pb (Zr, Ti) O_3薄膜 / 全反射X線回折法 / メモリ素子 / IrO_2 / 分極反転特性 / 界面 / IrO_2 ceramics target / MOCVD method / Pb (Zr, Ti) O_3 thin films / barrier / DLTS / C-V mesurment / interface state / 半導体界面 / MFS-Device / Ferroelectric thin films / Semiconductor interface / PZT thin films / Ir electrode / メモリ / 膜厚 / メモリデバイス / ferroelectric thin film / memory / Pb(Zr, Ti)O_3 thin film / film thickness / Pb(Zr, Ti)O_3薄膜 / 圧電応答 / 分極反転機構 / PZT極薄膜 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT) / グレインサイズ制御 / エピタキシャルPZT薄膜 / 強誘電体PZT薄膜 / グレインサイズの制御 / PbTiO_3初期核 / 初期成長過程 / エピタキシャル単結晶PZT薄膜 / 原子層ステップ / Pb(Zr,Ti)O_3(PZT) thin films / ferroelectricity / piezoresponse / polarization reversal process / ultra thin PZT films / 強誘電体ゲートFET / MFIS構造 / Al_2O_3薄膜 / PFM観察 / TiO_2薄膜 / 強誘電性のAFM観察 / Ferroelectric gate FET / MFIS structure / A1_2O_3 thin film / MFS device / PFM observations / TiO_2 thin film / 低音成長 / 段差被覆性 / 強誘電体キャパシタ / 立体構造キャパシタ / 強誘電体薄膜メモリ / Ir系電極 / PZTキャパシタ / NOCVD法 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT)薄膜 / 段差被膜性 / low temperature growth / Ir thin film step coverage / ferroelectric capacitor / three-dimensional capacitor / ferroelectric thin film memory / 分極 / 表面 / 2次元電子 / ナノ物性 / 反電界 / ferroelectric / polarization / surface / 2-dimenstional electron / domain / nanometer / depolarization / PbTiO_3極薄膜 / PbTiO_3ナノアイランド / 臨界膜厚 / 相転移温度 / 放射光X線回折 / 強誘電体極薄膜 / 強誘電体ナノ構造 / 自己集合化 / Size Effect / PbTiO_3 Ultrathin Films / PbTiO_3 Nanoislands / Piezoresponse Force Microscopy / Critical Thickness / Phase Transition Temperature / Synchrotron X-Ray Diffraction / 擬似ドーパント効果 / ビスマスフェライト / グラフェン / 転写 / バンド変調 / 金属/強誘電体界面 / 帯電ドメインウォール / 近接効果 / SHG / 新現象 / 整列
Less
|
|---|
