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KAMIMURA Kiichi  上村 喜一

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Researcher Number 40113005
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Affiliation (based on the past Project Information) *help 2014: 信州大学, 学術研究院工学系, 教授
2012 – 2013: 信州大学, 工学部, 教授
1999 – 2000: 信州大学, 教育システム研究開発センター, 教授
1996 – 1998: 信州大学, 工学部, 助教授
1993 – 1994: 信州大学, 工学部, 助教授
1987 – 1990: 信州大学, 工学部, 助教授
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Electronic materials/Electric materials / 電子材料工学 / Electronic materials/Electric materials
Except Principal Investigator
Electronic materials/Electric materials / 電子材料工学
Keywords
Principal Investigator
熱フィラメント / FET / MIS / 炭化珪素 / 窒化 / スパッタ / Photochemical reaction / Nitridation / Compound semiconductor surface / ショットキー … More / 太陽電池 / ショットキー接触 / 光化学反応 / 窒化膜 / 化合物半導体表面 / Hot Filament / Contact Resistance / MIS Interface / Silicon Carbide / 高温動作素子 / サファイヤ基板 / 接触抵抗 / MIS界面 / infrared light source / pressure sensor / sensor / micromachining / silicon carbide / 圧力センサ / 温度センサ / マイクロマシニング / 耐環境性材料 / 赤外光源 / 圧力セン / センサ / マイクロマシニン / MOS / 界面準位 / 電界効果トランジスタ / プラズマ / 界面制御 / 直接窒化 / SiC / 炭化ケイ素 / カルビン / カーバイン / ナノファイバ / ナノ構造 / 炭素繊維 / sp結合 / ナノファイバー / カーボン / カーバイン(カルビン) / Chaoite / スパッタリング / Carbyne / 炭素 … More
Except Principal Investigator
多結晶 / 薄膜 / 炭化珪素 / polycrystalline / thin film / sputtering / silicon carbide / トランジスタ / ヘテロ接合 / スパッタリング / ピエゾ抵抗効果 / プラズマ気相成長 / 半導体薄膜 / プラズマCVD / センサ Less
  • Research Projects

    (9 results)
  • Research Products

    (10 results)
  • Co-Researchers

    (3 People)
  •  Preparation of SiC MIS structure with direct nitridation layer and its appreciation to power MOSFEPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      KAMIMURA Kiichi
    • Project Period (FY)
      2012 – 2014
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      Shinshu University
  •  熱フィラメントアシストスパッタ法によるカーバイン複合薄膜の物性評価と制御Principal Investigator

    • Principal Investigator
      上村 喜一
    • Project Period (FY)
      1999
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
    • Research Institution
      Shinshu University
  •  Fabrication of SiC FETs on Sapphire Substrate for High Power and High Temperature Operation.Principal Investigator

    • Principal Investigator
      KAMIMURA Kiichi
    • Project Period (FY)
      1999 – 2000
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      Shinshu University
  •  熱フィラメントアシストスパッタ法によるカーバイン複合簿膜の物性評価と制御Principal Investigator

    • Principal Investigator
      上村 喜一
    • Project Period (FY)
      1998
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
    • Research Institution
      Shinshu University
  •  熱フィラメントアシストスパッタ法によるカ-バイン複合 膜の物性評価と制御Principal Investigator

    • Principal Investigator
      上村 喜一
    • Project Period (FY)
      1997
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Research Institution
      Shinshu University
  •  Preparation and application of polycrystalline silicon carbide thin films as a material for micromachining.Principal Investigator

    • Principal Investigator
      KAMIMURA Kiichi
    • Project Period (FY)
      1996 – 1997
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      Shinshu University
  •  Preparation of polycrystalline SiC films by dry process and their application to thin film transistors

    • Principal Investigator
      ONUMA Yoshiharu
    • Project Period (FY)
      1993 – 1994
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      Faculty of Engineering, Shinshu University
  •  炭化珪素薄膜を用いた耐環境性高感度センサの開発

    • Principal Investigator
      ONUMA Yoshiharu
    • Project Period (FY)
      1989 – 1990
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
    • Research Field
      電子材料工学
    • Research Institution
      Shinshu University
  •  Preparation and Application of Surface Nitridation Layer Formed with Photo-excited AmmoniaPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      KAMIMURA Kiichi
    • Project Period (FY)
      1987 – 1988
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • Research Field
      電子材料工学
    • Research Institution
      Shinshu University

All 2014 2013 Other

All Journal Article Presentation

  • [Journal Article] Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H SiC(0001) Surface by Direct Plasma Nitridation2014

    • Author(s)
      Yoshiyuki Akahane, Takuo Kano, Kyosuke Kimura, Hiroki Komatsu, Yukimune Watanabe, Tomohiko Yamakami, Kiichi Kamimura
    • Journal Title

      Materials Science Forum

      Volume: 778-780 Pages: 631-634

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.631

    • NAID

      120007101048

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Journal Article] Preparation and Characterization of Deposited Tetraethylorthosilicate - SiO2/SiCMIS Structure2013

    • Author(s)
      Mitsunori Hemmi, Takashi Sakai, Tomohiko Yamakami, Rinpei Hayashibe1and Kiichi Kamimura
    • Journal Title

      Materials Science Forum

      Volume: 740-742 Pages: 805-808

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.805

    • NAID

      120007101049

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Presentation] TEOS を用いた熱CVD 法による4H-SiC MIS 特性に対するH2 アニールの効果2014

    • Author(s)
      狩野巧生, 赤羽桂幸, 小林悠太, 山上朋彦, 上村喜一
    • Organizer
      電子情報通信学会技術研究報告 電子部品・材料
    • Place of Presentation
      信州大学工学部
    • Year and Date
      2014-07-24
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Presentation] TEOS を用いた低温CVD 法によるSiC MIS 特性に対するアニールの影響2014

    • Author(s)
      狩野巧生, 小松広基, 小林悠太, 赤羽桂幸, 山上朋彦, 上村喜一
    • Organizer
      応用物理学会北陸・信越支部第2 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
    • Place of Presentation
      信州大学工学部
    • Year and Date
      2014-07-04
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Presentation] 直接窒化処理におけるSiC-MIS 構造へのH2 混合ガス雰囲気の影響2014

    • Author(s)
      赤羽桂幸,木村恭輔,荻野航弥,狩野巧生,小松広樹,山上朋彦,上村喜一
    • Organizer
      応用物理学会北陸・信越支部第2 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
    • Place of Presentation
      信州大学工学部
    • Year and Date
      2014-07-04
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Presentation] 熱処理によるSiO2/SiON/SiC 構造の特性改善2014

    • Author(s)
      赤羽桂幸,狩野巧生,荻野航弥,山上朋彦,上村喜一
    • Organizer
      応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • Place of Presentation
      富山大学工学部
    • Year and Date
      2014-11-07
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Presentation] TEOS を用いたSiO2/SiC 構造の作製と評価

    • Author(s)
      酒井崇史, 逸見充則, 赤羽桂幸, 狩野巧生, 丸山洋平, 山上朋彦,林部林平,上村喜
    • Organizer
      第21 回SiC 及び関連ワイドギャップ半導体講演会
    • Place of Presentation
      大阪市中央公会堂
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Presentation] Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H-SiC(0001) Surface by Direct Plasma Nitridation

    • Author(s)
      Yoshiyuki Akahane, Takuo Kano, Kyosuke Kimura, Hiroki Komatsu, Yukimune Watanabe, Tomohiko Yamakami, Kiichi Kamimura
    • Organizer
      The International Conference on Silicon Caride and Related Materials 2013
    • Place of Presentation
      宮崎市,シーガイアリゾート
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Presentation] Preparation and Characterization of Deposited Tetraethylorthosilicate SiO2/SiCMIS Structure

    • Author(s)
      M. Hemmi, Y. Sakai, T. Yamakami, R. Hayashibe, K. Kamimura
    • Organizer
      Europian Cnference on SiC and Related Materials 2012
    • Place of Presentation
      Petersburg, Russia
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • [Presentation] TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiCMIS特性に対するアニールの効果

    • Author(s)
      狩野巧生,赤羽桂幸,木村恭輔,小松広基,山上朋彦,上村喜一
    • Organizer
      SiC及び関連半導体研究会大22回講演会
    • Place of Presentation
      さいたま市,埼玉会館
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560371
  • 1.  ONUMA Yoshiharu (40020979)
    # of Collaborated Projects: 5 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 2.  菱田 美加
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 3.  木内 光宏
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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