yamaguchi koichi 山口浩一

… Alternative Names

山口浩一ヤマグチコウイチ

Yamaguchi Koichi 山口浩一

YAMAGUCHI Koichi 山口浩一

Less

Researcher Number	40191225
Other IDs
External Links
Affiliation (Current)	2025: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2025: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 2022 – 2023: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 2017 – 2019: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 2010: The University of Electro-Communications, 大学院・情報理工学研究科, 教授 2008 – 2009: The University of Electro-Communications, 電気通信学部, 教授 … More 2002 – 2004: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1997 – 2000: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1995: University of Electro-Communications, Faculty of Electro-Communications, Associate Professor, 電気通信学部, 助教授 1991 – 1994: 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 Less
Review Section/Research Field	Principal Investigator Electronic materials/Electric materials / Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related / Electronic materials/Electric materials / Applied materials science/Crystal engineering Except Principal Investigator Applied optics/Quantum optical engineering / 電子材料工学
Keywords	Principal Investigator GaAs / 量子ドット / InAs / 走査型トンネル顕微鏡 / 結晶成長 / フォトルミネッセンス / インジウム砒素 / 自己形成 / GaSb / 分子線エピタキシー … More / スピン偏極走査型トンネル顕微鏡 / 磁性 / 光励起 / 微細加工 / スピン偏極電子 / III-V族半導体 / 量子デバイス / 均一エネルギー幅 / ２次元物質 / ミニバンド形成 / 電子的強結合 / 光伝導 / トンネル注入 / 量子ドットネットワーク / 電子的結合 / 電子デバイス / シリコン酸化膜 / 分子線堆積 / アンチモン / ガラス基板 / 分子線堆積法 / nanohole / spin / self formation / molecular beam epitaxy / quantum dot / 自己組織化 / ナノホール / スピン / 分子線エピタキシ / Si / 量子ドッド / Sb / Ge / 太陽電池 / 探針 / プラズマ / 窒素 / ラジカルビーム源 … More Except Principal Investigator 第二高調波発生 / 4光波混合効果 / 密度行列 / 非線形光学 / Standing Wave / Cavity / Grating / Diffraction / Quasi-Phase-Matching / Phase Matching / Optical Second-Harmonic Generation / Optical Frequency Conversion / 波長変換 / 定在波 / 共振器 / グレーティング / 回折 / 疑似位相整合 / 位相整合 / 光第二高調波発生 / 光波長変換 / polycrystal Si thin film / excimer laser anneal / 分子線蒸着 / 融解再結晶 / 多結晶シリコン膜 / エキシマレーザ / レーザアニール / エキシマレーザアニール / 多結晶シリコン薄膜 / キャリアヒーティング / スペクトルホールバーニング / ツインストライプレーザ / 半導体レーザ / 直接変調 / キャリアヒ-ティング / スペクトルホ-ルバ-ニング / 半導体レ-ザ増幅器 / 半導体レ-ザ Less

２次元量子ドットネットワーク構造の創製とそのニューラルネットワーク応用Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  山口浩一
- Project Period (FY)
  2025 – 2027
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  山口浩一
- Project Period (FY)
  2022 – 2024
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
Self-formation of InGaN quantum dots on SiO2/Si substrates by nano-droplet growthPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  Yamaguchi Koichi
- Project Period (FY)
  2017 – 2019
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
Application of semiconductor quantum dots with organic thin film on silicon substrates to high conversion-efficiency solar cellsPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  YAMAGUCHI Koichi
- Project Period (FY)
  2008 – 2010
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
Injection and control of spin-polarized electrons into highly uniform semiconductor quantum dotsPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  YAMAGUCHI Koichi
- Project Period (FY)
  2002 – 2004
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
光励起GaAsマイクロ探針を用いた新しいスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  山口浩一
- Project Period (FY)
  1999 – 2000
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  山口浩一
- Project Period (FY)
  1997 – 1998
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
Research on Phase-Matched Optical Frequency Conversion Utilizing Fundamental Wave Diffraction by Index Grating
- Principal Investigator
  
  OGASAWARA Nagaatsu
- Project Period (FY)
  1994 – 1995
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Applied optics/Quantum optical engineering
- Research Institution
  University of Electro-Communications
窒素ラジカルビーム源の開発と窒素系III-V族半導体薄膜の結晶成長Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  山口浩一
- Project Period (FY)
  1993
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- Research Field
  
  Applied materials science/Crystal engineering
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
半導体レーザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究
- Principal Investigator
  
  小笠原長篤
- Project Period (FY)
  1992
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- Research Institution
  The University of Electro-Communications
Large area annealing of semiconductor thin films by high power excimer lasers excited by elecron beam
- Principal Investigator
  
  OKAMOTO Kotaro
- Project Period (FY)
  1992 – 1994
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- Research Field
  
  電子材料工学
- Research Institution
  University of Electro-Communications
半導体レ-ザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究
- Principal Investigator
  
  OGASAWARA Nagaatsu
- Project Period (FY)
  1991
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- Research Institution
  The University of Electro-Communications

[Book] Molecular Beam Epitaxy2019
- Author(s)
  K. Yamaguchi（分担）
- Total Pages
  480
- Publisher
  John Wiley & Sons Ltd.
- ISBN
  9781119355014
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Book] 量子ドットエレクトロニクスの最前線2011
- Author(s)
  山口浩一共著
- Publisher
  エヌ・ティー・エス
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Book] Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics (Chapter 8)2008
- Author(s)
  K. Yamaguchi, S. Tsukamoto, K. Matsuda
- Total Pages
  22
- Publisher
  Elsevier Inc
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Book] ナノマテリアルハンドブック(国武豊喜監修)2005
- Author(s)
  山口浩一(分担執筆)
- Total Pages
  807
- Publisher
  エヌ・ティー・エス
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Book] ナノマテリアルハンドブック(国武豊喜監修)2005
- Author(s)
  山口浩一(分担執筆)
- Total Pages
  807
- Publisher
  エヌ・ティー・エス
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Book] Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics, Chapter 8
- Author(s)
  K.Yamaguchi, S.Tsukamoto, K.Matsuda
- Total Pages
  22
- Publisher
  Elsevier Inc
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Resonant Tunneling Injection of Electrons Through Double Stacked GaAs/InAs Quantum Dots with Nanohole Electrode2023
- Author(s)
  Y. Nakazato, N. Miyashita and K. Yamaguchi
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 62 Issue: 11 Pages: 1120051-6
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad0677
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04196, KAKENHI-PROJECT-20K05682
[Journal Article] Demonstration of in-plane miniband formation in InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots by analysis of temperature dependence of photoluminescence2022
- Author(s)
  Tatsugi Sho、Miyashita Naoya、Sogabe Tomah、Yamaguchi Koichi
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 61 Issue: 10 Pages: 102009-102009
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac9349
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[Journal Article] Molecular beam deposition of high-density InAs quantum dots on SiOx films2019
- Author(s)
  Akinori Makaino, Yuta Tanaka, and Koichi Yamaguchi
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 印刷中
- NAID
  210000156067
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Journal Article] Molecular Beam Deposition of High-Density InAs Quantum Dots on SiOx Films2019
- Author(s)
  A. Makaino, Y. Tanaka and K. Yamaguchi
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 58 Issue: SD Pages: SDDF07-SDDF07
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0def
- NAID
  210000156067
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Journal Article] Self-Formation of InAs Quantum Dots on SiOx/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition2018
- Author(s)
  A. Makaino, K. Sakamoto, T. Sogabe, S. Kobayashi and K. Yamaguchi
- Journal Title
  
  Applied Physics Express
  
  Volume: 11 Issue: 8 Pages: 0855011-4
- DOI
  10.7567/apex.11.085501
- NAID
  210000136322
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342, KAKENHI-PROJECT-20K20314
[Journal Article] Stacking growth of in-plane InAs quantum-dot superlattices on GaAsSb/GaAs(001) for solar cell applications2010
- Author(s)
  T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
  
  Pages: 1885-8
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb /GaAs (001) for Solar Cell Applications2010
- Author(s)
  T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  35^<th> IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
  
  Pages: 1885-8
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum-Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption2010
- Author(s)
  N.Kakuda, T.Kaizu, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  Volume: 49
- NAID
  40017294740
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum-Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption2010
- Author(s)
  N.Kakuda, T.Kaizu, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
  
  Pages: 0956021-4
- NAID
  40017294740
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(00l)layer for high-density InAs quantum dot growth2008
- Author(s)
  T. Kaizu, M. Takahasi, K. Yamaguchi, J. Mizuki
- Journal Title
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  Pages: 3436-3439
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Generation of highly circularly polarized light from uniform InAs/GaAs quantum dots2008
- Author(s)
  K. Kusunoki, N. Tsukiji, T. Umi, A. Tackeuchi, K. Yamaguchi
- Journal Title
  
  Physica Status Solidi (C) 5
  
  Pages: 378-381
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE2008
- Author(s)
  N.Kakuda, T.Yoshida,K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Appl.Surf.Sci. 254
  
  Pages: 8050-8053
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Uniform formation of high-density InAs quantum dots by InGaAs capping growth2008
- Author(s)
  S.Tonomura, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  J.Appl.Phys. 104
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Uniform formation of high-density InAs quantum dots by In GaAs capping growth2008
- Author(s)
  S. Tonomura, K. Yamaguchi
- Journal Title
  
  Journal of Applied Physics 104
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE2008
- Author(s)
  N. Kakuda, T. Yoshida, K. Yamaguchi
- Journal Title
  
  Applied Surface Science 254
  
  Pages: 8050-8053
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Journal Article] Control of Self-Formed GaAs Nanoholes Combined with Embedded InAs Quantum Dots2005
- Author(s)
  T.Satoh, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44, No.4B
  
  Pages: 2672-2675
- NAID
  10015705307
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy2005
- Author(s)
  K.yamaguchi et al.
- Journal Title
  
  Journal of Crystal Growth Vol.275
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Control of Light Emitting Wavelength from Uniform InAs Quantum Dots by Annealing2005
- Author(s)
  Y.Kobayashi, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.244
  
  Pages: 88-91
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] 高均一量子ドットの自己形成2005
- Author(s)
  山口浩一
- Journal Title
  
  応用物理学会誌 Vol.74 No.33
  
  Pages: 307-312
- NAID
  10014489535
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Analysis of Sb-As Surface Exchange Reaction in Molecular Beam Epitaxy of GaSb/GaAs Quantum Wells2005
- Author(s)
  T.Nakai, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44, No.6A
  
  Pages: 3803-3807
- NAID
  10016440965
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy2005
- Author(s)
  K.Yamaguchi, T.Kanto
- Journal Title
  
  J.Crystal Growth Vol.275
  
  Pages: 2269-2273
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Self-Assembed InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy2005
- Author(s)
  K.Yamaguchi, et al.
- Journal Title
  
  Journal of Crystal Growth (in press)
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] 高均一量子ドットの自己形成2005
- Author(s)
  山口浩一
- Journal Title
  
  応用物理学会誌 Vol.74 No.3
  
  Pages: 307-312
- NAID
  10014489535
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Self-Assembled GaAs/GaSb Quantum Dots by MolecularBeam Epitaxy2004
- Author(s)
  S.Iwasaki, T.Nakai, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Trans.MRS-J Vol.29, No.1
  
  Pages: 127-129
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Controlled Stacking Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy2004
- Author(s)
  Y.Suzuki, T.Kaizu, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Physica E Vol.21/2-4
  
  Pages: 555-559
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Spin Relaxation Dynamics in Highly Uniform InAs Quantum Dots2004
- Author(s)
  A.Takeuchi, R.Ohtsubo, K.Yamaguchi, M.Murayama, T.Kitamura, et al.
- Journal Title
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.84
  
  Pages: 3576-3578
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Self-Formation of Uniform InAs Quantum Dots and Quantum-Dot Chains2004
- Author(s)
  K.Yamaguchi, T.Kaizu, T.Kanto, Y.Suzuki
- Journal Title
  
  Trans.MRS-J Vol.29, No.1
  
  Pages: 117-121
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Atomically controlled GaSb-termination of GaAs surface and its properties2004
- Author(s)
  T.Miura, T.Nakai, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.237
  
  Pages: 242-245
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Control of GaSb/GaAs Nanostructures by Molecular Beam Epitaxy2004
- Author(s)
  T.Nakai, S.Iwasaki, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43, No.4B
  
  Pages: 2122-2124
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Direct Observation of Phonon Relaxation Bottleneck in InAs Quantum Dots of High-Uniformity2003
- Author(s)
  T.Kitamura, R.Ohtsubo, M.Murayama, T.Kuroda, K.Yamaguchi et al.
- Journal Title
  
  Phys.Status Sol.(c) Vol.0, No.4
  
  Pages: 1165-1168
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Facet Formation of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy2003
- Author(s)
  T.Kaizu, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, No.6B
  
  Pages: 4166-4168
- NAID
  10011258146
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Uniform Formation of Two-dimensional and Three-dimensional InAs Islands on GaAs by Molecular Beam Epitaxy2003
- Author(s)
  T.Kaizu, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. No.4A
  
  Pages: 1705-1708
- NAID
  10010800060
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Shape Transition of InAs from 2-Dimensional Islands and 3-Dimensional Dots by Annealing2003
- Author(s)
  S.Iwasaki, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.216
  
  Pages: 407-412
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniform Quantum Dots2003
- Author(s)
  M.Murayama, R.Ohtsubo, T.Kitamura, T.Kuroda, K.Yamaguchi et al.
- Journal Title
  
  Phys.Status Sol.(c) Vol.0, No.4
  
  Pages: 1145-1148
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] High Quality InAs Quantum Dots Covered by InGaAs/GaAs Hetero-Capping Layer2003
- Author(s)
  R.Ohtsubo, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Phys.Status Sol.(c) Vol.0, No.3
  
  Pages: 939-943
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Size-Shrinkage Effects of InAs Quantum Dots During the Growth of GaAs Capping Layer2002
- Author(s)
  K.Yamaguchi, Y.Saito, R.Otsubo
- Journal Title
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.190
  
  Pages: 212-217
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Size-shrinkage effects on InAs quantum dots during the growth of GaAs capping layer2002
- Author(s)
  K.Yamaguchi et al.
- Journal Title
  
  Applied Surface Science Vol.190
  
  Pages: 212-217
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] One-Dimensional Quantum-Dot Chains of InAs Grown on Strain-Controlled GaAs/InGaAs Buffer Layer by Molecular Beam Epitaxy2002
- Author(s)
  K.Yamaguchi, K.Kawaguchi, T.Kanto
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41, No.9AB
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Uniform Formation Process of Self-Organized InAs Quantum Dots2002
- Author(s)
  K.Yamaguchi, T.Kaizu, K.Yujobo, Y.Saito
- Journal Title
  
  J.Cryst.Growth Vol.237-239
  
  Pages: 1301-1306
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Uniform formation process of self-organized InAs quantum dots2002
- Author(s)
  K.Yamaguchi et al.
- Journal Title
  
  Journal Crystal Growth Vol.237/239
  
  Pages: 1301-1306
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] One-dimensional quantum-dot chains of InAs grown on strain-controlled GaAs/InGaAs buffer layers by molecular beam epitaxy2002
- Author(s)
  K.Yamaguchi et al.
- Journal Title
  
  Japanese Journal Applied Physics Vol.41,No.9AB
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Journal Article] Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy Using Optically Pumped GaAs Tips2002
- Author(s)
  T.Miura, K.Yamaguchi
- Journal Title
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.41, No.6B
  
  Pages: 4382-4384
- NAID
  110006341523
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Patent] 量子ドットシート、これを用いた光電子デバイス、及び量子ドットシートの作製方法2018
- Inventor(s)
  山口浩一、馬飼野彰宜
- Industrial Property Rights Holder
  国立大学法人電気通信大学
- Industrial Property Rights Type
  特許
- Filing Date
  2018
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Patent] 量子半導体装置およびその製造方法2010
- Inventor(s)
  山口浩一
- Industrial Property Rights Holder
  国立大学法人電気通信大学
- Acquisition Date
  2010-04-30
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Patent] 量子半導体装置およびその製造方法2004
- Inventor(s)
  山口浩一
- Industrial Property Rights Holder
  電気通信大学
- Industrial Property Number
  2004-244210
- Filing Date
  2004-08-24
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Patent] 量子ドットの形成方法2004
- Inventor(s)
  山口浩一
- Industrial Property Rights Holder
  電気通信大学
- Industrial Property Number
  2004-262638
- Filing Date
  2004-09-09
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Patent] 量子半導体装置およびその製造方法2004
- Inventor(s)
  山口浩一
- Industrial Property Rights Holder
  電気通信大学
- Industrial Property Number
  2004-244210
- Filing Date
  2004-08-24
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Patent] 量子ドットの形成方法2004
- Inventor(s)
  山口浩一
- Industrial Property Rights Holder
  電気通信大学
- Industrial Property Number
  2004-262638
- Filing Date
  2004-09-09
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-14550294
[Presentation] Anomalous Photoluminescence Properties due to Strong Coupling of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots2024
- Author(s)
  Sim jui Oon, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi
- Organizer
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[Presentation] InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性2024
- Author(s)
  大山琢未，荒尾光哉，宮下直也，山口浩一
- Organizer
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[Presentation] Photoluminescence Properties of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum-Dot Layer with In-Plane Enenrgy Miniband2023
- Author(s)
  Sim Jui Oon, N. Miyashita and K. Yamaguchi
- Organizer
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023)
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[Presentation] 近接積層InAs量子ドットにおける共鳴トンネル伝導2023
- Author(s)
  中里雄次，宮下直也，山口浩一
- Organizer
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[Presentation] Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer2023
- Author(s)
  Sim jui Oon, Naoya Miyashita, Koichi Yamaguchi
- Organizer
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[Presentation] 面内超高密度InAs量子ドットの成長技術とその半導体レーザ応用2022
- Author(s)
  山口浩一，田中元幸
- Organizer
  電子情報通信学会ソサイエティ大会・シンポジウム「将来の光デバイスに向けた成長及びプロセス要素技術の最新動向」
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-22K04196
[Presentation] 分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs量子ドットの自己形成(3)2020
- Author(s)
  佐々木一夢，馬飼野彰宜，坂本克好，山口浩一
- Organizer
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] 分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs量子ドットの自己形成(3)2019
- Author(s)
  佐々木一夢，馬飼野彰宜，坂本克好，山口浩一
- Organizer
  2019年（平成31年）第66回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] Enhancement of Photoluminescence of InAs Quantum Dots grown on SiOx Films by Molecular Beam Deposition2019
- Author(s)
  Y. Tanaka, K. Sasaki, A. Makaino and K. Yamaguchi
- Organizer
  The 7th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] Self-Formation of InAs Quantum Dots on Oxide/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition2018
- Author(s)
  K. Yamaguchi, A. Makaino, K. Sakamoto and T. Sogabe
- Organizer
  Compound Semiconductor Week 2018 (CSW-2018)
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] 酸化膜上へのⅢ-Ⅴ族半導体量子ドットの成長2018
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  第14回量子ナノ材料セミナー
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] Fabrication of InAs Quantum Dots on SiOx Films by Molecular Beam Deposition2018
- Author(s)
  A. Makaino, Y. Tanaka and K. Yamaguchi
- Organizer
  The 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] 分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)2018
- Author(s)
  馬飼野彰宜, 坂本克好，曽我部東馬，山口浩一
- Organizer
  2018年（平成30年）第79回応用物理学会秋季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] Self-Formation of InAs Quantum Dots on Oxide/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition2018
- Author(s)
  A. Makaino, Katsuyoshi Sakamoto, T. Sogabe and K. Yamaguchi
- Organizer
  Compound Semiconductor Week 2018 (CSW-2018)
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] 分子線堆積法によるSiO2/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成2018
- Author(s)
  ウイクラマナヤカ・ラシミ・プラビーン，馬飼野彰宜，坂本克好，山口浩一
- Organizer
  2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17K06342
[Presentation] 面内超高密度InAs最子ドットの太陽電池への応用2011
- Author(s)
  藤田浩輝, 山本和輝, 江口陽亮, 山口浩一
- Organizer
  2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
- Place of Presentation
  神奈川工科大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 面内超高密度InAs.量子ドット構造におけるキャリアの空間分離とその長寿命化2011
- Author(s)
  太田潤, 山口浩一
- Organizer
  2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
- Place of Presentation
  神奈川工科大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] GaAsSbバッファ層上のInAs騒子ドット成長における面内超高密度化2011
- Author(s)
  船原一祥, 太田潤, 山口浩一
- Organizer
  2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
- Place of Presentation
  神奈川工科大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] InAs/GaAs量子ドットの自己形成過程におけるGa導入効果2011
- Author(s)
  サブトラエデス, 山口浩一
- Organizer
  2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
- Place of Presentation
  神奈川工科大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] ナノフォトニクズ半導体量子ドットの自己形成制御2010
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会シンポジウム講演「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」
- Place of Presentation
  東海大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均一成長2010
- Author(s)
  山口浩一, 角田直輝, 築地伸和, 関口修司, 太田潤, 海津利行, 高橋正光
- Organizer
  応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会
- Place of Presentation
  (招待講演)学習院大学
- Year and Date
  2010-04-23
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 自己形成InAs墨子ドットの高密度・高均一化2010
- Author(s)
  金丸豊, 角田直輝, 山口浩一
- Organizer
  2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
- Place of Presentation
  畏崎大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] InAs量子ドット面内超格子構造の積層成長2010
- Author(s)
  稲次敏彦, 関口修司, 太田潤, 山口浩一
- Organizer
  2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  東海大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化2010
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  第6回量子ナノ材料セミナー
- Place of Presentation
  (招待講演)物質材料研究機構
- Year and Date
  2010-10-01
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] InAs量子ドット面内超格子構造の自己形成2010
- Author(s)
  太田潤, 角田直輝, 山口浩一
- Organizer
  2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  東海大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] (Invited) Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands2010
- Author(s)
  K.Yamaguchi, N.Tsukiji, S.Sekiguchi, T.Seo, J.Ohta, T.Inaji
- Organizer
  The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells
- Place of Presentation
  Chofu
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(3)2010
- Author(s)
  山本和輝, 角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司, 山口浩一
- Organizer
  2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
- Place of Presentation
  長崎大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Sb-Mediated Self-Formation of Ultra-High Density InAs Quantum-Dotson GaAs(001)2010
- Author(s)
  J.Ohta, K.Sakamoto, K.Yamaguchi
- Organizer
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
- Place of Presentation
  Berlin
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb/GaAs (001) for Solar Cell Applications2010
- Author(s)
  T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
- Organizer
  35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
- Place of Presentation
  Honolulu
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 量子ドット超格子構造太陽電池の研究開発(量子ドットの高均一・高密度化技術)2010
- Author(s)
  太田潤, 山口浩一
- Organizer
  NEDO新エネルギー技術開発成果報告会2010, PV1-01-05
- Place of Presentation
  東京国際フォーラム
- Year and Date
  2010-07-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Self-Formation of In-Plane InAs QD Superlattices with Long Carrier Lifetime2010
- Author(s)
  J.Ohta, H.Fujita, K.Yamaguchi
- Organizer
  The 3rd International Symposium on InnovativeSolar Cells
- Place of Presentation
  Tokyo
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates2010
- Author(s)
  K.Hirano, T.Seo, K.Minagawa, K.Yamaguchi
- Organizer
  16th International Conference on Crystal Growth
- Place of Presentation
  Beijing
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均-成長2010
- Author(s)
  山口浩一, 角田直輝, 築地伸和, 関口修司, 太田潤, 海津利行, 高橋正光
- Organizer
  応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会
- Place of Presentation
  学習院大学(招待講演)
- Year and Date
  2010-04-23
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates2010
- Author(s)
  K.Hirano, T.Seo, K.Minagawa, K.Yamaguchi
- Organizer
  16th International Conference on Crystal Growth
- Place of Presentation
  Beijing.
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化2010
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  第6回量子ナノ材料セミナー
- Place of Presentation
  物質材料研究機構(招待講演)
- Year and Date
  2010-10-10
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] (Invited) Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands2010
- Author(s)
  K.Yamaguchi, N.Tsukiji, S.Sekiguchi, T.Seo, J.Ohta T.Inaji
- Organizer
  The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells
- Place of Presentation
  Chofu.
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 面内超高密度InAs最子ドットの自己形成とそのキャリア寿命時間測定2010
- Author(s)
  太田潤, 山口浩一
- Organizer
  2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
- Place of Presentation
  長崎大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 太陽電池用高密度InAs量子ドットのGe基板上への成長2009
- Author(s)
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- Organizer
  2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
- Place of Presentation
  東京農工大学
- Year and Date
  2009-12-05
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Real-time X-ray diffraction measurements during Sb-mediated SK growth and annealing of InAs quantum dots2009
- Author(s)
  T.Kaizu, N.Kakuda, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
- Organizer
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14)
- Place of Presentation
  Kobe
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御-均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか-2009
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  第5回量子ナノ材料セミナー
- Place of Presentation
  (招待講演)埼玉大学
- Year and Date
  2009-07-29
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御2009
- Author(s)
  パッチャカパットポンラチェット, 関口修司, 山口浩一
- Organizer
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] (Invited) Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots2009
- Author(s)
  K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, Y.Kanemaru
- Organizer
  The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Semicon Nano-2009)
- Place of Presentation
  Anan
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Ge (001) 基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長 (2)2009
- Author(s)
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- Organizer
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  富山大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 自己形成量子ドットの精密制御法の展開2009
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  第21回ナノフォトニックスセミナー
- Place of Presentation
  (招待講演)東京大学
- Year and Date
  2009-10-22
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定2009
- Author(s)
  角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 山口浩一
- Organizer
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates2009
- Author(s)
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- Organizer
  The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano-2009)
- Place of Presentation
  Anan.
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 半導体量子ドットの自己形成制御2009
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
- Place of Presentation
  東京農工大学
- Year and Date
  2009-12-05
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長2009
- Author(s)
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- Organizer
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 自己形成量子ドットの精密制御法の展開2009
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  第21回ナノフォトニックスセミナー
- Place of Presentation
  東京大学
- Year and Date
  2009-10-22
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 自己形成InAs量子ドットの成長中断におけるAs-Sb照射交換の影響2009
- Author(s)
  山本和輝, 山口浩一
- Organizer
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 高密度InAs量子ドットのcoarsening過程2009
- Author(s)
  金丸豊, 角田直輝, 山口浩一
- Organizer
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 高密度InAs量子ドットの時間分解X線回折測定とSb照射成長中断法による高品質化2009
- Author(s)
  角田直輝, 山口浩一, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司
- Organizer
  2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
- Place of Presentation
  東京農工大学
- Year and Date
  2009-12-05
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Uniform formation of high-density InAs quanutum dots by using nanoholes2009
- Author(s)
  K. Yamaguchi, N. Kakuda, S. Sekiguchi, K. Yamamoto, Y. Kanemaru
- Organizer
  International Symposium on Innovative Solar Cells 2009
- Place of Presentation
  Tokyo
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Uniform formation of high-density InAs quanutum dots by using nanoholes2009
- Author(s)
  K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, K.Yamamoto, Y.Kanemaru
- Organizer
  International Symposium on Innovative Solar Cells 2009.
- Place of Presentation
  Tokyo.
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Fabrication of High-density and High-uniformity InAs Quantum Dots on GaAs(001) and Ge(001) Substrates for Solar Cell Applications2009
- Author(s)
  N.Kakuda, S.Sekiguchi, T.Seo, K.Yamaguchi
- Organizer
  The 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells
- Place of Presentation
  Tsukuba
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots2009
- Author(s)
  K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, Y.Kanemaru
- Organizer
  The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano-2009)
- Place of Presentation
  (Invited) Anan.
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定 (2)2009
- Author(s)
  角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司, 山口浩一
- Organizer
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  富山大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御-均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか-2009
- Author(s)
  山口浩一
- Organizer
  第5回量子ナノ材料セミナー
- Place of Presentation
  埼玉大学
- Year and Date
  2009-07-29
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長2009
- Author(s)
  瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
- Organizer
  2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  筑波大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] InAs量子ドット上の自己形成GaAsナノホールのモンテカルロシミュレーション2009
- Author(s)
  関口修司, 山口浩一
- Organizer
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  富山大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性2009
- Author(s)
  築地伸和, 山口浩一
- Organizer
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物珪学会学術講演会
- Place of Presentation
  富山大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 積層InAs量子ドットの熱処理効果2009
- Author(s)
  廣瀬真幸, 山口浩一
- Organizer
  2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  富山大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Fabrication of High-density and High-uniformity InAs Quantum Dots on GaAs(001) and Ge(001) Substrates for Solar Cell Applications2009
- Author(s)
  N.Kakuda, S.Sekiguchi, T.Seo, K.Yamaguchi
- Organizer
  The 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells
- Place of Presentation
  Tsukuba.
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates2009
- Author(s)
  T.Seo, K.Hirano, K.Yamaguchi
- Organizer
  2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Semicon Nano-2009)
- Place of Presentation
  Anan
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定2009
- Author(s)
  山口浩一, 角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司
- Organizer
  文部科学省ナノテクノロジー・ネットワーク/重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会「ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2008
- Place of Presentation
  つくば
- Year and Date
  2009-05-08
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Sb照射InAs量子ドット上のGaAs薄膜成長2008
- Author(s)
  村脇史敏, 山口浩一
- Organizer
  平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  中部大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Annealing properties of InAs quantum dots grown on GaAsSb/GaAs buffer layers2008
- Author(s)
  M. Hirose, Jiaying Hu, K. Yamaguchi
- Organizer
  The 2nd IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC 2008)
- Place of Presentation
  Kyoto
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] GaAsSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのcoarsening過程2008
- Author(s)
  角田直輝, 山口浩一
- Organizer
  平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  中部大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] Narrow photoluminescence spectra of closely stacked InAs quantum dots with high dot density on GaSb/GaAs(00l)2008
- Author(s)
  S. Sekiguchi, N. Tsukiji, K. Yamaguchi
- Organizer
  The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD-2008)
- Place of Presentation
  Gyeongju
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定2008
- Author(s)
  山口浩一, 高橋正光, 海津利行, 角田直輝, 水木純一郎
- Organizer
  文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成19年度放射光グループ研究成果報告会
- Place of Presentation
  大阪
- Year and Date
  2008-05-07
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291
[Presentation] 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善2008
- Author(s)
  関口修司, 山口浩一
- Organizer
  平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  中部大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20560291

1. OKAMOTO Kotaro (80017350)

# of Collaborated Projects: 4 results

# of Collaborated Products: 0 results
2. OGASAWARA Nagaatsu (90134486)

# of Collaborated Projects: 3 results

# of Collaborated Products: 0 results
3. LI Keren (20240400)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
4. OKADA Yoshiko (50231212)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
5. 川井義雄

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results

yamaguchi koichi 山口 浩一

山口 浩一 ヤマグチ コウイチ

Yamaguchi Koichi 山口 浩一

YAMAGUCHI Koichi 山口 浩一

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

２次元量子ドットネットワーク構造の創製とそのニューラルネットワーク応用Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Self-formation of InGaN quantum dots on SiO2/Si substrates by nano-droplet growthPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Application of semiconductor quantum dots with organic thin film on silicon substrates to high conversion-efficiency solar cellsPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Injection and control of spin-polarized electrons into highly uniform semiconductor quantum dotsPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

光励起GaAsマイクロ探針を用いた新しいスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Research on Phase-Matched Optical Frequency Conversion Utilizing Fundamental Wave Diffraction by Index Grating

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

窒素ラジカルビーム源の開発と窒素系III-V族半導体薄膜の結晶成長Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

半導体レーザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Institution

Large area annealing of semiconductor thin films by high power excimer lasers excited by elecron beam

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

半導体レ-ザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Institution

[Book] Molecular Beam Epitaxy2019

Author(s)

Total Pages

yamaguchi koichi 山口浩一

山口浩一ヤマグチコウイチ

Yamaguchi Koichi 山口浩一

YAMAGUCHI Koichi 山口浩一