NOYA Atsushi 野矢厚

Researcher Number	60133807
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Affiliation (based on the past Project Information) *help	2016 – 2017: 北見工業大学, 工学部, 特任教授 2005 – 2015: 北見工業大学, 工学部, 教授 1994 – 2002: 北見工業大学, 工学部, 教授 1990: Kitami Institute of Technology, Faculty of Engineering, Lecturer, 工学部, 講師 1987 – 1989: 北見工業大学, 工学部, 助手
Review Section/Research Field	Principal Investigator Electronic materials/Electric materials / Electronic materials/Electric materials / 電子材料工学 Except Principal Investigator Electronic materials/Electric materials / 電子材料工学 / Thin film/Surface and interfacial physical properties / Electronic materials/Electric materials
Keywords	Principal Investigator Cu / LSI / 集積回路 / 配線 / V / Nb / 高配向薄膜 / Cu_9Al_4 / Niシリサイド / NiSi … More / バリヤ / 薄膜 / uniform solid-phase reaction / NISIGe / NISI / nano-contact / SiGe / 均一シリサイド / SIGe / コンタクト界面 / 均一反応 / NiSiGe / ナノコンタクト / nano-crystal / Barrier / Interconnects / Integrated Circuits / Ta-W / VN / SiO_2 / フィールド酸化膜 / ナノクリスタル / Ta-W alloy / diffusion barrier / interconnect / Preferential orientation / Ta-W合金 / 拡散バリヤ / 優先配向 / epitaxial growth / semiconductor contacts / metal / oriented thin films / コンタクト / エピタキシャル / 金属-半導体コンタクト / metal-semiconductor interface / thin film / intermetallic compound / metallization material / Al_4Cu_9 / 金属ー半導体界面 / 金属間化合物 / メタライゼ-ション材料 / 結晶粒成長 / 界面平坦性 / Ni結晶粒 / 低温形成 / NiSi2 / シリサイド / 電気・電子材料 / 配緑 / ZrB2 / 化合物 / ZrB_2 … More Except Principal Investigator 拡散バリヤ / 界面反応 / intermixing layer / 絶縁膜 / SiNx膜 / 3次元集積回路 / シリコン貫通ビア / メタライゼ-ション技術 / アルミニウム金属間化合物 / 酸化物超伝導体ファイバ / YBCO薄膜 / 弱結合 / SQUID / 酸化物高温超伝導体 / 拡散 / 表面・界面物性 / バリア絶縁膜 / バリヤレス / 低温作製 / シリコン貫通ビア配線 / Auger electron spectroscopy / Interface reaction / Interdiffusion / Diffusion barrier / Intermetallic compound film / 表面のキャラクタリゼーション / 結晶構造 / 金属関化合物膜 / SiLSI薄膜技術 / キャラクタリゼーション / オージェ電子分光分析 / VLSI薄膜技術 / 相互拡散 / 金属間化合物膜 / radical nitriding / diffusion barrier / Cu interconnects / LSI / Hot-wire方式 / 界面 / low-k材料 / 極薄バリヤ / ラジカル窒化 / 界面層 / Cu配線 / 集積回路 / Reduction of oxide thickness / tan delta / Heat-proof property / Anodized capacitor / Ta_2N compound film / 漏れ電流 / 誘電損 / 陽極酸化 / 窒化タンタル化合物膜 / 薄膜コンデンサ / 耐熱性 / tanδ / 薄膜キャパシタ / 陽極酸化膜 / Ta_2N化合物膜 / TSV / 薄膜 / 絶縁バリヤ / 低温プロセス / 薄膜プロセス / Zr-B / ナノコンポジット / 抵抗率 / ホウ化物 / ナノ材料 / SiーLSIコンタクト構造 / エピタキシャル薄膜 / ジョセフソン素子 / シリコンLSIコンタクト構造 / エピタルキシャル薄膜 / ジョセフソンデバイス Less

Low temperature deposition of barrierless insulating film applicable to 3D and 2.5 D-IC
- Principal Investigator
  
  Takeyama Mayumi B.
- Project Period (FY)
  2015 – 2017
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Preparation of low-temperature SiNx films by using new deposition method applicable to 3-dimensional LSI
- Principal Investigator
  
  TAKEYAMA MAYUMI
- Project Period (FY)
  2012 – 2014
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Preparation of uniform contact-interface applying nanocrystalline silicide with controlled crystalline grain sizePrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  NOYA Atsushi
- Project Period (FY)
  2011 – 2013
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Development of a new nano-material in thin film with widely variable resistivity and its application to state-of-the-art integrated circuits
- Principal Investigator
  
  TAKEYAMA Mayumi
- Project Period (FY)
  2009 – 2011
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Development of new barrier materials of compound for ultra-fine copper interconnectsPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  NOYA Atsushi
- Project Period (FY)
  2007 – 2009
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Formation of intermixing-free-interface in high performance Cu interconnecting system using extremely thin barrier
- Principal Investigator
  
  B.TAKEYAMA Mayumi
- Project Period (FY)
  2005 – 2007
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Thin film/Surface and interfacial physical properties
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Basic study on the nano-contact formation at the metal/SiGe semiconductor InterfacePrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  NOYA Atsushi
- Project Period (FY)
  2005 – 2006
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Study on extremely thin barriers in low-resistivity against Cu interconnect on field oxide layer of SiO_2Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  NOYA Atsushi
- Project Period (FY)
  2000 – 2002
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Preparation of preferentially oriented thin film interconnect on SiOィイD22ィエD2Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  NOYA Atsushi
- Project Period (FY)
  1998 – 1999
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Single-oriented thin film interconnects in LSI technology prepared based on the epitxial relationshipsPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  NOYA Atsushi
- Project Period (FY)
  1996 – 1997
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Preparation of Heat-proof Thin Film Capacitor by Using Ta_2N Anodized Film
- Principal Investigator
  
  SASAKI Katsutaka
- Project Period (FY)
  1994 – 1995
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
酸化物超伝導材料による高温動作SQUIDシステムに関する研究
- Principal Investigator
  
  栗城真也
- Project Period (FY)
  1990
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- Research Institution
  Hokkaido University
超LSIメタライゼ-ション技術へのアルミニウム金属間化合物膜の適用に関する研究
- Principal Investigator
  
  佐々木克孝
- Project Period (FY)
  1990
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
酸化物超伝導材料による高温動作SQUIDシステムに関する研究
- Principal Investigator
  
  栗城真也
- Project Period (FY)
  1989
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- Research Institution
  Hokkaido University
超LSIメタライゼ-ション技術へのアルミニウム金属間化合物膜の適用に関する研究
- Principal Investigator
  
  SASAKI Katsutaka
- Project Period (FY)
  1989
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Preparation of Aluminum-copper Intermetallic Compound Film and Its Application to the Metallization material for LSIPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  NOYA Atsushi
- Project Period (FY)
  1989 – 1990
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- Research Field
  
  電子材料工学
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology
Preparation of Refractory Intermetallic Compound Film and It's Application to Electronic Materials
- Principal Investigator
  
  SASAKI Katsutaka
- Project Period (FY)
  1987 – 1988
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- Research Field
  
  電子材料工学
- Research Institution
  Kitami Institute of Technology

All 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 Other

All Journal Article Presentation

[Journal Article] Low-temperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics2016
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Yoshihiro Nakata, Yasushi Kobayashi, Tomoji Nakamura, and Atsushi Noya
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 55
- NAID
  210000146285
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Journal Article] Low-temperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics2016
- Author(s)
  M. Sato, M. B. Takeyama, Y. Nakata, Y. Kobayashi, T. Nakamura, A. Noya
- Journal Title
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  Volume: 55
- NAID
  210000146285
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Journal Article] Room-temperature deposition of HfNx barrier by radical-assisted surface reaction for through-silicon-via in three-dimensional LSI2016
- Author(s)
  M. Sato, M. B. Takeyama, A. Noya
- Journal Title
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  Volume: 55 Issue: 2S Pages: 02BC21-02BC21
- DOI
  10.7567/jjap.55.02bc21
- NAID
  210000146090
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Journal Article] 3D/2.5D-IC TSVに向けた低温成膜SiNxの特性評価2015
- Author(s)
  小林靖志，中田義弘，中村友二，武山真弓，佐藤勝，野矢厚
- Journal Title
  
  電気学会論文誌C
  
  Volume: 135
- NAID
  130005086248
- Peer Reviewed / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Journal Article] TSVプロセスに適用可能な反応性スパッタ法を用いたSiNx膜の低温作製2015
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢　厚
- Journal Title
  
  電気学会論文誌C
  
  Volume: 135
- NAID
  130005086247
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Journal Article] Preparation of nanocrystalline HfNx films as a thin barrier for through-Si via interconnects in three-dimensional integration2014
- Author(s)
  M.B.Takeyama, M.Sato, E.Aoyagi, and A.Noya
- Journal Title
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  Volume: 53 Issue: 2S Pages: 02BC05-02BC05
- DOI
  10.7567/jjap.53.02bc05
- NAID
  210000143353
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Journal Article] Characterization of silicon nitride thin films deposited by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD at low temperatures2014
- Author(s)
  M.B.Takeyama, M.Sato, Y.Nakata, Y.Kobayashi, T.Nakamura, and A.Noya
- Journal Title
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  Volume: 53 Issue: 5S2 Pages: 05GE01-05GE01
- DOI
  10.7567/jjap.53.05ge01
- NAID
  210000143950
- Peer Reviewed / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Journal Article] ナノ結晶組織を有する薄いHfNx膜のCuに対する拡散バリヤ特性2014
- Author(s)
  佐藤　勝，武山　真弓，青柳英二，野矢　厚
- Journal Title
  
  電子情報通信学会論文誌C
  
  Volume: J97-C Pages: 46-47
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Journal Article] Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成2012
- Author(s)
  野矢厚、武山真弓、佐藤勝、徳田奨
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  Volume: 112 Pages: 49-53
- NAID
  110009636865
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Journal Article] Low temperature deposited Zr-B film applicable to extremely thin barrier for copper interconnect2009
- Author(s)
  M. B. Takeyama, A. Noya, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, Y. Hayasaka, E. Aoyagi, H. Machida, K. Masu
- Journal Title
  
  Applied Surface Science 256
  
  Pages: 1222-1226
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Journal Article] Low temperature deposited Zr-B film applicable to extremely thin barrier for copper interconnects2009
- Author(s)
  M.B.Takeyama, A.Noya, 他
- Journal Title
  
  Appllied Surface Science 256
  
  Pages: 1222-1226
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Journal Article] "Application of Extremely Thin ZrN Film as Diffusion Barrier between Cu and. SiOC"2008
- Author(s)
  M. Sato, M.B. Takeyama, E. Aoyagi, A. Noya
- Journal Title
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  Pages: 620-624
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Application of Extremely Thin ZrN Film as Diffusion Barrier between Cu and SiOC2008
- Author(s)
  M. Sato, M. B. Takeyama, E. Aoyagi, A. Noya
- Journal Title
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  Pages: 620-624
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Application of Extremely Thin ZrN Film as Diffusion Barrier between Cu and Si0C2008
- Author(s)
  M. Sato, M. B. Takeyama, E. Aoyagi, A. Noya
- Journal Title
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  Pages: 620-624
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] ZrB2薄膜の低温作製とCu配線における拡散バリヤとしての適用2007
- Author(s)
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- Journal Title
  
  応用物理学会学術講演会論文集 30a-P9-16
  
  Pages: 889-889
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Barrier properties of TiN_x thin films formed by nitridation of sputtered Ti with hot-wire activated radical species2007
- Author(s)
  M. B. Takeyama, M. Sato, Y. Hayasaka, E. Aoyagi and A.Noya
- Journal Title
  
  Advanced Metallization Conference 2007: Asian Session 2007
  
  Pages: 82-83
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Application of ZrB2 thin film as a diffusion barrier in Cu interconnects2007
- Author(s)
  M. B. Takeyama, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, A. Noya
- Journal Title
  
  Advanced Metallization Conference 2007: Asian Session 2007
  
  Pages: 126-127
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Preparation of HfNx barrier with low resistivity by using hot-wire method2007
- Author(s)
  Mayumi B.Takeyama, Masaru Sato, Masato Yashiki, Atsushi Noya
- Journal Title
  
  Advanced Metallization Conference 2006 : Asian Session 5-11
  
  Pages: 64-64
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Hot-wire法におけるラジカル窒化反応させたZrNバリヤの熱的安定性2007
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  応用物理学会学術講演会論文集 30a-P9-15
  
  Pages: 889-889
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] ラジカル窒化反応を用いたHfNバリヤの新規作製方法の検討2006
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 矢敷真人, 野矢厚
- Journal Title
  
  応用物理学会学術講演論文集 30p-ZN-14
  
  Pages: 750-750
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Interface morphology in Cu/ZrN/SiOC/Si system induced by annealing2006
- Author(s)
  Mayumi B.Takeyama, Masaru Sato, Atsushi Noya
- Journal Title
  
  Advanced Metallization Conference 2006 : Asian Session 5-12
  
  Pages: 66-66
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Cu配線技術における極薄TiNバリヤ膜作製のためのCat(触媒作用)によるラジカル反応の適用2006
- Author(s)
  柳田賢善, 中村哲也, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集 P21
  
  Pages: 210-210
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Si-ULSI技術におけるCu配線の拡散バリヤへのCatの応用例2006
- Author(s)
  武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集 (招待講演)
  
  Pages: 117-117
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの熱的安定性と界面モフォロジー2006
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二, 野矢厚
- Journal Title
  
  応用物理学会北海道支部日本光学会北海道支部合同学術講演会論文集 A-21
  
  Pages: 21-21
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Si-ULSIにおけるCat(触媒作用)によるラジカル窒化した極薄HfN膜のCu/Si02間のバリヤ特性2006
- Author(s)
  佐藤勝, 矢敷真人, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集 P23
  
  Pages: 216-216
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討2006
- Author(s)
  野矢厚, 佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2006-119
  
  Pages: 37-37
- NAID
  110005717107
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiNxバリヤの新規作製方法の検討2006
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 野矢厚
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2006-120
  
  Pages: 41-41
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] HW法により成膜させた極薄HfNx膜のCu/SiO2及びCu/SiOC間のバリヤ特性2006
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2006-121
  
  Pages: 47-47
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Cu配線技術におけるhot-wire法によるラジカル反応を用いた極薄TiNバリヤ膜の作製2006
- Author(s)
  柳田賢善, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  応用物理学会学術講演論文集 30p-ZN-15
  
  Pages: 750-750
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] hot-wire法によるラジカル窒化TiN膜の作製とCu配線への適応2006
- Author(s)
  柳田賢善, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  応用物理学会北海道支部日本光学会北海道支部合同学術講演会論文集 A-20
  
  Pages: 20-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] 45nmノードに対応した極薄ZrN膜のバリヤ特性2006
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  第53回応用物理学関係連合講演会 24a-J-10
  
  Pages: 874-874
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Barrier properties of extremely thin ZrN films in Cu/SiOC system2005
- Author(s)
  M.B.Takeyama, M.Sato, A.Noya
- Journal Title
  
  Advanced Metallization Conference 2005 7-17
  
  Pages: 94-95
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄なのバリヤの動向とその界面制御2005
- Author(s)
  武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  電子情報通信学会2005ソサイエティ大会 CS-5-4
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Application of ultrathin VN barrier between Cu interconnects and SiOC layer2005
- Author(s)
  M.B.Takeyama, M.Genta, E.Aoyagi, A.Noya
- Journal Title
  
  Advanced Metallization Conference 2005 7-9
  
  Pages: 78-79
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤ特性2005
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2005-64
  
  Pages: 25-28
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御2005
- Author(s)
  武山真弓, 水野源大, 青柳英二, 野矢厚
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2005-65
  
  Pages: 29-34
- NAID
  110003224759
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Cu/low-k間の適用したZrNバリヤの特性2005
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Journal Title
  
  第66回応用物理学会学術講演会 7p-A-10
  
  Pages: 698-698
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Journal Article] Properites of ZrB_x thin films withoff-stoichiometric compositions from ZrB_2compound
- Author(s)
  M. B. Takeyama, M. Sato, A. Noya
- Journal Title
  
  Thin Solid Films
  
  Volume: (投稿中)
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価2016
- Author(s)
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- Organizer
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- Place of Presentation
  東京都
- Year and Date
  2016-01-22
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] ナノ結晶HfNx膜上のCu膜の組織観察2016
- Author(s)
  佐藤　勝、武山真弓、青柳英二、野矢　厚
- Organizer
  電子情報通信学会総合大会
- Place of Presentation
  福岡県福岡市
- Year and Date
  2016-03-15
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] Cuプラグに適用可能なTiHfN合金膜のバリヤ特性2016
- Author(s)
  佐藤勝、青柳英二、野矢厚、武山真弓
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  金沢工業大学（石川県野々市市）
- Year and Date
  2016-11-18
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] 低温作製された窒化物薄膜の特性2016
- Author(s)
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- Organizer
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- Place of Presentation
  東京都
- Year and Date
  2016-01-22
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] 室温堆積によるSiNx膜の特性評価2015
- Author(s)
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- Organizer
  Cat-CVD研究会
- Place of Presentation
  愛知県名古屋市
- Year and Date
  2015-07-03
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製2015
- Author(s)
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  青森県弘前市
- Year and Date
  2015-08-10
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] 室温成膜したSiNx膜の特性評価2015
- Author(s)
  佐藤　勝、武山真弓、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  新潟県長岡市
- Year and Date
  2015-11-06
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] Preparation of high performance SiNx films deposited by reactive sputtering and PECVD at low temperatures2015
- Author(s)
  M. Sato, M. B. Takeyama, Y. Nakata, Y. Kobayashi, t. Nakamura, A. Noya
- Organizer
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
- Place of Presentation
  北海道札幌市
- Year and Date
  2015-09-27
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] 窒化物薄膜の微細構造制御とラジカルを用いた低温での成膜方法2015
- Author(s)
  武山真弓、佐藤　勝、野矢　厚
- Organizer
  化学工学会
- Place of Presentation
  北海道札幌市
- Year and Date
  2015-09-09
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] ラジカル処理によるHfNx膜の室温作製2015
- Author(s)
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- Organizer
  電気・情報関係学会北海道支部連合大会
- Place of Presentation
  北海道北見市
- Year and Date
  2015-11-07
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] ラジカルを用いた表面窒化反応によるHfNx膜の低温作製2015
- Author(s)
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- Organizer
  Cat-CVD研究会
- Place of Presentation
  愛知県名古屋市
- Year and Date
  2015-07-03
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] 絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製2015
- Author(s)
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  青森県弘前市
- Year and Date
  2015-08-10
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性2015
- Author(s)
  武山真弓、佐藤　勝、青柳英二、野矢　厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  新潟県長岡市
- Year and Date
  2015-11-06
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[Presentation] 低温作製されたSiNx膜のCu拡散へのバリヤ性2014
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会総合大会
- Place of Presentation
  新潟
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] Ni/Si系におけるNiSi2相の低温形成2014
- Author(s)
  野矢, 武山
- Organizer
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- Place of Presentation
  松江市(発表予定)
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Presentation] 酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応2014
- Author(s)
  野矢　厚　　武山　真弓
- Organizer
  電子情報通信学会総合大会
- Place of Presentation
  新潟大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Presentation] 低温作製されたスパッタ-SiNx膜のカバレ－ジ特性2014
- Author(s)
  武山真弓，佐藤勝，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会総合大会
- Place of Presentation
  新潟
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] TSVに適用可能な低温SiNx膜のキャラクタリゼーション2013
- Author(s)
  武山真弓，佐藤勝，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- Place of Presentation
  福岡
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 3D/2.5D-ICのTSVにおける低温SiNx膜の評価2013
- Author(s)
  小林靖志，中田義弘，小高康稔，中村友二，武山真弓，佐藤勝，野矢厚
- Organizer
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- Place of Presentation
  北見
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] Cnaracterization of SiNx film as insulating barrier applicable to TSV2013
- Author(s)
  M.B.Takeyama, M.Sato, Y.Kobayashi, Y.Nakata, T.Nakamura, and A.Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2013
- Place of Presentation
  Tokyo
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 成膜手法の違いによるZrNx膜の特性評価2013
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，青柳　英二，野矢厚
- Organizer
  Cat-CVD研究会
- Place of Presentation
  岐阜
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx 膜のバリヤ特性2013
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，青柳　英二，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  釧路
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] ラジカル窒化法を用いた窒化物薄膜形成の有用性2013
- Author(s)
  武山　真弓，佐藤　勝，野矢　厚
- Organizer
  Cat-CVD研究会
- Place of Presentation
  岐阜
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] Cu/SiコンタクトにおけるTaWN３元合金膜のバリヤ特性2013
- Author(s)
  武山真弓，佐藤勝，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  釧路
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 低温プロセスによるSiNx膜の特性評価2013
- Author(s)
  武山真弓，佐藤勝，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  新潟
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応2013
- Author(s)
  野矢, 武山
- Organizer
  電子情報通信学会総合大会
- Place of Presentation
  新潟市(C-6-3)
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Presentation] シリコン貫通ビアに適用可能なバリヤ材料のあり方2013
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，青柳　英二，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- Place of Presentation
  福岡
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] Ni/Si固相反応におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成2012
- Author(s)
  野矢, 佐藤, 武山
- Organizer
  2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
- Place of Presentation
  富山市(C-6-1)
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Presentation] Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成2012
- Author(s)
  野矢, 武山, 佐藤, 徳田
- Organizer
  電子情報通信学会技術研究報告
- Place of Presentation
  (vol.112,No.265,pp.49-53,CPM2012-102)
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Presentation] Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成2012
- Author(s)
  野矢厚、佐藤勝、武山真弓
- Organizer
  2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会C-6-1
- Place of Presentation
  富山市
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Presentation] 非化学量論組成のZrBx薄膜のCuメタルキャップとしての特性2012
- Author(s)
  佐藤、武山、野矢
- Organizer
  第59回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  東京
- Year and Date
  2012-03-18
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] 非化学量論組成のZrB_x薄膜のCuメタルキャップとしての特性2012
- Author(s)
  佐藤勝、武山真弓、野矢厚
- Organizer
  2012応用物理学関係連合講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性2011
- Author(s)
  佐藤勝、武山真弓、野矢厚
- Organizer
  2011年電子情報通信学会エレクトロソサイエティ大会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用2011
- Author(s)
  武山, 佐藤, 野矢
- Organizer
  電子情報通信学会技術研究報告
- Place of Presentation
  (vol. 111, No.264, pp. 41-45, CPM2011−117)
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Presentation] NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用2011
- Author(s)
  武山眞弓、佐藤勝、野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会　CPM2011-117
- Place of Presentation
  福井市
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[Presentation] Cu配線のメタルキャップ層としてのZrBx膜の特性2011
- Author(s)
  佐藤、武山、野矢
- Organizer
  2011年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会
- Place of Presentation
  札幌
- Year and Date
  2011-09-15
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価2011
- Author(s)
  武山、佐藤、野矢
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  青森
- Year and Date
  2011-08-12
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価2011
- Author(s)
  武山真弓、佐藤勝、野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] 低温作製されたZrB_x薄膜のCu配線への適用2010
- Author(s)
  武山真弓、佐藤勝、野矢厚
- Organizer
  2010春季用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  神奈川
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] 低温作製されたZrBx薄膜のCu配線への適用2010
- Author(s)
  武山, 佐藤, 野矢
- Organizer
  第57回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  東海大学(神奈川)
- Year and Date
  2010-03-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] ラジカル反応を応用したZrNx膜の低温作製2010
- Author(s)
  佐藤、武山、早坂、青柳、野矢
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  北海道
- Year and Date
  2010-07-30
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] 低温作製されたZrBx薄膜のCu配線への適用2010
- Author(s)
  武山真弓、佐藤勝、野矢厚
- Organizer
  2010春季応用物理学会関係連合講演会
- Place of Presentation
  東海大学(神奈川)
- Year and Date
  2010-03-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] 低温作製されたZrBx薄膜のCu配線への適用2010
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 野矢厚
- Organizer
  2010春季応用物理学会関係連合講演会
- Place of Presentation
  神奈川
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] ZrBx薄膜の特性評価とCu多層配線への応用2009
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 早坂祐一郎, 青柳英二, 野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会、CPM2009-43
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用2009
- Author(s)
  武山真弓、佐藤勝、早坂祐一郎、青柳英二、野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] 低温作製されたZrBx薄膜の特性評価2009
- Author(s)
  武山真弓, 宮地一成, 木嶋雄介, 佐藤勝, 野矢厚
- Organizer
  44回応用物理学会北海道支部・第5回日本光学会北海道支部合同学術講演会
- Place of Presentation
  函館
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] ZrBx薄膜の特性評価とCu多層配線への応用2009
- Author(s)
  武山、佐藤、早坂、青柳、野矢
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会資料CPM2009-43
- Place of Presentation
  弘前大学(青森)
- Year and Date
  2009-08-11
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] ZrBx薄膜の特性評価とCu配線への応用2009
- Author(s)
  武山, 佐藤, 早坂, 青柳, 野矢
- Organizer
  電子情報通信学会技術研究報告(電子部品・材料研究会)
- Place of Presentation
  弘前大学(青森)
- Year and Date
  2009-08-11
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[Presentation] Effects of radical nitriding condition to interfacial reaction at TiN/Si02 interface2008
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Tadayoshi Yanagita, Akihiro Sato, Yuichiro Hayasaka, Eiji Aoyagi, Atsushi Noya
- Organizer
  The 55th Spring Meeting 2008, The Japan. Society of Applied Physics and Related Societies, 29p-ZK-12, pp.877
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Low temperature deposited ZrB_2 thin film applicable to extremely thin barrier against copper interconnect2008
- Author(s)
  M. B. Takeyama, A. Noya, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, E. Aoyagi, H. Machida, K. Masu
- Organizer
  40^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
- Place of Presentation
  Matsue
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] ラジカル窒化条件がTiN_x/SiO_2界面に及ぼす影響2008
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 柳田賢善, 佐藤彰洋, 早坂祐一郎, 青柳英二, 野矢厚
- Organizer
  第55回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  船橋市日本大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ZrBx薄膜のキャラクタリゼーション2008
- Author(s)
  佐藤勝, 木嶋雄介, 宮地一成, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  電気・情報関係学会北海道支部連合大会
- Place of Presentation
  札幌
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] Low temperature deposited ZrB_2 92km applicable to extremely fain barrier against copper interconmect2008
- Author(s)
  M. B. Takyama, A. Noya, et.al.
- Organizer
  4th Vacuum and Surface Suence Confeveuce of Asia and Australia
- Place of Presentation
  Mafsae
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] "Preparation and barrier properties of ZrB2 thi n film deposited at low temperature for Cu interconnects"2007
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Yasuo Nakadai, Shozo Kambara, Masanobu Hatanaka, Atsushi Noya
- Organizer
  The 54th Spring Meeting 2007, The Japan. Society of Applied Physics and Related Societies, 30a-P9-16, pp.889
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性2007
- Author(s)
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会、信学技報CPM-2007-111
- Place of Presentation
  長岡
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/Sio_2問のバリヤ特性2007
- Author(s)
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- Organizer
  平成19年度電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)
- Place of Presentation
  長岡市長岡技術科学大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの熱的安定性とモフォロジー2007
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Eiji Aoyagi, Atsushi Noya
- Organizer
  第42回応用物理学会北海道支部第3回日本光学会北海道支部合同学術講演会, A-21, pp21
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu/ZrN/SiO_2/Si構造における極薄ZrNバリヤの適用2007
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  平成19年度電気・情報関係学会北海道支部連合大会
- Place of Presentation
  札幌市北海道工業大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ラジカル窒化反応を用いた新規作製法によるTiN_xバリヤの特性2007
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 青柳英二, 野矢厚
- Organizer
  2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  札幌市北海道工業大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Application of ZrB2 thifilm as a diffusion barrier in Cuinterconnects2007
- Author(s)
  M. B. Takeyama, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, and A. Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2007
- Place of Presentation
  Asian Session
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Preparation of thin TiNx film and its application to extremely thin diffusion barrier without intermixing interface layer2007
- Author(s)
  M. B. Takeyama, M. Sato, Y. Hayasaka, E. Aoyagi and A. Noya
- Organizer
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- Place of Presentation
  東京都都立大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Barrier properties of TiN_x thin films formed by nitridation of sputtered Ti with hot-wire activated radical species2007
- Author(s)
  M. B. Takeyama, M. Sato, Y. Hayasaka, E. Aoyagi and A. Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2007 : Asian Session
- Place of Presentation
  東京都東京大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Barrier properties of TiNx thin films formed by nitridation of sputtered Ti with hot-wire activated radical species2007
- Author(s)
  M. B. Takeyama, M. Sato, Y. Hayasaka, E. Aoyagi and A. Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2007
- Place of Presentation
  Asian Session
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Realization of intermixing free ZrN barrier in Cu/ZrN/SiOC/Si system2007
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Ei ji Aoyagi, Atsushi Noya
- Organizer
  A The 68th Autumn Meeting 2007, The Japan Society of Applied Physics, 5a-B-2, pp. 841
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Controlled interfaces on ZrN barrier interposed between Cu and field insulating Si02 layers2007
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- Organizer
  IEICE Technical Report, CPM2007-112, pp.39-42
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Si-ULSIにおけるCu配線へのCatによるラジカル窒化膜の適用"2007
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Atsushi Noya
- Organizer
  第4回Cat-CVD研究会, 11, pp.35-36
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Application of ZrB2 thin film as a diffusion barrier in Cu interconnects2007
- Author(s)
  M. B. Takeyama, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, A. Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2007 : Asian Session
- Place of Presentation
  東京都東京大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Application of ZrB2 thin film as a diffusion barrier in Cu interconnects2007
- Author(s)
  M. B. Takeyama, A. Noya, 他
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2007
- Place of Presentation
  東京
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] Si-ULSIにおけるCu配線へのCatによるラジカル窒化膜の適用2007
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 青柳英二, 野矢厚
- Organizer
  第4回Cat-CVD研究会
- Place of Presentation
  北九州市
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性2007
- Author(s)
  武山、野矢, 他
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  長岡
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] Application of ZrB_2 thin film as a diffusion barrier in Cu interconnects2007
- Author(s)
  M.B.Takeyama, Y.Nakadai, S.Kambara, M.Hatanaka, A.Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2007
- Place of Presentation
  Tokyo
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[Presentation] "Thermal stability of ZrN barrier formed by radical nitriding assisted by hot-wire method"2007
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- Organizer
  The 54th Spring Meeting 2007, The Japan. Society of Applied Physics and Related Societies, 30a-P9-15, pp.889
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Hot-wire法におけるラジカル窒化反応させたZrNバリヤの熱的安定性2007
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  応用物理学会学術講演会論文集
- Place of Presentation
  相模原市青山学院大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Application of extremely thin ZrN film as a diffusion barrier between Cu and SiOC2007
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, E. Aoyagi, and Atsushi Noya
- Organizer
  2nd International Symposium on Organic and In organic Electronic Materials and Related Nan otechnologies (EM-NANO 2007)
- Place of Presentation
  長野市
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性2007
- Author(s)
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- Organizer
  平成19年度電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)
- Place of Presentation
  長岡市長岡技術科学大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Barrier properties of TiNx by new deposition method with radical nitriding2007
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Ei ji Aoyagi, Atsushi Noya
- Organizer
  A The 68th Autumn Meeting 2007, The Japan Society of Applied Physics, 5a-B-3, pp.841
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御2007
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  平成19年度電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)
- Place of Presentation
  長岡市長岡技術科学大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Preparation of thin TiNx film and its application to extremely thin diffusion barrier without intermixing interface layer2007
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Yuichiro Hayasaka, Eiji Aoyagi, Atsushi Noya
- Organizer
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, P-39, pp.165-166
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの熱的安定性と界面モフォロジー2007
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二, 野矢厚
- Organizer
  応用物理学会北海道支部日本光学会北海道支部合同学術講演会論文集
- Place of Presentation
  北見市北見工業大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Application of extremely thin ZrN film as a diffusion barrier between Cu and SiOC2007
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, E. Aoyagi, and Atsushi Noya
- Organizer
  2nd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(EM-NANO 2007)
- Place of Presentation
  長野市
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Application of extremely thin ZrN film as a diffusion barrier between Cu and SiOC"2007
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, E. Aoyagi, and Atsushi Noya
- Organizer
  2nd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2007), P3-31, 239
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] hot-wire法によるラジカル窒化TiN膜の作製とCu配線への適応2007
- Author(s)
  柳田賢善, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  応用物理学会北海道支部日本光学会北海道支部合同学術講演会論文集
- Place of Presentation
  北見市北見工業大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu/ZrN/Si02/Si構造における極薄ZrNバリヤ適用2007
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- Organizer
  IEICE Technical Report, CPM2007-111, pp.35-38
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu/SiOC間にZrNバリヤを用いた理想的な界面のあり方の検討2007
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二, 野矢厚
- Organizer
  2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  札幌市北海道工業大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ZrB2薄膜の低温作製とCu配線における拡散バリヤとしての適用2007
- Author(s)
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- Organizer
  応用物理学会学術講演会論文集
- Place of Presentation
  相模原市青山学院大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] hot-wire法によるラジカル窒化TiN膜の作製とCu配線バリヤへの適応"2007
- Author(s)
  Tadayoshi Yanagita, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- Organizer
  第42回応用物理学会北海道支部第3回日本光学会北海道支部合同学術講演会, A-20, pp.20
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Characterization and barrier properties of ZrB2 thin films for Cu interconnects2007
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Yasuo Nakadai, Shozo Kambara, Masanobu Hatanaka, Atsushi Noya
- Organizer
  IEICE Technical Report, CPM2007-111, pp. 35-38
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Si-ULSI技術におけるCu配線の拡散張りやへのCatの応用例(Invited)2006
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama and Atsushi Noya
- Organizer
  第3回Cat-CVD研究会 pp.117-119
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] 45nmノードに対応した極薄ZrN膜のバリヤ特性2006
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  東京都武蔵工業大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ラジカル窒化反応を用いたHfNバリヤの新規作製方法の検討2006
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 矢敷真人, 野矢厚
- Organizer
  応用物理学会学術講演論文集
- Place of Presentation
  草津市立命館大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Preparation of extremely thin TiN barrier by using hot-wire method for Cu interconnect"2006
- Author(s)
  Tadayoshi Yanagita, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- Organizer
  The 67th Autumn Meeting 2006, The Japan Society of Applied Physics, 30p-ZN-15, pp.750
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Si-ULSI技術におけるCu配線の拡散バリヤへのCatの応用例(招待講演)2006
- Author(s)
  武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集
- Place of Presentation
  長岡市長岡技術科学大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Preparation of HfNx barrier with low resistivity by using hot-wire method2006
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Masato Yashiki, Atsushi Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2006: Asian Session
- Place of Presentation
  東京都東京大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Preparation of HfNx thin films by hot-wire method and their barrier properties interposed between Cu interconnects and Si_2 or SiOC layers"2006
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsishi Noya
- Organizer
  IEICE technical report, CPM2006-121, pp.47-52
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiNxバリヤの新規作製方法の検討2006
- Author(s)
  武山真弓, 佐藤勝, 野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会技術研究報告
- Place of Presentation
  金沢市金沢大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Thermal stability and morphology of interfaces in Cu/ZrN/SiOC/Si systems"2006
- Author(s)
  Atsushi Noya, Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Eiji Aoyagi
- Organizer
  IEICE technical report, CPM2006-119, pp.37-40
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu配線技術におけるhot-wire法によるラジカル反応を用いた極薄TiNバリヤ膜の作製2006
- Author(s)
  柳田賢善, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  応用物理学会学術講演論文集
- Place of Presentation
  草津市立命館大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討2006
- Author(s)
  野矢厚, 佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二
- Organizer
  電子情報通信学会技術研究報告
- Place of Presentation
  金沢市金沢大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Si-ULSIにおけるCat(触媒作用)によるラジカル窒化した極薄HfN膜のCu/SiO2間のバリヤ特性2006
- Author(s)
  佐藤勝, 矢敷真人, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集
- Place of Presentation
  長岡市長岡技術科学大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "New deposition methods of HfN barrier with radical nitriding"2006
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Masato Yashiki, Atsushi Noya
- Organizer
  The 67th Autumn Meeting 2006, The Japan Society of Applied Physics, 30p-ZN-14, pp.750
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu配線技術における極薄Tinバリヤ膜作製のためのCat(触媒作用)によるラジカル反応の摘要"2006
- Author(s)
  Tadayoshi Yanagita, Tetsuya Nakamura, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- Organizer
  第3回Cat-CVD研究会 P21, pp.210-211
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Si-ULSIにおけるCat(触媒作用)によるラジカル窒化した極薄HfN膜のCu/SiO_2間のバリヤ特性2006
- Author(s)
  Masaru Sato, Masato Yashiki, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- Organizer
  第3回Cat-CVD研究会 P23, pp.216-217
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] HW法により成膜させた極薄HfNx膜のCu/SiO2及びCu/SiOC間のバリヤ特性2006
- Author(s)
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会技術研究報告
- Place of Presentation
  金沢市金沢大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Barrier proerties of extremely thin ZrN films for 45nm node technologies"2006
- Author(s)
  M. Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- Organizer
  The 53rd Spring Meeting 2006, The Japan. Society of Applied Physics and Related Societies 24a-J-10, pp.874
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Interface morphology in Cu/ZrN/SiOC/Si system induced by annealing2006
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Atsushi Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2006: Asian Session
- Place of Presentation
  東京都東京大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] Cu配線技術における極薄TiNバリヤ膜作製のためのCat(触媒作用)によるラジカル反応の適用2006
- Author(s)
  柳田賢善, 中村哲也, 武山真弓, 野矢厚
- Organizer
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集
- Place of Presentation
  長岡市長岡技術科学大学
- Description
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Preparation of HfN_x barrier with low resistivity by using hot-wire method"2006
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Masato Yashiki and Atsushi Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2006: Asian Session, 5-11, pp.64-65
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Interface morphology in Cu/ZrN/SiOC/Si system induced by annealing"2006
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Atsushi Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2006: Asian Session, 5-12, pp.64-65
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] "Properties of extremely thin TiNx barrier by new deposition method with radical reaction for Cu interconnects"2006
- Author(s)
  Mayumi B. Takeyama, Tadayoshi Yanagita and Atsushi Noya
- Organizer
  IEICE technical report, CPM2006-120, pp.41-46
- Description
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[Presentation] ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製
- Author(s)
  武山、佐藤、中田、小林、中村、野矢
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  米沢
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiNx 膜の特性
- Author(s)
  武山真弓，佐藤勝，小林靖志，中田義弘，中村友二, 野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  信州大学（長野県長野市）
- Year and Date
  2014-10-24 – 2014-10-25
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 低温作製されたZr3N4膜の絶縁バリヤ特性
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  信州大学（長野県長野市）
- Year and Date
  2014-10-24 – 2014-10-25
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] ZrNx膜を用いた一体型バリヤの作製
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，野矢厚
- Organizer
  応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学（北海道札幌市）
- Year and Date
  2014-09-17 – 2014-09-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] Characterization of TiHfN nitride composite films as a barrier between Cu plug and Si
- Author(s)
  M. B. Takeyama, M. Sato, A. Noya
- Organizer
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)
- Place of Presentation
  金沢
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] Thermal stability of bi-layered ZrN/Zr3N4 barrier in Cu/Si contact system
- Author(s)
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, and Atsushi Noya
- Organizer
  Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session IWAPS Joint Conference
- Place of Presentation
  東京大学弥生会館（東京都文京区）
- Year and Date
  2014-10-22 – 2014-10-24
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 3D/2.5D-IC配線向け低温SiNx膜の検討
- Author(s)
  小林靖志，中田義弘，中村友二，武山真弓，佐藤勝，野矢厚
- Organizer
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- Place of Presentation
  島根大学（島根県松江市）
- Year and Date
  2014-09-03 – 2014-09-06
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程
- Author(s)
  佐藤、武山、青柳、野矢
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  米沢
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I)
- Author(s)
  武山、野矢
- Organizer
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- Place of Presentation
  長岡
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] TSVに適用可能なZrN/Zr3N42層バリヤの低温作製
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会総合大会
- Place of Presentation
  立命館大学(滋賀県草津市)
- Year and Date
  2015-03-10 – 2015-03-13
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] TSVに適用可能なSiNx膜の低温作製とその特性評価
- Author(s)
  武山真弓，佐藤勝，野矢厚，小林靖志，中田義弘，中村友二
- Organizer
  応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学（北海道札幌市）
- Year and Date
  2014-09-17 – 2014-09-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 2.5D-IC向け低温SiNx膜の電気特性
- Author(s)
  武山真弓，小林靖志，佐藤勝，中田義弘，中村友二, 野矢厚
- Organizer
  電子情報通信学会総合大会
- Place of Presentation
  立命館大学(滋賀県草津市)
- Year and Date
  2015-03-10 – 2015-03-13
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] Preparation of nanocristalline HfNx films as a Thin Barrier for Through Si Via
- Author(s)
  M. Sato, M. B. Takeyama, A. Noya
- Organizer
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)
- Place of Presentation
  金沢
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] TiHfN合金膜のキャラクタリゼーションとCu配線のバリヤ特性
- Author(s)
  武山、佐藤、野矢
- Organizer
  電子情報通信学会
- Place of Presentation
  岐阜
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[Presentation] 反応性スパッタ法を用いた低温SiNx膜のTSVプロセスへの適用
- Author(s)
  佐藤勝，武山真弓，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢　厚
- Organizer
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- Place of Presentation
  島根大学（島根県松江市）
- Year and Date
  2014-09-03 – 2014-09-06
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560361

1. TAKEYAMA Mayumi (80236512)

# of Collaborated Projects: 10 results

# of Collaborated Products: 161 results
2. SASAKI Katsutaka (80091552)

# of Collaborated Projects: 4 results

# of Collaborated Products: 0 results
3. MACHIDA Hideaki (30535670)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 0 results
4. 栗城真也 (30002108)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 0 results
5. 小西哉 (70142750)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 0 results
6. 佐藤勝 (10636682)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 46 results
7. 石橋輝雄

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 0 results
8. DOBASHI Tsuyoshi (50123956)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
9. ABE Yoshio (20261399)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
10. NAKAMURA Tomoji

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 15 results
11. NAKATA Yoshihiro

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 15 results
12. KOBAYASHI Yasushi

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 15 results
13. SHIROSHIGE Michihiro

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results

NOYA Atsushi 野矢 厚

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Preparation of uniform contact-interface applying nanocrystalline silicide with controlled crystalline grain sizePrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Development of new barrier materials of compound for ultra-fine copper interconnectsPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Basic study on the nano-contact formation at the metal/SiGe semiconductor InterfacePrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Study on extremely thin barriers in low-resistivity against Cu interconnect on field oxide layer of SiO_2Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Preparation of preferentially oriented thin film interconnect on SiOィイD22ィエD2Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Single-oriented thin film interconnects in LSI technology prepared based on the epitxial relationshipsPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Institution

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Institution

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Institution

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

NOYA Atsushi 野矢厚