Tsuchida Hidekazu 土田秀一

Researcher Number	60371639
Other IDs
Affiliation (Current)	2025: 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 研究参事
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2022: 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 副研究参事 2021: 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部材料科学研究部門, 副部門長副研究参事 2020: 一般財団法人電力中央研究所, 材料科学研究所, 領域リーダー副研究参事
Review Section/Research Field	Principal Investigator Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
Keywords	Principal Investigator 4H-SiC / 応力 / 高温CVD法 / SiC / 転位動力学 / X線トポグラフィ / 熱応力 / 転位 / 結晶成長 / 炭化珪素

Research Projects
(1 results)
Research Products
(12 results)

Clarification of dislocation reduction mechanism and exploring the limit in fast SiC bulk growth by high-temperature CVDPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  Tsuchida Hidekazu
- Project Period (FY)
  2020 – 2022
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- Review Section
  
  Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
- Research Institution
  Central Research Institute of Electric Power Industry

All 2023 2022 2021 2020

All Journal Article Presentation

[Journal Article] Investigation of propagation and coalescence of threading screw and mixed dislocations in 4H-SiC crystals grown by the high-temperature gas source method2022
- Author(s)
  Kamata Isaho、Hoshino Norihiro、Betsuyaku Kiyoshi、Kanda Takahiro、Tsuchida Hidekazu
- Journal Title
  
  Journal of Crystal Growth
  
  Volume: 590 Pages: 126676-126676
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2022.126676
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Journal Article] Development of crystal growth techniques for high-power SiC devices2021
- Author(s)
  土田秀一、鎌田功穂、星乃紀博、村田晃一
- Journal Title
  
  Oyo Buturi
  
  Volume: 90 Issue: 11 Pages: 675-678
- DOI
  10.11470/oubutsu.90.11_675
- NAID
  130008109769
- ISSN
  0369-8009, 2188-2290
- Year and Date
  2021-11-01
- Language
  Japanese
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Journal Article] Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method2020
- Author(s)
  Hoshino Norihiro、Kamata Isaho、Kanda Takahiro、Tokuda Yuichiro、Kuno Hironari、Tsuchida Hidekazu
- Journal Title
  
  Applied Physics Express
  
  Volume: 13 Issue: 9 Pages: 095502-095502
- DOI
  10.35848/1882-0786/abace0
- Peer Reviewed / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Journal Article] 高電圧パワー半導体に向けたSiC結晶材料開発2020
- Author(s)
  土田秀一
- Journal Title
  
  電気評論
  
  Volume: 12 Pages: 13-17
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Presentation] 高温ガス法による高速4H-SiCバルク結晶成長における転位密度低減2023
- Author(s)
  星乃紀博、鎌田功穂、神田貴裕、徳田雄一郎、久野裕也、土田秀一
- Organizer
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Presentation] 4H-SiC結晶における貫通刃状転位の上昇運動を考慮した転位動力学シミュレーション2022
- Author(s)
  別役潔、星乃紀博、鎌田功穂、神田貴裕、土田秀一
- Organizer
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Presentation] 4H-SiCにおける貫通刃状転位間の相互作用2021
- Author(s)
  別役潔、星乃紀博、鎌田功穂、神田貴裕、土田秀一
- Organizer
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Presentation] Recent progress in 4H-SiC CVD growth and defect control2021
- Author(s)
  Hidekazu Tsuchida, Isaho Kamata, Norihiro Hoshino, and Koichi Murata
- Organizer
  13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- Invited / Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Presentation] 放射光セクショントポグラフィによる貫通転位挙動の観察2021
- Author(s)
  鎌田功穂、星乃紀博、別役潔、神田貴裕、土田秀一
- Organizer
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Presentation] 高耐圧SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼性化を目指した欠陥制御2020
- Author(s)
  土田秀一、鎌田功穂、星乃紀博、村田晃一、前田康二、浅田聡志
- Organizer
  日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」第120回研究会
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Presentation] ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶中の貫通転位ペアの分布評価2020
- Author(s)
  星乃紀博、鎌田功穂、別役潔、神田貴裕、土田秀一
- Organizer
  先進パワー半導体分科会第7回講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356
[Presentation] 高品質 SiC 結晶成長技術の開発と欠陥評価2020
- Author(s)
  土田秀一、鎌田功穂、星乃紀博、村田晃一、宮澤哲哉
- Organizer
  日本学術振興会「放射線科学とその応用第186委員会」第36回研究会
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00356

Tsuchida Hidekazu 土田 秀一

Research Projects

Research Products

Clarification of dislocation reduction mechanism and exploring the limit in fast SiC bulk growth by high-temperature CVDPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

[Journal Article] Investigation of propagation and coalescence of threading screw and mixed dislocations in 4H-SiC crystals grown by the high-temperature gas source method2022

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Development of crystal growth techniques for high-power SiC devices2021

Author(s)

Journal Title

DOI

NAID

ISSN

Year and Date

Language

Data Source

[Journal Article] Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method2020

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] 高電圧パワー半導体に向けたSiC結晶材料開発2020

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Presentation] 高温ガス法による高速4H-SiCバルク結晶成長における転位密度低減2023

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 4H-SiC結晶における貫通刃状転位の上昇運動を考慮した転位動力学シミュレーション2022

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Organizer

Data Source

[Presentation] 4H-SiCにおける貫通刃状転位間の相互作用2021

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] Recent progress in 4H-SiC CVD growth and defect control2021

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 放射光セクショントポグラフィによる貫通転位挙動の観察2021

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 高耐圧SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼性化を目指した欠陥制御2020

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶中の貫通転位ペアの分布評価2020

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 高品質 SiC 結晶成長技術の開発と欠陥評価2020

Author(s)

Organizer

Data Source

Tsuchida Hidekazu 土田秀一