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UCHIDA Noriyuki  内田 紀行

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内田 紀行  ウチダ ノリユキ

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Researcher Number 60400636
Other IDs
Affiliation (Current) 2025: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2020 – 2022: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長
2017: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
2015 – 2017: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
2016: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
2015 – 2016: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員 … More
2013 – 2014: 独立行政法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員
2013 – 2014: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
2011 – 2012: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員
2011: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, 研究員
2009 – 2010: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ナノ電子デバイス研究センター, 研究員
2009: (独)産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 特別研究員
2008: 独立行政法人 産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 特別研究員
2007: 産業技術総合研究所, 次世代半導体研究センター, 特別研究員 Less
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Thin film/Surface and interfacial physical properties / Electronic materials/Electric materials / Applied materials science/Crystal engineering
Except Principal Investigator
Physical properties of metals/Metal-base materials / Basic Section 28020:Nanostructural physics-related / Science and Engineering
Keywords
Principal Investigator
ナノエレクトロニクス / 原子層シリサイド半導体 / クラスター凝集 / シリサイド / ショットキー障壁 / コンタクト抵抗 / 原子層薄膜 / 半導体シリサイド / 半導体ヘテロ接合 / 遷移金属内包シリコンクラスター … More / 半導体金属接合 / 2次元キャリア輸送特性 / シリサイド半導体 / 超薄膜 / エピタキシャル成長 / キャリアドーピング / ナシ材料 / 物性実験 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 半導体超微細化 / ナノ材料 … More
Except Principal Investigator
シリコン / クラスター / 磁性半導体 / 遷移金属内包シリコンクラスター / 磁性 / CVD / エピタキシャル成長 / シリサイド / 遷移金属 / スピン / 金属結合クラスター / コンプトン散乱 / 液体ボロン / 水素吸蔵 / Wood-Saxonポテンシャル / 共有結合 / 金属結合 / 分子軌道計算 / 熱電変換 / 電気伝導度 / 光吸収スペクトル / シリコンクラスター / レーザアブレーション / ナノ材料 / 原子分子処理 / 超薄膜 / ナノエレクトロニクス / 遷移金属内包Siクラスター Less
  • Research Projects

    (7 results)
  • Research Products

    (109 results)
  • Co-Researchers

    (10 People)
  •  Formation of single-crystal Si spin glass with a single W atom as a magnetic dopant and elucidation of its magnetic properties

    • Principal Investigator
      Okada Naoya
    • Project Period (FY)
      2020 – 2022
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Review Section
      Basic Section 28020:Nanostructural physics-related
    • Research Institution
      National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
  •  Element technology for nanoelectronics devices using atomic layer silicide semiconductorPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      Uchida Noriyuki
    • Project Period (FY)
      2015 – 2017
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • Research Field
      Thin film/Surface and interfacial physical properties
    • Research Institution
      National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
  •  Establish of Bonding Conversion in Isolated Cluster and Production of Boren

    • Principal Investigator
      Kimura Kaoru
    • Project Period (FY)
      2015 – 2016
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • Research Field
      Physical properties of metals/Metal-base materials
    • Research Institution
      The University of Tokyo
  •  Development of high-efficiency silicon-based thermoelectric materials by modulation doping and nanostructuring

    • Principal Investigator
      Kurosaki Ken
    • Project Period (FY)
      2013 – 2016
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Physical properties of metals/Metal-base materials
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Control of carrier doping using atomic layer silicide semiconductorsPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      UCHIDA Noriyuki
    • Project Period (FY)
      2012 – 2014
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
  •  Fabrication of atomic layer silicide semiconductor on Si substratesPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      UCHIDA Noriyuki
    • Project Period (FY)
      2009 – 2010
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • Research Field
      Applied materials science/Crystal engineering
    • Research Institution
      National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
  •  Advanced semiconducting devices using regulated nano-space materials

    • Principal Investigator
      KANAYAMA Toshihiko (TOSHIHIKO Kanayama)
    • Project Period (FY)
      2007 – 2011
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Review Section
      Science and Engineering
    • Research Institution
      National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

All 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 Other

All Journal Article Presentation Patent

  • [Journal Article] Thermal stability of amorphous Si-rich silicide films composed of W-atom-encapsulated Si clusters2017

    • Author(s)
      Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 121 Issue: 22

    • DOI

      10.1063/1.4985248

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15K13368
  • [Journal Article] Thermoelectric Properties of (100) Oriented Silicon and Nickel Silicide Nanocomposite Films Grown on Si on Insulator and Si on Quartz Glass Substrates2016

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida*, Yuji Ohishi, Yoshinobu Miyazaki, Ken Kurosaki, Shinsuke Yamanaka, and Tetsuya Tada
    • Journal Title

      MATERIALS TRANSACTIONS

      Volume: 57 Issue: 7 Pages: 1076-1081

    • DOI

      10.2320/matertrans.E-M2016807

    • NAID

      130005158388

    • ISSN
      1345-9678, 1347-5320
    • Language
      English
    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289220
  • [Journal Article] Synthesis and Characterization of Melt-Spun Metastable Al6Ge52015

    • Author(s)
      Masaya Kumagai, Ken Kurosaki, Noriyuki Uchida, Yuji Ohishi, Hiroaki Muta, and Shinsuke Yamanaka
    • Journal Title

      J. Electron. Mater.

      Volume: 44 Issue: 3 Pages: 948-952

    • DOI

      10.1007/s11664-014-3592-5

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289220
  • [Journal Article] Electrical properties of amorphous and epitaxial Si-rich silicide films2015

    • Author(s)
      N. Okada, N. Uchida, T. Kanayama
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 117 Issue: 9

    • DOI

      10.1063/1.4913859

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant / Open Access
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Journal Article] ナノシリコン2014

    • Author(s)
      大石佑治,宮崎吉宣,エクバル ユスフ,牟田浩明,黒崎 健,山中伸介,石丸 学,内田紀行,多田哲也
    • Journal Title

      工業材料

      Volume: 62 Pages: 39-42

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289220
  • [Journal Article] 遷移金属内包Siクラスター凝集による新規シリサイド半導体薄膜2014

    • Author(s)
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • Journal Title

      第23回シリサイド系半導体研究会講演予稿集

      Volume: 23 Pages: 12-18

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Journal Article] Fermi-level depinning and contact resistance reduction in metal/n-Ge junctions by insertion of W-encapsulating Si cluster films2014

    • Author(s)
      Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kayanama
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 104 Issue: 6

    • DOI

      10.1063/1.4864321

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Journal Article] Heavily doped silicon and nickel silicide nanocrystal composite films with enhanced thermoelectric efficiency2013

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Tetsuya Tada, Yuji Ohishi, Yoshinobu Miyazaki, Ken Kurosaki, and Shinsuke Yamanaka
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 114 Issue: 13

    • DOI

      10.1063/1.4823814

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289220
  • [Journal Article] Electronic properties of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2012

    • Author(s)
      Sunjin Park, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 111 Issue: 6

    • DOI

      10.1063/1.3695994

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Low-barrier heterojunction of epitaxial silicide composed of W encapsulating Si clusters with n-type Si2012

    • Author(s)
      N. Okada, N. Uchida and T. Kanayama
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 101 Issue: 21 Pages: 212103-212103

    • DOI

      10.1063/1.4767136

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Journal Article] Low-barrier heterojunction of W-encapsulating Si cluster films on n-type Si2012

    • Author(s)
      N. Uchida, N. Okada and T. Kanayama
    • Journal Title

      Proceedings of The Sixth International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials

      Volume: 1-1 Pages: 306-309

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Journal Article] Ab Initio Structure Characterization for the Amorphous Assembly of Si Clusters Encapsulating Transition Metal2011

    • Author(s)
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • Journal Title

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc.

      Volume: 1,321 Pages: 307-312

    • DOI

      10.1557/opl.2011.811

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • Author(s)
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • Journal Title

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc.

      Volume: 1,321 Pages: 361-366

    • DOI

      10.1557/opl.2011.1250

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] New semiconducting silicides assembled from transition-metal-encapsulating Siclusters2011

    • Author(s)
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Sameshima, T.Kanayama
    • Journal Title

      Thin Solid Films in press

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21760019
  • [Journal Article] New semiconducting silicides assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • Author(s)
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 519 Issue: 24 Pages: 8456-8460

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.05.019

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2010

    • Author(s)
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      Phys. Status Solidi (c) 7

      Pages: 636-639

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2010

    • Author(s)
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      Phys.Status Solidi (c) 7

      Pages: 636-639

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • Author(s)
      Zhihu Sun, Hiroyuki Oyanagi, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      Journal of Physics D: Applied Physics 42

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • Author(s)
      Zhihu Sun, Hiroyuki Oyanagi, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      J. Phys D: Appl. Phys. 42

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Synthesis of New Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2008

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      pplied Physics Express (APEX) 1

    • NAID

      10025083656

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Electric field effect in amorphous2008

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Yusuke Matsushita, Kenichiro Samaeshima, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      Appl. Phys. Express

      Volume: 1 Pages: 121502-121502

    • DOI

      10.1143/apex.1.121502

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Synthesis of New Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2008

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • Journal Title

      Applied Physics Express (APEX) 1

    • NAID

      10025083656

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Local modification of electronic structure of Si(111)-7x7 surfaces by forming molybdenum-encapsulating Si clusters2007

    • Author(s)
      N.Uchida, H.Yahata, T.Kanayama, and L.Bolotov
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 91

      Pages: 63109-63109

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Journal Article] Local modification of electronic st ructure of Si (111)-7x7 surfaces by forming molybdenum-encapsulating Si clusters2007

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Hiroshi. Yahata, To shihiko Kanayama, Leonid Bolotov
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 91

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] タングステンシリサイド膜と銅を積層した電極構造および配線構造2017

    • Inventor(s)
      岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2017-216449
    • Filing Date
      2017
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15K13368
  • [Patent] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2014

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2014-503769
    • Filing Date
      2014-08-26
    • Acquisition Date
      2016-11-25
    • Description
      日本移行
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2014

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2014-503769
    • Filing Date
      2014-08-26
    • Acquisition Date
      2016-11-25
    • Description
      日本移行行
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21760019
  • [Patent] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2013

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2013-02-25
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2013

    • Inventor(s)
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2013-02-25
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Patent] THIN FILM OF METAL SILICON COMPOUND AND PROCESS FORPRODUCING THETHIN FILM OFMETAL SILICON COMPOUND2013

    • Inventor(s)
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Acquisition Date
      2013-01-28
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2013

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Acquisition Date
      2013-02-15
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2013

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2013-02-25
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21760019
  • [Patent] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2012

    • Inventor(s)
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      産業技術総合研究所
    • Industrial Property Number
      2012-049040
    • Filing Date
      2012-03-06
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 半導体のコンタクト構造及び形成方法2012

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2012-049040
    • Filing Date
      2012-03-06
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21760019
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2011

    • Inventor(s)
      内田紀行, 金山敏彦, 宮崎剛英
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Acquisition Date
      2011-01-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2011

    • Inventor(s)
      内田紀行、金山敏彦、宮崎剛英
    • Industrial Property Rights Holder
      産総研
    • Acquisition Date
      2011-01-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2011

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Acquisition Date
      2011-01-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] (旧名称)ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法 (新名称)ナノ結晶半導体材料及びその製造方法2011

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2011-199630
    • Filing Date
      2011-09-13
    • Acquisition Date
      2015-05-29
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2011

    • Inventor(s)
      内田紀行、金山敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      産業技術総合研究所
    • Industrial Property Number
      2011-199630
    • Filing Date
      2011-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2011

    • Inventor(s)
      内田紀行, 金山敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Number
      2011-199630
    • Filing Date
      2011-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2010

    • Inventor(s)
      内田紀行、金山敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      産総研
    • Industrial Property Number
      2010-207987
    • Filing Date
      2010-09-16
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2010

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2010-08-19
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2010

    • Inventor(s)
      内田紀行、金山敏彦、宮崎剛英
    • Industrial Property Rights Holder
      産総研
    • Industrial Property Number
      2010-207987
    • Filing Date
      2010-08-17
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2010

    • Inventor(s)
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      (独)産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2010-207987
    • Filing Date
      2010-09-16
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属硅化合物薄膜及其制造方法2010

    • Inventor(s)
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2010-08-25
    • Acquisition Date
      2014-06-18
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2010

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      (独)産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2010-253936
    • Filing Date
      2010-11-12
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2010

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2010-182188
    • Filing Date
      2010-08-17
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • Inventor(s)
      金山敏彦, 内田紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Number
      2009-037261
    • Filing Date
      2009-02-20
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • Inventor(s)
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      (独)産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2009-02-25
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • Inventor(s)
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2009-037261
    • Filing Date
      2009-02-20
    • Acquisition Date
      2014-01-31
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • Inventor(s)
      金山敏彦、内田紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      (独)産業技術総合研究所
    • Filing Date
      2009-02-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2009

    • Inventor(s)
      内田紀行、金山敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      (独)産業技術総合研究所
    • Industrial Property Number
      2009-191603
    • Filing Date
      2009-08-21
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 薄膜トランジスタ2009

    • Inventor(s)
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2009-191603
    • Filing Date
      2009-08-21
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • Inventor(s)
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2009-02-25
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • Inventor(s)
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      (独)産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2009-02-25
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • Inventor(s)
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      (独)産業技術総合研究所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Filing Date
      2009-02-25
    • Overseas
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • Inventor(s)
      金山 敏彦、 内田 紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      産業技術総合研究所
    • Filing Date
      2008-02-28
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • Inventor(s)
      金山敏彦、内田紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      (独)産業技術総合研究所
    • Industrial Property Number
      2008-048520
    • Filing Date
      2008-02-28
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • Inventor(s)
      金山敏彦, 内田紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Number
      2008-048520
    • Filing Date
      2008-02-28
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • Inventor(s)
      金山敏彦, 内田紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Filing Date
      2008-02-28
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Patent] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • Inventor(s)
      金山敏彦, 内田紀行
    • Industrial Property Rights Holder
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • Industrial Property Number
      2008-230650
    • Filing Date
      2008-09-09
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] クラスター気相合成法で形成したWSin (n=12)挿入膜のCu拡散防止特性2018

    • Author(s)
      岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15K13368
  • [Presentation] W内包Siクラスター凝集薄膜を用いた金属/Si接合の障壁高さ制御2017

    • Author(s)
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川県横浜市パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-17
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15K13368
  • [Presentation] Wを内包したSiクラスターを凝集したシリサイド薄膜の電気伝導特性2015

    • Author(s)
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学湘南キャンパス
    • Year and Date
      2015-03-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Presentation] WSin/Ge接合の結合状態とフェルミレベルピニング解除2014

    • Author(s)
      内田紀行、岡田直也、福田浩一、宮崎剛英、金山敏彦
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学札幌キャンパス
    • Year and Date
      2014-09-18
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Presentation] Wを内包したSiクラスターを凝集した原子層厚シリサイド薄膜の電気伝導特性2014

    • Author(s)
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学札幌キャンパス
    • Year and Date
      2014-09-18
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Presentation] Low-barrier heterojunction of W-encapsulating Si cluster films on n-type Si2012

    • Author(s)
      N. Uchida, N. Okada and T. Kanayama
    • Organizer
      The Sixth International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    • Place of Presentation
      米国、ハワイ州、コナ
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Presentation] 遷移金属内包Siクラスター薄膜の電気伝導特性2012

    • Author(s)
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      第59回応用物理学関連学術講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学(東京都)
    • Year and Date
      2012-03-16
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包Siクラスターを単位構造としたシリサイド半導体とSiとの接合特性2012

    • Author(s)
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛県松山市愛媛大学・松山大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Presentation] Low-barrier hetero junction to n-type Silicon using novel ultrathin Silicide consisted of Tungsten-encapsulating Silicon clusters2012

    • Author(s)
      N. Okada, N. Uchida, and T. Kanayama
    • Organizer
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Presentation] Si・シリサイドナノ結晶コンポジット半導体膜の熱伝導率2012

    • Author(s)
      内田紀行、大石祐治、黒崎健、山中伸介、多田哲也、金山敏彦
    • Organizer
      第59回応用物理学関連学術講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学(東京都)
    • Year and Date
      2012-03-16
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Electric Conduction Mechanism of Amorphous Semiconductor Films Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Silicon Clusters2011

    • Author(s)
      N.Okada, N.Uchida, T.Kanayama
    • Organizer
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • Place of Presentation
      東北大学(宮城県)
    • Year and Date
      2011-11-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Interfacial structure analysis of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2011

    • Author(s)
      S.J.Park, N.Uchida, T.Tada, T.Kanayama
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学(山形県)
    • Year and Date
      2011-09-14
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Ab Initio Molecular Dynamics Study for Vibrations in the Assembly of Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2011

    • Author(s)
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • Organizer
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • Place of Presentation
      東北大学(宮城県)
    • Year and Date
      2011-11-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Yusuke Matsushita, Kenichiro Samaeshima, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • Place of Presentation
      San Francisco, USA
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • Author(s)
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • Organizer
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • Place of Presentation
      San Francisco Marriott Marquis (San Francisco, CA, USA.)
    • Year and Date
      2011-04-28
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包Siクラスターが凝集したアモルファス材料の電子構造解析遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析2011

    • Author(s)
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      日本物理学会第66回年次大会
    • Place of Presentation
      茨城県つくば市
    • Year and Date
      2011-03-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Ab Initio Structure Characterization for the Amorphous Assembly of Si Clusters Encapsulating Transition Metal2011

    • Author(s)
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • Organizer
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • Place of Presentation
      San Francisco Marriott Marquis (San Francisco, CA, USA.)
    • Year and Date
      2011-04-27
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Electronic properties of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2011

    • Author(s)
      N.Uchida, S.J.Park, T.Tada, T.Kanayama
    • Organizer
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • Place of Presentation
      東北大学(宮城県)
    • Year and Date
      2011-11-24
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Electric Conduction Mechanism of Amorphous Semiconductor Films Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Silicon Clusters2011

    • Author(s)
      N.Okada, N.Uchida, T.Kanayama
    • Organizer
      International Symposium on Clusters and Nanostructures
    • Place of Presentation
      Jefferson Hotel, Richmond (Virginia, USA)
    • Year and Date
      2011-11-07
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] New Semiconducting Silicides Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Custers, Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides2010

    • Author(s)
      Toshihiko Kanayama, Noriyuki Uchida, and, Takehide Miyazaki
    • Organizer
      Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)
    • Place of Presentation
      Tsukuba
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析2010

    • Author(s)
      内田紀行、宮崎剛英、鮫島健一郎、松下祐介、金山敏彦、村上浩一
    • Organizer
      日本物理学会第65回年次大会
    • Place of Presentation
      岡山市,岡山大学
    • Year and Date
      2010-03-22
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] New Semiconducting Silicides Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Custer2010

    • Author(s)
      Toshihiko Kanayama, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki
    • Organizer
      Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)
    • Place of Presentation
      茨城県つくば市
    • Year and Date
      2010-07-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包シリコンクラスターが凝集したアモルファス材料の振動計算2010

    • Author(s)
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      日本物理学会2010年秋季大会
    • Place of Presentation
      大阪府立大学(大阪府堺市)
    • Year and Date
      2010-09-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包Siクラスター半導体薄膜の合成と電気伝導特性評価2009

    • Author(s)
      松下裕介, 内田紀行, 金藤浩史, 金山敏彦
    • Organizer
      第56回応用物理学関係連合学術講演会
    • Place of Presentation
      茨城県 つくば市 筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-31
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Amorphous Si-Rich Silicide Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • Place of Presentation
      Utrecht, The Netherlands
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2009

    • Author(s)
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • Place of Presentation
      Utrecht, The Netherlands
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2009

    • Author(s)
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • Place of Presentation
      オランダ,ユトレヒト
    • Year and Date
      2009-08-24
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Synthesis of Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Yusuke Matsushita, Hiroshi Kintou, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      International Conference on Nanoscience and Quantum Physics (nanoPHYS'09)
    • Place of Presentation
      Minato-ku, Tokyo, Japan
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態2009

    • Author(s)
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      日本物理学会2009年秋季大会
    • Place of Presentation
      熊本市,熊本大学
    • Year and Date
      2009-09-27
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包Siクラスター半導体薄膜の合成と電界効果測定2009

    • Author(s)
      松下祐介、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      第70回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山市,富山大学
    • Year and Date
      2009-09-10
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Amorphous Si-Rich Silicide Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, TakehideMiyazaki, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • Place of Presentation
      オランダ,ユトレヒト
    • Year and Date
      2009-08-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • Author(s)
      Z. Sun, H. Oyanagi, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • Organizer
      第22回日本放射光学会年会
    • Place of Presentation
      東京都 文京区 東京大学本郷キャンパス
    • Year and Date
      2009-01-10
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Structure of WSin cage clusters probed by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • Author(s)
      H. Oyanagi, Z. Sun, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • Organizer
      第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンボジウム
    • Place of Presentation
      東京都 文京区 東京大学本郷キャンパス
    • Year and Date
      2009-01-12
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Structure of WSin cage clusters probed by x-ray absorption fine structurespectra2009

    • Author(s)
      H. Oyanagi, Z. Sun, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • Organizer
      PFシンポジウム
    • Place of Presentation
      茨城県 つくば市 つくば国際会議場
    • Year and Date
      2009-03-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Synthesis of Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • Author(s)
      N. Uchida, H. Kintou, Y. Matsushita, T. Tada, T. Kanayama
    • Organizer
      International Conference on Nanoscience and Quantum Physics (nanoPHYS'09)
    • Place of Presentation
      東京都 港区
    • Year and Date
      2009-02-24
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] MoSi_nクラスター膜の熱処理に伴う構造変化2009

    • Author(s)
      鮫島健一郎、内田紀行、松下裕介、村上浩一、兵藤宏、木村薫、金山敏彦
    • Organizer
      第70回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山市,富山大学
    • Year and Date
      2009-09-10
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters"2008

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Kazuhiho Kirihara, Hiroyuki Oyanagi, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • Place of Presentation
      Tsukuba, Ibaraki, Japan
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と電気伝導特性評価2008

    • Author(s)
      内田 紀行, 金藤 浩史, 桐原 和大, 大柳 宏之, 金山 敏彦
    • Organizer
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      日本大学 (千葉県船橋市)
    • Year and Date
      2008-03-30
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Theoretical Study of Single Gicfphene-1 ike Semiconductor Layer Made of Si and Transition Metal Atoms2008

    • Author(s)
      T. Miyazaki, N. Uchida, T. Kanayama
    • Organizer
      Materials Research Society (MRS) 2008 Fall Meeting
    • Place of Presentation
      Boston USA
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Formation of Si6 ring clusters stabilized by a transition metal atom2008

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Yusuke Matsushita, Takehide Miyazaki, Hidefumi Hiura, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      14th International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters
    • Place of Presentation
      Valladolid, Spain
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包Siクラスター薄膜のラマン散乱測定2008

    • Author(s)
      金藤 浩史, 松下 祐介, 内田 紀行, 多田 哲也, 金山 敏彦, 村上 浩一
    • Organizer
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛知県 春日井市 中部大学
    • Year and Date
      2008-09-03
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包シンコンクラスター薄膜の合成と構造評価2008

    • Author(s)
      内田 紀行, 金藤 浩史, 金山 敏彦, 桐原 和大, 大柳 宏之, 木村 薫
    • Organizer
      日本物理学会第63回年次大会
    • Place of Presentation
      近畿大学 (大阪府東大阪市)
    • Year and Date
      2008-03-26
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Formation of Si_6 rins clusters stabilized hv a transition metal atom2008

    • Author(s)
      N. Uchida, Y. Matsushita, T. Miyazaki, H. Hiura, T. Kanayama
    • Organizer
      14^<th> International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters (ISSPIS14)
    • Place of Presentation
      Valladolid, Spain
    • Year and Date
      2008-09-17
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル2008

    • Author(s)
      宮崎剛英, 内田紀行, 金山敏彦
    • Organizer
      2008年日本物理学会秋季大会
    • Place of Presentation
      岩手県 盛岡市 岩手大学
    • Year and Date
      2008-09-21
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters2008

    • Author(s)
      N. Uchida, H. Kintou, Y. Matsushita, T. Tada, K. Kirihara, H. Oyanagi, T. Kanayama,
    • Organizer
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • Place of Presentation
      茨城県 つくば市 つくば国際会議場
    • Year and Date
      2008-09-25
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] 遷移金属内包Siクラスター凝集による新規シリサイド半導体薄膜

    • Author(s)
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • Organizer
      第23回シリサイド系半導体研究会講演予稿集
    • Place of Presentation
      筑波大学東京キャンパス文京校舎
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [Presentation] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters

    • Author(s)
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Kazuhiho Kirihara, Hiroyuki Oyanagi, Toshihiko Kanayama
    • Organizer
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • Place of Presentation
      Tsukuba, Ibaraki
    • Data Source
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [Presentation] タングステン内包Siクラスター薄膜を用いたGeとの金属接合技術の開発

    • Author(s)
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学京田辺キャンパス
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • 1.  TADA Tetsuya (40188248)
    # of Collaborated Projects: 2 results
    # of Collaborated Products: 11 results
  • 2.  KANAYAMA Toshihiko (70356799)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 51 results
  • 3.  MIYAZAKI Takehide (10212242)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 29 results
  • 4.  Kurosaki Ken (90304021)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 3 results
  • 5.  Kimura Kaoru (30169924)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 6.  Okada Naoya (10717234)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 7.  石丸 学 (00264086)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 1 results
  • 8.  宮崎 吉宣 (30610844)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 9.  YAMAMURA HITOSHI
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 10.  YAMAZAKI SHOHEI
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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