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YASUTAKE Kiyoshi  安武 潔

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Researcher Number 80166503
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Affiliation (Current) 2022: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2018 – 2020: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2017: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2016: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2015: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
2013 – 2015: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 … More
2012: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2010 – 2011: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授
2009 – 2010: Osaka University, 工学研究科, 教授
2007 – 2008: Osaka University, 大学院・工学研究科, 教授
2006: Osaka University, Graduate School of Engineering, Department of Precision Science and Technology, Professor, 大学院工学研究科, 教授
2003 – 2005: YASUTAKE,Kiyoshi, 大学院・工学研究科, 教授
1998 – 2002: Precision Science and Technology, Associate Professor, 大学院・工学研究科, 助教授
1995 – 1997: 大阪大学, 工学部, 助教授
1990 – 1992: Faculty of Engineering. Osaka Univ., Associate Professor, 工学部, 助教授
1989: 大阪大学, 工学部, 講師
1986 – 1987: 大阪大学, 工学部, 助手 Less
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Production engineering/Processing studies / 機械工作・生産工学 / Materials engineering and related fields
Except Principal Investigator
金属材料(含表面処理・腐食防食) / 機械工作・生産工学 / Production engineering/Processing studies / Applied materials science/Crystal engineering / Basic Section 18020:Manufacturing and production engineering-related
Keywords
Principal Investigator
シリコン / 大気圧プラズマ / エピタキシャル / プラズマ酸化 / 大気圧プラズマCVD / 大気圧プラズマ酸化 / エピタキシャル成長 / 表面パッシベーション / 太陽電池 / レーザー冷却 … More / laser cooling / CVD / 選択成長 / 低温成長 / 高速成長 / インライン・エピ技術 / 半導体プロセス / 薄膜成長 / 機能材料 / 大気圧プラズマ窒化 / 全低温プロセス / ドーピング・エピ技術 / Al_2O_3 / 界面準位 / 表面再結合 / 超薄型Si結晶太陽電池 / 多結晶Si / 高速成膜 / ポーラスSi / 水素還元 / 二酸化ケイ素 / プラズマエッチング / 高圧力プラズマ / SiO2 / 珪砂 / 太陽電池級Si / 無転位単結晶Si / Siシート / 液相成長 / 無転移単結晶Si / dislocation-free single crystal Si / Si sheet / liquid phase crystal growth / 異方性ドライエッチング / NF_3プラズマ / 中性Fラジカルビーム / レーザーコリメーション / 準安定寿命 / ECRプラズマ / 誘導放射圧 / 半導体ドライエッチング / Fラジカルビーム / ECRラジカル源 / フッ素ラジカル / anisotropic dry etching / NFィイD23ィエD2 plasma / neutral F radical beam / laser collimation / metastable lifetime / ECR plasma / stimulated light force / 原子光学 / 単色原子ビーム / 原子干渉磁気回路 / 原子波干渉 / 中性原子ビーム / 中性原子速度分光 / 速度圧縮 / monochromatic atomic beam / velocity spectrometer / magnetic quadruple lens / nanostructure / atom lithography / atom optics / atom interferometer / 多結晶Si薄膜 / 大粒径 / ガラス基板 / Ge微結晶 / 結晶核 / 核形成 / 自己組織化 / 固相結晶化 / polycrystalline Si / Si thin film / glass substrate / large-grain / crystal nucleus / Ge nano-crystal / solid phase crystallization / nano-imprint / InNナノ構造 / 電子密度 / 電子温度 / 電磁場シミュレーション / インピーダンス整合 / 窒素プラズマ / 窒素ラジカル / 窒化物ナノ構造 … More
Except Principal Investigator
シリコン / プラズマ / 水素 / ナノ構造 / 太陽電池 / EEM / 大気圧プラズマCVD / Atmospheric pressure plasma CVD / 窒化物半導体 / AlN / レーザ / 紫外光 / PA-MBE / エピタキシャル成長 / Al_xGa_<1-x>N / ナノワイヤ / 精製 / ナノマイクロ加工 / 精製プロセス / アモルファス半導体薄膜 / アモルファス半導体超格子 / X線小角散乱 / 光学吸収 / ヘテロ接合界面エネルギ-バンド図 / 量子サイズ効果 / 結晶化 / 真空紫外光電子分光 / Amorphous semiconductor films / Amorphous semiconductor superlattices / X-ray small angle scattering / Optical absorption / Heterostructure energy-band diagram / Quantum-size effect / 半導体レーザ / 位相制御エピタキシー / 歪み量子井戸 / フォトルミネッセンス / 半導体レ-ザ / 位相制御エピタキシ- / semiconductor laser / phase locked epitaxy / strained quantum well / photoluminescence / Si薄膜 / 多結晶 / 低温成膜 / 高周波スパッタ蒸着法 / 多結晶Si薄膜 / low temperature growth / polycrystalline silicon film / RF sputtering method / atomic hydrogen radicals / 完全表面 / 超精密加工 / プラズマCVM / 超純水電解加工 / 第一原理分子動力学シミュレーション / ウルトラクリーンテクノロジー / 超純粋電解加工 / 第一原理分子動力学シュミレーション / STM / Perfect surfaces / Ultra precision machining / Plasma CVM / Electrochemical machining in ultrapure water / First-principles molecular dynamics simulation / Ultra clean technology / 単色原子ビーム / 原子ビーム速度分光装置 / レーザー冷却 / 高磁気勾配磁気回路 / アトムリソグラフィー / 原子光学 / 原子干渉計 / ナノストラクチャー / 単一速度原子ビーム / monochromatic atomic beam / velocity spectrometer / laser cooling / magnetic quadrupole lens / nanostructure / atom lithography / atom optics / atom interferometer / アモルファスSiC / 超高速成膜 / Amorphous SiC / High-rate deposition / セラミックス / 金属多層薄膜 / イオンビームスパック装置 / 非晶質炭化ケイ素薄膜の原理的構造 / A1 / 非晶質炭化ケイ素多層膜の界面反応 / イオンビームスパッター蒸着 / 多層薄膜 / 金属 / アモルファス薄膜界面 / 界面反応 / アモルファス炭化ケイ素 / Ceramics / metal multiple layered films / Ion beam sputtering device / Atomic structures of amorphous silicon carbide films / Interfacial reactions of Al / ウエハ加工 / 製造技術 / 欠陥制御 / ゲッタリング / ウエハ / 特殊加工 / 材料加工・処理 / プラズマ加工 / 電子・電気材料 / 精密部品加工 / 光反射率 / 半導体 / 光無反射表面 / 光無反射 / 無反射表面 Less
  • Research Projects

    (21 results)
  • Research Products

    (180 results)
  • Co-Researchers

    (14 People)
  •  nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma

    • Principal Investigator
      大参 宏昌
    • Project Period (FY)
      2020 – 2022
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Review Section
      Basic Section 18020:Manufacturing and production engineering-related
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Formation of Nitride Nanostructures by Reaction of High Density N Radicals with MetalsPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      Yasutake Kiyoshi
    • Project Period (FY)
      2017 – 2019
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • Research Field
      Materials engineering and related fields
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle

    • Principal Investigator
      Ohmi Hiromasa
    • Project Period (FY)
      2016 – 2018
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Production engineering/Processing studies
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science

    • Principal Investigator
      Ohmi Hiromasa
    • Project Period (FY)
      2013 – 2015
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Production engineering/Processing studies
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Formation process of solar grade silicon by atomic hydrogen reduction of quartz sandPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      YASUTAKE Kiyoshi
    • Project Period (FY)
      2012 – 2014
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • Research Field
      Production engineering/Processing studies
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Atmospheric-pressure plasma processes for high-rate film formation applicable for thin crystalline Si solar cellsPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      KIYOSHI Yasutake
    • Project Period (FY)
      2010 – 2013
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      Production engineering/Processing studies
    • Research Institution
      Osaka University
  •  大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発Principal Investigator

    • Principal Investigator
      安武 潔
    • Project Period (FY)
      2009 – 2010
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • Research Field
      Production engineering/Processing studies
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Development and application of totally low-temperature semiconductor process using atmospheric-pressure plasmaPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      YASUTAKE Kiyoshi
    • Project Period (FY)
      2007 – 2009
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      Production engineering/Processing studies
    • Research Institution
      Osaka University
  •  インライン対応シリコン低温選択エビ技術の開発Principal Investigator

    • Principal Investigator
      安武 潔
    • Project Period (FY)
      2006 – 2007
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • Research Field
      Production engineering/Processing studies
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Fabrication of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films by Controlling Nucleation Sites on Glass SubstratesPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      YASUTAKE Kiyoshi
    • Project Period (FY)
      2004 – 2006
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Production engineering/Processing studies
    • Research Institution
      Osaka University
  •  窒化物半導体による紫外光(UV)レーザへの発展

    • Principal Investigator
      YOSHII Kumayasu
    • Project Period (FY)
      2002 – 2004
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • Research Field
      Applied materials science/Crystal engineering
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Extremely High-Rate Deposition of High-Quality Amorphous Silicon Carbide Films

    • Principal Investigator
      YOSII Kumayasu
    • Project Period (FY)
      2001 – 2003
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      機械工作・生産工学
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Formation of Monochromatic Atomic Beam for Atom interferometerPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      YASUTAKE Kiyoshi
    • Project Period (FY)
      1999 – 2001
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      機械工作・生産工学
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Formation of Monochromatic Atomic Beam for Nanolithography

    • Principal Investigator
      YOSHII Kumayasu
    • Project Period (FY)
      1998 – 2000
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
    • Research Field
      機械工作・生産工学
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Development of Anisotropic Dry Etching Process Using Laser Cooling MethodPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      YASUTAKE Kiyoshi
    • Project Period (FY)
      1997 – 1999
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      機械工作・生産工学
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Growth of Dislocation-Free Single Crystal Silicon SheetPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      YASUTAKE Kiyoshi
    • Project Period (FY)
      1996 – 1998
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      機械工作・生産工学
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Creation of Perfect Surfaces

    • Principal Investigator
      MORI Yuzo
    • Project Period (FY)
      1996 – 2002
    • Research Category
      Grant-in-Aid for COE Research
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Low temperature growth of polycrystalline semiconductor and diamond films

    • Principal Investigator
      YOSHII Kumayasu
    • Project Period (FY)
      1995 – 1996
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      機械工作・生産工学
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Development of InGaAs/GaAs strained single quantum well laser by phase looked epitaxy method.

    • Principal Investigator
      YOSHII Kumayasu
    • Project Period (FY)
      1991 – 1992
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • Research Field
      金属材料(含表面処理・腐食防食)
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Microstructure and Physical Property of a-Si : H/a-SiC : H Super-Lattices

    • Principal Investigator
      KAWABE Hideaki
    • Project Period (FY)
      1989 – 1990
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • Research Field
      金属材料(含表面処理・腐食防食)
    • Research Institution
      Osaka University
  •  Development of Ceramics/metal Multiple Layered Films with High Strength and Ductility

    • Principal Investigator
      KAWABE Hideaki
    • Project Period (FY)
      1986 – 1987
    • Research Category
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • Research Field
      金属材料(含表面処理・腐食防食)
    • Research Institution
      Osaka University

All 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2004 Other

All Journal Article Presentation Book

  • [Book] 超精密加工と表面科学 第2部1章2 「半導体表面パッシベーション」2014

    • Author(s)
      安武潔
    • Total Pages
      10
    • Publisher
      大阪大学出版会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Book] 超精密加工と表面科学 -原子レベルの生産技術-(大阪大学グローバルCOE プログラム高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点/精密工学会超精密加工専門委員会編), 半導体表面パッシベーション2014

    • Author(s)
      安武潔
    • Publisher
      大阪大学出版会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Book] 改訂版「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」第5章第1節"大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成"(監修小駒益弘)2012

    • Author(s)
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • Publisher
      サイエンス&テクノロジー
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Book] 改訂版「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」(監修 小駒益弘)第5章 第1節2012

    • Author(s)
      安武潔
    • Total Pages
      23
    • Publisher
      サイエンス&テクノロジー
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Book] 大気圧プラズマの生成制御と応用技術(監修 小駒益弘),大気圧プラズマCVD によるシリコン薄膜の形成2012

    • Author(s)
      安武潔,垣内弘章,大参宏昌
    • Publisher
      サイエンス & テクノロジー, 改訂版
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Book] in Generation and Applications of Atmospheric Pressure Plasmas (eds. M. Kogoma et al.), Preparation of Si-based thin films using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Kakiuchi and H. Ohmi
    • Publisher
      Nova Science Publishers
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Book] "Preparation of Si-based thin films using atmospheric pressure plasma chemical vapour deposition" in Generation and Applications of Atmospheric Pressure Plasmas Eds : M.Kogoma, M.Kusano, Y.Kusano2011

    • Author(s)
      Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi
    • Total Pages
      22
    • Publisher
      Nova Science Publishers, Inc.
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Book] 「大気圧プラズマ基礎と応用」第6章,6.7.3(2),シリコン系CVD2009

    • Author(s)
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • Total Pages
      5
    • Publisher
      オーム社
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Book] 大気圧プラズマ基礎と応用(日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会編)2009

    • Author(s)
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 他
    • Publisher
      オーム社
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Book] 新コーティングのすべて」第2章,2.2(1),大気圧プラズマCVD法-フィルムコーティングのための大気圧・超高周波プラズマ技術-2009

    • Author(s)
      垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔
    • Total Pages
      5
    • Publisher
      加工技術研究会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Book] "High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure"in Trends in Thin Solid Films Research(ed. A. R. Jost)2007

    • Author(s)
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
    • Total Pages
      50
    • Publisher
      Nova Science, New York
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Book] NY, Trends in Thin Solid Films Research (ed. A. R. Jost), High-rate and low-temperature film growth technology using stable glow plasma at atmospheric pressure2007

    • Author(s)
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake, et. al.
    • Publisher
      Nova Science
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Book] "High-Rate and Low-Temperature Film Growth Technology Using Stable Glow Plasma at Atmospheric Pressure"in Trends in Thin Solid Films Research (ed. A.R. Jost)2007

    • Author(s)
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
    • Publisher
      Nova Science, New York
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Book] 「システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発」第2編 第6章"Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術"(監修浦岡行治)2007

    • Author(s)
      安武 潔, 渡部平司, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Total Pages
      12
    • Publisher
      シーエムシー出版
    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Book] システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発(第2編 第6章 Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術)(監修 浦岡行治)2007

    • Author(s)
      安武 潔, 渡部平司, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Total Pages
      11
    • Publisher
      シーエムシー出版
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Book] 大気圧プラズマの生成制御と応用技術(2章 第7節 大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積)(監修 小駒益弘)2006

    • Author(s)
      安武 潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • Total Pages
      17
    • Publisher
      サイエンス&テクノロジー
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Journal Article] Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3 - 27 kPa2022

    • Author(s)
      Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, and Hiromasa Ohmi
    • Journal Title

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      Volume: 40

    • DOI

      10.1116/6.0001676

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [Journal Article] Study on silicon removal property and surface smoothing phenomenon by moderate-pressure microwave hydrogen plasma2021

    • Author(s)
      Hiromasa Ohmi, Kenta Kimoto, Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • Journal Title

      Materials Science in Semiconductor Processing

      Volume: 129 Pages: 105780-105780

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2021.105780

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [Journal Article] Significant Improvement of Copper Dry Etching Property of a High-Pressure Hydrogen-Based Plasma by Nitrogen Gas Addition2019

    • Author(s)
      Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Yoshiki Shirasu, Tatsuya Hirano, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • Journal Title

      ACS Omega

      Volume: 4 Pages: 4360-4366

    • DOI

      10.1021/acsomega.8b03163

    • Peer Reviewed / Open Access
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18K18809, KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Journal Article] On-site SiH4 generator using hydrogen plasma generated in slit-type narrow gap2018

    • Author(s)
      N. Takei, F. Shinoda, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
    • Journal Title

      J. Phys D: Appl. Phys.

      Volume: 51

    • DOI

      10.1088/1361-6463/aac2ae

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Journal Article] Copper dry etching by sub-atmospheric-pressure pure hydrogen glow plasma2016

    • Author(s)
      Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Tatsuya Hirano, Yusuke Kubota, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 109

    • DOI

      10.1063/1.4967382

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Journal Article] Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma2015

    • Author(s)
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 118 Pages: 045301-045301

    • DOI

      10.1063/1.4926849

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Journal Article] Atmospheric-pressure low-temperature plasma processes for thin film deposition2014

    • Author(s)
      H. Kakiuchi, H. Ohmi and K. Yasutake
    • Journal Title

      J. Vac. Sci. Technol. A

      Volume: vol.32 (published online 31 October 2013)

    • DOI

      10.1116/1.4828369

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Journal Article] Interface properties of SiOxNy layer on Si prepared by atmospheric-pressure plasma oxidationnitridation2013

    • Author(s)
      Z. Zhuo, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • Journal Title

      Nanoscale Research Letters

      Volume: 8 Pages: 201-201

    • DOI

      10.1186/1556-276x-8-201

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Journal Article] Voltage distribution over capacitively coupled plasma electrode for atmosphericpressure plasma generation2013

    • Author(s)
      M. Shuto, F. Tomino, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • Journal Title

      Nanoscale Research Letters

      Volume: 8 Pages: 202-202

    • DOI

      10.1186/1556-276x-8-202

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Journal Article] Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation2012

    • Author(s)
      Z. Zhuo, Y. Sannomiya, K. Goto, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • Journal Title

      Current Appl. Phys

      Volume: vol.12

    • DOI

      10.1016/j.cap.2012.04.015

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Journal Article] An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma2011

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Kakiuchi, H.Ohmi, K.Inagaki, Y.Oshikane, M.Nakano
    • Journal Title

      J.Phys. : Condens. Matter

      Volume: 23 Pages: 1-22

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Journal Article] An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma2011

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane and M. Nakano
    • Journal Title

      Journal of Physics-Condensed Matter

      Volume: vol.23 Pages: 1-22

    • DOI

      10.1088/0953-8984/23/39/394205

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017, KAKENHI-PROJECT-22560110
  • [Journal Article] In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2009

    • Author(s)
      T.Ohnishi, Y.Kirihata, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • Journal Title

      ECS Trans. 25

      Pages: 309-315

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] n situ doped Si selective epitaxial growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2009

    • Author(s)
      T. Ohnishi, Y. Kirihata, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • Journal Title

      ECS Trans. vol.25

      Pages: 309-315

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal 40

      Pages: 984-987

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD-Surface Local Temperature-2008

    • Author(s)
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Journal Article] n situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal. vol.40

      Pages: 984-987

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2008

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • Journal Title

      Thin Solid Films vol.517

      Pages: 242-244

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD2008

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchia and K. Yasutakea
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] SiO_2 Formation by Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si in Atmospheric Pressure Plasma Excited by Very High Frequency Power2008

    • Author(s)
      H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      Pages: 1884-1888

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressureplasma CVD2008

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchia and K. Yasutakea
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Journal Article] First-principles analysis of He and H atom incidence onto hydrogen-terminated Si(001) 2×1 surface2008

    • Author(s)
      K. Inagaki, K. Hirosea, K. Yasutake
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal 40

      Pages: 1088-1091

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD - Surface Local Temperature -2008

    • Author(s)
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • Journal Title

      Surf. Interface Anal. 40(in press)

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2008

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • Journal Title

      Thin Solid Films 517

      Pages: 242-244

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • Author(s)
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Journal Title

      応用物理 75

      Pages: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Journal Article] Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition2007

    • Author(s)
      K.Yasutake, N.Tawara, H.Ohmi, Y.Terai, H.Kakiuchi, H.Watanabe, Y.Fujiwara
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 46・4B(in press)

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Journal Article] Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition2007

    • Author(s)
      K. Yasutake, N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe and Y.Fujiwara
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      Pages: 2510-2515

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Journal Article] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • Author(s)
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Journal Title

      応用物理 75

      Pages: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長2007

    • Author(s)
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Journal Title

      応用物理 vol.75

      Pages: 1031-1036

    • NAID

      10019855405

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Journal Article] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates (Invited)2006

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • Journal Title

      Meeting Abst. MA 2006-02 Joint Int. Meeting of 210th Meeting of The Electrochemical Society and XXI Congreso de la Sociedad Mexicana de Electroquimica Cancun, Mexico, (2006) #1575.

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • Journal Title

      ECS Transactions 3巻・8号

      Pages: 215-225

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands as Nuclei2006

    • Author(s)
      K.Minami, C.Yoshimoto, H.Ohmi, T.Shimura, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yasutake
    • Journal Title

      Ext.Abst. of Int.21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 19-29

      Pages: 65-66

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • Journal Title

      ECS Transactions 3 [8]

      Pages: 215-225

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
    • Journal Title

      ECS Transactions 3・8

      Pages: 215-225

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Low-Temperature Growth of Epitaxial Si Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Porous Carbon Electrode2006

    • Author(s)
      H.Ohmi, H.Kakiuchi, N.Tawara, T.Wakamiya, T.Shimura, H.Watanabe, K.Yasutake
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 45・10B

      Pages: 8424-8429

    • NAID

      10018340085

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Journal Article] Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode2006

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, T.Wakamiya, H.Watanabe
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 45・4B

      Pages: 3592-3597

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Journal Article] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • Journal Title

      Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting

      Pages: 19-24

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • Author(s)
      K.YASUTAKE, H.OHMI, H.KAKIUCHI, H.WATANABE, K.YOSHII, Y.MORI
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 43・12A

    • NAID

      10015473490

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yoshii, Y.Mori
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys. 43 [12A]

    • NAID

      10015473490

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • Journal Title

      Proc. Thin Film Materials & Devices Meeting

      Pages: 19-24

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
    • Journal Title

      Proc. Thin Film Materials & Devices Meeting (2004)

      Pages: 19-24

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Journal Article] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yoshii, Y.Mori
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. (2004) 43巻・12A号

    • NAID

      10015473490

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16360070
  • [Presentation] 高密度中圧プラズマを用いた極薄シリコンウエハ用ゲッタリング層の形成とその特性評価2022

    • Author(s)
      野村俊光,垣内弘章,安武 潔,大参宏昌
    • Organizer
      2022年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [Presentation] 中圧水素プラズマによるシリコン表面ナノコーン構造の創成2021

    • Author(s)
      野村俊光、木元健太、垣内弘章、安武潔、大参宏昌
    • Organizer
      2021年度精密工学会春季大会学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [Presentation] 中圧水素プラズマを用いた高アスペクト比シリコンナノコーンの形成2021

    • Author(s)
      野村 俊光、木元 健太、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • Organizer
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [Presentation] Surface nanostructuring of silicon by intermediate-pressure hydrogen plasma treatment2020

    • Author(s)
      Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi
    • Organizer
      The 18th International Conference on Precision Engineering (ICPE2020)
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [Presentation] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析―不均一密度モデルによる解析―2020

    • Author(s)
      新田健,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2020年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [Presentation] 高圧水素プラズマによる極薄ゲッタリング層の形成2020

    • Author(s)
      野村 俊光、木元 健太、垣内 弘章、安武 潔、大参 宏昌
    • Organizer
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-20H02049
  • [Presentation] 結晶Si膜の低温形成に向けたSiH4ガスのプラズマ改質2019

    • Author(s)
      浜中恵一,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会(2019年3月9日-12日,東京工業大学)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析-シース厚さを含めた高精度解析-2019

    • Author(s)
      吉田和史,新田健,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2019年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [Presentation] マイクロ波プラズマを用いたSiH4ガスの改質特性2019

    • Author(s)
      浜中恵一,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2019年度 精密工学会春季大会学術講演会(2019年3月13日-15日,東京電気大学)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 電磁場シミュレーションによるシースを考慮したプラズマパラメータ解析2019

    • Author(s)
      吉田和史,新田健,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      精密工学会2019年度関西地方定期学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [Presentation] 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析2018

    • Author(s)
      吉田和史,田中恭輔,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2018年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [Presentation] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析―酸化プラズマパラメータと酸化膜特性の関係―2018

    • Author(s)
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [Presentation] Copper dry etching using a high-pressure plasma with non-toxic gas2018

    • Author(s)
      Hiromasa Ohmi,Yoshiki Shirasu, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • Organizer
      The 17th Joint Vacuum Conference (JVC-17), Olomouc, Czech Republic
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 添加ガスによる高圧水素プラズマを用いた銅ドライエッチングの特性改善2018

    • Author(s)
      大参宏昌,佐藤純平,白数佳紀,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会(2018年3月15日-17日,中央大学)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 高圧水素プラズマによるSi表面の欠陥制御法の検討2018

    • Author(s)
      木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2018年度 精密工学会秋季大会学術講演会(函館アリーナ)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 高圧水素プラズマを用いたケミカルフリーなSiウエハ薄化プロセスの開発―プロセス雰囲気中不純物の影響―2018

    • Author(s)
      木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2018年度 精密工学会春季大会学術講演会(2018年3月15日-17日,中央大学)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] マイクロ波水素プラズマを用いたオンサイトシラン生成器の開発とその応用2018

    • Author(s)
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会(早稲田大学)
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析 ―ヘリウム及びヘリウム酸素混合プラズマの内部パラメータ比較―2018

    • Author(s)
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      精密工学会2018年度関西地方定期学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [Presentation] 高圧水素プラズマによるSi薄化プロセスの開発(I)2017

    • Author(s)
      木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 水素プラズマを用いた銅ドライエッチングにおける添加ガス効果2017

    • Author(s)
      大参宏昌,佐藤純平,久保田雄介,平野達也,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] Siウエハ薄化プロセスに向けた高密度水素プラズマエッチング技術の開発2017

    • Author(s)
      木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会(2017年9月20日-22日,大阪大学)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析2017

    • Author(s)
      田中恭輔,吉田和史,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [Presentation] 電磁場解析によるマイクロ波プラズマの電子密度算出手法の開発2017

    • Author(s)
      吉田和史,田中恭輔,首藤光利,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      精密工学会2017年度関西地方定期学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K18990
  • [Presentation] 高密度水素プラズマによるオンサイト生成シランを用いたシリコンエピ成長とドーピング2017

    • Author(s)
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会(2017年9月5日-8日,福岡国際会議場)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 狭ギャップ水素プラズマを用いたオンサイト生成SiH4によるシリコンエピ成長2017

    • Author(s)
      武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会(2017年9月20日-22日,大阪大学)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] High-Rate Etching of Copper By High-Pressure Hydrogen-Based Plasma2017

    • Author(s)
      H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, and Y. Kubota
    • Organizer
      231st ECS Meeting (May 28-June 1, 2017 New Orieans, LA, USA)
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] Toxic chemical-free Si etching by narrow gap hydrogen plasma toward Si wafer thinning process.2017

    • Author(s)
      H. Ohmi, N. Takei, K. Kimoto, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • Organizer
      CIP MIATEC 2017 (June 26-30, 2017 Nice, France)
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 水素のみを用いた銅のプラズマエッチング技術の開発2016

    • Author(s)
      平野達也,佐藤純平,垣内弘章,安武潔,久保田雄介,大参宏昌
    • Organizer
      2016年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      茨城大学 (茨城県・水戸市)
    • Year and Date
      2016-09-06
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長2016

    • Author(s)
      武居則久,篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ (新潟県・新潟市)
    • Year and Date
      2016-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16H04245
  • [Presentation] 高圧水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ形成における金属触媒の影響2015

    • Author(s)
      竹本啓輝,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      第76回 応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 準大気圧雰囲気での水素プラズマ化学輸送法を用いたシリコンナノワイヤの形成2015

    • Author(s)
      竹本啓輝,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      精密工学会 2015年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      京都工芸繊維大学
    • Year and Date
      2015-06-23
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] シミュレーションによる挟ギャップマイクロ波プラズマの解析2015

    • Author(s)
      足立昂拓,首藤光利,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2015年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      東洋大学
    • Year and Date
      2015-03-17
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] Impact of catalytic metal element on silicon nanowire growth by high-pressure hydrogen plasma chemical transport2015

    • Author(s)
      H. Takemoto, Y. Ishikawa, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
    • Organizer
      TACT 2015 International Thin Films Conference
    • Place of Presentation
      National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
    • Year and Date
      2015-11-15
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 高圧力マイクロ波水素プラズマ中のH密度評価2015

    • Author(s)
      安武潔,山田高寛,垣内弘章,大参宏昌
    • Organizer
      2015年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      東洋大学
    • Year and Date
      2015-03-17
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] Nucleation for Si film selective growth using GeO2 solution and high-pressure plasma2015

    • Author(s)
      Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Yuji Onoshita, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
    • Organizer
      20th international colloquium of plasma processes
    • Place of Presentation
      Saint-Etienne, France
    • Year and Date
      2015-06-01
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 高圧かつ狭ギャップマイクロ波水素プラズマにおける解離度の評価2014

    • Author(s)
      山田高寛,足立昴拓,山田浩輔,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2014年 第61回 応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] 高圧水素プラズマによる液体金属の蒸発促進と金属膜の超高速形成2014

    • Author(s)
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] Development of Open Air Plasma Oxidation Process for Crystalline Si Solar Cells2014

    • Author(s)
      Y. Fujiwara, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • Organizer
      International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      大阪大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 高圧マイクロ波水素プラズマ中の原子状水素密度―電力バランスカロリメトリによる評価―2014

    • Author(s)
      足立昂拓,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2014年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      近畿大学
    • Year and Date
      2014-07-04
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] 水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ成長2014

    • Author(s)
      石川祥博,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 大気圧プラズマを用いたSi 薄膜形成プロセスの開発2014

    • Author(s)
      安武潔
    • Organizer
      第67回マテリアルズ・テーラリング研究会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      2014-04-12
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 大気圧プラズマ酸化によるAlOx/SiO2/Siスタック構造の形成と評価2014

    • Author(s)
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2014年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      東京大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 高圧マイクロ波水素プラズマ中の原子状水素密度 -アクチノメトリによる相対密度変化の検討-2014

    • Author(s)
      山田高寛,平野達也,山田浩輔,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2014年 第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2014-09-19
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] 水溶性Geを用いたプリンタブル核形成処理による選択的Si膜形成技術の開発2013

    • Author(s)
      石川祥博,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
    • Organizer
      精密工学会 2013年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      大阪
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおけるプラズマ中でのシラン分解2013

    • Author(s)
      山田浩輔,山田高寛,足立昂拓,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2013年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      関西大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] Printable formation of Ge film using a GeO2 solution by high-pressure hydrogen plasma reduction treatment2013

    • Author(s)
      H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • Organizer
      TACT 2013 International Thin Films Conference
    • Place of Presentation
      Taipei,Taiwan
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 大気開放プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーョン技術の開発2013

    • Author(s)
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2013年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      関西大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] selective formation of silicon film by chemical transport technique using a high-pressure narrow-gap hydrogen plasma2013

    • Author(s)
      H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • Organizer
      19th International Vacuum Congress IVC-19
    • Place of Presentation
      Paris, France
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] Atmospheric Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada and H. Kakiuchi
    • Organizer
      2012 Kyrgyz-Japan Solar Energy Workshop
    • Place of Presentation
      Bishkek (Kyrgyz)
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温形成2012

    • Author(s)
      三宮佑太(安武潔)
    • Organizer
      2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] エピタキシャルSi太陽電池形成のための大気圧プラズマCVD技術の開発2012

    • Author(s)
      金谷優樹, 後藤一磨, 三宮佑太, 卓澤騰, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      2012年度精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      首都大学東京
    • Year and Date
      2012-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Siのマイクロ波水素プラズマエッチングにおける水素ガス流れと熱伝導のシミュレーション2012

    • Author(s)
      岡本康平(安武潔)
    • Organizer
      2012年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      九州工業大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films2012

    • Author(s)
      K. Yasutake
    • Organizer
      59th AVS International Symposium
    • Place of Presentation
      Tampa, USA
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 大気圧VHFプラズマによるシリコン表面パッシベーションプロセスの開発2012

    • Author(s)
      三宮佑太, 後藤一磨, 卓澤騰, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      2012-03-17
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure VHF Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface2012

    • Author(s)
      Z. Zhuo (K. Yasutake)
    • Organizer
      精密工学会 2012年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      立命館大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Atmospheric Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • Author(s)
      K. Yasutake
    • Organizer
      2012 Kyrgyz-Japan Solar Energy Workshop
    • Place of Presentation
      Bishkek, Kyrgyz
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] エピタキシャルSi 太陽電池形成のための大気圧プラズマCVD 技術の開発2012

    • Author(s)
      金谷優樹,後藤一磨,三宮佑太,卓澤騰,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      2012年度 精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      首都大学東京
    • Year and Date
      2012-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発―大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温高速形成―2012

    • Author(s)
      金谷優樹(安武潔)
    • Organizer
      2012年度 精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      九州工業大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Atmospheric Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • Author(s)
      K. Yasutake
    • Organizer
      2012 Kyrgyz-Japan Solar Energy Workshop
    • Place of Presentation
      Bishkek, Kyrgyz
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] Surface passivation of Si by atmospheric-pressure plasma oxidation at low temperatures2012

    • Author(s)
      卓澤騰, 三宮佑太, 後藤一磨, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      2012年度精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      首都大学東京
    • Year and Date
      2012-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films2012

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi
    • Organizer
      59th AVS International Symposium
    • Place of Presentation
      Tampa (USA)
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Atmosperic-Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics2012

    • Author(s)
      K. Yasutake
    • Organizer
      5th Int. Sym. on Atomically Controlled Fabrication Technology (ACFT-5)
    • Place of Presentation
      Osaka, Japan
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Formation of Passivation Films for Si Surfaces by Atmospheric-Pressure VHF Plasma Oxidation2012

    • Author(s)
      Z. Zhuo (K. Yasutake)
    • Organizer
      5th Int. Sym. on Atomically Controlled Fabrication Technology (ACFT-5)
    • Place of Presentation
      Osaka, Japan
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Si Surface Passivation2011

    • Author(s)
      Y.Sannnomiya, K.Goto, ZT.Zhuo, Y.Kanetani, T.Yamada, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • Organizer
      15th International Conference on Thin Films
    • Place of Presentation
      京都
    • Year and Date
      2011-11-09
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Functional Thin Films at Low-Temperatures2011

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Ohmi, T.Yamada, H.Kakiuchi
    • Organizer
      4th Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      大阪
    • Year and Date
      2011-11-01
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Formation of SiO_xN_y Films for Passivation of Si Surfaces by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation2011

    • Author(s)
      ZT.Zhuo, K.Goto, Y.Sannomiya, Y.Kanetani, T.Yamada, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • Organizer
      4th Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      大阪
    • Year and Date
      2011-11-01
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発2011

    • Author(s)
      後藤一磨, 卓澤騰, 三宮佑太, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      2011年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      金沢大学
    • Year and Date
      2011-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Surface Passivation of N-type Si surfaces using SiO_2 grown by of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Processing2011

    • Author(s)
      卓澤騰, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 他3名
    • Organizer
      2011年度精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      講演論文集A66東洋大学(東京)
    • Year and Date
      2011-03-01
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [Presentation] 大気圧プラズマを用いたシリコン表面パッシベーションプロセスの開発2011

    • Author(s)
      三宮佑太, 後藤一磨, 卓澤騰, 金谷優樹, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会2011年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      兵庫県立大学
    • Year and Date
      2011-06-30
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 大気圧プラズマを用いたSi薄膜形成2010

    • Author(s)
      安武潔, 大参宏昌, 山田高寛, 垣内弘章
    • Organizer
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第98回研究会「高速・高品質化を実現する先端プラズマ技術(シリコン薄膜形成)」
    • Place of Presentation
      弘済会館(東京)
    • Year and Date
      2010-09-10
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface2010

    • Author(s)
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他3名
    • Organizer
      63rd Gaseous Electronics Conf.and 7th Int.Conf on Reactive Plasmas
    • Place of Presentation
      Maison de la Chimie (Paris)
    • Year and Date
      2010-10-05
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface2010

    • Author(s)
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他2名
    • Organizer
      精密工学会2010年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      京都大学(京都)
    • Year and Date
      2010-05-28
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [Presentation] Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si2010

    • Author(s)
      Z.T.Zhuo, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake, 他3名
    • Organizer
      3rd Int.Symp.on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      大阪大学中之島センター(大阪)
    • Year and Date
      2010-11-24
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [Presentation] 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション膜の形成2010

    • Author(s)
      後藤一磨, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 他3名
    • Organizer
      2010年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋大学(名古屋)
    • Year and Date
      2010-09-27
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [Presentation] 大気圧プラズマを用いたSi 薄膜形成2010

    • Author(s)
      安武潔,大参宏昌,山田髙寛,垣内弘章
    • Organizer
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第98回研究会「高速・高品質化を実現する先端プラズマ技術 (シリコン薄膜形成)
    • Place of Presentation
      弘済会館(東京)
    • Year and Date
      2010-09-10
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法によるSi選択エピタキシャル成長2009

    • Author(s)
      大西崇之, 桐畑豊, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会春季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      中央大学(東京)
    • Year and Date
      2009-03-11
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] New Formation Process of Solar-Grade Si Material Based on Atmospheric-Pressure Plasma Science2009

    • Author(s)
      K.Yasutake, H.Ohmi, K.Inagaki, H.Kakiuchi
    • Organizer
      2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      大阪大学中之島会館(大阪市)
    • Year and Date
      2009-11-26
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算2009

    • Author(s)
      稲垣耕司、金井良太、広瀬喜久治、安武潔
    • Organizer
      日本物理学会2009年秋季大会
    • Place of Presentation
      熊本大学(熊本市)
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2009

    • Author(s)
      T.Ohnishi, Y.Kirihata, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • Organizer
      216th ECS meeting CVD-XVII & EUROCVD-17
    • Place of Presentation
      Austria Center Vienna(オーストリア、ウィーン)
    • Year and Date
      2009-10-05
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] First-Principles Molecular-Dynamics Simulation of Reaction in CVD Si Epitaxial Thin Film Growth Process -Hydrogen Coverage Dependence on Incident Radical Temperature-2009

    • Author(s)
      K.Inagaki, R.Kanai, H.Hirose, K.Yasutake
    • Organizer
      2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      大阪大学中之島会館(大阪市)
    • Year and Date
      2009-11-26
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric-Pressure Plasma CVD2009

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Ohnishi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
    • Organizer
      1^<st> Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing-
    • Place of Presentation
      大阪大学
    • Year and Date
      2009-02-16
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] (招待講演)大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成2009

    • Author(s)
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Organizer
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会第44回応用物理学会スクール「安価,簡単,便利~大気圧プラズマの基礎と応用~」
    • Place of Presentation
      筑波大学(筑波市)
    • Year and Date
      2009-04-02
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] First-Principles Molecular-Dynamics Analysis of Surface Reaction in Low-Temperature Si Thin Film Growth -Adsorption of Reactive Precursors onto H-Terminated Si Surface-2009

    • Author(s)
      K. Inagaki, R. Kanai, K. Hirose, K. Yasutake
    • Organizer
      1^<st> Int. Symp. 0n Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing-
    • Place of Presentation
      大阪大学
    • Year and Date
      2009-02-16
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVDによる低温in situドープSi選択エピタキシャル成長に関する研究2009

    • Author(s)
      大西崇之, 後藤一磨, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • Place of Presentation
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • Year and Date
      2009-05-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] (特別講演)低温・高速・高品質を実現する大気圧プラズマプロセスによる薄膜形成技術2009

    • Author(s)
      安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • Place of Presentation
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • Year and Date
      2009-05-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21656039
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法によるSi薄膜成膜における高分解前駆体表面反応の理論解析2009

    • Author(s)
      金井良太, 稲垣耕司, 広瀬喜久治, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • Place of Presentation
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • Year and Date
      2009-05-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] Low-Temperature Si Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Plasma CVD2009

    • Author(s)
      T.Ohnishi, K.Goto, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake
    • Organizer
      2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      大阪大学中之島会館(大阪市)
    • Year and Date
      2009-11-26
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Si Thin Films at Low Temperatures2009

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi
    • Organizer
      1^<st> Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing-
    • Place of Presentation
      大阪大学
    • Year and Date
      2009-02-16
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成2009

    • Author(s)
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Organizer
      第44回応用物理学会スクール「安価, 簡単, 便利~大気圧プラズマの基礎と応用~」
    • Place of Presentation
      筑波大学(筑波市)(招待講演)
    • Year and Date
      2009-04-02
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] (特別講演)低温・高速・高品質を実現する大気圧プラズマプロセスによる薄膜形成技術2009

    • Author(s)
      安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2009年度関西地方学術講演会
    • Place of Presentation
      千里ライフサイエンスセンター(豊中市)
    • Year and Date
      2009-05-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 水素終端Si表面上でのSiエピタキシャル成長初期過程のミクロカノニカル第一原理分子 動力学計算による解析2008

    • Author(s)
      稲垣耕司, 広瀬喜久治, 安武潔
    • Organizer
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学(愛知)
    • Year and Date
      2008-09-02
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマプロセスによるSi系薄膜の低温形成2008

    • Author(s)
      安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
    • Organizer
      応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 第2回プラズマ新領域研究会
    • Place of Presentation
      広島大学
    • Year and Date
      2008-12-19
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成2008

    • Author(s)
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • Organizer
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第87回研究会
    • Place of Presentation
      ホテル明山荘(蒲郡市)(招待講演)
    • Year and Date
      2008-07-02
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 水素終端Si(001)表面上でのSiH_3とHの作用によるエピタキシャル成長過程の第一原理分子動力学計算2008

    • Author(s)
      稲垣耕司, 田代崇, 広瀬喜久治, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2008年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      堺市産業振興センター
    • Year and Date
      2008-07-29
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法による低温in situドープSi選択エピタキシャル成長2008

    • Author(s)
      桐畑豊, 大西崇之, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学(愛知)
    • Year and Date
      2008-09-02
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成2008

    • Author(s)
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • Organizer
      日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第87回研究会
    • Place of Presentation
      ホテル明山荘(愛知)
    • Year and Date
      2008-07-02
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • Organizer
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • Place of Presentation
      Marseille, France
    • Year and Date
      2007-05-21
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD-Surface Local Temperature-2007

    • Author(s)
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • Organizer
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • Place of Presentation
      大阪大学(吹田)
    • Year and Date
      2007-10-17
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)2007

    • Author(s)
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • Organizer
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • Place of Presentation
      日本大学(駿河台)
    • Year and Date
      2007-12-08
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVDによる高品質エピタキシャルSiの低温成長2007

    • Author(s)
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会2007年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      大阪産業大学(大東市)
    • Year and Date
      2007-08-09
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Presentation] Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)2007

    • Author(s)
      安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
    • Organizer
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • Place of Presentation
      日本大学(駿河台)
    • Year and Date
      2007-12-08
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法による高品質Siエピタキシャル膜の低温成長2007

    • Author(s)
      桐畑豊, 田原直剛, 大参宏昌, 垣内弘章, 渡部平司, 安武潔
    • Organizer
      2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学(相模原)
    • Year and Date
      2007-03-29
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価2007

    • Author(s)
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      2007年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      旭川市ときわ市民ホール
    • Year and Date
      2007-09-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVDにおけるシリコンエピタクシャル成長低温化の第一原理シミュレーションによる解明-表面へのガス原子の作用-2007

    • Author(s)
      稲垣耕司, 掛谷悟史, 広瀬喜久治, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      大阪産業大学(大東市)
    • Year and Date
      2007-08-09
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] In situ B doped Si Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2007

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • Organizer
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • Place of Presentation
      大阪大学(吹田)
    • Year and Date
      2007-10-15
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Presentation] In situ B doped Si Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD2007

    • Author(s)
      Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • Organizer
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • Place of Presentation
      大阪大学(吹田)
    • Year and Date
      2007-10-15
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVDにおけるシリコンエピタクシャル成長低温化の第一原理シミュレーションによる解明-表面へのガス原子の作用-2007

    • Author(s)
      稲垣耕司, 掛谷悟史広瀬喜久治, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会2007年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      大阪産業大学(大東市)
    • Year and Date
      2007-08-09
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Presentation] Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • Author(s)
      Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake
    • Organizer
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • Place of Presentation
      マルセイユ
    • Year and Date
      2007-05-21
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Presentation] First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma CVD - Surface Local Temperature-2007

    • Author(s)
      K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose and K. Yasutake
    • Organizer
      Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007
    • Place of Presentation
      大阪大学(吹田)
    • Year and Date
      2007-10-17
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] Atmospheric-pressure plasma processes for fabrication of Si and SiO2 thin films at low-temperatures2007

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi
    • Organizer
      第18回日本MRS学術シンポジウム
    • Place of Presentation
      日本大学(千代田区)(招待講演)
    • Year and Date
      2007-12-08
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価2007

    • Author(s)
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      2007年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • Place of Presentation
      旭川市ときわ市民ホール
    • Year and Date
      2007-09-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 大気圧プラズマCVDによる高品質エピタキシャルSiの低温成長2007

    • Author(s)
      桐畑豊, 野村徹, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      大阪産業大学(大東市)
    • Year and Date
      2007-08-09
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • Organizer
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • Place of Presentation
      マルセイユ
    • Year and Date
      2007-05-21
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18656046
  • [Presentation] Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • Author(s)
      Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake
    • Organizer
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • Place of Presentation
      マルセイユ
    • Year and Date
      2007-05-21
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD2007

    • Author(s)
      K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
    • Organizer
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007
    • Place of Presentation
      マルセイユ
    • Year and Date
      2007-05-21
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-19206018
  • [Presentation] 低純度Si精製に向けたジボラン(B2H6)選択除去手法の開発とその特性評価

    • Author(s)
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 薄型結晶Si太陽電池のための大気開放プラズマ酸化プロセスの開発

    • Author(s)
      藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      精密工学会 2013年度関西地方定期学術講演会
    • Place of Presentation
      大阪工業大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • [Presentation] Boron Elimination Filter from SiH4 and B2H6 Gas Mixture for Purification of Metallurgical Si

    • Author(s)
      H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
    • Organizer
      225th ECS Meeting
    • Place of Presentation
      Orlando, FL, USA
    • Year and Date
      2014-05-11 – 2014-05-15
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] Calorimetry study of degree of dissociation in narrow-gap microwave hydrogen plasma for high-rate Si etching

    • Author(s)
      K. Yamada, T. Adachi, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
    • Organizer
      1st KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    • Place of Presentation
      Senri Life Science Center
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24656103
  • [Presentation] SiH4 conversion rate in Si etching reaction induced by high-pressure hydrogen plasma

    • Author(s)
      Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
    • Organizer
      13th European Vacuum Conference
    • Place of Presentation
      Aveiro, Portugal
    • Year and Date
      2014-09-08 – 2014-09-12
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 水素プラズマによる金属の蒸発促進と高速成膜への応用

    • Author(s)
      大参宏昌,垣内弘章,安武潔
    • Organizer
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-25289016
  • [Presentation] 大気圧プラズマを用いたSi薄膜形成プロセスの開発

    • Author(s)
      安武 潔
    • Organizer
      第67回マテリアルズ・テーラリング研究会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-22246017
  • 1.  KAKIUCHI Hiroaki (10233660)
    # of Collaborated Projects: 13 results
    # of Collaborated Products: 84 results
  • 2.  YOSHII Kumayasu (30029152)
    # of Collaborated Projects: 11 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 3.  OHMI Hiromasa (00335382)
    # of Collaborated Projects: 10 results
    # of Collaborated Products: 144 results
  • 4.  KAWABE Hideaki (90028978)
    # of Collaborated Projects: 3 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 5.  MORI Yuzo (00029125)
    # of Collaborated Projects: 2 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 6.  HIROSE Kikuji (10073892)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 7.  KATAOKA Toshihiko (50029328)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 8.  ENDO Katsuyoshi (90152008)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 9.  MORITA Mizuho (50157905)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 10.  WATANABE Heiji (90379115)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 13 results
  • 11.  SHIMURA Takayoshi (90252600)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 12.  青野 正和 (10184053)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 13.  志村 孝功
    # of Collaborated Projects: 0 results
    # of Collaborated Products: 1 results
  • 14.  稲垣 耕司
    # of Collaborated Projects: 0 results
    # of Collaborated Products: 1 results

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