Yasuda Tetsuji 安田哲二

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YASUDA Tetsuji 安田哲二

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Researcher Number	90220152
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Affiliation (Current)	2025: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 部長
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2018 – 2019: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 部長 2017: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究部門長 2014: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門長 2013: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 副研究部門長 2012: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員(部門付) … More 2012: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員(部門付き) 2011: 産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員(部門付) 2011: 産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス部門, 研究員(部門付) 2009 – 2010: 産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 2008: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ナノ電子デバイス研究センター, 研究グループ長 2008: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 2007: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, エレクトロニクス研究部門, 研究グループ長 Less
Review Section/Research Field	Principal Investigator Electron device/Electronic equipment / Electronic materials/Electric materials / Thin film/Surface and interfacial physical properties Except Principal Investigator Electronic materials/Electric materials / Thin film/Surface and interfacial physical properties
Keywords	Principal Investigator 電子・電気材料 / 表面・界面物性 / 量子コンピュータ / スピンカプラ- / 量子コンピューター / 等電子トラップ / シリコン / トンネルFET / スピンカプラー / 量子ビット … More / エピタキシャル / マイクロ・ナノデバイス / 半導体物性 / Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体 / エピタキシャル成長 / MOSFET / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 半導体超微細化 / 光物性 / 電気材料 / 電子 / 界面物性 / 表面 … More Except Principal Investigator ハフニウム窒化物 / 窒化膜ゲートスタック / 窒化ハフニウム / スパッタリング / 窒化膜 / 高移動度チャネル材料 / 非酸化物 / 窒化物 / ゲートスタック / ゲルマニウム / 高移動度チャネル / 超分子化学 / マイクロ・ナノデバイス / 超薄膜 / 光物性 / 表面・界面物性 Less

Creation of spin-coupling technology suitable for Si quantum bit integrationPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  Yasuda Tetsuji
- Project Period (FY)
  2017 – 2019
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- Research Field
  
  Electron device/Electronic equipment
- Research Institution
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Valence-band engineering and interface-dipole control for realizing III-V pMOSFETPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  YASUDA Tetsuji
- Project Period (FY)
  2012 – 2014
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Study of all nitride gate stack with Metal and Insulator HfNx for high mobility channel
- Principal Investigator
  
  MAEDA Tatsuro
- Project Period (FY)
  2012 – 2014
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Research Field
  
  Electronic materials/Electric materials
- Research Institution
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Measurement and control of charge transfer between organic ultrathin layers and substrates by means of in-situ real-time spectroscopy
- Principal Investigator
  
  TANAKA Masatoshi
- Project Period (FY)
  2009 – 2011
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Research Field
  
  Thin film/Surface and interfacial physical properties
- Research Institution
  Yokohama National University
Development of reflectance difference spectroscopy (RDS) in the vacuum ultraviolet range and its application to characterization of ordering states at the dielectrics interfaces formed on the new channel materialsPrincipal Investigator
- Principal Investigator
  
  YASUDA Tetsuji
- Project Period (FY)
  2007 – 2008
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Research Field
  
  Thin film/Surface and interfacial physical properties
- Research Institution
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

All 2018 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 Other

All Journal Article Presentation Patent

[Journal Article] Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures2015
- Author(s)
  Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  Volume: 54 Issue: 2 Pages: 021201-021201
- DOI
  10.7567/jjap.54.021201
- NAID
  210000144768
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Journal Article] 金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究2014
- Author(s)
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- Journal Title
  
  第19回ゲートスタック研究会（主催　応用物理学会薄膜・表面物理分科会，シリコンテクノロジー分科会）
  
  Volume: 19 Pages: 163-166
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[Journal Article] Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors2014
- Author(s)
  A. Ohtake, T. Mano, N. Miyata, T. Mori, and T. Yasuda
- Journal Title
  
  Applied Physics Letters
  
  Volume: 104 Issue: 3
- DOI
  10.1063/1.4862542
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Journal Article] Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces2014
- Author(s)
  Noriyuki Miyata, Akihiro Ohtake, Masakazu Ichikawa, Takahiro Mori, and Tetsuji Yasuda
- Journal Title
  
  Applied Physics Letters
  
  Volume: 104 Issue: 23
- DOI
  10.1063/1.4882643
- Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Journal Article] 窒素組成制御による　金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究2013
- Author(s)
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- Journal Title
  
  第18回ゲートスタック研究会
  
  Volume: 18 Pages: 159-162
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[Journal Article] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013
- Author(s)
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- Journal Title
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  Volume: 113 Pages: 37-42
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Journal Article] Vacuum-ultraviolet reflectance difference spectroscopy for characterizing dielectrics-semiconductor interfaces2011
- Author(s)
  S. Ogata, S. Ohno, M. Tanaka, T. Mori, T. Horikawa and T. Yasuda
- Journal Title
  
  Thin Solid Films
  
  Volume: 519 Pages: 2830-2833
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Journal Article] SiO^2/Si interfaces on high-index surfaces : Re-evaluation of trap densities and characterization of bonding structures2011
- Author(s)
  S.Ogata, S.Ohno, M.Tanaka, T.Mori, T.Horikawa, T.Yasuda
- Journal Title
  
  Applied Physics Letters
  
  Volume: 98
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Journal Article] Reflectance Difference Spectroscopy in Vacuum-Ultraviolet Range : Developing Measurement System and Applying to Characterization of SiO_2/Si Interfaces2010
- Author(s)
  S.Ogata, S.Ohno, M.Tanaka, T.Horikawa, T.Yasuda
- Journal Title
  
  Japanese Journal of Applied Physics 49
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Patent] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/S1（111）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス2013
- Inventor(s)
  宮田典幸, 安田哲二, 大竹晃浩, 真野高明
- Industrial Property Rights Holder
  産業技術総合研究所, 国立研究開発法人物質・材料研究機構
- Industrial Property Rights Type
  特許
- Industrial Property Number
  2013-195290
- Filing Date
  2013-09-20
- Acquisition Date
  2017-06-09
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Patent] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外検出デバイス2013
- Inventor(s)
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、安田哲二
- Industrial Property Rights Holder
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、安田哲二
- Industrial Property Rights Type
  特許
- Industrial Property Number
  2013-195290
- Filing Date
  2013-09-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] シリコントンネルトランジスタのスピン量子ビット応用2018
- Author(s)
  森貴洋、森山悟士、松川貴、安田哲二、大野圭司
- Organizer
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-17H01276
[Presentation] Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討2014
- Author(s)
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- Organizer
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  青山学院大学相模原キャンパス
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates2013
- Author(s)
  Takahiro Goto, Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda
- Organizer
  44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- Place of Presentation
  Arlington, VA, USA
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] Electrical Characteristics and Thermal Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces2013
- Author(s)
  N. Miyata, A. Ohtake, M. Ichikawa, T. Yasuda
- Organizer
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- Place of Presentation
  Tokyo
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証2013
- Author(s)
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- Organizer
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  同志社大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013
- Author(s)
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- Organizer
  電子情報通信学会 ED研
- Place of Presentation
  富山大学
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] Si高指数面熱酸化過程における温度依存性の解析2012
- Author(s)
  安部壮祐, 大野真也, 兼村瑠威, 吉越章隆, 寺岡有殿, 尾形祥一, 安田哲二, 田中正俊
- Organizer
  第59回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  早稲田大学,東京
- Year and Date
  2012-03-17
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Presentation] 超音速分子線を用いたSi初期酸化促進反応における面方位依存性の解析2012
- Author(s)
  大野真也, 井上慧, 百瀬辰哉, 兼村瑠威, 吉越章隆, 寺岡有殿, 尾形祥一, 安田哲二, 田中正俊
- Organizer
  第25回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム
- Place of Presentation
  鳥栖市民文化会館・中央公民館,佐賀
- Year and Date
  2012-01-08
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Presentation] 超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析II2012
- Author(s)
  大野真也, 兼村瑠威, 安部壮祐, 井上慧, 百瀬辰哉, 吉越章隆, 寺岡有殿, 尾形祥一, 安田哲二, 田中正俊
- Organizer
  第59回応用物理学関係連合講演会
- Place of Presentation
  早稲田大学,東京
- Year and Date
  2012-03-17
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Presentation] 超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析2011
- Author(s)
  大野真也, 井上慧, 百瀬辰哉, 兼村瑠威, 吉越章隆, 寺岡有殿, 尾形祥一, 安田哲二, 田中正俊
- Organizer
  第72回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  山形大学
- Year and Date
  2011-08-30
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Presentation] Si高指数面上に形成した酸化膜における界面準位密度の再検討2010
- Author(s)
  尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 森貴洋, 堀川剛, 安田哲二
- Organizer
  ゲートスタック研究会 (第15回研究会)
- Place of Presentation
  東レ総合研修センター
- Year and Date
  2010-01-22
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Presentation] Vacuum-Ultraviolet Reflectance Difference Spectroscopy for Characterizing Dielectrics-Semiconductor Interfaces2010
- Author(s)
  S.Ogata, S.Ohno, M.Tanaka, T.Mori, T.Horikawa, T.Yasuda
- Organizer
  5th Int.Conf.Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
- Place of Presentation
  アルバニー(アメリカ)
- Year and Date
  2010-05-27
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Presentation] Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS 評価2009
- Author(s)
  尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二
- Organizer
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第14回研究会
- Place of Presentation
  東レ総合研修センター
- Year and Date
  2009-01-22
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19360025
[Presentation] Si高指数面上に形成したSiO2界面の真空紫外RDS評価 : ウエット酸化とドライ酸化の比較2009
- Author(s)
  尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 堀川剛, 安田哲二
- Organizer
  第70回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  富山大学
- Year and Date
  2009-09-08
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[Presentation] 真空紫外RDSによるSi高指数面上の酸化膜界面構造の評価2008
- Author(s)
  尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二
- Organizer
  69回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  中部大学
- Year and Date
  2008-09-02
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-19360025
[Presentation] 窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価
- Author(s)
  後藤高寛、藤川紗千恵、藤代博記、小倉睦郎、安田哲二、前田辰郎
- Organizer
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学
- Year and Date
  2014-09-17 – 2014-09-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] GaSb表面の純窒化プロセスの検討
- Author(s)
  後藤高寛、藤川紗千恵、藤代博記、小倉睦郎、安田哲二、前田辰郎
- Organizer
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- Place of Presentation
  東海大学　湘南キャンパス
- Year and Date
  2015-03-11 – 2015-03-14
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] 金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究
- Author(s)
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- Organizer
  第19回ゲートスタック研究会
- Place of Presentation
  ニューウェルシティー湯河原（静岡県）
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[Presentation] 窒素組成制御による　金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究
- Author(s)
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- Organizer
  第18回ゲートスタック研究会（主催　応用物理学会薄膜・表面物理分科会，シリコンテクノロジー分科会）
- Place of Presentation
  ニューウェルシティー湯河原（静岡県）
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[Presentation] Metal and Insulator HfNx films for Ge MIS structure by controlling nitrogen composition
- Author(s)
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- Organizer
  European Materials Research Society, 2013 Spring Meeting
- Place of Presentation
  Congress Center - Strasbourg, France
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[Presentation] 窒素組成制御によるGe向け金属性HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
- Author(s)
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- Organizer
  第74回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  同志社大学（京都府）
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[Presentation] Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
- Author(s)
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、森貴洋、安田哲二
- Organizer
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学
- Year and Date
  2014-09-17 – 2014-09-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[Presentation] 窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
- Author(s)
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- Organizer
  第73回応用物理学会学術講演会
- Place of Presentation
  愛媛大学（愛媛県）
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[Presentation] Si(100)上のGaSbナノコンタクトへテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性
- Author(s)
  宮田典幸、大竹晃浩、市川昌和、森貴洋、安田哲二
- Organizer
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- Place of Presentation
  北海道大学
- Year and Date
  2014-09-17 – 2014-09-20
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-24246058

1. TANAKA Masatoshi (90130400)

# of Collaborated Projects: 4 results

# of Collaborated Products: 19 results
2. OHNO Shinya (00377095)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 12 results
3. MAEDA Tatsuro (40357984)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 15 results
4. FUJIWARA Hiroyuki (40344444)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
5. OHNO Kaoru (40185343)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 10 results
6. YOKOYAMA Takashi (80343862)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
7. SUZUKI Takanori (60124369)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
8. MIYATA Noriyuki (40358130)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 5 results
9. OHTAKE Akihiro (30267398)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 5 results
10. NARA Jun (30354145)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
11. FUJISHIRO Hiroki (60339132)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 8 results
12. ICHIKAWA Masakazu (20343147)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 3 results
13. 大野圭司 (00302802)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 1 results
14. 森山悟士 (00415324)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 1 results
15. 伊藤公平 (30276414)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
16. 森貴洋 (70443041)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 1 results

Yasuda Tetsuji 安田 哲二

YASUDA Tetsuji 安田 哲二

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

Creation of spin-coupling technology suitable for Si quantum bit integrationPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Valence-band engineering and interface-dipole control for realizing III-V pMOSFETPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Study of all nitride gate stack with Metal and Insulator HfNx for high mobility channel

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Measurement and control of charge transfer between organic ultrathin layers and substrates by means of in-situ real-time spectroscopy

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

Development of reflectance difference spectroscopy (RDS) in the vacuum ultraviolet range and its application to characterization of ordering states at the dielectrics interfaces formed on the new channel materialsPrincipal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Research Field

Research Institution

[Journal Article] Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures2015

Author(s)

Journal Title

DOI

NAID

Data Source

[Journal Article] 金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究2014

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors2014

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces2014

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] 窒素組成制御による 金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究2013

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Vacuum-ultraviolet reflectance difference spectroscopy for characterizing dielectrics-semiconductor interfaces2011

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] SiO^2/Si interfaces on high-index surfaces : Re-evaluation of trap densities and characterization of bonding structures2011

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Journal Article] Reflectance Difference Spectroscopy in Vacuum-Ultraviolet Range : Developing Measurement System and Applying to Characterization of SiO_2/Si Interfaces2010

Author(s)

Journal Title

Data Source

[Patent] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/S1（111）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス2013

Inventor(s)

Industrial Property Rights Holder

Industrial Property Rights Type

Industrial Property Number

Yasuda Tetsuji 安田哲二

YASUDA Tetsuji 安田哲二

[Journal Article] 窒素組成制御による　金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究2013