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宮本 信雄  MIYAMOTO Nobuo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00006222
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1987年度 – 1995年度: 東北大学, 電気通信研究所, 教授
1986年度: 東北大学, 電気通信研究所・固体電子工学部門, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
反応工学 / 応用物性・結晶工学 / 物理計測・光学
研究代表者以外
電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 計測・制御工学
キーワード
研究代表者
光電子分光 / Si (100) / 気相成長 / GaAs / Si, / thin film, / epitaxial growth, / photon-induced surface reaction, / PSD, / UPS, … もっと見る / synchrotron radiation, / 砒化ガリウム / シリコン / 光CVD / 光刺激脱離 / シンクロトロン放射光 / 表面光化学反応 / 結晶成長 / photoelectron oscillation / gas-source epitaxy / in-situ observation / hydrogen desorption / photoelectron spectroscopy / epitaxial growth / light-assisted process / Si(100) / 光電子強度振動 / その場観察 / 水素脱離反応 / 紫外光電子分光 / 半導体結晶成長 / 光励起プロセス / mirror-polished surface / Titan Sublimation Pump / Aluminum-Alloy Vacuum System / Extrahigh Vacuum / ガス放出率 / 超高真空 / 鏡面化表面処理 / チタンサブリメ-ションポンプ / アルミニウム真空 / 極高真空 … もっと見る
研究代表者以外
半導体表面 / 放射光 / 拡散 / X線光電子回折 / Ge / GaAs / X線光電子回析法 / オーミック接触 / 砒化カリウム / Photodecomposition / Layred structure / Synchrotron radiation / Ultraviolet light / Ultra-thin film / Organometallic compound / Photo-induced catalytic reaction / 光分解反応 / 層状構造 / 紫外光 / 超薄膜 / 有機金属 / 光触媒反応 / Semiconductor fabrication process / Solid-liquid interface / In-situ monitoring / Multiple internal reflection / Atomic scale monitoring / Semiconductor surface / infrared reflection Spectroscopy / 表面処理 / 大気酸化 / 評価装置 / 原子制御 / 赤外分光 / 半導体プロセス / 固液界面 / その場観察 / 多重内部反射 / 原子制御計測 / 赤外反射分光 / Photo-Induced Reaction / Semiconductor Surface / Low-Temperature Process / Dielectric Film / Synchrotron Radiation / 放射光励起 / CVD / 光励起反応 / 低温薄膜形成 / 高誘電体薄膜 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  表面電子分光による半導体表面化学反応の放射光励起効果と反応機構の研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希, 宮本 信雄
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  有機金属を用いた光触媒反応による層状超薄膜構造の形成

    • 研究代表者
      庭野 道夫
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  赤外反射分光法による半導体結晶表面の原子制御計測の開発

    • 研究代表者
      庭野 道夫
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      計測・制御工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  放射光励起ガスソースCVDによる高誘電体薄膜の低温形成

    • 研究代表者
      庭野 道夫
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  新しい表面処理法を用いた極高真空アルミ真空システムの試作研究研究代表者

    • 研究代表者
      宮本 信雄
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      物理計測・光学
    • 研究機関
      東北大学
  •  シンクロトロン放射光励起表面光化学反応による単結晶薄膜の気相成長研究代表者

    • 研究代表者
      宮本 信雄
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      反応工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  X線光電子回析法によるGaAsのオーミック接触形成機構の研究

    • 研究代表者
      高桑 雄二
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  • 1.  庭野 道夫 (20134075)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  遠田 義晴 (20232986)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  末光 眞希 (00134057)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  高桑 雄二 (20154768)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  渡辺 文夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  宮本 和夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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