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岩下 彪  IWASHITA T.

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00016081
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1990年度 – 1991年度: 東京学芸大学, 教育学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者以外
金属物性
キーワード
研究代表者以外
trapped / S parameter / multilayered materials / detects / brightness enhancement / magnetic tield / an electron linac / intense slow positron beam / チャンネルプレ-ト / ズ-ム・レンズ … もっと見る / アインツェル・レンズ / 静電場型ビ-ム / 磁場型ビ-ム / モデレ-タ / 低速陽電子 / ストッピング・プロファイル / HfーCu金属多層膜 / 酸化物層 / 7ラウエ・ゾ-ン / 0 / Si(III) / RHEPD / トラップ / Sパラメ-タ- / 多層材料 / 格子欠陥 / 輝度強化 / 磁場 / 電子線型加速器 / 高強度低速陽電子ビ-ム 隠す
  • 研究課題

    (1件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  低速陽電子ゼ-ムによる金属ー半導体界面の格子欠陥の研究

    • 研究代表者
      金沢 育三
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      東京学芸大学
  • 1.  金沢 育三 (00134768)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  村上 英興 (30011000)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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