• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

福家 俊郎  FUKE Shuro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00022236
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2006年度 – 2007年度: 静岡大学, 工学部, 教授
2000年度 – 2002年度: 静岡大学, 工学部, 教授
1990年度 – 1992年度: 静岡大学, 工学部, 教授
1987年度: 静岡大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
化合物半導体 / ヘテロ成長 / 減圧成長 / 混晶 / 不純物効果 / バッファ層 / High Quality / Dislocation Density / Organometallic Vapor Phase Epitax / Selective Growth … もっと見る / Nitride / Compound Semiconductor / 高品位化 / 高品位 / 転位密度 / 有機金属気相成長法 / 選択成長 / 窒化物 / SIMS分析 / 表面形態 / 格子歪緩和 … もっと見る
研究代表者以外
cross-hatched pattern / クロスハッチパターン / MOCVD / gallium phosphide / nano dot / optoelectronic integrated circuit / crystal growth / compound semiconductor / Si substrate / metalorganic vapor phase epitaxy / 有機金属気相成長法 / ガリウムリン / ナノドット / 光電子集積回路 / 結晶成長 / 化合物半導体 / シリコン基板 / 有機金属気相成長 / transmission electron microscopy / misoriented substrate / dislocation / gallium arsenic substrate / graded layer / indium gallium arsenic / TEM / 透過電子顕微鏡観察 / オフ基板 / 転位 / GaAs基板 / グレーデッド層 / InGaAs / III-V化合物半導体 / 気相成長 / 不純物ドーピング効果 / II-VI化合物半導体 / ヘテロエピタキシャル成長 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 研究成果

    (3件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  シリコン基板に格子整合させた化合物半導体結晶成長

    • 研究代表者
      高野 泰
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  自己組織化によるバァッファー層の転位分布の均質化

    • 研究代表者
      高野 泰
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化研究代表者

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の性御研究代表者

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の制御研究代表者

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の制御研究代表者

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  H_2輸送法におけるII-VI化合物半導体結晶成長における不純物効果と成長機構の研究

    • 研究代表者
      今井 哲二
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学

すべて 2008 2007 2006

すべて 学会発表

  • [学会発表] Growth of flat GaP layer on Si substrates using MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Okamoto, S. Watanabe, H. Masuda, K. Noda, S. Fukuda, S. Fuke, Y. Takano
    • 学会等名
      The 55th Spring Meeting ; The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      College of Science and Technology, Nihon University
    • 年月日
      2008-03-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • [学会発表] Initial growth of GaP layers on Si substrates by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      S. Watanabe, K. Morizumi, S. Fuke, Y. Takano
    • 学会等名
      The 54th Spring Meeting ; The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Aoyama Gakuin University, Sagamihara Campus
    • 年月日
      2007-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • [学会発表] Epitaxial growth of GaP layers on Si substrates by MOVPE2006

    • 著者名/発表者名
      S. Watanabe, K. Morizumi, S. Fuke, Y. Takano
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting ; The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan University
    • 年月日
      2006-08-31
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • 1.  高野 泰 (00197120)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 3件
  • 2.  今井 哲二 (50143714)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  角谷 正友 (20293607)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi