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佐野 直克  SANO Naokastsu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00029555
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2004年度 – 2006年度: 関西学院大学, 理工学部, 教授
1993年度 – 1995年度: 関西学院大学, 理学部, 教授
1989年度 – 1991年度: 関西学院大学, 理学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学
研究代表者以外
ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 電子・電気材料工学 / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
キーワード
研究代表者
NiAl / MBE / Molecure Beam Epitaxy / Semiconductor Hetero-Epitaxy / Metal / III-V Compound Semiconductor / 分子線エピタキシ- / 金属・半導体ヘテロエピタキシ- / IIIーV化合物半導体
研究代表者以外
GaAs … もっと見る / InGaAs / Recombinant Silaffin / Nanopatterning of semiconductor / Biosilica / Biomineralization / Diatom shell / 新機能素子 / プロテインチップ / ナノパターニング / 自己組織化 / 半導体プロセス / 組換シラフィン / 半導体ナノパターニング / バイオシリカ / バイオミネラリゼーション / 珪藻殻 / Negative differential resistance / Full-width at half maximum of excitonic absorption / Stokes shift / InAlAs quantum wells / AlGaAs quantum wells / AlAs resonant tunneling diodes / AlGaAd quantum wells / 411 (A) / AlGaAs共鳴トンネルダイオード / AlGaAsヘテロ界面 / ストークスシフト / lnAlAs 量子井戸 / lnGaAs / AlAs 共鳴トンネルダイオード / AlGaAs 量子井戸 / 負性微分抵抗特性 / 励起子による吸収半値幅 / ストークシフト / InAlAs量子井戸 / AlAs共鳴トンネルダイオード / AlGaAs量子井戸 / (411)A / Structural Phase Transition / Ferroelectricity / Thin Films / Molecular Beam Epitaxy / 相転移 / MBE / ARE / 酸化物薄膜 / 誘電体薄膜 / エピタキシャル成長 / MBE(分子総エピタキシ) / 薄膜 / エピタキシ- / 誘電体 / Grazing incidence geometry / X線回折 / 強誘電体 / エピタキシャル薄膜 / 構造相転移 / サイズ効果 / 強誘電体薄膜 / 分子線エピタキシ- 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (2件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  珪藻殻の形状支配因子タンパク質を用いた半導体ナノパターニング

    • 研究代表者
      金子 忠昭
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      関西学院大学
  •  (411)A超平坦半導体へテロ界面の研究

    • 研究代表者
      冷水 佐壽
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  エピタキシャル成長した誘電体薄膜結晶の物性

    • 研究代表者
      寺内 暉
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      関西学院大学
  •  エピタキシャル半導体・金属・半導体ヘテロ構造に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      佐野 直克
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      関西学院大学

すべて 2005

すべて 産業財産権

  • [産業財産権] マスク形成方法、及び三次元微細加工方法2005

    • 発明者名
      金子忠昭, 佐野直克
    • 権利者名
      フランスRiber社
    • 出願年月日
      2005-04-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16310092
  • [産業財産権] マスク形成方法、及び三次元微細加工方法2005

    • 発明者名
      金子 忠昭, 佐野 直克
    • 権利者名
      学校法人関西学院
    • 出願年月日
      2005-04-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16310092
  • 1.  冷水 佐壽 (50201728)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  寺内 暉 (00079667)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  坂上 潔 (90215608)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  加藤 弘 (30111040)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  劉 い (60240412)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  下村 哲 (30201560)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  金子 忠昭 (50291977)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  松田 祐介 (30291975)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  田中 祐二 (20351744)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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