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松本 智  MATSUMOTO Satoru

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00101999
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1994年度 – 2003年度: 慶應義塾大学, 理工学部, 教授
1994年度: 慶応義塾大学, 理工学部, 教授
1993年度: 慶應義塾大学, 理工学部, 助教授
1990年度: 慶応義塾大学, 理工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
シリコン / silicon / 空格子点 / 点欠陥 / Si_3N_4 / quantum dynamics / atomic layer doping / nuclear magnetic resonance / ^<31>P nuclear spin / isotope control … もっと見る / spin-free silicon / quntum computating / 量子ダイナミックス / 単原子層ドーピング / 核磁気共鳴 / ^<31>P核スピン / 同位体組成制御 / スピンフリーシリコン / 量子コンピューティング / process modeling / Fermi level effect / self-interstitial / vacancy / point defect / enriched isotope / self-diffusion / 格子間原子 / プロセスモデリング / フェルミ準位効果 / 自己格子間原子 / 高純度同位元素 / 自己拡散 / interstitialcy component / excess vacancy generation / compressive strain in Si / Si_3N_4 film stress / Si structure / enhanced diffusion of Sb / retarded diffusion of B and P / dopant (B,P,Sb) diffusion in Si / 窒化膜応力 / 圧縮応力 / 空格子点拡散係数 / 不純物拡散 / 格子間原子拡散機構成分 / 過剰空格子点の発生 / Si中の圧縮歪 / Si_3N_4膜応力 / Si構造 / Sbの増速拡散 / BとPの減速拡散 / Si中のドーパント(B,P,Sb)拡散 / MOSFET fabrication / 2-step doping method / Shallow junction / Laser doping / UV excimer laser / 2ステップドーピング / MOSFET / レーザドーピング / 2ステップド-ピング / MOSFET作製 / 浅い接合形成 / レーザド-ピング / 紫外エキシマレーザ / √3x√3表面構造 / STM観察 / ボロニ吸着 / ドーパント表面再構成 / Si(111)7x7表面 / ドーパント量子ドット / 2D構造 / 秩序的ドーパント構造 / UHV-STM / √<3>x√<3>R30℃表面 / Si(111)表面 / B吸着 / 表面再構成 / 光電子分光 / ジボラン / 水晶振動子 / 紫外エキシマレ-ザ-照射 / 吸着層光分解 … もっと見る
研究代表者以外
elemental boron source / rapid thermal diffusion / modeling of dopant profiles / ultra-shallow junctions / silicon / diffusion of boron / プロセスモデリング / ド-ピング / 元素ボロン拡散源 / 急速熱拡散 / ドーパント分布のモデリング / 極浅接合 / シリコン / ボロン拡散 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  同位体組成制御と中性子照射改質に基づくSi量子計算の基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      松本 智
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  高純度^<28>Siエピタキシャル層を用いたシリコン自己拡散の研究研究代表者

    • 研究代表者
      松本 智
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  規則的に配列されたドーパントを含む半導体構造の研究研究代表者

    • 研究代表者
      松本 智
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  •  シリコンにおける点欠陥の制御とシミュレーションへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      松本 智
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  •  極浅Pn接合形成とドーパント濃度分布のモデリング

    • 研究代表者
      桑野 博
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  •  紫外エキシマレーザド-ピング技術によるMOSFET短チャネル効果の抑制研究代表者

    • 研究代表者
      松本 智
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  •  紫外分光による吸着層の光分解過程の計測研究代表者

    • 研究代表者
      松本 智
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  • 1.  桑野 博 (10051525)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  吉田 正幸 (80038984)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  伊藤 公平 (30276414)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  江藤 幹雄 (00221812)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  黒田 忠広 (50327681)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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