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末光 眞希  SUEMITSU Maki

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

末光 真希  スエミツ マキ

末松 眞希  スエマツ マキ

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研究者番号 00134057
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度: 東北大学, 電気通信研究所, 名誉教授
2008年度 – 2017年度: 東北大学, 電気通信研究所, 教授
2004年度 – 2007年度: 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教授
1994年度 – 2003年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授
1999年度: 東北大学, 電子通信研究所, 助教授
1990年度 – 1991年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性 / 応用物理工学およびその関連分野 / 応用物性・結晶工学 / 機能材料・デバイス
研究代表者以外
薄膜・表面界面物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 物理計測・光学 … もっと見る / 工学 / 理工系 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 電子デバイス・電子機器 / 理工系 隠す
キーワード
研究代表者
SiC / 炭化ケイ素 / CVD / グラフェン / ガスソースMBE / hydrogen desorption / Si (100) / EL2 / 転位 / 積層欠陥 … もっと見る / ヘテロエピタキシ / 3C-SiC / エピタキシャルグラフェン / 光電子分光 / 擬自立化グラフェン / 界面層 / マイクロ波加熱 / IN-SITU OBSERVATION / SURFACE CHEMISTRY / ORGANO-SILANES / MONOMETHYLSILANE / HETEROEPITAXY / GAS-SOURCE MBE / SILICON CARBIDE / 「その場」表面評価 / 表面化学 / 有機ケイ素 / モノメチルシラン / ヘテロエピタキシー / disilane / silane / silicon carbide / doping / gas-source MBE / silicon epitaxy / 脱離 / 吸着 / ガスソース MBE / アセチレン / 酸化過程 / 水素 / ホスフィン / シリコン / ジシラン / シラン / 水素脱離 / ドーピング / シリコンエピタキシー / photoelectron oscillation / gas-source epitaxy / in-situ observation / photoelectron spectroscopy / epitaxial growth / light-assisted process / Si(100) / 光電子強度振動 / 気相成長 / その場観察 / 水素脱離反応 / 紫外光電子分光 / 半導体結晶成長 / 光励起プロセス / photoconductivity / photoquenching / electron spin resonande / optical properties / point defect / semi-insulating / GaAs / 硫化カリウム / 光伝導度 / フォトクエンチング効果 / 電子スピン共鳴 / 光学物性 / 点欠陥 / 半絶縁性 / 砒化ガリウム / 双晶 / 面欠陥 / RHEED / 断面TEM観察 / CMOS / X線ロッキング曲線 / 表面化学反応 / ナノリボン / 金属 / 半導体 / 電子物性 / 表面終端 / 表面微細加工 / ステップ / Siスペーサ層 / ナノ構造 / Geドット / 量子構造 / ナノリング / ナノドット / SiGe / 初期酸化過程 / STM測定 / XPS, SR-XPS測定 / UVオゾン処理 / 表面再配列構造 / 酸化歪 / 放射光 / Si酸化 / Si(110)面 / 「その場」走査トンネル顕微鏡測定 / リアルタイム光電子分光測定 / 初期酸化 / Si(110) / 金属酸化物 / アセチレン-酸素燃焼炎 / 矩形断面 / ナノチューブ / 中空ファイバー / 単斜晶系二酸化モリブデン … もっと見る
研究代表者以外
グラフェン / トランジスタ / RHEED / Si(100) / 光電子分光 / 結晶成長 / 電界効果トランジスタ / 電子物性 / 顕微分光 / 顕微 / トポロジカル絶縁体 / 二次元原子薄膜 / X線 / オペランド / 高品質SiC単結晶薄膜 / 接合 / Acoustic inhomogeneity / Layered structures / Device fabrication process / Electronics materials / Leaky surface acoustic wave velocity / V(z) curve analysis / Line-focus-beam acoustic microscopy / Ultrasonic microspectroscopy / 半導体材料評価 / 漏洩弾性表面波 / 音響的均一性 / 層状構造試料 / デバイス作製プロセス評価 / 電子デバイス材料評価 / 漏洩弾性表面波速度 / V(z)曲線解析法 / LFB超音波顕微鏡 / 超音波マイクロスペクトロスコピー / photoelectron oscillation / real-time measurement / in-situ observation / oscillation / photoelectron spectroscopy / epitaxial growth / Si (100) / 光電子強度 / リアルタイム / その場観察 / 振動 / 紫外光電子分光 / 薄膜成長 / mirror-polished surface / Titan Sublimation Pump / Aluminum-Alloy Vacuum System / Extrahigh Vacuum / ガス放出率 / 超高真空 / 鏡面化表面処理 / チタンサブリメ-ションポンプ / アルミニウム真空 / 極高真空 / 光学励起 / テラへルツ / ボトムアップ / 誘導放出 / ポラリトン / プラズモン / 電流注入 / レーザー / テラヘルツ / ナノ材料 / 表面・界面物性 / 制御 / ナノ構造形成 / シリコンデバイス / シリコン結晶 / 半導体 / ナノ電子物性科学 / 移動度 / ひずみ / シリコン / 電子輸送 / 電子デバイス / 表面科学 / 不純物ドープ / シリコン結晶シリコンデバイス / ナノデバイス / 集積回路 / 半導体デバイス / 初期酸化 / リン吸着デジタル制御 / 自己触媒 / 島状成長 / 変調ドーピング / SiGe / 低温Si層 / CMP / 発光ダイオード / 電界効果型トランジス / 電界効果型トランジスタ / 光物性 / 光エレクトロニクス / シリコンゲルマニウム / 人工IV族半導体 隠す
  • 研究課題

    (20件)
  • 研究成果

    (320件)
  • 共同研究者

    (56人)
  •  グラフェンデバイスの実用化を基礎づけるSiC結晶上擬自立化グラフェン作製法の革新研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2018
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 研究分野
      応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東北大学
  •  ウエハー接合を援用した高品質エピグラフェンと新原理に基づく高周波デバイス

    • 研究代表者
      吹留 博一
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  二次元原子薄膜の材料物性とデバイス特性を繋ぐオペランド顕微光電子分光

    • 研究代表者
      吹留 博一
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  グラフェンエレクトロニクス実現を加速するSi基板上エピグラフェンの革新的高品質化研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  多層エピ成長による結晶配向転換を用いたCМОSプロセスの革新研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  グラフェンテラヘルツレーザーの創出

    • 研究代表者
      尾辻 泰一
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2015
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si(110)表面ステップ挙動の解明とSiグラフェンナノリボンの自己組織的形成研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  1次元Si(110)表面構造を利用したナノドット規則配列構造の創製とストレス制御

    • 研究代表者
      朝岡 秀人
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      独立行政法人日本原子力研究開発機構
  •  新奇量子構造SiGeナノハットおよびナノリングの自己組織的形成研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2009
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  極微細構造シリコン結晶の電子物性に基づくナノスケール半導体デバイスに関する研究

    • 研究代表者
      遠藤 哲郎
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東北大学
  •  次世代CMOSプロセスを基礎付けるSi(110)表面酸化機構の解明と電気特性研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  矩形断面を有する金属酸化物ナノチューブの堆積制御と物性探索研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      機能材料・デバイス
    • 研究機関
      東北大学
  •  有機ケイ素を用いたSiCエピタキシャル成長の表面化学研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希 (末光 真希)
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御

    • 研究代表者
      白木 靖寛
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  Si上水素の表面化学とエピタキシー制御研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東北大学
  •  UMS技術によるエレクトロニクス材料表面の超高精度特性解析・評価法

    • 研究代表者
      櫛引 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  光電子分光強度の振動測定による単原子層精度結晶成長のその場観察

    • 研究代表者
      遠田 義晴
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  無添加GaAs結晶の半絶縁化機構に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希, 末光 真希
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  表面電子分光による半導体表面化学反応の放射光励起効果と反応機構の研究研究代表者

    • 研究代表者
      末光 眞希, 宮本 信雄
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  新しい表面処理法を用いた極高真空アルミ真空システムの試作研究

    • 研究代表者
      宮本 信雄
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      物理計測・光学
    • 研究機関
      東北大学

すべて 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2005 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] グラフェンの最先端技術と拡がる応用 ―グラフェンの材料科学、成長・合成技術、各種デバイス応用―2012

    • 著者名/発表者名
      末光哲也, 第4章第1節"グラフェンチャネルトランジスタ"
    • 総ページ数
      242
    • 出版者
      フロンティア出版, 東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [図書] グラフェンが拓く材料の新領域2012

    • 著者名/発表者名
      末光眞希, 第一章第4節エピタキシャルグラフェン法
    • 総ページ数
      233
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [図書] グラフェンの最先端技術と拡がる応用2012

    • 著者名/発表者名
      末光眞希, 第3章グラフェンの合成技術と応用展開 6.SiC基板上のエピタキシャルグラフェン成長
    • 総ページ数
      242
    • 出版者
      フロンティア出版、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [図書] Silicon-germanium(SiGe) nanostructures : Production, properties and applications in electronics, Chapter 32011

    • 著者名/発表者名
      M.Suemitsu, S.Filimonov
    • 出版者
      Woodhead Publishing
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [図書] Silicon-germanium(SiGe)nanostructures : Production, properties and applications in electronics, Chapter2011

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu and S. Filimonov
    • 総ページ数
      3
    • 出版者
      Woodhead Publishing
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Direct Formation of Solution-based Al2O3 on Epitaxial Graphene Surface for Sensor Applications2019

    • 著者名/発表者名
      K. S. Kim, H. Fukidome, M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Sensors and Materials, (accepted, 2019).

      巻: 31

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19065
  • [雑誌論文] A table-top formation of bilayer quasi-free-standing epitaxialgraphene on SiC(0001) by microwave annealing in air2018

    • 著者名/発表者名
      Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Someya Takashi, Iimori Takushi, Komori Fumio, Matsuda Iwao, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Carbon

      巻: 130 ページ: 792-798

    • DOI

      10.1016/j.carbon.2018.01.074

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19065, KAKENHI-PUBLICLY-16H00953, KAKENHI-PROJECT-16H06361, KAKENHI-PROJECT-17J04947
  • [雑誌論文] Fabrication of Multi-Layer Bi2Se3 Devices and Observation of Anomalous Electrical Transport Behaviors2017

    • 著者名/発表者名
      G. Venugopal, G.-H. Park, M. Suemitsu and H. Fukidome
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 68 ページ: 128-132

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2017.06.010

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H06361, KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [雑誌論文] Solution-based formation of high-quality gate dielectrics on epitaxial graphene by microwave-assisted annealing2017

    • 著者名/発表者名
      Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Won-Ju Cho, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 6S1 ページ: 06GF09-06GF09

    • DOI

      10.7567/jjap.56.06gf09

    • NAID

      210000147883

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19065, KAKENHI-PROJECT-16H06361, KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [雑誌論文] Observation of nanoscopic charge-transfer region at metal/MoS2 interface2016

    • 著者名/発表者名
      R. Suto, G. Venugopal. K. Tashima, N. Nagamura, K. Horiba, M. Suemitsu, M. Oshima, and H. Fukidome
    • 雑誌名

      Materials Research Express

      巻: 3 号: 7 ページ: 075004-075004

    • DOI

      10.1088/2053-1591/3/7/075004

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560, KAKENHI-PROJECT-14F04357, KAKENHI-PROJECT-15K17463
  • [雑誌論文] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Shota Sambonsuge, Shun Ito, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi A

      巻: 印刷中 号: 5 ページ: 1125-1129

    • DOI

      10.1002/pssa.201532675

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Interfacial charge states in graphene on SiC studied by noncontact scanning nonlinear dielectric potentiometry2015

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, and Yasuo Cho
    • 雑誌名

      Physical Review Letters

      巻: 114 号: 22 ページ: 226103-226103

    • DOI

      10.1103/physrevlett.114.226103

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K04673, KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23226008
  • [雑誌論文] Correlation between the residual stress in 3C-SiC/Si epifilm and the quality of epitaxial graphene formed thereon2015

    • 著者名/発表者名
      R Bantaculo, H Fukidome and M Suemitsu
    • 雑誌名

      IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering

      巻: 79 ページ: 012004-012004

    • DOI

      10.1088/1757-899x/79/1/012004

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Si基板上エピタキシャルグラフェンのNi援用低温形成とリアルタイム/角度分解光電子分光によるグラフェン化機構評価2015

    • 著者名/発表者名
      長谷川美佳、須藤亮太、菅原健太、三本菅正太、原本直樹、寺岡有殿、吉越章隆、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 高品質エピタキシャルグラフェンを用いたGFETの特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太、舘野泰範、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] 高品質エピタキシャルグラフェンを用いたGFETの特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太、舘野泰範、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] SiNゲートスタックによる高キャリア移動度グラフェンチャネルFET2015

    • 著者名/発表者名
      玉虫元, 菅原健太, Mastura binti Hussin, 末光哲也, 須藤亮太, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] グラフェンチャネルFETのサブテラヘルツ帯ミキサ応用2015

    • 著者名/発表者名
      菅原健太, 川﨑鉄哉, Binti Hussin Mastura, 玉虫元, 末光眞希, 吹留博一, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] In Situ SR-XPS Observation of Ni-Assisted Low-Temperature Formation of Epitaxial Graphene on 3X-SiC/Si2015

    • 著者名/発表者名
      Mika Hasegawa, Kenta Sugawara, Ryota Suto, Shota Sambonsuge, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Sergey Filimonov, Hirokazu Fukidome, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Letter

      巻: 10 号: 1 ページ: 421-426

    • DOI

      10.1186/s11671-015-1131-9

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26420289, KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 微量O2添加アニール法によるSi(111)及びSi(100)基板上エピタキシャルグラフェン2015

    • 著者名/発表者名
      横山大、今泉京、吹留博一、吉越章隆、寺岡有殿、末光眞希
    • 雑誌名

      SPring-8/SACLA利用研究成果集

      巻: 3 ページ: 356-359

    • NAID

      130007969295

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] High carrier mobility graphene-channel FET using SiN gate stack2015

    • 著者名/発表者名
      G. Tamamushi, K. Sugawara, M. B. Hussin, T. Suemitsu, R. Suto, H. Fukidome, M. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      The 42nd International Symposium on Compound Semiconductors Proc.

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 接触抵抗改善によるグラフェンFETの高性能化2015

    • 著者名/発表者名
      小岩匡, 岡謙吾, 末光哲也, 尾辻泰一, 内野俊
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)2015

    • 著者名/発表者名
      Shota Sambonsuge, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials

      巻: 67 ページ: 51-53

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2016.02.020

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] SiCN鋳型プロセスを用いた傾斜フィールドプレート構造を持つInGaAs系HEMTの作製とその特性2015

    • 著者名/発表者名
      吉田智洋, 畠山信也, 安川奈那, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Room-temperature zero-bias plasmonic THz detection by asymmetric dual-grating-gate HEMT2015

    • 著者名/発表者名
      T. Watanabe, T. Kawasaki, A. Satou, S.A. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, G. Ducournau, D. Coquillat, W. Knap, H. Minamide, H. Ito, Y.M. Meziani, V.V. Popov, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      Proc. SPIE

      巻: 9362 ページ: 93620F-93620F

    • DOI

      10.1117/12.2079184

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene-channel FETs for photonic frequency double-mixing conversion over the sub-THz band2015

    • 著者名/発表者名
      T. Kawasaki, K. Sugawara, A. Dobroiu, T. Eto, Y. Kurita, K. Kojima, Y. Yabe, H. Sugiyama, T. Watanabe, T. Suemitsu, V. Ryzhii, K. Iwatsuki, Y. Fukada, J. Kani, J. Terada, N. Yoshimoto, K. Kawahara, H. Ago, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      Solid State Electron

      巻: 103 ページ: 216-221

    • DOI

      10.1016/j.sse.2014.07.009

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 非対称二重格子ゲートHEMTによるテラヘルツ波検出の周波数特性2015

    • 著者名/発表者名
      佐藤昭, Stephane Boubanga Tombet, 渡辺隆之, 川﨑鉄哉, 糟谷文月, 末光哲也, Denis V. Fateev, Vyacheslav V. Popov, 南出泰亜, 伊藤弘昌, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, Guillaume Ducournau, Yahya Meziani, 尾辻泰一
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Si基板上エピタキシャルグラフェンのNi援用低温形成とリアルタイム/角度分解光電子分光によるグラフェン化機構評価2015

    • 著者名/発表者名
      長谷川美佳、須藤亮太、菅原健太、三本菅正太、原本直樹、寺岡有殿、吉越章隆、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] 高品質エピタキシャルグラフェンを用いたGFETの特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太、舘野泰範、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C-SiC: Ways to Wake it up as a Practical Semiconductor2015

    • 著者名/発表者名
      Hiroyoki Nagasawa, Ramya Gurunathan, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 821-823 ページ: 108-114

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.108

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] InAlN/GaN HEMTsにおける傾斜型フィールドプレートによるドレイン空乏領域長への影響2015

    • 著者名/発表者名
      安川奈那, 畠山信也, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会春季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Geometrical dependence of ultrahigh responsivity and its broadband characteristics of InP-based asymmetric dual-grating-gate high-electron-mobility transistors2015

    • 著者名/発表者名
      A. Satou, T. Kawasaki, S. Hatakeyama, S. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, G. Ducournau, D. Coquillat, D.V. Fateev, V.V. Popov, Y.M. Meziahi, and T. Otsuii
    • 雑誌名

      OTST : Int. Conf. on Optical Terahertz Science and Technology Dig

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates: Tailoring the Properties through Crystal Faces2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'14), Abstract book

      巻: 1 ページ: 17-17

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] グラフェンとNiの界面反応の微視的「その場」観察2014

    • 著者名/発表者名
      長谷川美佳、吹留博一、小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦、伊藤俊、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング2014

    • 著者名/発表者名
      川崎鉄哉, 吉田智洋, 菅原健太, Adrian Dobroiu, 渡辺隆之, 杉山弘樹, 若生洋由希, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 吾郷浩樹, 河原憲次, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: ED2014 ページ: 9-13

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs by means of slant field plates fabricated by multi-layer SiCN2014

    • 著者名/発表者名
      Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Tomohiro Yoshida, Daniel Piedra, Tomás Palacios, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu
    • 雑誌名

      Solid State Electron

      巻: 101 ページ: 63-69

    • DOI

      10.1016/j.sse.2014.06.022

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [雑誌論文] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu, S. N. Filimonov
    • 雑誌名

      Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces Abstracts Book

      巻: 1

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] Current driven detection of terahertz radiation in dual-grating-gate plasmonic detector2014

    • 著者名/発表者名
      S.A. Boubanga Tombet, Y. Tanimoto, A. Satou, T. Suemitsu, Y. Wang, H. Minamide, H. Ito, D.V. Fateev, V.V. Popov, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 104 号: 26 ページ: 262104-262104

    • DOI

      10.1063/1.4886763

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-26820123
  • [雑誌論文] Comparative Study on Pristine and Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Surface Using Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      MRS Fall Meeting 2014 Abstracts Book

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Orbital-specific Tunability of Many-Body Effects in Bilayer Graphene by Gate Bias and Metal Contact2014

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Kosuke Nagashio, Ryo Sato, Takuo Ohkochi, Takashi Itoh, Akira Toriumi, Maki Suemitsu, and Toyohiko Kinoshita
    • 雑誌名

      Scientific Report

      巻: 4 号: 9 ページ: 37131-5

    • DOI

      10.1088/0022-3727/47/9/094016

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] High-Resolution Imaging of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Using Non-Contact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, H. Fukidome, K. Funakubo, M. Suemitsu, Y. Cho
    • 雑誌名

      ICN+T 2014 Abstract Book

      巻: 1 ページ: 58-58

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Impact of T-gate stem height on parasitic gate delay time in InGaAs-HEMTs2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yoshida, K. Kobayashi, T. Otsuji, and T. Suemitsu
    • 雑誌名

      Solid State Electron

      巻: 102 ページ: 93-97

    • DOI

      10.1016/j.sse.2014.06.005

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Microscopically-Tuned Band Structure of Epitaxial Graphene through Interface and Stacking Variations Using Si Substrate Microfabrication2014

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Toshihiro Shinohara, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Toyohiko Kinoshita, Hiroshi Kumighashira, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 4 号: 1 ページ: 5173-5173

    • DOI

      10.1038/srep05173

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23560003, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PUBLICLY-26107503
  • [雑誌論文] RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with slant field plates2014

    • 著者名/発表者名
      Shinya Hatakeyama, Kengo Kobayashi, Tomohiro Yoshida, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu
    • 雑誌名

      ISCS : the 41st Int. Symp. On Compound Semiconductors Dig

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C-SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor2014

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      ECSCRM2014: European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials Abstracts Book

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      EXMATEC 2014 Book of Abstracts

      巻: 1 ページ: 197-198

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] Investigation of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      ECOSS30 : the 30th European Conference on Surface Science Book of Abstracts

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Impact of drain conductance in InGaAs-HEMTs operated in a class-F amplifier2014

    • 著者名/発表者名
      T. Yoshida, M. Oyama, K. Watanabe, Y. Umeda, T. Otsuji, and T. Suemitsu
    • 雑誌名

      LEC : 2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices Proc

      巻: 1 ページ: 1-4

    • DOI

      10.1109/lec.2014.6951560

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Silicon Carbide on Silicon (110) : Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth2014

    • 著者名/発表者名
      S. Sambonsuge, L.N. Nikitina, Yu.Yu. Hervieu, M. Suemitsu, S.N. Filimonov
    • 雑誌名

      Russian Physics Journal

      巻: 56 号: 12 ページ: 1439-1444

    • DOI

      10.1007/s11182-014-0197-7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] Investigation of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      ECOSS30: the 30th European Conference on Surface Science Book of Abstracts

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] MoS2 FETにおける金属-チャネル界面領域での電荷移動観察2014

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太、田島圭一郎、安川奈那、北田祐太、永村直佳、本間格、堀場弘司、尾嶋正治、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu, S.N. Filimonov
    • 雑誌名

      Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces Abstracts Book

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Observing hot carrier distribution in an n-type epitaxial graphene on a SiC substrate2014

    • 著者名/発表者名
      T. Someya, F. Fukidome, Y. Ishida, R. Yoshida, T. Iimori, R. Yukawa, K. Akikubo, Sh. Yamamoto, S. Yamamoto, T. Yamamoto, T. Kanai, K. Funakubo, M. Suemitsu, J. Itatani, F. Komori, S. Shin, I. Matsuda
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104 号: 16

    • DOI

      10.1063/1.4871381

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23226003, KAKENHI-PROJECT-23560020, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-26287061, KAKENHI-PROJECT-25220707
  • [雑誌論文] F級増幅器におけるInGaAs-HEMTゲート寄生遅延時間の影響2014

    • 著者名/発表者名
      吉田智洋, 小山雅史, 渡邊邦彦, 楳田洋太郎, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] An Improved Self-Aligned Ohmic-Contact Process for Graphene-Channel Field-Effect Transistors2014

    • 著者名/発表者名
      Hussin Mastura, Kenta Sugawara, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Ultrahigh sensitive sub-terahertz plasmonic detector based on asymmetri ual-grating-gate HEMT2014

    • 著者名/発表者名
      A. Satou, Y. Kurita, G. Ducournau, D. Coquillat, K. Kobayashi, S. Boubanga Tombet, Y.M. Meziani, V.V. Popov, W. Knap, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      RJUS TeraTech-2014 : The 3rd Russia-Japan-USA Symp. on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies Proc

      巻: 1 ページ: 21-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      EXMATEC 2014 Book of Abstracts

      巻: 1 ページ: 197-198

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Improving Graphene Field-Effect Transistor Performance by Self-Aligned Source/Drain Process with Aluminum Sacrificial Layer2014

    • 著者名/発表者名
      M.B. Hussin, K. Sugawara, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      RPGR 2014 : the 6th Int. Conf. on Recent Progress on Graphene Research Proc

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Detection of terahertz and mid-infrared radiations by InP-based asymmetric dual-grating-gate HEMTs2014

    • 著者名/発表者名
      D. Coquillat, P. Zagrajek, N. Dyakonova, K. Chrzanowski, J. Marczewski, Y. Kurita, A. Satou, K. Kobayashi, S. Boubanga Tombet, V.V. Popov, T. Suemitsu, T. Otsuji, W. Knap
    • 雑誌名

      IRMMW-THz : Int. Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves Dig

      巻: 1 ページ: 1-2

    • DOI

      10.1109/irmmw-thz.2014.6956522

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Ultrahigh sensitive sub-terahertz detection by InP-based asymmetric dual-grating-gate high-electron-mobility transistors and their broadband characteristics2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Kurita, G. Ducournau, D. Coquillat, A. Satou, K. Kobayashi, S.A. Boubanga-Tombet, Y.M. Meziani, V.V. Popov, W. Knap, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 104 号: 25 ページ: 251114-251114

    • DOI

      10.1063/1.4885499

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-26820123
  • [雑誌論文] 微細加工Si基板上GOSグラフェンの電荷移動領域観察2014

    • 著者名/発表者名
      田島圭一郎、井出隆之、永村直佳、堀場弘司、尾嶋正治、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor2014

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      ECSCRM2014: European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials Abstracts Book

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] 微細加工Si基板上GOSグラフェンの電荷移動領域観察2014

    • 著者名/発表者名
      田島圭一郎、井出隆之、永村直佳、堀場弘司、尾嶋正治、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] MoS2 FETにおける金属-チャネル界面領域での電荷移動観察2014

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太、田島圭一郎、安川奈那、北田祐太、永村直佳、本間格、堀場弘司、尾嶋正治、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu, S. N. Filimonov
    • 雑誌名

      Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces Abstracts Book

      巻: 1

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] 傾斜型フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTsのRF特性2014

    • 著者名/発表者名
      畠山信也, 小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Pinpoint operando analysis of the electronic states of a graphene transistor using photoelectron nanospectroscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Kousuke Nagashio, Naoka Nagamura, Keiichiro Tashima, Kazutoshi Funakubo, Koji Horiba, Maki Suemitsu, Akira Toriumi, Masaharu Oshima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 6 ページ: 065101-065101

    • DOI

      10.7567/apex.7.065101

    • NAID

      210000137137

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PUBLICLY-26107503
  • [雑誌論文] グラフェンとNiの界面反応の微視的「その場」観察2014

    • 著者名/発表者名
      長谷川美佳、吹留博一、小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦、伊藤俊、末光眞希
    • 雑誌名

      第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] High-Resolution Imaging of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Using Non-Contact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, H. Fukidome, K. Funakubo, M. Suemitsu, Y. Cho
    • 雑誌名

      ICN+T 2014 Abstract Book

      巻: 1 ページ: 58-58

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure2014

    • 著者名/発表者名
      Sai Jiao, Yuya Murakami, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazau Fukidome, Isao Makabe, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 806 ページ: 89-93

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.806.89

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates : Tailoring the Properties through Crystal Faces2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'14), Abstract book

      巻: 1 ページ: 17-17

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Plasmonic terahertz monochromatic coherent emission from an asymmetric chirped dual-grating-gate InP-HEMT with highly asymmetric resonant cavities2014

    • 著者名/発表者名
      T. Watanabe, A. Satou, T. Suemitsu, W. Knap, V.V. Popov, V. Ryzhii, M. Shur, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      RJUS TeraTech-2014 : The 3rd Russia-Japan-USA Symp. on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies Proc

      巻: 1 ページ: 39-40

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates: Tailoring the Properties through Crystal Faces2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'14), Abstract book

      巻: 1 ページ: 17-17

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [雑誌論文] Improved breakdown voltage and RF characteristics in AlGaN/GaN high electron mobility transistors achieved by slant field plates2014

    • 著者名/発表者名
      Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Tomohiro Yoshida, Yuhei Yabe, Daniel Piedra, Tomás Palacios, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 7 号: 9 ページ: 096501-096501

    • DOI

      10.7567/apex.7.096501

    • NAID

      210000137238

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24560392
  • [雑誌論文] Si (111)基板上に炭素との固相反応で生成したSiC薄膜の評価2014

    • 著者名/発表者名
      細谷友崇, 三本菅正太, 伊藤俊, 吹留博一, 長澤弘幸, 末光眞希
    • 雑誌名

      第61回応用物理春季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Noncontact scanning nonlinear dielectric microscopy study of graphene on 4H-SiC(0001) and its hydrogen-intercalation2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      NC-AFM 2014 Book of Abstracts

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      EXMATEC 2014 Book of Abstracts

      巻: 1 ページ: 197-198

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C-SiC : Ways to Wake it upDevelop 3C-SiC as a Practical Semiconductor2014

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      ECSCRM2014 : European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials Abstracts Book

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Noncontact scanning nonlinear dielectric microscopy study of graphene on 4H-SiC(0001) and its hydrogen-intercalation2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      NC-AFM 2014 Book of Abstracts

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Comparative Study on Pristine and Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Surface Using Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho
    • 雑誌名

      MRS Fall Meeting 2014 Abstracts Book

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] グラフェンチャネルネルFETを用いたミリ波帯フォトミキサー2014

    • 著者名/発表者名
      菅原健太, 江藤隆紀, 川崎鉄哉, Mastura Hussin, 若生洋由希, 末光哲也, 尾辻泰一, 吾郷浩樹, 河原憲治, 深田陽一, 可児淳一, 寺田純, 吉本直人
    • 雑誌名

      第61回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Si (110)基板上3C-SiC (111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM評価2013

    • 著者名/発表者名
      三本菅 正太, 長澤 弘幸, Sergey Filimonov, 伊藤 駿, 吹留 博一, 末光 眞希
    • 雑誌名

      第74回応用物理学会秋季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Dielectric-tuned diamondlike carbon materials for an ultrahigh-speed self-aligned graphene channel field effect transistor2013

    • 著者名/発表者名
      S. Takabayashi, M. Yang, S. Ogawa, Y. Takakuwa, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      4th Int. Conf. on Smart Materials, Structures, and Systems, CIMTE

      巻: 77 ページ: 270-275

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/ast.77.270

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24760247
  • [雑誌論文] Graphene-channel FET with -doped diamondlike carbon top-gate dielectrics2013

    • 著者名/発表者名
      T. Eto, S. Takabayashi, Y. Kurita, M. Yang, H. Hayashi, R. Jesko, S. Ogawa, Y. Takakuwa, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      The 9th International Thin-Film Transistor Conference

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Direct observation of charge transfer region at interfaces in graphene devices2013

    • 著者名/発表者名
      Naoka Nagamura, Koji Horiba, Satoshi Toyoda, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Masaharu Oshima, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 号: 24 ページ: 241604-241604

    • DOI

      10.1063/1.4808083

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24686039
  • [雑誌論文] テラヘルツ通信を志向したダイヤモンドライクカーボンゲート絶縁膜を有するグラフェンFET2013

    • 著者名/発表者名
      江藤 隆紀,鷹林 将,栗田 裕記,楊 猛,林 広幸,イェシコ ラディック,小川 修一, 高桑 雄二,末光 哲也,尾辻 泰一
    • 雑誌名

      ゲートスタック研究会 第18回研究会研究報告

      巻: 1 ページ: 47-50

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Solution-processed Al203 for gate dielectrics in Top-Gated Graphene Field Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      G. -H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      MNC2013:26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene materials and devices for terahertz science and technology2013

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, M. Suemitsu, and V. Ryzhii
    • 雑誌名

      APMC : Asia-Pacific Microwave Conference

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] From 3C-SiC growth to graphene formation using 4H-AlN (0001)/Si (111) heterostructure2013

    • 著者名/発表者名
      Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      2013 JSAP-MRS Joint Symposia : Symposium C

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Site selective epitaxy of graphene on Si wafers2013

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, Y. Kawai, H. Handa, H. Hibino, H. Miyashita, M. Kotsugi, T. Ohkochi, M. Jung, T. Suemitsu, T. Kinoshita, T. Otsuji, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Proceeding of the IEEE

      巻: 101 号: 7 ページ: 1557-1566

    • DOI

      10.1109/jproc.2013.2259131

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23560003, KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] グラフェンテラヘルツレーザーとフォトニックデバイス応用の可能性2013

    • 著者名/発表者名
      尾辻泰一, 佐藤 昭, マキシム リズィー, 佐野栄一, 末光眞希, ヴィクトール リズィー
    • 雑誌名

      電子情報通信学会2013年総合大会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] XRD and Raman-Spectroscopic Evaluation of Graphene on 3C- SiC (111)/Vicinal Si (111) Substrate2013

    • 著者名/発表者名
      N. Haramoto, S. Inomata, S. Sambonsuge, H. Fukidome and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      ALC'13:9th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices' 13

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 微傾斜Si (111)基板使用によるSi基板上エピタキシャルグラフェンの高品質化2013

    • 著者名/発表者名
      原本直樹, 猪俣州哉, 三本菅正太, 吹留博一, 末光眞希
    • 雑誌名

      第74回応用物理学会秋季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC (111)/4H-AlN (0001) Double Layer Stacking on Si (111) Substrates2013

    • 著者名/発表者名
      S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013)

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] High-Performance Graphene Field-Effect Transistors with Extremely small access length using self-aligned source and drain techniques2013

    • 著者名/発表者名
      M. -H. Jung, G. -H. Park, T. Yoshida, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Proceeding of the IEEE

      巻: 101 号: 7 ページ: 1603-1608

    • DOI

      10.1109/jproc.2013.2258651

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] Graphene-Channel FETs with DLC gate insulator for Photonic Frequency Double-Mixing Conversion over the Sub-THz Band2013

    • 著者名/発表者名
      T. Kawasaki, T. Eto, K. Kojima, Y. Kurita, Y. Yabe, H. Sugiyama, T. Watanabe, A. Dobroiu, S. Takabayashi, Y. Fukada, J. Kani, J. Terada, N. Yoshimoto, T. Suemitsu, V. Ryzhii, K. Iwatsuki, T. Otsuji
    • 雑誌名

      RPGR2013 : Recent Progress on Graphene Research

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Surface Energy Anisotropy of Clean and Hydrodgen Covered 3C-SiC Surfaces2013

    • 著者名/発表者名
      S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu, S. Jiao, S. Sambonsuge and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      ACSIN-12&ICSPM21

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene FETs : Issues and Prospects2013

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 雑誌名

      AMFPD13 (The twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices)

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Low-temperature Formation of Epitaxial Graphene On Silicon Substrate Using Ni silicidation2013

    • 著者名/発表者名
      長谷川美佳, 菅原健太, 三本菅正太, 原本直樹, 須藤亮太, 吹留博一, 長澤弘幸, 末光眞希
    • 雑誌名

      第74回応用物理学会秋季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 微細加工基板へのグラフェンのエピ成長による擬電磁場の創出2013

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、小嗣真人、川合祐輔、井出隆之、大河内拓雄、木下豊彦、末光眞希
    • 雑誌名

      表面科学

      巻: 34 号: 7 ページ: 380-384

    • DOI

      10.1380/jsssj.34.380

    • NAID

      10031184986

    • ISSN
      0388-5321, 1881-4743
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23560003
  • [雑誌論文] グラフェン上Al203ゲート絶縁膜中の「その場」ラマン分光観察2013

    • 著者名/発表者名
      須藤亮太, 佐藤 良, 吹留博一, 末光眞希
    • 雑誌名

      第74回応用物理学会秋季学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Orbital-specific Tunability of Many-Body Effects in Bilayer Graphene by Gate Bias and Metal Contact,Orbital-specific Tunability of Many-Body Effects in Bilayer Graphene by Gate Bias and Metal Contact2013

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Kosuke Nagashio, Ryo Sato, Takuo Ohkochi, Takashi Itoh, Akira Toriumi, Maki Suemitsu & Toyohiko Kinoshita
    • 雑誌名

      Scientific Report

      巻: 4 号: 1 ページ: 3713-3713

    • DOI

      10.1038/srep03713

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] Coherent nanoscale optical-phonon wave packet in graphene layers2013

    • 著者名/発表者名
      I. Katayama, K. Sato, S. Koga, J. Takeda, S. Hishita, H. Fukidome, M. Suemitsu, and M. Kitajim
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 88 号: 24

    • DOI

      10.1103/physrevb.88.245406

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23241034, KAKENHI-PUBLICLY-25104712, KAKENHI-PROJECT-25800177
  • [雑誌論文] Emerging graphene-based electronic & photonic devices, circuits, and systems2013

    • 著者名/発表者名
      Towe E., Palacios, T. Suemitsu, M.
    • 雑誌名

      Proceeding of the IEEE

      巻: 101 号: 7 ページ: 1518-1521

    • DOI

      10.1109/jproc.2013.2263615

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] 微細加工基板へのグラフェンのエピ成長による擬電磁場の創出2013

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、小嗣真人、川合祐輔、井出隆之、大河内拓雄、木下豊彦、末光眞希
    • 雑誌名

      表面科学

      巻: 34 ページ: 380-384

    • NAID

      10031184986

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates : Current Status and Perspective2013

    • 著者名/発表者名
      Sai Jiao and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Energy Materials Nanotechnology (EMN) East Workshop

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Dielectric-tuned Diamondlike Carbon Materials for a High-performance Self-aligned Graphene-channel Field Effect Transistor2012

    • 著者名/発表者名
      S. Takabayashi, M. Yang, S. Ogawa, Y. Takakuwa, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      MRS Spring Meeting Proc.

      巻: 1451 ページ: 185-190

    • DOI

      10.1557/opl.2012.960

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24760247
  • [雑誌論文] Precise control of epitaxy of graphene by microfabricating SiC substrate2012

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, Y. Kawai, F. Fromm, M. Kotsugi, H. Handa, T. Ide, T. Ohkouchi, H. Miyashita, Y. Enta, T. Kinoshita, Th. Seyller, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Spectroscopic study on ultrafast carrier dynamics and terahertz amplified stimulated emission in optically pumped graphene2012

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, S. Boubanga-Tombet, A. Satou, M. Suemitsu, and V. Ryzhii
    • 雑誌名

      J. Infrared Milli. Terhertz Waves

      巻: 33 号: 8 ページ: 825-838

    • DOI

      10.1007/s10762-012-9908-8

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Carrier remote doping effect in graphene-channel FET’s with diamondlike carbon gate dielectrics2012

    • 著者名/発表者名
      S. Takabayashi, M. Yang, T. Eto, H. Hayashi, S. Ogawa, Y. Takakuwa, T. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 雑誌名

      ISGD: International Symposium on Graphene Devices

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Oxygen-plasma formation of alumina for a gate dielectric in graphene field effect transistors2012

    • 著者名/発表者名
      G.H. Park, M.H. Jung, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu
    • 雑誌名

      ISGD: International Symposium on Graphene Devices

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET2012

    • 著者名/発表者名
      鷹林 将・楊 猛・小川修一・林 広幸・栗田裕記・高桑雄二・末光哲也・尾辻泰一
    • 雑誌名

      信学会電子デバイス研究会, 信学技報

      巻: 112 ページ: 67-72

    • NAID

      110009626397

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene-based devices in terahertz science and technology2012

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, S. A. Boubanga Tombet, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, E. Sano, V. Popov, M. Ryzhii, and V. Ryzhii
    • 雑誌名

      J. Phys. D: Applied Physics (招待論文)

      巻: 45 号: 30 ページ: 303001-303001

    • DOI

      10.1088/0022-3727/45/30/303001

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23760300, KAKENHI-PUBLICLY-23104515
  • [雑誌論文] グラフェン/SiC/SiバックゲートFET特性とSiC層厚の関係2012

    • 著者名/発表者名
      江藤隆紀,鷹林将,三本菅正太,猪俣州哉,吹留博一,末光眞希,末光哲也,尾辻泰一
    • 雑誌名

      第73回応用物理学会学術講演会

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Improvement in Film Quality of Epitaxial Graphene on SiC(111)/Si(111) by SiH4 Pretreatment2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Sanbonsuge, Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 6S ページ: 06FD10-06FD10

    • DOI

      10.1143/jjap.51.06fd10

    • NAID

      210000140726

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Graphene materials and devices in terahertz science and technology2012

    • 著者名/発表者名
      T. Otsuji, S. A. Boubanga Tombet, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, E. Sano, V. Popov, M. Ryzhii, and V. Ryzhii
    • 雑誌名

      MRS Bulletin

      巻: 37 号: 12 ページ: 1235-1243

    • DOI

      10.1557/mrs.2012.241

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-23760300
  • [雑誌論文] Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111) Thin Films on Microfabricated Si(111) Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 6S ページ: 06FD02-06FD02

    • DOI

      10.1143/jjap.51.06fd02

    • NAID

      210000140718

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Control of Electronic and Structural Properties of Epitaxial Graphene on 3C-SiC/Si and Its Device Applications2012

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, Y. Enta, T. Kinoshita, T. Suemitsu, T. Otsuji, and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      MRS Spring Meeting Proc.

      巻: 1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [雑誌論文] Synthesis of diamond-like carbon films on Si substrates by photoemission-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition2012

    • 著者名/発表者名
      M. Yang, S. Ogawa, S. Takabayashi, T. Otsuji, and Y. Takakuwa
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 523 ページ: 25-28

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2012.05.059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-24760247
  • [雑誌論文] Transmission-electron-microscopy observations on the growth of epitaxial graphene on 3C-SiC(110) and 3C-SiC(110) virtual substrates2011

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Handa, Shun Ito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 711 ページ: 242-245

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy and Raman-Scattering Spectroscopy Observation on the Interface Structure of Graphene Formed on Si Substrates with Various Orientations2011

    • 著者名/発表者名
      H. Handa, R. Takahashi, S. Abe, K. Imaizumi, E. Saito, M. H. Jung, S. Ito, H. Fukidome and M. Suemitsu
    • 雑誌名

      JJAP

      巻: 50巻

    • NAID

      210000070339

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Controls over Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on Silicon using Surface Termination of 3C-SiC(111)/Si2011

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Shunsuke Abe, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Syuya Inomata, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Yoshiharu Enta, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Toyohiko Kinoshita, Shun Ito, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Appled Phsics Express

      巻: 4巻

    • NAID

      10030153776

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Temperature-Programmed Desorption Observation of Graphene-on-silicon Process2011

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      JJAP

      巻: 50巻

    • NAID

      210000139163

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Step bunching and step "rotation" in homoepitaxial growth of Si on Si(110)-16×22011

    • 著者名/発表者名
      Arnold Alguno, Sergey N.Filimonov, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Surface Science

      巻: 605 ページ: 838-843

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Transmission-electron-microscopy observations on the growth of epitaxial graphene on 3C-SiC(110)and 3C-SiC(100)virtual substrates2011

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Handa, Shun Ito, Hirokazu Fukidome and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 711巻 ページ: 242-245

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Temperature-Programmed Desorption Observation of Graphene-on-ilicon Process2011

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 号: 7R ページ: 070102-070102

    • DOI

      10.1143/jjap.50.070102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017, KAKENHI-PUBLICLY-23104515
  • [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy and Raman-Scattering Spectroscopy Observation on the Interface Structure of Graphene Formed on Si Substrates with Various Orientations2011

    • 著者名/発表者名
      H.Handa, R.Takahashi, S.Abe, K.Imaizumi, E.Saito, M.H.Jung, S.Ito, H.Fukidome, M.Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50

    • NAID

      210000070339

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Controls over Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on Silicon using Surface Termination of 3C-SiC(111)/Si2011

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Shunsuke Abe, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Syuya Inomata, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Yoshiharu Enta, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Toyohiko Kinoshita, Shun Ito, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Appled Phsics Express

      巻: 4

    • NAID

      10030153776

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Growth Rate Anomaly in Ultralow-Pressure Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on Si(001)Using Monomethylsilane2011

    • 著者名/発表者名
      Eiji Saito, Sergey N. Filimonov, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      JJAP

      巻: 50巻

    • NAID

      40017446817

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Step bunching and step"rotation" in homoepitaxial growth of Si on Si(110)-16×22011

    • 著者名/発表者名
      Arnold Alguno, Sergey N. Filimonov, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Surface Science

      巻: 605巻 ページ: 838-843

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Growth Rate Anomaly in Ultralow-Pressure Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on Si(001) Using Monomethylsilane2011

    • 著者名/発表者名
      Eiji Saito, Sergey N.Filimonov, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50

    • NAID

      40017446817

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Epitaxial growth processes of graphene on silicon substrates2010

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, and Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      JJAP

      巻: 49巻

    • NAID

      210000067872

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Step bunching and step "rotation" inhomoepitaxial growth of Si on Si(110)-16×22010

    • 著者名/発表者名
      A.Alguno, S.N.Filimonov, M.Suemitsu
    • 雑誌名

      Surface Science 605巻

      ページ: 838-843

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206037
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth Processes of Graphene on Silicon Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 49

    • NAID

      210000067872

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [雑誌論文] Initial oxidation of Si(110) as studied by real-time synchrotron-radiation x-ray photoemission spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu, Y. Yamamoto, H. Togashi, Y. Enta, A. Yoshigoe, Y. Teraoka
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B 27

      ページ: 547-550

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] Initial oxidation of Si(110)as studied by real-time synchrotron-radiation x-ray photoemission spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu, Y. Yamamoto, H. Togashi, Y. Enta, A. Yoshigoe, Y. Teraoka
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol B27(1)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] Initial oxidation of Si(110) as studied by real-time synchrotron radiation x-ray photomission spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Suemitsu, Y.Yamamoto, H.Togashi, Y.Enta, Yoshigoe, Y.Teraoka
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 27巻

      ページ: 547-550

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206037
  • [雑誌論文] SR-PES and STM observation of metastable chemisorpion sate of oxygen Si(110)-16X2surface2008

    • 著者名/発表者名
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takahashi, Atsushi Konno, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Hidehito Asaoka, Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takahashi, Atsushi Konno, Yuden Teraoka, AkitakMaki Suemitsu
    • 雑誌名

      Appl. Sur. Sci. 254

      ページ: 6232-6234

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] Bonding Structure of Ultrathin Oxides on Si(110) Surface2008

    • 著者名/発表者名
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Maki Suemitsu, Yuzuru Narita, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium proceeding 1074

      ページ: 50-58

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] SR-PES and STM observation of metastable chemisorption state of oxygen on Si(110)-16x2 surface2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, H.Togashi,A.Kato, Y.Takahashi, A.Konno, Y.Teraoka, A.Yoshigoe, H.Asaoka, M.Suemitsu
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. 254

      ページ: 6232-6234

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310064
  • [雑誌論文] SR-PES and STM observation of metastable chemisorption state of oxygen on Si (110)-16×2 surface2008

    • 著者名/発表者名
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takahashi, Atsushi Konno, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Hidehito Asaoka, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 254

      ページ: 6232-6234

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] Bonding Structure of Ultrathin Oxides on Si(110)Surface2008

    • 著者名/発表者名
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Maki Suemitsu, Yuzuru Narita, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc.

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定2008

    • 著者名/発表者名
      山本喜久, 富樫秀晃, 今野篤史, 松本光正, 加藤篤, 齋藤英司, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告 108

      ページ: 65-70

    • NAID

      10030999395

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] SR-PES and STM observation of metastable chemisorption state of oxygen on Si(1 1 0)-16x2 surface2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, H. Togashi, A. Kato, Y. Takahashi, A. Konno, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, H. Asaoka, M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci

      巻: 254 号: 19 ページ: 6232-6234

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2008.02.148

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310064
  • [雑誌論文] Observation of Initial Oxidation on Si(110)-16×2 Surface by Scanning Tunneling Observation of Initial Oxidation on Si(110)-16×2Microscopy2007

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Togashi, Yuya Takahashi, Atsushi Konno, Hidehito Asaoka, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3239-3243

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] MoO_2方形断面ナノチューブ2007

    • 著者名/発表者名
      末光眞希, 及川大治, 半田浩之, 阿部俊三
    • 雑誌名

      応用物理学会応用電子物性分科会誌 13・1

      ページ: 22-24

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16655075
  • [雑誌論文] XPS and STM Studies on Initia1 Oxidation of Si(110)-16x22007

    • 著者名/発表者名
      末光 眞希
    • 雑誌名

      MRS Symposium H Proceedings 996

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] XPS and STM Studies on Initial Oxidation of Si(110)-16X22007

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takaghashi, Atsushi Konno, Yoshihisa Yamamoto, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Yuya Takaghashi, Atsushi Konno, Yoshihisa Yamamoto, YudeHidehito Asaoka
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 996H

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [雑誌論文] MoO_2 Hollow Fiber with Rectangular Cross Sections2005

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      JJAP PT2 Express Letters 44(15)(印刷中)

    • NAID

      10015474226

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16655075
  • [産業財産権] 半導体装置2016

    • 発明者名
      舘野泰範、末光眞希、吹留博一
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-058449
    • 出願年月日
      2016-04-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] SiC構造体およびその製造方法ならびに半導体装置2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、長澤弘幸、舘野泰範
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-172296
    • 出願年月日
      2016-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13353
  • [産業財産権] 電子素子及び製造法2016

    • 発明者名
      舘野泰範、末光眞希、吹留博一、長澤弘幸
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-036123
    • 出願年月日
      2016-02-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 電子素子及び製造法2016

    • 発明者名
      舘野泰範、末光眞希、吹留博一、長澤弘幸
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-036122
    • 出願年月日
      2016-02-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 積層体2016

    • 発明者名
      三橋史典、舘野泰範、末光眞希、吹留博一
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-083869
    • 出願年月日
      2016-04-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] グラフェントランジスタおよびその製造方法2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、舘野泰範、岡田政也
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-234207
    • 出願年月日
      2016-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 半導体装置2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、舘野泰範、岡田政也
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-217291
    • 出願年月日
      2016-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13353
  • [産業財産権] グラフェントランジスタおよびその製造方法2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、長澤弘幸、舘野泰範
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-141610
    • 出願年月日
      2016-07-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 半導体装置2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、舘野泰範、岡田政也
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-242417
    • 出願年月日
      2016-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13353
  • [産業財産権] グラフェントランジスタおよびその製造方法2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、舘野泰範、岡田政也
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-234207
    • 出願年月日
      2016-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13353
  • [産業財産権] SiC構造体およびその製造方法並びに半導体装置2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、長澤弘幸、舘野泰範
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-172296
    • 出願年月日
      2016-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 半導体装置2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、舘野泰範、岡田政也
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-217291
    • 出願年月日
      2016-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 積層体および電子素子2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、舘野泰範、岡田政也
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-234445
    • 出願年月日
      2016-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13353
  • [産業財産権] 積層装置2016

    • 発明者名
      三橋史典、舘野泰範、末光眞希、吹留博一
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-083868
    • 出願年月日
      2016-04-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 半導体装置2016

    • 発明者名
      舘野泰範、末光眞希、吹留博一
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-058450
    • 出願年月日
      2016-04-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 半導体装置2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、舘野泰範、岡田政也
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-242417
    • 出願年月日
      2016-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 積層体および電子素子2016

    • 発明者名
      末光真希、吹留博一、舘野泰範、岡田政也
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-234445
    • 出願年月日
      2016-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [産業財産権] 電子素子及び製造法2016

    • 発明者名
      舘野泰範、末光眞希、吹留博一、長澤弘幸
    • 権利者名
      国立大学法人東北大学、住友電気工業株式会社
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-036124
    • 出願年月日
      2016-02-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [学会発表] Epitaxial graphene growth in Ar/H2 ambient2018

    • 著者名/発表者名
      K. S. Kim, H. Fukidome, and M. Suemitsu
    • 学会等名
      The 8th edition of Graphene conference (June 2018).
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19065
  • [学会発表] Growth of high quality epitaxial graphene by modified hydrogen annealing2018

    • 著者名/発表者名
      K. S. Kim, H. Fukidome, and M. Suemitsu
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季講演会 (March 2018).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19065
  • [学会発表] Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, K. Omika, Y. Tateno, T. Kouchi, T. Komatani, N. Nagamura, S. Konno, Y. Takahashi, M. Kotsugi, K. Horiba, M. Suemitsu, M. Oshima
    • 学会等名
      ISSS-8
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03560
  • [学会発表] Gas-source MBE of cubic SiC on Si and formation of epitaxial graphene thereon2017

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISEG-2017
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19065
  • [学会発表] Simple formation of quasi-free-standing epitaxial graphene (QFSEG) using microwave annealing2017

    • 著者名/発表者名
      Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Takashi Someya, Takushi Iimori, Fumio Komori, Iwao Matsuda, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISEG-2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19065
  • [学会発表] Formation of Quasi-Free-standing Epitaxial Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing2017

    • 著者名/発表者名
      Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Carbon 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19065
  • [学会発表] ハイブリッドSiC基板を用いたSi終端SiC単結晶薄膜上高品質グラフェン成長2016

    • 著者名/発表者名
      遠藤 則史、秋山 昌次、田島 圭一郎、末光 眞希、小西 繁、茂木 弘、川合 信、久保田 芳宏、堀場 弘司、組頭 広志、吹留 博一
    • 学会等名
      第77会応用物理学会講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13353
  • [学会発表] Si基板上3C-SiCヘテロエピ成長とエピタキシャルグラフェン2016

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第8回九大グラフェン研究会
    • 発表場所
      九州大学(福岡県春日市)
    • 年月日
      2016-01-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Recent Progress in the Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC/Si Substrates2016

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Phoenix Convention Center (Pheonix, AZ, USA)
    • 年月日
      2016-03-31
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] グラフェンFETにおける真性トランジスタパラメータ抽出用モデルの評価2016

    • 著者名/発表者名
      満塩純希, 玉虫元, 菅原健太, 佐藤昭, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻藤一
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区大岡山)
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Recent Progress in the Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC/Si Substrates2016

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Phoenix Convention Center (Pheonix, AZ, USA)
    • 年月日
      2016-03-31
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Recent Progress in the Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC/Si Substrates2016

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Phoenix Convention Center (Pheonix, AZ, USA)
    • 年月日
      2016-03-31
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] THz devices based on plasmons in 2D electron systems2016

    • 著者名/発表者名
      A. Satou, T. Watanabe, T. Suemitsu, V. Ryzhii, D. Fateev, V. V. Popov, and T. Otsuji
    • 学会等名
      XX International Symposium"Nanophysics & Nanoelectronics"
    • 発表場所
      The sanatorium "Motorist" (Nizhny Novgorod, Russia)
    • 年月日
      2016-03-16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Si基板上3C-SiCヘテロエビ成長とエピタキシャルグラフェン2016

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第8回九大グラフェン研究会
    • 発表場所
      九州大学(福岡県春日市)
    • 年月日
      2016-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構2015

    • 著者名/発表者名
      横山大、フィリモノフ セルゲイ、長澤弘幸、吹留博一、末光眞希
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Recent progress in epitaxial graphene on bulk and thin film SiC crystals2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      IEFM 2015: International symposium on emerging functional materials
    • 発表場所
      Songdo Convensia (Incheon, Korea)
    • 年月日
      2015-11-06
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] High carrier mobility graphene-channel FET using SiN gate stack2015

    • 著者名/発表者名
      G. Tamamushi, K. Sugawara, M. B. Hussin, T. Suemitsu, R. Suto, H. Fukidome, M. Suemitsu, and T. Otsuji
    • 学会等名
      CSW 2015 : Compound Semiconductor Week 2015, ISCS : The 42nd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      UCSB(米国カリフォルニア州サンタバーバラ市)
    • 年月日
      2015-06-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial graphene formation on SiC and on Si substrates2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      PSS 2015: Physical Sciences Symposia-2015
    • 発表場所
      Courtyard Marriott (Cambridge, MA, USA)
    • 年月日
      2015-09-22
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Epitaxial graphene formation on SiC and on Si substrates2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      PSS 2015: Physical Sciences Symposia-2015
    • 発表場所
      Courtyard Marriott (Cambridge, MA, USA)
    • 年月日
      2015-09-22
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出2015

    • 著者名/発表者名
      玉虫 元, 菅原 健太, 佐藤 昭, 田島 圭一郎, 吹留 博一, 末光 眞希, 尾辻 泰一
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      東北大学(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-12-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      SENM2015: the international conference on Smart Engineering of New Materials
    • 発表場所
      Andel's Hotel (Lodz, Poland)
    • 年月日
      2015-06-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      SENM2015: the international conference on Smart Engineering of New Materials
    • 発表場所
      Andel's Hotel (Lodz, Poland)
    • 年月日
      2015-06-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      SENM2015: the international conference on Smart Engineering of New Materials
    • 発表場所
      Andel's Hotel (Lodz, Poland)
    • 年月日
      2015-06-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Recent progress in epitaxial graphene on bulk and thin film SiC crystals2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      IEFM 2015: International symposium on emerging functional materials
    • 発表場所
      Songdo Convensia (Incheon, Korea)
    • 年月日
      2015-11-06
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] グラフェンチャネルFETにおける真性キャリア移動度の抽出2015

    • 著者名/発表者名
      玉虫 元, 菅原 健太, 吹留 博一, 末光 眞 希, 尾辻 泰一
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Recent progress in epitaxial graphene on bulk and thin film SiC crystals2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      IEFM 2015 : International symposium on emerging functional materials
    • 発表場所
      Songdo Convensia (Incheon, Korea)
    • 年月日
      2015-11-06
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial graphene formation on SiC and on Si substrates2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      PSS 2015 : Physical Sciences Symposia-2015
    • 発表場所
      Courtyard Marriott (Cambridge, MA, USA)
    • 年月日
      2015-09-22
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      SENM2015: the international conference on Smart Engineering of New Materials
    • 発表場所
      Andel's Hotel (Lodz, Poland)
    • 年月日
      2015-06-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      SENM2015 : the international conference on Smart Engineering of New
    • 発表場所
      Andel's Hotel (Lodz, Poland)
    • 年月日
      2015-06-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si (110)2015

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      SENM2015 : the international conference on Smart Engineering of New Materials
    • 発表場所
      Andel's Hotel (Lodz, Poland)
    • 年月日
      2015-06-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates: Tailoring the Properties through Crystal Faces2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'14)
    • 発表場所
      つくば,日本
    • 年月日
      2014-07-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Growth of epitaxial graphene on SiC and its application to FET2014

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2nd Malaysia Graphene and Carbon Nanotube Workshop (MGCW 2014)
    • 発表場所
      Kuala Lumpur, Malaysia
    • 年月日
      2014-10-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      EXMATEC 2014
    • 発表場所
      Delphi, Greece
    • 年月日
      2014-06-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] シリコン基板上3C-SiCのガスソースMBE成長とグラフェン・オン・シリコン技術2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第11回Cat-CVD研究会
    • 発表場所
      仙台,日本
    • 年月日
      2014-07-11
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Growth of epitaxial graphene on SiC and its application to FET2014

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2nd Malaysia Graphene and Carbon Nanotube Workshop (MGCW 2014)
    • 発表場所
      Kuala Lumpur, Malaysia
    • 年月日
      2014-10-20
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates: Tailoring the Properties through Crystal Faces2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'14)
    • 発表場所
      つくば,日本
    • 年月日
      2014-07-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] グラフェンのディスプレイ応用の可能性2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      CEATEC JAPAN 2014/電子ディスプレイ研究専門委員会(EID)
    • 発表場所
      幕張、千葉, 日本
    • 年月日
      2014-10-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon2014

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces
    • 発表場所
      Vladivostok, Russia
    • 年月日
      2014-09-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Growth of epitaxial graphene on SiC and its application to FET2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      2nd Malaysia Graphene and Carbon Nanotube Workshop (MGCW 2014)
    • 発表場所
      Kuala Lumpur, Malaysia
    • 年月日
      2014-10-20
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] グラフェンのディスプレイ応用の可能性2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      CEATEC JAPAN 2014/電子ディスプレイ研究専門委員会(EID)
    • 発表場所
      幕張、千葉,日本
    • 年月日
      2014-10-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates : Tailoring the Properties through Crystal Faces2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'14)
    • 発表場所
      つくば, 日本
    • 年月日
      2014-07-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using GSMBE and Formation of Epitaxial Graphene Thereon2014

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces
    • 発表場所
      Vladivostok, Russia
    • 年月日
      2014-09-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] シリコン基板上3C-SiCのガスソースMBE成長とグラフェン・オン・シリコン技術2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第11回Cat-CVD研究会
    • 発表場所
      仙台,日本
    • 年月日
      2014-07-11
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      EXMATEC 2014
    • 発表場所
      Delphi, Greece
    • 年月日
      2014-06-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] グラフェンのディスプレイ応用の可能性グラフェンのディスプレイ応用の可能性2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      CEATEC JAPAN 2014/電子ディスプレイ研究専門委員会(EID)
    • 発表場所
      幕張、千葉,日本
    • 年月日
      2014-10-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] シリコン基板上3C-SiCのガスソースMBE成長とグラフェン・オン・シリコン技術2014

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第11回Cat-CVD研究会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2014-07-11
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si and Formation of Epitaxial Graphene2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces
    • 発表場所
      Vladivostok, Russia
    • 年月日
      2014-09-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Graphene based Electronic & Photonic Devices, Circuits and Systems2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      EXMATEC 2014
    • 発表場所
      Delphi, Greece
    • 年月日
      2014-06-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] グラフェンデバイスの現状と課題2013

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      日本学術振興会 産学協力研究委員会ナノプローブテクノロジー第167委員会主催の第70回研究会「グラフェン・シリセン・CNT」
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2013-04-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial graphene formation on Si substrates : its history and current status・Session VII : Graohene Electronics, Plasmonics & Silicon Technology2013

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Physical Sciences Symposium-2013
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2013-09-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Heteroepitaxy of 3C-SiC and Formation of Epitaxial Graphene2013

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      半導体に関する日露合同セミナー
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2013-11-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Solution-Processed Al2O3 for a Gate Dielectric in Graphene Field Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      Goon-Ho Park, Won-Ju Cho and Maki Suemitsu
    • 学会等名
      TeraNano Student Seminar 2013
    • 発表場所
      ビュルツブルグ, ドイツ
    • 年月日
      2013-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Graphene FETs : Issues and Prospects2013

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      20 anniv. AMFPD13 (The twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2013-07-04
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Si基板上エピタキシャルグラフェンの放射光PES評価2013

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      平成24年度文部科学省ナノテクノロジプラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 「放射光実験設備利用講習会・放射光利用研究セミナー」
    • 発表場所
      大阪, 日本
    • 年月日
      2013-02-15
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長過程とグラフェン・オン・シリコン技術2013

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      徳島
    • 年月日
      2013-09-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Qualified Graphene-On-Silicon Formation Using 3C-SiC(111)/Si(110) Thick Film By Two-Step Growth2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Sambonsuge, Eiji Saito, Sergey Fimimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Controls of Structural, Electronic, and Pseudofield Properties of Epitaxial Graphene by Microfabrication2012

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Yusuke Kawai, Masato Kotsugi, Felix Fromm, Takayuki Ide, Takuo Ohkouchi, Hidetoshi Miyashita, Toyohiko Kinoshita, Maki Suemitsu1, Thomas Seyller
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) using monomethylsilane-based gas-source molecular-beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Sanbonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung,Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov, and Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ECSCRM2012 (9 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials
    • 発表場所
      サンクトペテルブルク, ロシア
    • 年月日
      2012-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] SiC薄膜を介したSi基板上エピタキシャルグラフェン製膜とグラフェンデバイス2012

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      光ナノサイエンス特別講演会
    • 発表場所
      奈良, 日本
    • 年月日
      2012-09-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial graphene on silicon2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome
    • 学会等名
      ANM2012(4th International Conference on Advanced Nano Materials)
    • 発表場所
      Chennai, India
    • 年月日
      2012-10-17
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Plasma-oxidized Al2O3 for Gate Dielectrics in Graphene Field Effect Transistors2012

    • 著者名/発表者名
      G.-H. Park, M.-H. Jung, S. Inomata, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji and M. Suemitsu
    • 学会等名
      MNC2012(25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference)
    • 発表場所
      神戸, 日本
    • 年月日
      2012-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] High Speed Graphene Field-effect Transistors Using Self-aligned Source and Drain Formation Technique2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Nano-S&T (Nano Sciences & Technologies2012)
    • 発表場所
      Qingdao, China
    • 年月日
      2012-10-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial growth of graphene on 3C-SiC thin film formed on Si substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      International Symposium on Surface Science (ISSS-6)
    • 発表場所
      東京(招待講演)
    • 年月日
      2012-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] Operando Analysis of Graphene Transistor by Soft X-ray 3D Scanning Photoelectron Microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Takayuki Ide, Maki Suemitsu, Kousuke Nagashio, Akira Toriumi and Masaharu Oshima
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 微細加工Si(100)基板上3C-SiC薄膜へのエピタキシャルグラフェン形成2012

    • 著者名/発表者名
      井出隆之,川合祐輔,宮下英俊,吹留博一,末光眞希
    • 学会等名
      2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山, 日本
    • 年月日
      2012-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] High Frequency Performance of Graphene Field-Effect Transistors with Extremely Small Access Length2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Terahertz Nanoscience (TeraNanoⅢ)
    • 発表場所
      ハワイ, 米国
    • 年月日
      2012-12-10
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間分解界面電子状態分析2012

    • 著者名/発表者名
      永村直佳、堀場弘司、豊田智史、黒角翔大、篠原稔宏、井出隆之、吹留博一、末光眞希、長汐晃輔、鳥海明、尾嶋正治
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxy Of Graphene On Si(100) And Si(111) Faces Simultaneously Formed On Si(100) Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Hirokazu Fukidome, Hidetoshi Miyashita,Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta,Toyohiko Kinoshita, Koji Horiba, Naoka Nagamura, Satoshi Toyoda,Toshihiro Shinohara, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] サーファクタントを利用したGe/Siヘテロ成長過程におけるストレス・表面構造の同時観察2012

    • 著者名/発表者名
      朝岡秀人、山崎竜也、社本真一、S. N. Filimonov、末光眞希
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310064
  • [学会発表] Modulation of Electronic and Vibrational Properties of Epitaxial Graphene by Spatially Confining Eptaxy2012

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, Y. Kawai, F. Fromm, M. Kosugi, T. Ide, T. Ohkouchi, H. Miyashita, Y. Enta, T. Kinoshita, T. Seyller, M. Suemitsu
    • 学会等名
      VAS14(14th International Conference on Vibrations at Surfaces)
    • 発表場所
      神戸, 日本
    • 年月日
      2012-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 微細加工Si(100)基板上エピタキシャルグラフェンの形成と物性評価2012

    • 著者名/発表者名
      井出隆之,川合祐輔,吹留博一,宮下英俊、小嗣正人、大河内拓雄、遠田義晴、木下豊彦、堀場弘司、永村直佳、篠原稔宏、尾嶋正治、末光眞希
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 微傾斜Si(111)基板を用いたグラフェン・オン・シリコン2012

    • 著者名/発表者名
      Naoki Haramoto,Syuya Inomata,Shota Sanbonsuge,Akitaka Yoshigoe,Yuden Teraoka,Hirokazu Fukidome,Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山, 日本
    • 年月日
      2012-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Definite Observation of Interfacial Charge Transfer in Graphene Transistor by Using Soft X-ray 3D Scanning Photoelectron Microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Satoshi Toyoda, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Takayuki Ide, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi, and Masaharu Oshima
    • 学会等名
      SSDM (2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      京都, 日本
    • 年月日
      2012-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 微傾斜Si(111)基板上エピタキシャルグラフェン成長2012

    • 著者名/発表者名
      原本直樹、猪俣州哉、高橋良太、吉越章隆、寺岡有殿、吹留博一、末光眞希
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] In situ Observation of Graphene during Gate Oxide Formation using Raman Spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      R. Sato, H. Fukidome and M. Suemitsu
    • 学会等名
      MNC2012 (25th International Microprocesses and Nanoetechnology Conference)
    • 発表場所
      神戸, 日本
    • 年月日
      2012-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Improvement Of Epitaxial Graphene On Silicon By Use Of Vicinal Si (111) Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Naoki Haramoto, Syuya Inomata, Ryota Takahashi, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Hirokazu Hukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 3C-SiC(111)/Si(111)薄膜上グラフェンの電子構造の評価2012

    • 著者名/発表者名
      猪俣州哉、半田浩之、高橋良太、今泉京、原本直樹、吹留博一、末光眞希
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)の厚膜化による高品質グラフェン形成2012

    • 著者名/発表者名
      Shota Sanbonsuge, Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山, 日本
    • 年月日
      2012-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Electronic structure observations of graphene on 3C-SiC(111)/Si(111)2012

    • 著者名/発表者名
      Syuya Inomata, Ryota Takahashi, Hiroyuki Handa, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] In-situ Raman Observation of Graphene during Formation of Al-oxide Gate Dielectrics2012

    • 著者名/発表者名
      Ryo Sato, Hirokazu fukidome,Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御2012

    • 著者名/発表者名
      吹留博一,川合祐輔, 末光眞希
    • 学会等名
      電子デバイス研究会(ED)
    • 発表場所
      山形, 日本
    • 年月日
      2012-04-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] High-rate rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu, Shota Sanbonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov
    • 学会等名
      ECSCRM2012 (9 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials
    • 発表場所
      サンクトペテルブルク, ロシア
    • 年月日
      2012-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC/Si Thin Films2012

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      ISGD-3(3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices)
    • 発表場所
      サン・トーバン, フランス
    • 年月日
      2012-11-08
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] THz Coherent Phonons in Graphene on Silicon2012

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu, M. H. Jung and H. Fukidome (Tohoku Univ.), I. Katayama, J. Takeda(Yokohama National Univ.), M. Kitajima (National Defense Academy)
    • 学会等名
      第2回テラヘルツナノ科学国際会議(2nd International Symposium on Terahertz Nanoscience)
    • 発表場所
      沖縄
    • 年月日
      2012-07-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] 界面応力制御によるグラフェンの擬スカラーポテンシャルの創出2012

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、川合祐輔、フロムフェリックス、小嗣真人、半田浩之、井出隆之、大河内拓雄、宮下英俊、遠田義晴、木下豊彦、トーマスザイラー、末光眞希
    • 学会等名
      第32回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      仙台, 日本
    • 年月日
      2012-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Tunable electronic structure of epitaxial graphene formed on silicon substrates2011

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu, and Hirokazu Fukidome
    • 学会等名
      3rd Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG3)
    • 発表場所
      Florida
    • 年月日
      2011-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] Novel epitaxy of graphene using substrate microfabrication2011

    • 著者名/発表者名
      H.Fukidome, M.Kotsugi, T.Ohokuchi, T.Kinoshita, Th.Seyller, K.Horn, Y.Kawai, M.Suemitsu, Y.Watanabe
    • 学会等名
      APS March Meeting 2011
    • 発表場所
      Dallas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] Growth of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      HeteroSiC-WASMPE 2011
    • 発表場所
      Tours, France
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] XTEM characterization of epitaxial graphene formed on non-basal SiC surfaces2011

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011
    • 発表場所
      島根県松江市
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Tunable electronic structure of epitaxial graphene formed on silicon substrates2011

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome
    • 学会等名
      3rd Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG3)
    • 発表場所
      Florida (USA)(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] SiC薄膜を介したSi基板上エピタキシャルグラフェンの形成2011

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第31回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      東京都江戸川区(招待)
    • 年月日
      2011-12-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Epitaxial growth of graphene on 3C-SiC thin film formed on Si substrates2011

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 学会等名
      International Symposium on Surface Science(ISSS-6)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2011-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] Growth of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu, Hiroyuki Handa, Shun Ito, and Hirokazu Fukidome
    • 学会等名
      HeteroSiC-WASMPE2011
    • 発表場所
      Tours
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] グラフェンのエピタキシャル成長法2011

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      応用物理学会第49回応用物理学会スクール-グラフェンの基礎から応用まで
    • 発表場所
      山形県山形市(invited)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Graphene/SiC/Si FETs with SiCN Gate Stack2011

    • 著者名/発表者名
      末光哲也
    • 学会等名
      220th ECS Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2011-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23000008
  • [学会発表] Formation of Epitaxial Graphene on Mesa-patterned SiC Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      H. Handa, R. Takahashi, K. Imaizumi, Y. Kawai, H. Fukidome, Y. Enta, M. Suemitsu, M. Kotsugi, T. Ohkochi, Y. Watanabe, T. Kinoshita
    • 学会等名
      23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2010-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] Si(111) "Growth on 3C-SiC(111)/Si(110) by using Monomethylsilane and Disilane"2010

    • 著者名/発表者名
      R.Bantaculo, E.Saitoh, Y.Miyamoto, H.Handa, M.Suemitsu
    • 学会等名
      18th International Vacuum Congress (ICV-18)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206037
  • [学会発表] Nanoscale Control of Structure of Epitaxial Graphene by Using Substrate Microfabrication2010

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Yusuke Kawai, Takuo Ohkouchi, Thomas Seyller, Karsten Horn, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Yoshiharu Enta, Maki Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Graphene Devices
    • 発表場所
      仙台
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] CONTROL OF STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF EPITAXIAL GRAPHENE BY CRYSTALLOGRAHIC ORIENTATION OF Si SUBSTRATE2010

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Yusuke Kawai, Takuo Ohkouchi, Thomas Seyller, Karsten Horn, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Yoshiharu Enta, Maki Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Graphene Devices
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2010-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] 光電子分光と基板曲率測定によるSi(110)初期酸化過程の評価2009

    • 著者名/発表者名
      山本喜久,鈴木康,宮本優,ローランド・バンタクロー,末光眞希,遠田義晴,寺岡有殿,吉越章隆,朝岡秀人,山崎竜也
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会
    • 発表場所
      静岡
    • 年月日
      2009-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310064
  • [学会発表] Formation of Epitaxial Graphene on Silicon Substrates via a SiC Ultrathin Film2009

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      SICC-6
    • 発表場所
      Singapore、Singapore
    • 年月日
      2009-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] Surface stress relief in Bi-mediated Ge growth on Si2009

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto, S. Filimonov, M. Suemitsu
    • 学会等名
      36^<th> Korean Vacuum Society meeting
    • 発表場所
      Seoul
    • 年月日
      2009-02-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310064
  • [学会発表] Si系薄膜の成膜機構の原子・分子レベルでの解明と低温・高品質形成を実現する新たな成膜技術の創生2009

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      第50回真空に関する連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2009-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] Formation of Epitaxial Graphene on Silicon Substrates via a SiC Ultrathin Film2009

    • 著者名/発表者名
      Maki Suemitsu
    • 発表場所
      シンガポール
    • 年月日
      2009-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360017
  • [学会発表] Surface stress relief in Bi-mediated Ge growth on Si2009

    • 著者名/発表者名
      朝岡秀人, T.Yamazaki, S.Shamoto, S.Filimonov, M.Suemitsu
    • 学会等名
      36th Korean Vacuum Society meeting
    • 発表場所
      Seoul
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310064
  • [学会発表] Chemical Composition of Ge(Si)Islands on Si(100)substrate capped with Si2009

    • 著者名/発表者名
      A.Arnold, Y.Enta, M.Suemitsu, M.Kotsugi, T.Ohkochi, T.Kinoshita, Y.Watanabe
    • 学会等名
      IWES2009
    • 発表場所
      松島
    • 年月日
      2009-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20656007
  • [学会発表] SR-PESとSTMによるSi(110)-16×2室温酸化表面上の準安定状態の観察2008

    • 著者名/発表者名
      富樫秀晃, 山本喜久, 後藤成一, 高橋裕也, 中野卓哉, 今野篤史, 末光眞希, 朝岡秀人, 吉越章隆
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      千葉
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定2008

    • 著者名/発表者名
      山本喜久, 富樫秀晃, 今野篤史, 松本光正, 加藤篤, 齋藤英司, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 年月日
      2008-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] BiサーファクタントGe成長過程のストレス・RHEEDその場観察2008

    • 著者名/発表者名
      朝岡秀人、山崎竜也、社本真一、S. N. Filimonov、末光眞希
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310064
  • [学会発表] Si(110)面上1原子層酸化膜の形成過程とその界面結合状態2008

    • 著者名/発表者名
      山本喜久, 富樫秀晃, 加末光眞希, 成田克, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      千葉
    • 年月日
      2008-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Si(110)初期酸化時の化学結合状態および基板曲率のリアルタイム計測2008

    • 著者名/発表者名
      末光眞希, 遠田義晴, 寺岡有殿, 吉越章越, 朝末光眞希, 遠田義晴岡秀人, 山崎竜也
    • 学会等名
      第63回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      宮城
    • 年月日
      2008-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Si(110)-16×2面上極薄酸化膜形成過程とその界面構造2008

    • 著者名/発表者名
      山本喜久, 富樫秀晃, 加藤篤, 末光眞希, 成田克, 吉越章隆, 寺岡有殿
    • 学会等名
      第13回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
    • 発表場所
      静岡
    • 年月日
      2008-01-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Si(110)表面酸化・準安定吸着状態のSR-PES観察2008

    • 著者名/発表者名
      山本喜久, 富樫秀晃, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • 学会等名
      第3回JAEA放射光科学研究シンポジウム
    • 発表場所
      兵庫
    • 年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Si(110)面上1原子層酸化膜の結合状態のSR-PESによる評価2008

    • 著者名/発表者名
      山本喜久, 富樫秀晃, 今野篤史, 松本光正, 加藤篤, 齋藤英司, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2008-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Si(110)初期酸化時の化学結合状態および基板曲率のリアルタイム計測2008

    • 著者名/発表者名
      山本喜久,鈴木康,宮本優,ローランド・バンタクロー,末光眞希,遠田義晴、寺岡有殿,吉越章隆,朝岡秀人,山崎竜也
    • 学会等名
      第63回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      宮城
    • 年月日
      2008-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310064
  • [学会発表] Bonding Structure of Ultrathin Oxides on Si(110)Surface2008

    • 著者名/発表者名
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Maki Suemitsu, Yuzuru Narita, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe
    • 学会等名
      2008 Materials Research Society(MRS)Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco(USA)
    • 年月日
      2008-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] SR-PES Observation of Metastable Chemisorption State of Oxygen on Si(110)-16×2 Surface2007

    • 著者名/発表者名
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Satoshi Hasegawa, Takuya NakanoSeiichi Goto, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-V)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Si(110)-16×2表面の急速初期酸化現象と表面再配列2007

    • 著者名/発表者名
      富樫秀晃, 山本喜久, 後藤成一, 高橋裕也, 中野卓哉, 今野篤史, 末光眞希, 朝岡秀人, 吉越章隆, 寺岡有殿
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道
    • 年月日
      2007-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Metastable Chemisorption State of Oxygeon Si(110)-16×2 Surface Observed by SR-PES2007

    • 著者名/発表者名
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Konno, Satoshi Hasegawa, Takuya Nakano, Seiichi Goto, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 年月日
      2007-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Real-time monitoring of initial oxidation of Si(110)-16×2 surface by Si 2p Photoemission spectroscopy2007

    • 著者名/発表者名
      Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Konno, Satoshi Hasegawa, Seiiti Goto, Takuya Nakano, Maki Suemitsu, Yuzuru Narita, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid StateDevice and Materialis
    • 発表場所
      Ibarak
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] Effects of Threshold Voltage Fluctuations on Stability of MOS Current Mode Logic Inverter Circuit2007

    • 著者名/発表者名
      K. Suzuki, H. Na, Y. Narita, H. Nakazawa, T. Itoh, K. Yasui, M. Suemitsu and T. Endoh
    • 学会等名
      IEEE, IMFEDK2007
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2007-04-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206037
  • [学会発表] Si(110)-16×2面のリアルタイムSR-XPS観測と自己触媒反応モデル2007

    • 著者名/発表者名
      山本喜久, 富樫秀晃, 今野篤史, 加藤篤, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道
    • 年月日
      2007-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360015
  • [学会発表] グラフェンのオペランド・ナノ X線吸収分光

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、小嗣真人、長汐晃輔、佐藤 良、大河内拓雄 、木下豊彦、伊藤隆、鳥海 明、末光眞希
    • 学会等名
      第9回顕微ナノ材料科学研究会/放射光表面科学研究部会合同シンポジウム
    • 発表場所
      仙台
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] 微細加工Si(100), Si(111)上エピタキシャルグラフェンの電子状態観察

    • 著者名/発表者名
      田島圭一郎,井出隆之, 川合祐輔, 堀場弘司, 永村直佳, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希
    • 学会等名
      第9回顕微ナノ材料科学研究会/放射光表面科学研究部会合同シンポジウム
    • 発表場所
      仙台
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] 微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価

    • 著者名/発表者名
      原本 直樹、長澤 弘幸、伊藤 俊、吹留 博一、末光 眞希
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      浦和
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Microscopic Control of structural and electronic properties of Graphene by growing on SiC thin film on a microfabricated Si substrate

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, T. Ide, Y. Kawai, M. Suemitsu, T. Ohkouchi, M. Kotsugi, T. Kinoshita, T. Shinohara, N. Nagamura, S. Toyoda, K. Horiba, M. Oshima
    • 学会等名
      Graphene Week 2013
    • 発表場所
      Chemnitz, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AlN/Si heterostructure

    • 著者名/発表者名
      S. Jiao, Y. Murakami, Y. Tateno, T. Nakabayashi, H. Fukidome, and M. Suemitsu
    • 学会等名
      HeteroSic-WASMPE2013
    • 発表場所
      Nice, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Si(110)基板上3C-SiC(111)結晶方位回転エピ膜の断面TEM評価

    • 著者名/発表者名
      三本菅 正太、長澤 弘幸、伊藤 駿、吹留 博一、末光 眞希
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      浦和
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates: Current Status and Perspective

    • 著者名/発表者名
      Sai JIAO, Maki Suemitsu
    • 学会等名
      Energy Materials Nanotechnology(EMN) East Workshop
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] 微細加工Si(100), Si(111)基板上エピタキシャルグラフェンの物性評価

    • 著者名/発表者名
      田島圭一郎、末光眞希、吹留博一,川合祐輔、尾嶋正治、堀場弘司、永村直佳、井出隆之
    • 学会等名
      第54回真空に関する連合講演会
    • 発表場所
      つくば
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] From 3C-SiC growth to graphene formation using 4H-AlN(0001)/Si(111) heterostructure

    • 著者名/発表者名
      Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi and Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si and Formation of Epitaxial Graphene

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      半導体に関する日露合同セミナー
    • 発表場所
      仙台
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Si(110)基板上3C-SiC(111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM 評価

    • 著者名/発表者名
      三本菅 正太,長澤 弘幸,Sergey Filimonov ,伊藤 駿,吹留 博一,末光 眞希
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Epitaxial graphene formation on Si substrates: its history and current status

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      Physical Sciences Symposium-2013, Session VII:Graphene Electronics, Plasmonics & Silicon Technology
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] XRD and Raman-Spectroscopic Evaluation of Graphene on 3C-SiC(111)/Vicinal Si(111) Substrate

    • 著者名/発表者名
      Naoki Haramoto, S. Inomata, S. Sambonsuge, H. Fukidome and M. Suemitsu","Naoki Haramoto, S. Inomata, S. Sambonsuge, H. Fukidome and M. Suemitsu
    • 学会等名
      ALC'13
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates

    • 著者名/発表者名
      S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, and M. Suemitsu
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      宮崎
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si and Formation of Epitaxial Graphene

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      半導体に関する日露合同セミナー
    • 発表場所
      仙台
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates

    • 著者名/発表者名
      S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, and M. Suemitsu
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      宮崎
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Surface Energy Anisotropy of Clean and Hydrodgen Covered 3C-SiC Surfaces

    • 著者名/発表者名
      S.N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu, S. Jiao, S. Sambonsuge and M. Suemitsu
    • 学会等名
      ACSIN-12&ICSPM21
    • 発表場所
      つくば
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] Si(110)基板上3C-SiC(111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM 評価

    • 著者名/発表者名
      三本菅 正太,長澤 弘幸,Sergey Filimonov ,伊藤 駿,吹留 博一,末光 眞希
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Si(110)基板上3C-SiC(111)結晶方位回転エピ膜の断面TEM評価

    • 著者名/発表者名
      三本菅 正太、長澤 弘幸、伊藤 駿、吹留 博一、末光 眞希
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      浦和
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] グラフェンデバイスの現状と課題

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      日本学術振興会 産学協力研究委員会 ナノプローブテクノロジー第167委員会第70回研究会「グラフェン・シリセン・CNT」
    • 発表場所
      東京
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] XRD and Raman-Spectroscopic Evaluation of Graphene on 3C-SiC(111)/Vicinal Si(111) Substrate

    • 著者名/発表者名
      N. Haramoto, S. Inomata, S. Sambonsuge, H. Fukidome and M. Suemitsu
    • 学会等名
      ALC'13
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AlN/Si heterostructure

    • 著者名/発表者名
      S. Jiao, Y. Murakami, Y. Tateno, T. Nakabayashi, H. Fukidome, and M. Suemitsu
    • 学会等名
      HeteroSic-WASMPE2013
    • 発表場所
      Nice, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] 微傾斜Si(111)基板使用によるSi基板上エピタキシャルグラフェンの高品質化

    • 著者名/発表者名
      原本直樹,猪俣州哉,三本菅正太,吹留博一,末光眞希
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Graphene FETs: Issues and Prospects

    • 著者名/発表者名
      M. Suemitsu
    • 学会等名
      AMFPD13 (The twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices)
    • 発表場所
      京都
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] 微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価

    • 著者名/発表者名
      原本 直樹、長澤 弘幸、伊藤 俊、吹留 博一、末光 眞希
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      浦和
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] 3C-SiC/Si(111)ヘテロエピタキシャル界面から発生する積層欠陥の抑制

    • 著者名/発表者名
      細谷友崇、三本菅正太、長澤弘幸、伊藤俊、吹留博一、末光眞希
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      浦和
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600091
  • [学会発表] 3C-SiC/Si(111)ヘテロエピタキシャル界面から発生する積層欠陥の抑制

    • 著者名/発表者名
      細谷友崇、三本菅正太、長澤弘幸、伊藤俊、吹留博一、末光眞希
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      浦和
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Microscopic Control of Epitaxial Graphene on SiC(111) and SiC(100) Thin Films on a Microfabricated Si(100) Substrate

    • 著者名/発表者名
      H. Fukidome, T. Ide, M. Suemitsu, Y. Kawai, T. Ohkouchi, M. Kotsugi, T. Kinoshita, T. Shinohara, N. Nagamura, S. Toyoda, K. Horiba, M. Oshima
    • 学会等名
      AVS 60th International Symposium & Exhibition
    • 発表場所
      Los Angels, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長過程とグラフェン・オン・シリコン技術

    • 著者名/発表者名
      末光眞希
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      徳島
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] From 3C-SiC growth to graphene formation using 4H-AlN(0001)/Si(111) heterostructure

    • 著者名/発表者名
      Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi and Maki Suemitsu
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • [学会発表] Surface Energy Anisotropy of Clean and Hydrodgen Covered 3C-SiC Surfaces

    • 著者名/発表者名
      S.N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu, S. Jiao, S. Sambonsuge and M. Suemitsu
    • 学会等名
      ACSIN-12&ICSPM21
    • 発表場所
      つくば
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286053
  • 1.  吹留 博一 (10342841)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 120件
  • 2.  遠田 義晴 (20232986)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 6件
  • 3.  庭野 道夫 (20134075)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  朝岡 秀人 (40370340)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 14件
  • 5.  遠藤 哲郎 (00271990)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 6.  宮本 信雄 (00006222)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  知京 豊裕 (10354333)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  中山 隆史 (70189075)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  山田 啓作 (30386734)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  品田 賢宏 (30329099)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  寺岡 有殿 (10343922)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 21件
  • 12.  山田 洋一 (20435598)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  山崎 竜也 (30465992)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 14.  社本 真一 (90235698)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 15.  豊島 安健 (90357583)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  焦 賽 (80710475)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 17.  長澤 弘幸 (60649367)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 18.  尾辻 泰一 (40315172)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 50件
  • 19.  ヴィクトール リズィー (90254078)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  末光 哲也 (90447186)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 139件
  • 21.  佐藤 昭 (70510410)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 16件
  • 22.  佐野 栄一 (10333650)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 23.  マキシム リズィー (50254082)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  櫛引 淳一 (50108578)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  松本 泰 (20312598)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  小野 雄 (70271880)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  宇佐美 徳隆 (20262107)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  黄 晋二 (50323663)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  尾鍋 研太郎 (50204227)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  中川 清和 (40324181)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  長田 俊人 (00192526)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  櫻庭 政夫 (30271993)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  阿部 俊三 (10118341)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 35.  渡辺 隆之
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 36.  ボーバンガ-トンベット ステファン
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 37.  鷹林 将
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件
  • 38.  高桑 雄二
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 39.  吾郷 浩樹
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 40.  河原 憲治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 41.  ドゥビノフ アレクサンダー
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 42.  ポポフ ヴィチェスラブ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 11件
  • 43.  スヴィンツォフ ディミトリ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 44.  ミティン ウラジミール
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 45.  シュール マイケル
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 46.  渡辺 文夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 47.  宮本 和夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 48.  中澤 日出樹
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 49.  片山 竜二
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 50.  SCHWAB Claud
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 51.  CLAUDE Schwab
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 52.  築舘 厳和
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 53.  山末 耕平
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 54.  RYZHII Victor
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 9件
  • 55.  マキシム リズイー
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 9件
  • 56.  吉越 章隆
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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