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丹保 豊和  TAMBO Toyokazu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00167511
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1998年度 – 2000年度: 富山大学, 工学部, 助教授
1992年度: 富山大学, 工学部, 講師
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性
研究代表者以外
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
不動態化 / ヘテロ界面 / ガリウム砒素 / ガリウムセレン / 層状半導体
研究代表者以外
surface phase diagram / heteroepitaxial growth / indium antimonide / surface reconstruction / Sequential deposition … もっと見る / antimony / indium / Si substrates / 吸着率 / 交互吸着 / 相図 / 単分子薄膜 / 表面相図 / ヘテロエピタキシャル成長 / インジゥムアンチモン / 表面再構成構造 / 逐次吸着 / アンチモン / インジゥム / シリコン基板 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  Si基板上の表面再構成構造とInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長

    • 研究代表者
      龍山 智栄
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      富山大学
  •  3-5族半導体と3-6族層状半導体のヘテロ界面形成とその物性研究代表者

    • 研究代表者
      丹保 豊和
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      富山大学
  • 1.  龍山 智栄 (90019208)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  上羽 弘 (70019214)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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