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高野 泰  TAKANO Yasushi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00197120
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 静岡大学, 工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2007年度: 静岡大学, 工学部, 准教授
2006年度: 静岡大学, 工学部, 助教授
2000年度 – 2002年度: 静岡大学, 工学部, 助教授
1991年度 – 1993年度: 静岡大学, 工学部, 助教授
1989年度 – 1990年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 物理計測・光学 / 電子材料工学
キーワード
研究代表者
cross-hatched pattern / クロスハッチパターン / MOCVD / gallium phosphide / nano dot / optoelectronic integrated circuit / crystal growth / compound semiconductor / Si substrate / metalorganic vapor phase epitaxy … もっと見る / 有機金属気相成長法 / ガリウムリン / ナノドット / 光電子集積回路 / 結晶成長 / 化合物半導体 / シリコン基板 / 有機金属気相成長 / transmission electron microscopy / misoriented substrate / dislocation / gallium arsenic substrate / graded layer / indium gallium arsenic / TEM / 透過電子顕微鏡観察 / オフ基板 / 転位 / GaAs基板 / グレーデッド層 / InGaAs … もっと見る
研究代表者以外
ヘテロエピタキシャル成長 / シリコン基板上インジウムりん / シリコン基板上ガリウム砒素 / 集束イオンビーム / シリコン基板上アルミニウムりん / 分子線エピタキシー / 化合物半導体 / 光配線 / 自己組織化 / 結合重み / ニュ-ロデバイス / ゲルマニウム基板上ガリウム砒素 / 有機金属気相成長法 / High Quality / Dislocation Density / Organometallic Vapor Phase Epitax / Selective Growth / Nitride / Compound Semiconductor / 高品位化 / 高品位 / 転位密度 / 選択成長 / 窒化物 / GaAs on Si / Hetero-epitaxy / Optoelectronic Integrated Circuit / Self-Organization / Synaptic Connection / Variable Synaptic Weight / Neural Network / Neuro-device / アナログ重み / ニュ-ロン / 神経回路網 / ヘテロエピタキシ- / 光電子集積回路 / 可変シナプス結合重み / シナプス結合 / ニュ-ラルネットワ-ク / ゲルマニウム基板上ガリウム石比素 / シリコン基板上ガリウム石比素 / バッファ層 / 減圧成長 / 混晶 / ヘテロ成長 / 短周期超格子 / 教師有り学習 / 適応デバイス / ニュ-ロコンピュ-ティング / ガリウムりん基板上インジウムりん / ガリウム砒素基板上インジウムりん / 分子線エピタキシ- / 2段階成長法 / 分子線エピタキシ-法 / ガリウムひ素 / インジウムりん 隠す
  • 研究課題

    (10件)
  • 研究成果

    (6件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  シリコン基板に格子整合させた化合物半導体結晶成長研究代表者

    • 研究代表者
      高野 泰
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  自己組織化によるバァッファー層の転位分布の均質化研究代表者

    • 研究代表者
      高野 泰
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  金属埋込み選択成長法によるGaN成長層の高品位化及び低転位化

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシーの初期原子層制御と転位低減化に関する研究

    • 研究代表者
      朴 康司
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の性御

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシーの初期原子層制御と転位低減化に関する研究

    • 研究代表者
      朴 康司
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  化合物半導体ーSi系ヘテロエピタキシ-の初期原子層制御と転位低減化に関する研究

    • 研究代表者
      朴 康司
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  光電子ニュ-ロデバイスの研究

    • 研究代表者
      米津 宏雄
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  InPーGaAsヘテロ系エピタキシャル成長の初期過程制御と高品質化に関する研究

    • 研究代表者
      朴 康司
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学
  •  神経演算回路網光電子デバイスに関する基礎研究

    • 研究代表者
      米津 宏雄
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      物理計測・光学
    • 研究機関
      豊橋技術科学大学

すべて 2008 2007 2006 その他

すべて 学会発表

  • [学会発表] MOVPE法によるSi基板上平坦GaP成長2008

    • 著者名/発表者名
      岡本拓也、渡邉聖、高野泰, 他
    • 学会等名
      題55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部
    • 年月日
      2008-03-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • [学会発表] Growth of flat GaP layer on Si substrates using MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Okamoto, S. Watanabe, H. Masuda, K. Noda, S. Fukuda, S. Fuke, Y. Takano
    • 学会等名
      The 55th Spring Meeting ; The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      College of Science and Technology, Nihon University
    • 年月日
      2008-03-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • [学会発表] Initial growth of GaP layers on Si substrates by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      S. Watanabe, K. Morizumi, S. Fuke, Y. Takano
    • 学会等名
      The 54th Spring Meeting ; The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Aoyama Gakuin University, Sagamihara Campus
    • 年月日
      2007-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • [学会発表] Epitaxial growth of GaP layers on Si substrates by MOVPE2006

    • 著者名/発表者名
      S. Watanabe, K. Morizumi, S. Fuke, Y. Takano
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting ; The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan University
    • 年月日
      2006-08-31
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • [学会発表] 「研究成果報告書概要(和文)」より

    • 著者名/発表者名
      高野泰, 他
    • 学会等名
      題55回応用物理学関係連合講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • [学会発表] 「研究成果報告書概要(和文)」より

    • 著者名/発表者名
      高野泰, 他
    • 学会等名
      題55回応用物理学関係連合講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560008
  • 1.  朴 康司 (10124736)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  米津 宏雄 (90191668)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  福家 俊郎 (00022236)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 3件
  • 4.  角谷 正友 (20293607)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  今井 哲二 (50143714)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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