眞田則明 SANADA Noriaki

… 別表記

真田則明 SANADA Noriaki

研究者番号	00226028
その他のID	https://orcid.org/0009-0006-5850-3198
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2000年度 – 2001年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 1996年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 1995年度: 静岡大学, 大学院・電子科学研究科, 助手 1994年度: 静岡大学大学院, 電子科学研究科, 助手 1991年度: 静岡大学, 電子科学研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者以外表面界面物性 / 機能・物性・材料
キーワード	研究代表者以外 GaP / triethylindium / t-butylphosphine / トリエチルインジウム / 吸着 / 化合物半導体 / STM / 表面構造 / decomposition / adsorption … もっと見る / surface / Indium / atomic wire / ターシャリブチルフォスフィン / GaP(001) / 分解 / 表面 / In / 原子細線 / TRIETHYLINDIUM / ALKYLPHOSPHINE / ELECTRON SPECTROSCOPY / SCANNING TUNNLELING SPECTROSCOPY / TEMPERATURE PROGRAMMED DESORPTION / MECHANISM OF THIN FILM FORMATION / COMPOUND SEMICONDUCTOR FILMS / SURFACE REACTION / TPD / 有機金属 / 半導体表面 / アルキルフォスフィン / 電子分光 / 走査トンネル顕微鏡 / 昇温脱離 / 薄膜形成機構 / 化合物半導体薄膜 / 表面反応 / Si(111) / パッシベーション / III-V族化合物半導体 / 走査トンネル顕微鏡(STM) / UPS / XPS / ホ-ル / 真空アニ-ル / 元素置換 / Bi系高温超伝導隠す