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眞田 則明  SANADA Noriaki

ORCIDORCID連携する *注記
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真田 則明  SANADA Noriaki

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研究者番号 00226028
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度 – 2001年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手
1996年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手
1995年度: 静岡大学, 大学院・電子科学研究科, 助手
1994年度: 静岡大学大学院, 電子科学研究科, 助手
1991年度: 静岡大学, 電子科学研究科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
表面界面物性 / 機能・物性・材料
キーワード
研究代表者以外
GaP / triethylindium / t-butylphosphine / トリエチルインジウム / 吸着 / 化合物半導体 / STM / 表面構造 / decomposition / adsorption … もっと見る / surface / Indium / atomic wire / ターシャリブチルフォスフィン / GaP(001) / 分解 / 表面 / In / 原子細線 / TRIETHYLINDIUM / ALKYLPHOSPHINE / ELECTRON SPECTROSCOPY / SCANNING TUNNLELING SPECTROSCOPY / TEMPERATURE PROGRAMMED DESORPTION / MECHANISM OF THIN FILM FORMATION / COMPOUND SEMICONDUCTOR FILMS / SURFACE REACTION / TPD / 有機金属 / 半導体表面 / アルキルフォスフィン / 電子分光 / 走査トンネル顕微鏡 / 昇温脱離 / 薄膜形成機構 / 化合物半導体薄膜 / 表面反応 / Si(111) / パッシベーション / III-V族化合物半導体 / 走査トンネル顕微鏡(STM) / UPS / XPS / ホ-ル / 真空アニ-ル / 元素置換 / Bi系高温超伝導 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  Gap(001)表面上でのIn原子細線の自己組織化と表面構造及び電子状態の研究

    • 研究代表者
      福田 安生
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      静岡大学
  •  S及びSe処理InP,GaP表面のSTM、STSによる表面構造及び電子状態の研究

    • 研究代表者
      福田 安生
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  In,P化合物を用いるMOCVD,ALEにおける表面反応基礎過程の研究

    • 研究代表者
      福田 安生
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      機能・物性・材料
    • 研究機関
      静岡大学
  •  S及びSe処理Gap、InP表面のSTM、STSによる表面電子状態の研究

    • 研究代表者
      福田 安生
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  キャリア-濃度を変化させたBiSrCaCuO系高温超伝導体の電子分光法による研究

    • 研究代表者
      福田 安生
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  • 1.  福田 安生 (30208970)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件

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