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山田 陽一  Yamada Yoichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00251033
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度 – 2025年度: 山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授
2017年度 – 2020年度: 山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授
2016年度: 山口大学, 創成科学研究科, 教授
2015年度: 山口大学, 大学院理工学研究科, 教授
2013年度 – 2015年度: 山口大学, 理工学研究科, 教授 … もっと見る
2010年度: 山口大学, 大学院・理工学研究科, 教授
2007年度 – 2009年度: 山口大学, 大学院・理工学研究科, 准教授
2006年度: 山口大学, 大学院理工学研究科, 助教授
2004年度 – 2005年度: 山口大学, 工学部, 助教授
2000年度 – 2002年度: 山口大学, 工学部, 助教授
1997年度 – 1998年度: 山口大学, 工学部, 助教授
1995年度 – 1996年度: 山口大学, 工学部, 助手
1994年度: 筑波大学, 物理学系, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 理工系 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
励起子分子 / 励起子 / 局在化 / 励起子工学 / 量子井戸 / 混晶半導体 / 窒化物半導体 / 光学利得 / biexciton / 低次元化 … もっと見る / 短波長半導体レーザ / 光物性 / 半導体物性 / exciton engineering / ZnS / optical gain / localization / exciton / low-dimensional structure / wide-gap semiconductor / 硫化亜鉛 / 誘導放出 / 低次元量子構造 / ワイドギャップ半導体 / 2光子吸収 / 結合エネルギー / 振動子強度 / 深紫外波長領域 / 局在 / 量子閉じ込め効果 / 2光子共鳴 / 非局在化 / 高温物性 / 非弾性散乱 / 局在系 / 励起子多体効果 / 内部量子効率 / 局在効果 / 低次元不均一系 / 混晶不均一系 / 結晶特異構造 / nitride-based semiconductor / two-photon absorption / Stokes shift / alloy semiconductor / 生成時間 / 局在時間 / 液晶半導体 / 窒化物系半導体 / ストークスシフト / locallization / radiative recombination / 輻射再結合 / stimulated emission / 低次元構造 / 格子歪 / 偏光特性 / 輻射再結合寿命 / 発光ダイナミクス / ボーイング / 混晶局在系 / 有効質量比 / 反射スペクトル / フォトルミネッセンス / 励起子ポラリトン / 分極パラメータ / 窒化アルミニウム / 低次元系 / 局在励起子 / ワイドギャップII-VI族化合物半導体 … もっと見る
研究代表者以外
窒化物半導体 / ZnS / AlN / LED / AlNテンプレート / 高温アニール / アニール / エピタキシャル成長 / 非極性面 / AlNテンプレート / 深紫外LED / AlGaN / White Light-emitting Diode / II-VI Compound Semiconductor / Color Rendering / Thin film phosphor / Crystal Growth / Semiconductor Optical Characterization / ドーピング / 等電子中心 / ZnSTe / 内部量子効率 / 有機金属化学気相法 / 蛍光体 / 白色LED / II-VI族化合物半導体 / 演色性 / 薄膜蛍光体 / 結晶成長 / 半導体光物性 / stimulated emission / self trapping / isoelectronic impurity / localization / exciton / moleclar beam epitaxy / alloy semiconductor / nitride semiconductor / ラジカル源 / マイクロ波プラズマ / ドナー束縛励起子 / RF放電 / 誘導放出 / 誘電放出 / 自己束縛 / 等電子不純物 / 局在化 / 励起子 / 分子線エピタキシ-法 / 混晶半導体 / biexciton / localized exciton / superlattice / quantum well / p-type conductivity control / UV laser diode / UV light-emitting diode / 励起子分子 / 局在励起子 / 超格子 / 量子井戸 / p型伝導制御 / 硫化亜鉛 / 紫外発光ダイオード / 紫外レーザダイオード / 研磨 / GaN基板 / 積層欠陥 / サファイア基板 / 転位 / HVPE / MOVPE / 半極性面 / GaN 隠す
  • 研究課題

    (16件)
  • 研究成果

    (147件)
  • 共同研究者

    (15人)
  •  AlGaN系深紫外半導体レーザの発振機構解明と励起子利得による超低しきい値化研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      山口大学
  •  窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用

    • 研究代表者
      三宅 秀人
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      三重大学
  •  結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      山口大学
  •  深紫外域混晶量子井戸構造における励起子分子の基礎物性解明とレーザ動作への応用研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性{20-2-1}面GaN基板の作製

    • 研究代表者
      只友 一行
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  窒化物系深紫外域混晶半導体における高密度励起子系の光機能性研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  深紫外混晶半導体における高密度励起子系の光物性評価と光機能性研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      山口大学
  •  窒化アルミニウム系深紫外半導体における高密度励起子系の光物性評価と光機能性研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      山口大学
  •  次世代高演色性白色LED実用化のための新規蛍光体の開発

    • 研究代表者
      田口 常正
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  窒化物系紫外域混晶半導体における励起子分子の局在化と光機能性研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  ZnMgCdS系半導体量子構造における励起子分子の局在化の制御と光機能性研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  半導体低次元構造における励起子分子の局在化と光学利得の生成機構研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  低次元系の励起子分子を利用した短波長量子井戸レーザの作製研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  InGaN混晶半導体の成長と励起子光物性

    • 研究代表者
      田口 常正
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  p型ZnS結晶の育成と紫外超格子LED,LDの実用化

    • 研究代表者
      田口 常正
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学
  •  II-VI族半導体量子井戸構造における光学利得の生成機構の解明研究代表者

    • 研究代表者
      山田 陽一
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      筑波大学

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すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Correlation between excitons recombination dynamics and internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-A multiple quantum wells2020

    • 著者名/発表者名
      Murotani Hideaki、Miyoshi Hiroyuki、Takeda Ryohei、Nakao Hiroki、Ajmal Khan M.、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki、Yamada Yoichi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 128 号: 10 ページ: 105704-105704

    • DOI

      10.1063/5.0015554

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04585, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] High internal quantum efficiency and optically pumped stimulated emission in AlGaN-based UV-C multiple quantum wells2020

    • 著者名/発表者名
      Murotani Hideaki、Tanabe Ryohei、Hisanaga Keisuke、Hamada Akira、Beppu Kanta、Maeda Noritoshi、Khan M. Ajmal、Jo Masafumi、Hirayama Hideki、Yamada Yoichi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 117 号: 16 ページ: 162106-162106

    • DOI

      10.1063/5.0027697

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04585, KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] External Quantum Efficiency of 6.5% at 300 nm Emission and 4.7% at 310 nm Emission on Bare Wafer of AlGaN-Based UVB LEDs2020

    • 著者名/発表者名
      Khan M. Ajmal、Itokazu Yuri、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Yamada Yoichi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      ACS Applied Electronic Materials

      巻: 2 号: 7 ページ: 1892-1907

    • DOI

      10.1021/acsaelm.0c00172

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Beyond 53% internal quantum efficiency in a AlGaN quantum well at 326 nm UVA emission and single-peak operation of UVA LED2020

    • 著者名/発表者名
      Khan M. Ajmal、Takeda Ryohei、Yamada Yoichi、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Optics Letters

      巻: 45 号: 2 ページ: 495-498

    • DOI

      10.1364/ol.376894

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] 13 mW operation of a 295?310 nm AlGaN UV-B LED with a p-AlGaN transparent contact layer for real world applications2019

    • 著者名/発表者名
      Khan M. Ajmal、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Akamatsu Yuki、Tanabe Ryohei、Yamada Yoichi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Journal of Materials Chemistry C

      巻: 7 号: 1 ページ: 143-152

    • DOI

      10.1039/c8tc03825b

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Analysis of efficiency curves in near-UV, blue, and green-emitting InGaN-based multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination2019

    • 著者名/発表者名
      Murotani Hideaki、Shibuya Kazunori、Yoneda Ayumu、Hashiguchi Yuki、Miyoshi Hiroyuki、Kurai Satoshi、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Yano Yoshiki、Tabuchi Toshiya、Matsumoto Koh、Yamada Yoichi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SCCB02-SCCB02

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab040b

    • NAID

      210000155631

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Temperature-dependent cathodoluminescence mapping of InGaN epitaxial layers with different In compositions2019

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Kurai, Ayumu Wakamatsu, Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SCCB13-SCCB13

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab0cfb

    • NAID

      210000155949

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04490, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer2018

    • 著者名/発表者名
      Sugimoto Kohei、Okada Narihito、Kurai Satoshi、Yamada Yoichi、Tadatomo Kazuyuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 6 ページ: 062101-062101

    • DOI

      10.7567/jjap.57.062101

    • NAID

      210000149112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16K06264, KAKENHI-PROJECT-16K17514
  • [雑誌論文] Temperature dependence of excitonic transitions in Al0. 60Ga0. 40N/Al0. 70Ga0. 30N multiple quantum wells from 4 to 750 K2018

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, Y. Hayakawa, K. Ikeda, H. Miyake, K. Hiramtsu, Y. Yamada
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 号: 20 ページ: 205705-205705

    • DOI

      10.1063/1.5023996

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [雑誌論文] Cathodoluminescence study on local high-energy emissions at dark spots in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 6 ページ: 60311-60311

    • DOI

      10.7567/jjap.57.060311

    • NAID

      210000149104

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335, KAKENHI-PROJECT-16K06264
  • [雑誌論文] Temperature dependence of Stokes shifts of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layer2018

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: - 号: 5 ページ: 1700374-1700374

    • DOI

      10.1002/pssb.201700374

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Nanoscopic spectroscopy of potential barriers formed around V-pits in InGaN/GaN multiple quantum wells on moderate temperature GaN pit expansion layers2018

    • 著者名/発表者名
      Kurai Satoshi、Okawa Kohei、Makio Ryoga、Nobata Genki、Gao Junji、Sugimoto Kohei、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Yamada Yoichi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 124 号: 8

    • DOI

      10.1063/1.5043578

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16K06264
  • [雑誌論文] Effects of saturation of nonradiative recombination centers on internal quantum efficiency in InGaN light-emitting diodes2018

    • 著者名/発表者名
      Murotani Hideaki、Yamada Yoichi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 1 ページ: 011003-011003

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaec8e

    • NAID

      210000135243

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      Nakamura, K; Fukuno, T; Miyake, H; Hiramatsu, K; Yamada, Y
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS EXPRESS

      巻: 10 号: 5 ページ: 51003-51003

    • DOI

      10.7567/apex.10.051003

    • NAID

      210000135831

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [雑誌論文] Potential Barrier Formed Around Dislocations in InGaN Quantum Well Structures by Spot Cathodoluminescence Measurements2017

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Kurai, Shota Higaki, Nobuto Imura, Kohei Okawa, Ryoga Makio, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, and Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: - 号: 5

    • DOI

      10.1002/pssb.201700358

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06264, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] Spatially Resolved Spectroscopy of Blue and Green InGaN Quantum Wells by Scanning Near-Field Optical Microscopy2017

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Kurai, Renma Mihara, Genki Nobata, Kohei Okawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi, Koh Matsumoto, and Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: - 号: 5

    • DOI

      10.1002/pssb.201700322

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06264, KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [雑誌論文] High-temperature photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of Al0.60Ga0.40N/Al0.70Ga0.30N multiple quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Nakamura, T. Fukuno, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 号: 2 ページ: 21002-21002

    • DOI

      10.7567/apex.10.021002

    • NAID

      210000135746

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16H04335, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Microscopic potential fluctuations in Si-doped AlGaN epitaxial layers with various AlN molar fractions and Si concentrations2016

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Kurai, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, and Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 119 号: 2 ページ: 25-707

    • DOI

      10.1063/1.4939864

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420288, KAKENHI-PROJECT-25420289, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Controlling potential barrier height by changing V-shaped pit size and the effect on optical and electrical properties for InGaN/GaN based light-emitting diodes2015

    • 著者名/発表者名
      N. Okada, H. Kashihara, K. Sugimoto, Y. Yamada, and K. Tadatomo
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 117 号: 2

    • DOI

      10.1063/1.4905914

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [雑誌論文] Binding energy of localized biexcitons in AlGaN-based quantum wells2014

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, T.Fukuno, K.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Yamada
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS EXPRESS

      巻: 7 号: 12 ページ: 122101-122101

    • DOI

      10.7567/apex.7.122101

    • NAID

      210000137325

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [雑誌論文] Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency2014

    • 著者名/発表者名
      S.Kurai, K.Anai, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Yamada
    • 雑誌名

      JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 116 号: 23 ページ: 235703-235703

    • DOI

      10.1063/1.4904847

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420288, KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [雑誌論文] Inhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AlGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, F. Ushijima, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 115 号: 5 ページ: 53509-53509

    • DOI

      10.1063/1.4864020

    • NAID

      120006364143

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420288, KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [雑誌論文] Spatially separated intrinsic emission components in InGaN ternary alloys2009

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada, et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 80(19)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016005
  • [雑誌論文] Photoluminescence from highly-excited AIN epitaxial layers2008

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada, et.al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92(13)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032007
  • [雑誌論文] Population dynamics of localized biexcitons in Al_xGa_1xN ternary alloys2007

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada, et. al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91(19)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032007
  • [雑誌論文] Population dynamics of biexcitons and single excitons in AlGaN ternary alloys2006

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      28th International Conference on the Physics of Semiconductors

      ページ: 313-313

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Population dynamics of biexcitons and single excitons in AlGaN ternary alloys2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamada et al.
    • 雑誌名

      28th International Conference on the Physics of Semiconductors

      ページ: 313-313

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Recombination dynamics of localized biexcitons in A1GaN ternary alloys2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamada
    • 雑誌名

      Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials IX Vol.5725

      ページ: 110-118

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Recombination dynamics of localized biexcitons in AlGaN ternary alloys2005

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials IX 5725

      ページ: 110-118

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Stokes shift of biexcitons in Al_xGa_<1-x>N epitaxial layers2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamada et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B Vol.70, No.19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Biexcitons in GaN and AlGaN epitaxial layers2004

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Proceedings of the International Symposium on Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics 2004-06

      ページ: 326-340

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Time-resolved nonlinear luminescence of excitonic transitions in GaN2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamada et al.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics Vol.96, No.1

      ページ: 138-143

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Biexcitons in GaN and AlGaN epitaxial layers2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamada
    • 雑誌名

      Proceedings of the International Symposium on Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics Vol.2004-06

      ページ: 326-340

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Time-resolved nonlinear luminescence of excitonic transitions in GaN2004

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 96・1

      ページ: 138-143

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Stokes shift of biexcitons in Al_xGa_<1-x>N epitaxial layers2004

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Physical Review B 70・19

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [雑誌論文] Stokes shift of biexcitons in AlxGa1-xN epitaxial layers2004

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada
    • 雑誌名

      Physical Review B 70・19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560274
  • [学会発表] Face-to-faceアニール処理されたスパッタ成膜AlNテンプレート上AlGaN系多重量子井戸構造の内部量子効率2021

    • 著者名/発表者名
      藤井厚志 押村遼太 草場崇史 倉井聡 室谷英彰 上杉謙次郎 三宅秀人 山田陽一
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 完全緩和した{11-22}InGaN下地層上の多重量子井戸の発光特性2021

    • 著者名/発表者名
      俵迫湧也 河村澪 西直矢 原田裕也 ヌルファラナジハマザラン 岡田成仁 倉井聡 山田陽一 只友一行
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Excitonic stimulated emission from AlGaN-based multiple quantum wells2021

    • 著者名/発表者名
      R. Tanabe, K. Hisanaga, A. Hamada, K. Beppu, H. Murotani, N. Maeda, M. Ajmal Khan, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系UV-C多重量子井戸構造における誘導放出のしきい励起パワー密度の温度依存性2021

    • 著者名/発表者名
      濱田晟 福田拓矢 倉井聡 室谷英彰 前田哲利 M. Ajmal Khan 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 極小ピットを介したAlNテンプレートの高品質化2021

    • 著者名/発表者名
      奥野椋 日高遼太 斎藤貴大 岡田成仁 前田哲利 定昌史 平山秀樹 倉井聡 山田陽一 只友一行
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Off-cut angle dependence of internal quantum efficiency in AlGaN multiple quantum wells on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates2021

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, A. Fujii, R. Oshimura, Y. Akamatsu, F. Nakatani, K. Uesugi, H. Miyake, and Y. Yamada
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Optically pumped excitonic lasing in AlGaN-based UV-C multiple quantum wells2021

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Material Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Exciton recombination dynamics and internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-A multiple quantum wells2021

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, H. Nakao, M. Ajmal Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造における励起子の発光・非発光ダイナミクスと深紫外誘導放出2020

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰 山田陽一
    • 学会等名
      応用物理学会応用電子物性分科会研究例会 紫外材料・デバイス開発の最前線~物性の理解とデバイス開発~
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子の輻射・非輻射再結合レートの励起強度依存性2020

    • 著者名/発表者名
      三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 室谷英彰 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] InGaN下地層がInGaN/GaN量子井戸の発光強度に与える影響2020

    • 著者名/発表者名
      河村澪 岩崎直矢 猪俣祐貴 岡田成仁 倉井聡 山田陽一 只友一行
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 中温成長GaNピット形成層上のInGaN単一量子井戸構造におけるポテンシャル障壁評価2020

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 高俊吉 槇尾凌我 林直矢 湯浅翔太 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] アニール処理されたスパッタAlNテンプレート上AlGaN多重量子井戸における内部量子効率のc面サファイアm軸オフ角依存性2020

    • 著者名/発表者名
      押村遼太 赤松勇紀 藤井厚志 倉井聡 室谷英彰 上杉謙次郎 三宅秀人 山田陽一
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 高温アニールした微傾斜サファイア基板上スパッタ成膜AlNテンプレートに成長されたAlGaN多重量子井戸内部量子効率評価2020

    • 著者名/発表者名
      押村遼太 藤井厚志 中谷文哉 倉井聡 室谷英彰 上杉謙次郎 三宅秀人 山田陽一
    • 学会等名
      2020年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 緑色InGaN量子井戸構造における発光効率曲線解析と輻射・非輻射再結合ダイナミクスの相関2020

    • 著者名/発表者名
      中津留圭吾 橋口勇樹 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 小関修一 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      2020年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 中温成長GaN層をピット形成層に用いたInGaN単一量子井戸構造におけるポテンシャル障壁高さのピット形成層厚依存性2020

    • 著者名/発表者名
      湯浅翔太 高俊吉 槇尾凌我 林直矢 倉井聡 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      2020年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系UV-A多重量子井戸構造における内部量子効率と励起子の輻射再結合ダイナミクスの励起強度依存性2020

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率Droop現象の解析2020

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系UV-C多重量子井戸構造の内部量子効率と励起子系誘導放出特性2020

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰 田邉凌平 久永桂典 濱田晟 別府寛太 前田哲利 M. Ajmal Khan 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 緩和した厚膜InGaN上の長波長MQWの作製と評価2020

    • 著者名/発表者名
      岩崎直矢 猪俣祐貴 河村澪 岡田成仁 倉井聡 山田陽一 只友一行
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] UV-A帯AlGaN量子井戸構造における内部量子効率と輻射・非輻射再結合ダイナミクス2020

    • 著者名/発表者名
      中生拓希 三好博之 武田椋平 室谷英彰 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      2020年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系UV-C多重量子井戸構造における室温誘導放出と縦共振器モードの観測2020

    • 著者名/発表者名
      田邉凌平 濱田晟 別府寛太 倉井聡 室谷英彰 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)2019

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 大川康平 槇尾凌我 高俊吉 林直矢 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析(2)2019

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造における深紫外誘導放出の温度依存性2019

    • 著者名/発表者名
      田邉凌平 久永桂典 濱田晟 別府寛太 倉井聡 室谷英彰 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子発光線幅に対する混晶組成揺らぎおよび界面揺らぎの影響2019

    • 著者名/発表者名
      野坂峻大 室谷英彰 山田陽一
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] 緑色InGaN系量子井戸構造における内部量子効率曲線のフィッティング解析2019

    • 著者名/発表者名
      橋口勇樹 永見祐二 中津留圭吾 倉井聡 岡田成仁 只友一行 室谷英彰 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN多重量子井戸構造における内部量子効率の井戸幅および障壁層Al組成比依存性2019

    • 著者名/発表者名
      赤松勇紀 藤井厚志 倉井聡 室谷英彰 三宅秀人 山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] UV-C帯AlGaN量子井戸構造における光励起誘導放出特性2019

    • 著者名/発表者名
      濱田晟 田邉凌平 別府寛太 室谷英彰 倉井聡 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Achievement of internal quantum efficiency up to 53 % at 326 nm-UVA emission from AlGaN QWs with engineering of highly relaxed buffer layer2019

    • 著者名/発表者名
      M. Ajmal Khan, R. Takeda, H. Miyoshi, Y. Yamada, S. Fujikawa, N. Maeda, M. Jo, and H. Hirayama
    • 学会等名
      4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Height of potential barrier formed around V-pits in InGaN/GaN quantum wells on moderate-temperature GaN layer2019

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, K. Okawa, R. Makio, J. Gao, G. Nobata, N. Hayashi, K. Sugimoto, N. Okada, K. Tadatomo, and Y. Yamada
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] InGaN系多重量子井戸構造におけるVピット近傍ポテンシャル障壁高さの中温GaN層厚依存性2019

    • 著者名/発表者名
      林直矢 槇尾凌我 高俊吉 湯浅翔太 倉井聡 岡田成人 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN多重量子井戸構造における転位近傍の局所的高エネルギー発光の顕微分光評価2019

    • 著者名/発表者名
      LI JIN 中谷文哉 平山舜 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析2019

    • 著者名/発表者名
      三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 室谷英彰 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Radiative and nonradiative recombination rates of excitons and their effects on internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-B MQWs2019

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Role of exciton recombination processes on internal quantum efficiency in AlGaN-based UV-B multiple quantum wells2019

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 量子井戸構造の成長条件が異なる緑色InGaN量子井戸構造における近接場光学顕微分光測定2019

    • 著者名/発表者名
      槇尾凌我 高俊吉 林直矢 湯浅翔太 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 近接場光学顕微分光法によるInGaN量子井戸構造におけるVピット近傍の特異構造PLマッピング2019

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における内部量子効率の構造パラメータ依存性2019

    • 著者名/発表者名
      藤井厚志 赤松勇紀 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
    • 学会等名
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] UV-B帯AlGaN系量子井戸構造におけるレート方程式を用いた発光効率曲線解析と発光ダイナミクスの相関2019

    • 著者名/発表者名
      武田椋平 三好博之 中生拓希 室谷英彰 倉井聡 M. A. Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
    • 学会等名
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子発光線幅に対する混晶組成揺らぎおよび界面揺らぎの影響2019

    • 著者名/発表者名
      野坂峻大 室谷英彰 山田陽一
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Optically pumped stimulated emission from AlGaN-based UV-C multiple quantum wells with high internal quantum efficiency of 16 % at 750 K2019

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Hisanaga, R. Tanabe, A. Hamada, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における局所的高エネルギー発光の構造パラメータ依存性2019

    • 著者名/発表者名
      中谷文哉 LI JIN 平山舜 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
    • 学会等名
      2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Spatially resolved cathodoluminescence on dot-like high-energy emissions near threading dislocations in AlGaN multiple quantum wells2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造の高温領域における発光特性2018

    • 著者名/発表者名
      赤松勇紀 池田和貴 藤原涼太 久永桂典 田邉凌平 室谷英彰 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 緑色InGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析2018

    • 著者名/発表者名
      渋谷和憲 室谷英彰 米田歩 橋口勇樹 三好博之 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価2018

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 大川康平 槇尾凌我 高俊吉 野畑元喜 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Analysis of efficiency curves of near-UV, blue, and green emitting InGaN multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination2018

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Shibuya, A. Yoneda, Y. Hashiguchi, H. Miyoshi, S. Kurai, N. Okada, K. Tadatomo, Y. Yano, T. Tabuchi, K. Matsumoto, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 近接場光学顕微分光法による緑色発光InGaN量子井戸構造における高エネルギー発光成分のエネルギー分割評価2018

    • 著者名/発表者名
      高俊吉 野畑元喜 大川康平 槇尾凌我 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 転位密度が異なるAlGaN量子井戸構造における内部量子効率のSi添加量依存性2018

    • 著者名/発表者名
      田邉凌平 池田和貴 久永桂典 藤原涼太 赤松勇紀 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 三嶋晃 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] 近接場光学顕微分光法による中温GaN上InGaN量子井戸構造におけるピット近傍のポテンシャル障壁2018

    • 著者名/発表者名
      槇尾凌我 大川康平 高俊吉 野畑元喜 倉井聡 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] カソードルミネッセンス法によるAlGaN多重量子井戸構造の転位近傍の局所発光2018

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 井村暢杜 Li Jin 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] カソードルミネッセンス法によるAlGaN多重量子井戸構造の転位近傍の局所発光2018

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 井村暢杜 Li Jin 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造の高温領域における発光特性2018

    • 著者名/発表者名
      赤松勇紀 池田和貴 藤原涼太 久永桂典 田邉凌平 室谷英彰 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] InGaN系青色LED構造における効率曲線の励起子レート方程式モデルによる解析2018

    • 著者名/発表者名
      渋谷和憲 米田歩 橋口勇樹 三好博之 倉井聡 室谷英彰 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] カソードルミネッセンスマッピング法によるAlGaN量子井戸構造の局所発光評価2018

    • 著者名/発表者名
      LI JIN 井村暢杜 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] p型化アニール処理がInGaN量子井戸構造の内部量子効率に与える影響2018

    • 著者名/発表者名
      三好博之 米田歩 渋谷和憲 橋口勇樹 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 効率曲線のフィッティング解析によるInGaN量子井戸構造の内部量子効率評価2018

    • 著者名/発表者名
      橋口勇樹 渋谷和憲 米田歩 三好博之 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Temperature-dependent cathodoluminescence mapping of InGaN epitaxial layers with different In composition2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, A. Wakamatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] カソードルミネッセンスマッピング法によるAlGaN量子井戸構造の局所発光評価2018

    • 著者名/発表者名
      LI JIN 井村暢杜 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 転位密度が異なるAlGaN量子井戸構造における内部量子効率のSi添加量依存性2018

    • 著者名/発表者名
      田邉凌平 池田和貴 久永桂典 藤原涼太 赤松勇紀 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 三嶋晃 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Spatially resolved cathodoluminescence on dot-like high-energy emissions near threading dislocations in AlGaN multiple quantum wells2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] Temperature dependence of Stokes shift of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layers2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子系発光特性の温度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      早川裕也 室谷英彰 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] Localization-enhanced biexciton binding in Ga-rich InGaN and AlGaN epitaxial layers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Umezawa, E. Kobayashi, H. Murotani, S. Kurai, and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子系発光特性の温度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      早川裕也 室谷英彰 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Deep UV spectroscopy of dense excitons in AlGaN-based quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN混晶半導体の励起子光物性と光機能性2017

    • 著者名/発表者名
      山田陽一
    • 学会等名
      日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第102回研究会・光電相互変換第125委員会第235回研究会
    • 発表場所
      上智大学(東京都千代田区)
    • 年月日
      2017-03-02
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Temperature dependence of excitonic transitions in deep ultraviolet emitting AlGaN multiple quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, Y. Hayakawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 窒化物不均一系における励起子多体効果とその光機能性2017

    • 著者名/発表者名
      山田陽一 倉井聡 室谷英彰
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] Effects of saturation of nonradiative recombination centers on internal quantum efficiency in InGaN-based light-emitting diodes2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Localization-enhanced biexciton binding in Ga-rich InGaN and AlGaN epitaxial layers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Umezawa, E. Kobayashi, H. Murotani, S. Kurai, and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN混晶半導体の励起子光物性と光機能性2017

    • 著者名/発表者名
      山田陽一
    • 学会等名
      日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第102回研究会・光電相互変換第125委員会第235回研究会
    • 発表場所
      上智大学(東京都千代田区)
    • 年月日
      2017-03-02
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] Potential barrier formed around dislocations in InGaN quantum well structures by spot cathodoluminescence measurements2017

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, S. Higaki, N. Okada, K. Tadatomo, and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 近接場光学顕微分光測定による緑色発光InGaN量子井戸構造の高エネルギー発光成分の評価(2)2017

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 三原練磨 野畑元喜 大川康平 槇尾凌我 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Temperature dependence of Stokes shift of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layers2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Temperature dependence of excitonic transitions in deep ultraviolet emitting AlGaN multiple quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, Y. Hayakawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] InGaN混晶薄膜からの励起子分子発光2017

    • 著者名/発表者名
      梅澤恭平 小林英治 倉井聡 室谷英彰 山田陽一
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Deep UV spectroscopy of dense excitons in AlGaN-based quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] InGaN系LED構造における非輻射再結合中心充填過程の転位密度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰 山田陽一
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2017-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 窒化物不均一系における励起子多体効果とその光機能性2017

    • 著者名/発表者名
      山田陽一 倉井聡 室谷英彰
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] 局所カソードルミネッセンスによるInGaN量子井戸構造のポテンシャル障壁評価2017

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 檜垣翔大 岡田成仁 只友一行 山田陽一
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2017-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Spatial resolved spectroscopy of blue and green InGaN quantum wells by scanning near-field optical microscopy2017

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, R. Mihara, G. Nobata, K. Okawa, N. Okada, K. Tadatomo, Y. Yano, T. Tabuchi, K. Matsumoto, and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー―混晶障壁層の組成比依存性―2016

    • 著者名/発表者名
      和泉平 福地駿平 中村豪仁 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] Al0.61Ga0.39N混晶薄膜における励起子および励起子分子のストークスシフトの温度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      池田和貴 室谷英彰 鶴丸拓斗 藤原涼太 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells2016

    • 著者名/発表者名
      T. Izumi, S. Fukuchi, N. Imura, H. Murotani, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando (USA)
    • 年月日
      2016-10-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー―混晶障壁層の組成比依存性(2)―2016

    • 著者名/発表者名
      和泉平 福地駿平 井村暢杜 倉井聡 室谷英彰 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04335
  • [学会発表] 近接場光学顕微分光測定による青色・緑色発光InGaN量子井戸構造の評価2016

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 三原練磨 野畑元喜 大川康平 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー―混晶障壁層の組成比依存性(2)―2016

    • 著者名/発表者名
      和泉平 福地駿平 井村暢杜 倉井聡 室谷英彰 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Al0.61Ga0.39N混晶薄膜における励起子および励起子分子のストークスシフトの温度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      池田和貴 室谷英彰 鶴丸拓斗 藤原涼太 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells2016

    • 著者名/発表者名
      T. Izumi, S. Fukuchi, N. Imura, H. Murotani, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando (USA)
    • 年月日
      2016-10-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06428
  • [学会発表] Binding of quasi-two-dimensional biexcitons in AlGaN quantum wells2015

    • 著者名/発表者名
      K. Nakamura, T. Izumi, S. Fukuchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] AlGaN量子井戸における励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性(2)2015

    • 著者名/発表者名
      中村豪仁 和泉平 福地駿平 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] AlGaN量子井戸における励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性2015

    • 著者名/発表者名
      福野智規 中村豪仁 和泉平 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] Dense excitonic properties of AlGaN-based quantum wells2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, T. Fukuno, K. Nakamura, T. Izumi, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices (2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop)
    • 発表場所
      京都大学芝蘭会館(京都市)
    • 年月日
      2015-07-12
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] Si濃度の異なるAl0.61Ga0.39N混晶薄膜のカソードルミネッセンス法による局所スペクトル評価2014

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] Inelastic exciton and biexciton scattering in AlGaN-based quantum wells2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, Y. Hayakawa, T. Fukuno, K. Nakamura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      32nd International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Austin, USA
    • 年月日
      2014-08-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] Photoluminescence due to inelastic scattering of excitons and biexcitons in AlGaN-based quantum wells up to 750 K2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayakawa, T. Fukuno, K. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] AlGaN混晶薄膜の高温PLE測定2014

    • 著者名/発表者名
      中尾文哉 長坂智幸 鶴丸拓斗 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] 混晶局在系における励起子多体効果2014

    • 著者名/発表者名
      山田陽一
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会「窒化物半導体特異構造の科学~物性評価と結晶学の構築へ~」シンポジウム
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造の高温PLE測定2014

    • 著者名/発表者名
      福野智規 中村豪仁 和泉平 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] Bowing of biexciton binding in Al_xGa_<1-x>N ternary alloys2011

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada
    • 学会等名
      International Symposium on SPIE OPTO : Optoelectronic Materials, Devices and Applications
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2011-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016005
  • [学会発表] AlGaN混晶薄膜の励起子系光物性2010

    • 著者名/発表者名
      山田陽一
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016005
  • [学会発表] Free-and bound-biexciton luminescence from AlN epitaxial layers2008

    • 著者名/発表者名
      Yoichi Yamada, et.al.
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter
    • 発表場所
      Kyoto (Japan)
    • 年月日
      2008-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032007
  • [学会発表] AlGaN混晶局在系の励起子光物性

    • 著者名/発表者名
      山田陽一
    • 学会等名
      日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第137回研究会
    • 発表場所
      明治大学(東京都千代田区)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] LP-MOVPE法で成長したSi添加AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多重量子井戸構造(x~0.6)のカソードルミネッセンスマッピング評価

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 穴井恒二 若松歩 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京田辺市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における局在励起子分子の結合エネルギー

    • 著者名/発表者名
      早川裕也 福野智視 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京田辺市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造の高温PL測定

    • 著者名/発表者名
      早川裕也 福野智視 中村豪仁 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] Effect of quantum confinement on biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayakawa, T. Fukuno, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Gayload National Hotel and Convention Center, Washington, DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] AlGaN混晶薄膜における励起子分子の熱的安定性

    • 著者名/発表者名
      古谷佑二郎 中尾文哉 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京田辺市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [学会発表] Al組成の異なるAlGaN薄膜のカソードルミネッセンス法による局所スペクトル評価

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 合田直樹 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420289
  • 1.  田口 常正 (90101279)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  倉井 聡 (80304492)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 65件
  • 3.  三宅 秀人 (70209881)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 16件
  • 4.  只友 一行 (10379927)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  酒井 朗 (20314031)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  岡田 成仁 (70510684)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  篠塚 雄三 (30144918)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  山根 啓輔 (80610815)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  甲斐 綾子 (50253167)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  寒川 義裕 (90327320)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  上杉 謙次郎 (40867305)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  坂井田 敏昭
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  室谷 英彰
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 14.  平山 秀樹
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 15.  平松 和政
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 3件

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