渡辺正裕 Watanabe Masahiro

研究者番号	00251637
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 工学院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2007年度 – 2008年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 2006年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助教授 1999年度 – 2005年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 2000年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・物理情報システム創造専攻, 助教授 1995年度 – 1998年度: 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 助教授 1996年度: 東京工業大学, 量子エレクトロニクス研究センター, 助教授 1994年度: 東京工業大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 表面界面物性
キーワード	研究代表者弗化カルシウム / フォトルミネッセンス / 量子閉じこめ効果 / エピタキシャル成長 / シリコン / current injection luminescence / photoluminescence / Calcium fluoride / 電流注入発光 / nanocrystal … もっと見る / Ultra violet / epitaxial growth / Zinc oxide / スパッタ法 / 同時ドーピング / 紫外線発光 / 酸化亜鉛 / photonic materal / ナノクリスタルシリコン / 絶縁体半導体ヘテロ構造 / Integrated Circuit / Quantum Cascade Lasers / Resonant Tunneling Diode / Quantum devices / Silicon / CdF_2 / CaF_2 / Heterostructure / ローカルエピタキシー / 微小孔 / サブバンド / 微分負性抵抗 / 弗化カドミウム / 微細加工 / コバルトシリサイド / 量子カスケードレーザ / 共鳴トンネル構造 / 不揮発メモリ / サブバンド間遷移レーザ / 共鳴トンネルダイオード / 量子効果デバイス / シリコン基板 / フッ化カドミウム / フッ化カルシウム / ヘテロ構造 / photonic material / アクセプタ / 紫外発光 / ヘテロエピタキシー / single crystal / quantum confinement / super heterosturcture / nanocrystalline silicon / 絶縁体半導体へテロ構造 / シリコンナノ微結晶 / 金属絶縁体半導体ヘテロ構造 / 可視発光 / シリコンナノ微粒子 / 金属絶縁体ヘテロ構造 … もっと見る研究代表者以外金属 / 共鳴トンネルダイオード / フォトンアシストトンネル / 弗化カルシウム / CdF_2 / CaF_2 / 絶縁体 / Metal / 電子波ビート / 量子効果デバイス / 絶縁体超格子 / Si / ナノ領域エピタキシー / semiconductor heterostructures / insulator / Cadmium fluoride / Calcium fluoride / フッ化カドミウム / フッ化カルシウム / 半導体 / 共鳴トンネル構造 / テラヘルツ平面パッチアンテナ / テラヘルツ増幅素子 / イオン化ビーム結晶成長 / コバルトシリサイド / 高調波テラヘルツ発振 / テラヘルツデバイス / terahertz harmonic oscillation / integrated terahertz antennas / nano-area local epitaxy / CoSi2 / CdF2 / CaF2 / metal-insulator-semiconductor quantum structures / resonant tunneling structures / terahertz devices / テラヘルツ三端子素子 / サブバンド間遷移レーザ / ナノ傾城エピタキシー / フッ化物ヘテロ接合 / 半導体ナノ構造 / テラヘルツ増幅・発振素子 / 絶体 / 集積テラヘルツアンテナ / ナノ領城エピタキシー / CoSi_2 / 半導体量子構造 / Integrated high functional devices / drain MOSFET / Schottky source / Vertical MOSFET / Nano-area local epitaxy / Heterostructures with fluoride materials / Resonant tunneling diode / Quantum effect devices / 集積高機能素子 / ドレインMOSFET / ショットキーソース / 縦型MOSFET / フッ化物系ヘテロ接合 / 絶縁体ヘテロ接合 / resonant tunneling diode / Si heterostructures / coherent superradiance / beat of electron waves / photon-assisted tunneling / nanostructures / Triode in optical range / Siヘテロ接合 / コヒーレント超放射 / ナノ構造 / 光領域三端子素子 / Ionized beam epitaxy / Quantum-effect devices / Ultra-small devices / Resonant tunneling diodes / 極微細デバイス / 半導体ヘテロ接合 / insulator superlattice / Semiconductor / Terahertz planar patch antenna / Beating of electron waves / Photon-assisted tunneling / Resonant tunneling structure / Terahertz amplifier device / 半導体超挌子 / 半導体超格子 / Planar Patch Antenna / Photon-Assisted Tunneling / Resonant Tunneling Structure / Ionized-Beam Epitaxy / Calcium Fluoride / Cobalt silicide / Insulator Super lattice / Terahertz Device / lnAlAsヘテロ構造 / GalnAs / 絶緑体多層構造 / テラヘルツ用平面パッチアンテナ / テラヘルツ検波 / イオン化ビーム成長法 / quantum interference transistor / hot electron interference / quantum-effect devices / ion-beam epitaxy / calcium fluoride / cobalt silicide / metal-insulator superlattice / 極微細電子デバイス / 多重微分負性抵抗特性 / ホットエレクトロン / 量子サイズ効果 / 金属-絶縁体ヘテロ接合 / 量子干渉トランジスタ / ホットエレクトロンの干渉 / オフセット給電アンテナ / 電圧制御発振 / InGaAs / 集積スロットアンテナ / アレイ構造 / 発振素子 / InP / AlAs / 集積スロットアンテナInGaAs / シリコン / サブバンド / ナノ領域ローカルエピタキシー / 量子構造 / 微分負性抵抗 / 弗化カドミウム / ホットエレクトロントランジスタ / 電子波 / ホットエレクトロン観測 / 電子ビーム露光法 / 金属絶縁体ヘテロ構造隠す

量子ナノ構造を用いた高出力・広周波数域テラヘルツ電子デバイスの研究
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
テラヘルツフォトンと量子構造中の電子波の相互作用および超高周波デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
超ヘテロ・ナノ結晶の創製と光-電子新機能デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  渡辺正裕
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
絶縁体/半導体異種材料単結晶超格子を用いたサブバンド間遷移レーザの研究
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
光領域における三端子増幅素子の基礎研究
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
金属/半導体/絶縁体超ヘテロ構造による高機能電子デバイス材料の研究
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
弗化物/酸化物ハイブリッド単結晶ヘテロナノ構造の創製とフォトニクス素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  渡辺正裕
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
テラヘルツ電磁波による走行電子波のビート集群現象と超高速三端子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  浅田雅洋 (朝田雅洋)
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
金属と絶縁体のヘテロ接合超格子による光・電子集積化デバイス用高機能材料の研究
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
単結晶絶縁体中に形成したナノ微結晶ヘテロ構造を用いたシリコン基板上発光素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  渡辺正裕
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
フォトンアシストトンネルによるテラヘルツ帯三端子増幅素子の基礎研究
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
単結晶絶縁体中に形成されたナノ微結晶シリコンを用いた量子効果光素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  渡辺正裕
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
絶縁体中に形成されたナノ微結晶シリコンを用いた量子効果光素子の基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  渡辺正裕
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
真空電子波デバイスの為のエピタキシャル金属/絶縁体構造平面放出型冷陰極
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
絶縁体界面におけるホットエレクトロンの波動現象とその機能デバイス応用
- 研究代表者
  
  浅田雅洋
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
絶縁体中に形成された金属ナノメータ微結晶のデバイス応用に関する基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  渡辺正裕
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2007 2006 2005 2004 2003

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Room temperature negative differential resistance of CdF_2/CaF_2 double-barrier resonant tunneling diode structures grown on Si(100) substrates2007
- 著者名/発表者名
  T.Kanazawa, R.Fujii, T.Wada, Y.Suzuki, M.Watanabe, M.Asada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.90, No.9
  
  ページ: 092101-3
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206040
[雑誌論文] Suppression of Leakage Current of CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si (100) Substrates by Nanoarea Local Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, A. Morosawa, R. Fujii, T. Wada, Y. Suzuki, M. Watanabe, and M. Asada
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 3388-3390
- NAID
  40015421713
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206040
[雑誌論文] Room temperature negative differential resistance of CdF2/CaF2 double-barrier resonant tunneling diode structures grown on Si (100) substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Kanazawa, R. Fujii, T. Wada, Y. Suzuki, M. Watanabe, and M. Asada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206040
[雑誌論文] Room-Temperature Electroluminesceace from Single-Period (CdF_2/CaF_2) Inter-Subband Quantum Cascade Structure on Si Substrate2006
- 著者名/発表者名
  K.Jinen, T.Kikuchi, M.Watanabe, M.Asada
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.45, No.4B
  
  ページ: 3656-3658
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206040
[雑誌論文] Optically pumped ultraviolet lasing of BeMgZnSe based quan-tum well laser structures2006
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Solid.(c) vol.3, no.4
  
  ページ: 878-880
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Optically pumped ultraviolet lasing of BeMgZnSe based quan-tum well laser structures2006
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Solid. (c) vol.3,No.4
  
  ページ: 878-880
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Room-Temperature Electroluminescence from a Single-Period (CdF_2/CaF_2) Inter-subband Quantum Cascade Structure on Si Substrate2006
- 著者名/発表者名
  K.Jinen, T.Kikuchi, M.Watanabe, M.Asada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.45, no.4B
  
  ページ: 3656-3658
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Room-Temperature Electroluminescence from a Single-Period (CdF_2/CaF_2) Inter-subband Quantum Cascade Structure on Si Substrate2006
- 著者名/発表者名
  K.Jinen, T.Kikuchi, M.Watanabe, M.Asada
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.45,No.4B
  
  ページ: 3656-3658
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Optically pumped ultraviolet lasing of BeMgZnSe based quan-tum well laser structures2006
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Solid.(c) vol.3,No.4
  
  ページ: 878-880
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Room-Temperature Electroluminescence from Single-Period (CdF2/CaF2) Inter-subband Quantum Cascade Structure on Si Substrate2006
- 著者名/発表者名
  K.Jinen, T.Kikuchi, M.Watanabe, M.Asada
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics vol.45, no.4B
  
  ページ: 3656-3658
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206038
[雑誌論文] Room-Temperature Electroluminescence from Single-Period (CdF2/CaF2) Inter-subband Quantum Cascade Structure on Si Substrate2006
- 著者名/発表者名
  K.Jinen, T.Kikuchi, M.Watanabe, M.Asada
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45・4B
  
  ページ: 3656-3658
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206038
[雑誌論文] Room-Temperature Electroluminescence from a Single-Period (CdF_2/CaF_2) Inter-subband Quantum Cascade Structure on Si Substrate2006
- 著者名/発表者名
  K.Jinen, T.Kikuchi, M.Watanabe, M.Asada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.45,No.4B(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Improvement of Crystalline Quality of BeZnSe Using Buffer Layer by Migration Enhanced Epitaxy on GaP(001) Substrate2005
- 著者名/発表者名
  T.Yokoyama, Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.44, no.2
- NAID
  10014420363
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] BeMgZnSe based ultraviolet lasers2005
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Tech. vol.20
  
  ページ: 1187-1197
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Improvement of Crystalline Quality of BeZnSe Using Buffer Layer by Migration Enhanced Epitaxy on GaP(001) Substrate2005
- 著者名/発表者名
  T.Yokoyama, Y.Niiyama, T Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.44,No.2
- NAID
  10014420363
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Structural Dependence of the Negative Differential Resistance Characteristics of CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diodes grown on Si using Nanoarea Local Epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  M.Watanabe, M.Matsuda, H.Fujioka, T.Kanazawa, M.Asada
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nanotechnology (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206038
[雑誌論文] Improvement of Crystalline Quality of BeZnSe Using Buffer Layer by Migration Enhanced Epitaxy on GaP(001) Substrate2005
- 著者名/発表者名
  T.Yokoyama, Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.44,No.2
- NAID
  10014420363
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Ultraviolet lasing from optically pumped BeMgZnSe quantum-well laser structures2005
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. vol.87,No.14
  
  ページ: 142106-142106
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Ultraviolet lasing from optically pumped BeMgZnSe quantum-well laser structures2005
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. vol.87,No.14
  
  ページ: 142106-142106
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Ultraviolet lasing from optically pumped BeMgZnSe quantum-well laser structures2005
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl.Phys Lett. vol.87, no.14
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] BeMgZnSe based ultraviolet lasers2005
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Semicond.Sci.Tech. vol.20
  
  ページ: 1187-1197
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Negative Differential Resistance of CdF_2/CaF_2 Resonant Tunneling Diode Grown on Si(100) Substrate2004
- 著者名/発表者名
  M.Watanabe, T.Kanazawa, K.Jinen, M.Asada
- 雑誌名
  
  2004 Silicon Nanoelectronics Workshop 9-20
  
  ページ: 145-146
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Improvement of Crystalline Quality of BeZnSe Using Buffer Layer by Migration Enhanced Epitaxy on GaP(001) Substrate2004
- 著者名/発表者名
  T.Yokoyama, Y.Niiyama, T.Murata, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 44巻・2号
- NAID
  10014420363
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Epitaxial growth and optical properties for ultraviolet region of BeMgZnSe on GaP(001) substrate2004
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Yokoyama, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Solid.(b) vol.241
  
  ページ: 479-482
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Epitaxial growth and optical properties for ultraviolet region of BeMgZnSe on GaP (001) Substrate2004
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Yokoyama, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Solid. (b) vol.241
  
  ページ: 479-482
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Effect of Buffer Layer for Epitaxial Growth of High Magnesium Content BeMgZnSe Lattice Matched to GaP (001) Substrate2003
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Yokoyama, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.42, no.6A
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[雑誌論文] Effect of Buffer Layer for Epitaxial Growth of High Magnesium Content BeMgZnSe Lattice Matched to GaP (001) Substrate2003
- 著者名/発表者名
  Y.Niiyama, T.Yokoyama, M.Watanabe
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.42,no.6A
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360159
[学会発表] Mid-infrared (〜4μm)Electroluminescence from CdF2/CaF2 Intersubband transition structures grown on Si (111) substrate2007
- 著者名/発表者名
  H. Sano, K. Jinen, S. Kodaira, K. Uchida, M. Kumei, Y. Fujihisa, M. Watanabe, and M. Asada
- 学会等名
  International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2007-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206040
[学会発表] Transmission Electron Microscopy Analysis of CaF2/CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(100) Substrate2007
- 著者名/発表者名
  M. Watanabe, T. Kanazawa, and M. Asada
- 学会等名
  International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206040
[学会発表] Si基板上CdF2/CaF2系サブバンド間遷移レーザに向けたナノエリア微小孔によるリーク電流低減2007
- 著者名/発表者名
  藤久雄己, 粂井正也, 梶浦俊祐, 佐々木雄佑, 渡辺正裕, 浅田雅洋
- 学会等名
  応用物理学会講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206040

1. 浅田雅洋 (30167887)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 10件
2. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

渡辺 正裕 Watanabe Masahiro

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超ヘテロ・ナノ結晶の創製と光-電子新機能デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

弗化物/酸化物ハイブリッド単結晶ヘテロナノ構造の創製とフォトニクス素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単結晶絶縁体中に形成したナノ微結晶ヘテロ構造を用いたシリコン基板上発光素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単結晶絶縁体中に形成されたナノ微結晶シリコンを用いた量子効果光素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

絶縁体中に形成されたナノ微結晶シリコンを用いた量子効果光素子の基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

渡辺正裕 Watanabe Masahiro