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山田 省二  Yamada Shoji

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00262593
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度 – 2022年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
2015年度: 大阪工業大学, 教育センター, 教授
2013年度 – 2014年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授
2011年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授
2002年度 – 2005年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授
2002年度 – 2005年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 新素材センター, 教授
1996年度 – 2000年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 理工系 / ナノ構造物理 / 電子デバイス・電子機器
研究代表者以外
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温) / 電子・電気材料工学 / 素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理 / 理工系
キーワード
研究代表者
スピン軌道相互作用 / 2次元電子ガス2層系 / スピントランジスタ / スピンFET / ゼロ磁場スピン分裂 / InGaAs / 多値論理素子 / InGaAs量子井戸 / スピンデバイス / スピン起動相互作用 … もっと見る / スピンバルブ特性 / 極低温測定 / スピンバルブ素子(SV)素子 / スピンFET(SFET)素子 / スピン論理素子 / 2層2次元電子ガス / スピン論理デバイス / ラシュバ分裂 / 2次元ホールガス / 2次元電子ガス / GaN / quantum computing device / side-gate / spin transistor / narrow-gap semiconductor / zero-field spin-splitting / inverted heteroiunction / spin-injection / spin-orbit interaction / 2重バッファ構造 / 新狭ギャップヘテロ結合 / 電子ビーム蒸着 / スピン注入電極 / 新狭ギャップヘテロ接合 / 分子線エピタキシ / ヘテロ接合 / 細線 / 逆ヘテロ接合 / 量子計算素子 / サイドゲート / 狭ギャップ半導体 / 逆構造ヘテロ接合 / スピン注入 / 逆スピンホール効果 / 2層系 / 2次元電子系 / 2層系 / 2次元電子系 / スピンホール効果 / 半導体ヘテロ接合 / スピンエレクトロニクス / 論理回路 / インバータ / スピンFET論理回路 / 強磁性電極 / スピンバルブ素子 / 磁性体ハイブリッド構造 / 半導体 / spin-FET / 2次元電子 / スピン軌道結合定数 / 高In組成ヘテロ接合 / サブドット / クーロン振動 / クーロンギャップ / 磁区 / 磁壁 / エッジ状態 / 強磁性金属ドット / 磁気力顕微鏡 / ダメ-ジ / クローンブロケード / クローン振動 / プラズマ発生装置 / 電界印加加工法 / 微細ホール / 半導体細線 / STM … もっと見る
研究代表者以外
Ni / GaAs / Au / MBE / nanoparticles / Pd / Pt / ナノ粒子 / magneto-optic effect / magnetoresistance / magnetic polarization / magnetism / 磁区 / 磁化 / 磁気光学効果 / 磁気抵抗 / 磁気偏極 / 磁性 / ferromagnetic metal / semiconductor / composite materials / ナノ合金 / 微粒子の久保効果 / Ni合金 / 巨大磁気モーメント / 質量分析装置 / スピン偏極 / スピン相関 / 表面 / 複合界面 / ナノ磁性体 / 強磁性金属 / 半導体 / 複合化 / MnAs / スピン / FET / ナノワイヤ / InAs / 選択成長 / 放射線耐性 / 放射線検出器 / ショットキーダイオード / 化合物半導体 / 酸化亜鉛 / 窒化ガリウム / 放射線損傷 / 放射線計測 / 半導体検出器 / グラニュラー構造 / スピン注入 / 電子スピントロニクスデバイス / キャリアスピン / 強磁性トンネル接合 / ヘテロ構造電子デバイス / ハーフメタ / 磁気抵抗効果 / ハーフメタル / スピン依存伝導 / MRAM / スピンMOSFET / スピンFET / 磁気抵抗スイッチ効果 / トンネル磁気抵抗効果 / ヘテロ構造 / 電子デバイス / スピントロニクス 隠す
  • 研究課題

    (12件)
  • 研究成果

    (70件)
  • 共同研究者

    (15人)
  •  InGaAs量子井戸2層電子系による多値論理素子開発の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  2次元電子ガス2層系における結合共鳴スピンホール効果の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      ナノ構造物理
    • 研究機関
      大阪工業大学
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  Datta-Das型スピン FETを用いた超省エネルギー論理回路実用化の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  領域選択形成したInAsナノワイヤ/強磁性体複合構造によるスピンデバイス

    • 研究代表者
      赤堀 誠志
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  新世代化合物半導体による放射線検出器の開発研究

    • 研究代表者
      成田 晋也
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
    • 研究機関
      岩手大学
  •  電子スピントロニクスデバイス研究調整班

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2005
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  強磁性体と半導体の複合系におけるスピン注入とそのデバイス応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2005
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  強磁性ドット(列)をもつ半導体細線におけるスピン制御伝導のシクロ解析研究代表者

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      1999
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  ナノメートルサイズ磁性体の電磁気的特性

    • 研究代表者
      堀 秀信
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  超微細構造半導体上磁性ドットの量子干渉複合界面効果の研究

    • 研究代表者
      堀 秀信
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  強磁性ドット(列)をもつ半導体細線におけるスピン制御伝導のミクロ解析研究代表者

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  STMによる複合量子ドットの作製と量子輸送の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学

すべて 2022 2021 2020 2016 2015 2014 2013 2012 2010 2009 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] High-In-content InGaAs quantum point contacts fabricated using focused ion beam system equipped with N2 gas field ion source2014

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, S. Hidaka, S. Yamada, T. Kozakai, O. Matsuda, and A. Yasaka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 53 号: 11 ページ: 118002-118002

    • DOI

      10.7567/jjap.53.118002

    • NAID

      210000144607

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [雑誌論文] Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs (110) masked substrates2013

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori and S. Yamada
    • 雑誌名

      AIP Conf. Proc.

      巻: 1566 ページ: 219-220

    • DOI

      10.1063/1.4848364

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [雑誌論文] Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry2013

    • 著者名/発表者名
      S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori and S. Yamada
    • 雑誌名

      AIP Conf. Proc.

      巻: 1566 ページ: 329-330

    • DOI

      10.1063/1.4848419

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [雑誌論文] High-Efficiency Long-Spin-Coherence Electrical Spin Injection in CoFe/InGaAs Two-Dimensional Electron Gas Lateral Spin-Valve Devices2012

    • 著者名/発表者名
      Shiro Hidaka, Masashi Akabori, and Syoji Yamada
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 11 ページ: 113001-113001

    • DOI

      10.1143/apex.5.113001

    • NAID

      10031126453

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [雑誌論文] Spin-orbit interaction in high-In content InGaAs/InAlAs inverted heterojunctions for Rashba spintronics devices2007

    • 著者名/発表者名
      H.K.Choi, Y.Kitta, T.Kakegawa, Y.Jeong, M.Akabori, T.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. 28th Int. Conf. on Physics of Semiconductors

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-orbit interaction in high-In content in GaAs/InAlAs inverted heterojunctions for Rashba spintronics devices2007

    • 著者名/発表者名
      H.K.Choi, Y.Kitta, T.Kakegawa, Y.Jeong, M.Akabori, T.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. 28^<th> Int Conf. on Physics of Semiconductors (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Dislocation-limited electron transport in InSb grown on GaAs(001)2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, T.Suzuki, S.Tomiya, S.Yamada
    • 雑誌名

      Physica B 376-377

      ページ: 579-583

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Dislocation-limited electron transport in InSb grown on GaAs (001)2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, T.Suzuki, S.Tomiya, S.Yamada
    • 雑誌名

      Physica B 376-377

      ページ: 579-583

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Quantum transport analysis and narrow-gap heterojunction growth for Rashba-type spintronics, devices2005

    • 著者名/発表者名
      S.Yamada
    • 雑誌名

      J. Sci. and Tech. Advanced Materials 6

      ページ: 406-410

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-polarized transport in adiabatic quantum point contact with strong Rashba spin-orbit interaction2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kita, T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Solid State Communi., 136,

      ページ: 479-483

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Quantum transport analysis and narrow-gap heterojunction growth for Rashba-type spintronics devices2005

    • 著者名/発表者名
      S.Yamada
    • 雑誌名

      J. Sci. and Tech. Advanced Materials 6

      ページ: 406-410

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-polarized transport in adiabatic quantum point contact with strong Rashba spin-orbit interaction2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kita, T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Solid State Communi., 136

      ページ: 479-483

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-polarized transport in adiabatic quantum point contact with strong Rashba spin-orbit interaction2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kita, T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Sold State Commun. 136

      ページ: 479-483

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Selection-rule breaking of Raman scattering in InSb thin films grown on GaAs (001)2005

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, T.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc., I.6, 12^<th> Int Conf. on Narrow Gap Semiconductors

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Side-gate control of Rashba spin-orbit interaction in InGaAs/InAlAs narrow channels2005

    • 著者名/発表者名
      S.Yamada, T.Kakegawa, M.Akabori
    • 雑誌名

      Proc., I.6, 12^<th> Int Conf. on Narrow Gap Semiconductors

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Side-Gate Control of Rashba Spin Splitting in a InGaAs/InALAs Heterojunction Narrow Channel : Toward Spin-Transistor-Based Qubits2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. of 27^<th> Int.Conf. on Physics of Semiconductors

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Clear Spin-Valve Signals in Conventional NiFe/InGaAs 2DEG Hybrid Two-Terminal Structures2005

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, K.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. of 27^<th> Int.Conf. on Physics of Semiconductors

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Clear Spin Valve Signals in Conventional NiFe/In_<0.75>Ga_<0.25>As-2DEG Hybrid Two-Terminal Structures2004

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, K.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. 27^<th> Int. Conf. on Physics of Semiconductors Part B

      ページ: 1373-1374

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] High quality highly mismatched InSb films grown on GaAs substrate via thick AlSb and InAlSb step-graded buffers2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. of 11^<th> Modulated Semiconductor Structures (MSS-11)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Side-gate control of Physics of Rashba spin splitting in a InGaAs/InAlAs heterojunction narrow channel : toward spin-transistor-based Qubits2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proceedings of 27th Int. Conf. on Semiconductors, Part B

      ページ: 1297-1298

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-related transport in one-dimensional conductors made at high In content InGaAs/InALAs hetero junctions2004

    • 著者名/発表者名
      S.Yamada
    • 雑誌名

      J.Sci.and Tech.Advanced Materials 5

      ページ: 301-304

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076101
  • [雑誌論文] Spin-related transport in one-dimensional conductors made at high In-content InGaAs/InAlAs hetero-functions2004

    • 著者名/発表者名
      S.Yamada
    • 雑誌名

      Int.J.Sci. and Tech.Advanced Materials 5

      ページ: 301-304

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-polarized transport in Rashba quantum point contacts2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kita, T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Physica E 22

      ページ: 464-467

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Clear Spin Valve Signals in Conventional NiFe/In0.75Ga0.25As-2DEG Hybrid Two-Terminal Structures2004

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, K.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proceedings of 27th Int. Conf. on Semiconductors, Part B

      ページ: 1373-1374

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Side-gate control of Rashba spin splitting in a InGaAs/InAlAs heterojunction narrow channel : toward spin-transistor-based Qubits2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. 27^<th> Int. Conf. on Physics of Semiconductors Part B

      ページ: 1297-1298

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-related transport in one-dimensional conductors made at high In-content InGaAs/InAlAs hetero-junctions2004

    • 著者名/発表者名
      S.Yamada
    • 雑誌名

      J. Sci. and Tech. Advanced Materials 5

      ページ: 301-304

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin transport and injection in high-In content InGaAs/InAlAs heterostructure2003

    • 著者名/発表者名
      S.Yamada
    • 雑誌名

      Int.J.Sci. and Tech.Advanced Materials 4

      ページ: 77-80

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [学会発表] InGaAs 2次元電子ガス 2層デバイスのスピン依存伝導2022

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会 2022年第77回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] InGaAs 2次元電子ガス2層系のスピンバルブ伝導2021

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会 2021年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] CoFe-InGaAs複合系におけるスピンバルブ伝導の磁場方位・ゲート電圧依存性2021

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、添田幸伸 赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2021年第76回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] GaN/AlGaN 2次元電子ガスのスピン分裂2021

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、八木修一、成井啓修、山口栄一、今中康貴
    • 学会等名
      日本物理学会 2021年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] ゲート付きCoFe-InGaAsスピンバルブ素子における輸送解析2020

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、添田幸伸 赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2020年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] InGaAs2次元電子ガス2層系における共鳴スピンホール効果測定2016

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、添田幸伸、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学 泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs2次元電子ガス2層系における共鳴スピンホール効果測定2016

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、添田幸伸、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] 高In組成InGaAs2次元電子ガスにおけるスピンバルブ特性の結晶方位依存性2016

    • 著者名/発表者名
      添田幸伸、日高志郎、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学 泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 表面反転層高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系におけるサブバンド構造と量子ホール効果2016

    • 著者名/発表者名
      添田幸伸、赤堀誠志、藤元章、山田省二、今中康貴、竹端寛治
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学 泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 表面反転層高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系におけるサブバンド構造と量子ホール効果2016

    • 著者名/発表者名
      添田幸伸、赤堀誠志、藤元章、山田省二、今中康貴、竹端寛治
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] 高In組成InGaAs2次元電子ガスにおけるスピンバルブ特性の結晶方位依存性2016

    • 著者名/発表者名
      、添田幸伸、日高志郎、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] 中心にInAlAs障壁層をもつInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送2015

    • 著者名/発表者名
      胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第70回年次大会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都新宿区)
    • 年月日
      2015-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Characterization of Spin-Orbit Coupling in Gated Wire Structures Using In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As Inverted Heterojunctions2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, and S. Yamada
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, R3-3-3
    • 発表場所
      Tokyo Japan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] 中心にInAlAs障壁層をもつInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送2015

    • 著者名/発表者名
      胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第70回年次大会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都新宿区)
    • 年月日
      2015-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] Cyclotron resonance in InGaAs Rashba bilayer system2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Imanaka, K. Takehana, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] Traces of fractional quantum Hall plateaus in asymmetric two-dimensional bilayer system in wide In[0.75]Ga[0.25]As well2015

    • 著者名/発表者名
      S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada, Y. Imanaka, K. Takehana
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Fabrication and characterization of gated parallel wire structures having a metamorphic InGaAs/InAlAs heterojunction with high In content2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系共鳴スピンホール効果観測の基本検討2015

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2015年秋季大会
    • 発表場所
      関西大学千里山キャンパス
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系共鳴スピンホール効果観測の基本検討2015

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2015年秋季大会
    • 発表場所
      関西大学 千里山キャンパス
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Characterization of Spin-Orbit Coupling in Gated Wire Structures Using In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As Inverted Heterojunctions2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, and S. Yamada
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, R3-3-3
    • 発表場所
      Tokyo Japan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系における分数量子ホールプラトーの痕跡2015

    • 著者名/発表者名
      山田省二、今中康貴、竹端寛治、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2015年秋季大会
    • 発表場所
      関西大学千里山キャンパス
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] Cyclotron resonance in InGaAs Rashba bilayer system2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Imanaka, K. Takehana, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Traces of fractional quantum Hall plateaus in asymmetric two-dimensional bilayer system in wide In[0.75]Ga[0.25]As well2015

    • 著者名/発表者名
      S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada, Y. Imanaka, K. Takehana
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] Fabrication and characterization of gated parallel wire structures having a metamorphic InGaAs/InAlAs heterojunction with high In content2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] Subband transport in two-dimensional electron gas bilayer system in narrow In]0.75]Ga[0.25]As well with center In[0.75]Al[0.25]As barrier2015

    • 著者名/発表者名
      K. Hu, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] 高In組成メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の評価2015

    • 著者名/発表者名
      大堀高寛、赤堀誠志、日高志郎、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第70回年次大会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都新宿区)
    • 年月日
      2015-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系における分数量子ホールプラトーの痕跡2015

    • 著者名/発表者名
      山田省二、今中康貴、竹端寛治、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2015年秋季大会
    • 発表場所
      関西大学 千里山キャンパス
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Subband transport in two-dimensional electron gas bilayer system in narrow In]0.75]Ga[0.25]As well with center In[0.75]Al[0.25]As barrier2015

    • 著者名/発表者名
      K. Hu, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs 2次元電子ガス2層系の サブバンド輸送解析 (2)2014

    • 著者名/発表者名
      胡ガイ,張儲君,日高志郎,岩瀬比宇麻,赤堀誠志,山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会秋季大会
    • 発表場所
      中部大学(愛知県春日井市)
    • 年月日
      2014-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送解析 (2)2014

    • 著者名/発表者名
      胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会2014年秋季大会
    • 発表場所
      中部大学(愛 知県春日井市)
    • 年月日
      2014-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600012
  • [学会発表] 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(211)Bマスク基板上への面内配向InAsナノワイヤの形成2013

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志、村上達也、山田省二
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学 (京田辺)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] In-plane oriented InAs nanowire formation by selsctive area molecular beam epitaxy on GaAs (211)B substrates2013

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, T. Murakami, and S. Yamada
    • 学会等名
      the 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Wroclaw University of Technology (Wroclaw, Poland)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価2013

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志、村上達也、山田省二
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      富山大学 (富山)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性2012

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会2012秋季大会
    • 発表場所
      横浜
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs (110) masked substrates2012

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori and S. Yamada
    • 学会等名
      the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Zurich, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性2012

    • 著者名/発表者名
      日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会2012秋季大会
    • 発表場所
      横浜
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry2012

    • 著者名/発表者名
      S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori, and S. Yamada
    • 学会等名
      the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Zurich, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] 窒化物半導体によるダイオード素子の特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      西堀義美,内藤裕貴,一瀬大介,成田晋也,山田弘,人羅俊実,山口栄一,山田省二
    • 学会等名
      平成22年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      八戸工業大学
    • 年月日
      2010-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21540292
  • [学会発表] 陽子線照射によるIII族窒化物半導体の放射線耐性評価2009

    • 著者名/発表者名
      一瀬大介、成田晋也、西堀義美、山田弘、人羅俊実、山口栄一、酒見泰寛、伊藤正俊、吉田英智
    • 学会等名
      平成21年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      東北文化学園大学
    • 年月日
      2009-08-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21540292
  • [学会発表] Top-down fabrication and electrical characterization of In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As quantum nanostructures

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, T. Ohori, S. Hidaka, S. Yamada, and A. Yasaka
    • 学会等名
      International Symposium on Nano - Materials, Technology and Applications
    • 発表場所
      , Hanoi, Vietnam
    • 年月日
      2014-10-15 – 2014-10-17
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 新構造InGaAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送解析

    • 著者名/発表者名
      胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第69回年次大会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs2次元電子ガス2層系における量子ホール効果

    • 著者名/発表者名
      石田晋一、胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二、今中康貴、高増 正
    • 学会等名
      日本物理学会第69回年次大会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs2次元電子ガス2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果

    • 著者名/発表者名
      日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二、今中康貴,高増 正
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • 1.  赤堀 誠志 (50345667)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 46件
  • 2.  岩瀬 比宇麻 (10709132)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 13件
  • 3.  土家 琢磨 (40262597)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  堀 秀信 (20028244)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  古沢 昌宏 (00251976)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  成田 晋也 (80322965)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 7.  村上 修一 (30282685)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  内富 直隆 (20313562)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  金道 浩一 (20205058)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  桜井 透 (10183047)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  田中 雅明 (30192636)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  猪俣 浩一郎 (90323071)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  秋永 広幸 (90221712)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  BEAUVILLAIN Pierre
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  BARTENLIAN Bernard
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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