野村一郎 Nomura Ichiro

研究者番号	00266074
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 上智大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 上智大学, 理工学部, 教授 2018年度 – 2021年度: 上智大学, 理工学部, 教授 2016年度: 上智大学, 理工学部, 教授 2014年度 – 2015年度: 上智大学, 理工学部, 准教授 2009年度 – 2012年度: 上智大学, 理工学部, 准教授 … もっと見る 2009年度: 理工学部, 准教授 2008年度: 上智大学, 理工学部・機能創造理工学科, 講師 2006年度 – 2008年度: 上智大学, 理工学部, 講師 1997年度 – 2005年度: 上智大学, 理工学部, 助手 1998年度: 上智大学, 理工学部電気・電子工学科, 助手 1998年度: 上智大学, 理工学部電気電子工学科, 助手 1995年度 – 1996年度: 上智大学, 理工学部・電気・電子工学科, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 理工系 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 … もっと見る / 工学 / 理工系 / マイクロ・ナノデバイス / 応用物性・結晶工学 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 応用光学・量子光工学隠す
キーワード	研究代表者 InP基板 / II-VI族半導体 / レーザ / 超格子 / 半導体レーザ / 分子線エピタキシー / フォトルミネッセンス / MgSe / 発光ダイオード / フォトルミネッセンス測定 … もっと見る / MgZnCdSe / Ⅱ-Ⅵ族半導体 / 量子井戸 / サブバンド間遷移 / 共鳴トンネルダイオード / 光デバイス / 伝導帯バンド不連続 / クラッド層 / 寿命特性 / しきい値電流密度 / BeZnSeTe / BeZnTe超格子 / ZnCdSe / BeZnCdSe / BeZnTe / 分子線エピタキシー法 / 分子線エピタキシ-法 / モノリシック / 三原色 / エッチピット密度 / 活性層 / 量子カスケードレーザ / ショットキー性 / 光閉じ込め係数 / 微分負性抵抗 / 光導波路 / ヘテロ接合 / ヘテロ障壁 / 光通信波長帯 / light emitting diode / n-tvne cloning / superlattice / InP substrate / II-VI compound semiconductor / semiconductor laser diode / yellow emission / green emission / 可視光 / タイプIIヘテロ接合 / 超寿命動作 / p型ドーピング / 黄色発光 / 緑色発光 / ドーピング制御 / ダイオード / ヘテロ界面 / キャリア注入 / バンド不連続 / 光起電力 / 光吸収スペクトル / タイプⅡ超格子 / ショットキー / 負性微分抵抗 / 負性抵抗 / タイプⅡヘテロ材料 / Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体 / MgSe/BeZnTe超格子 / 均一ドーピング / 変調ドーピング / C-V測定 / 二次イオン質量分析 / ドーピング / II-VI族 / 光閉じ込め / 導波路 / スパッタ法 / ZnSeTe / ZnTe / コンタクト層 / 透明導電膜 / 酸化インジウムスズ / 電子材料 / 電気 / 信頼性 / II-IV族半導体 / 緑色 / 選択エッチング / ダブルヘテロ構造 / 光励起発振 / 緑色半導体レーザ / フルカラーデバイス / 可視光デバイス / レーザ発振 / 多重量子障壁 / p側クラッド層 / ZnSeTe超格子 / ラジカル窒素ドーピング / 禁制帯幅 / フルカラー光デバイス / Be系II-VI族半導体 / 自己組織化 / CdSe超格子 / ZnSe / 短波長可視光レーザ / 量子細線 / AlGaInP / III-V族半導体 / 自己形成法 / 量子細線レーザ / 短波長半導体レーザ … もっと見る研究代表者以外分子線エピタキシー / ナノコラム / 窒化物半導体 / ガリウムナイトライド / 超格子 / LED / 半導体超微細化 / 選択成長 / 量子準位間遷移 / アルミニウムナイトライド / molecular beam epitaxy / レーザ / ナノ結晶 / 光源技術 / 光通信 / 半導体レーザ / 発光ダイオード / InP基板 / InGaN / 三原色集積型光デバイス / 量子ドット / 光物性 / マイクロ・ナノデバイス / 超細線化 / ランダムレーザ / 超細線 / フォトニック結晶 / 三原色 / pump-probe technique / optical integrated circuit / multiple quantum well / optical communication / Aluminum nitride / Gallium nitride / inter subband transition / ポンププローブ法 / 光集積回路 / 多重量子井戸 / distributed Bragg reflector / nitride semiconductor / UV detector / shutter control method / resonant cavity enhanced nhotodetector / aluminum nitride / gallium nitride / 分子線エピタキシ- / 多層膜反射鏡 / 窒素物半導体 / 紫外線受光素子 / シャッター制御法 / 共振型受光素子 / アムミニウムナイトライド / GaN / 電界効果トランジスタ / FET / ナノウォール / ナノ電子デバイス / ナノ光デバイス / 緑色発光 / しきい値電流密度 / BeZnTe超格子 / MSe / ダブルヘテロ構造 / 光励起発振 / 二次イオン質量分析 / タイプIIヘテロ障壁 / MgSe/BeZnTe超格子 / MgSe/ZnCdSe超格子 / タイプIIヘテロバリア / 黄色発光 / 成長中断 / 間接遷移 / 直接遷移 / フォトルミネッセンス / 活性層 / BeZnSeTe / BeZnTe/ZnSeTe超格子 / 量子井戸 / ナノデバイス / A1GaInN / AIGaInA / InN / 結晶成長 / AlGaInN / サブバンド間遷移 / ISBT / 光検出器 / BeZnTe / MgZnCdSe / 可視光デバイス / 寿命特性 / ZnTe基板 / II-VI族半導体 / 光デバイス / 可視光隠す

モノリシック三原色半導体レーザへの挑戦研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  上智大学
ナノコラム結晶による三原色集積型発光デバイスの革新
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  上智大学
InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体によるサブバンド間遷移光デバイスの新展開研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  上智大学
タイプⅡヘテロ新材料の開拓とデバイス応用に向けた研究研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  上智大学
ナノ結晶効果によるエネルギー・環境適合デバイスの革新
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2016
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  上智大学
高性能緑色域半導体レーザに向けた新ヘテロ材料の開拓研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  上智大学
新材料による緑色半導体レーザの基盤技術の開拓
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  上智大学
窒化物半導体ナノウォール結晶のヘテロ構造制御と光・電子デバイス応用技術の開発
- 研究代表者
  
  菊池昭彦
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  上智大学
緑色半導体レーザの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  上智大学
赤色～赤外域AlGaInN系光デバイス基盤技術の開拓
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  上智大学
InGaNナノコラムの多色発光機構の解明とデバイス応用に関する研究
- 研究代表者
  
  菊池昭彦
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  上智大学
GaN/A1N量子構造による光通信域・超高速光検出素子の探索的研究
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  2005
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  上智大学
イエロー/グリーン半導体レーザの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  上智大学
広い可視光領域をカバーする光デバイス用材料の開拓
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  上智大学
サブバンド間遷移を用いた光通信波長域光半導体の基礎的研究
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  上智大学
InP基板上Be系II-VI族半導体新材料の開発とフルカラーデバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  上智大学
InP基板上MgZnCdSeII-VI族半導体によるフルカラー光情報処理素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  上智大学
分子エピタキシー法による III-V族窒化物半導体共振型紫外線受講デバイスの開発
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  上智大学
II-VI族半導体量子細線の結晶成長と短波長可視光レーザーへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  上智大学
短波長量子細線半導体レーザの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  野村一郎
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  上智大学

[図書] Fundamental Properties and Modem Photonic and Electronic Devices2007
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura, et al
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[雑誌論文] Investigation of the n-side structures of II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates2019
- 著者名/発表者名
  Kenta Ishii, Ryosuke Amagasu, and Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 512 ページ: 96-99
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.02.014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[雑誌論文] Application of indium tin oxide to the p-cladding layers of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates2016
- 著者名/発表者名
  Koji Fukushima, Tomohiro Shiraishi, Ryohei Kobayashi, Katsumi Kishino, and Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  physica status solidi
  
  巻: 未定
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[雑誌論文] Investigation of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates2016
- 著者名/発表者名
  Ryohei Kobayashi, Shingo Takamatsu, Koji Fukushima, Katsumi Kishino, and Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  physica status solidi
  
  巻: 未定
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[雑誌論文] Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE2015
- 著者名/発表者名
  Shingo Takamatsu, Ichirou Nomura, Tomohiro Shiraishi, and Katsumi Kishino
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 425 ページ: 199-202
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2015.02.042
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[雑誌論文] Photopumped lasing characteristics in green-to-yellow range for BeZnSeTe II-VI compound quaternary double heterostructures grown on InP substrates2011
- 著者名/発表者名
  I. Nomura, Y. Sawafuji, and K. Kishino
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol. 50 号: 3R ページ: 031201-031201
- DOI
  10.1143/jjap.50.031201
- NAID
  210000070082
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[雑誌論文] Photopumped lasing characteristics in green-to-yellow range for BeZnSeTe II-VI compound quaternary double heterostructures grown on InP substrates2011
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50
- NAID
  210000070082
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[雑誌論文] Photopumped lasing characteristics in green-to-yellow range for BeZnSeTe II-VI compound quaternary double heterostructures grown on InP substrates2011
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50
- NAID
  210000070082
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246002
[雑誌論文] Photopumped green lasing on BeZnSeTe double heterostructures grown on InP substrates2009
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura, Katsumi Kishino, Tomoya Ebisawa, Yutaka Sawafuji, Rieko Ujihara, Kunihiko Tasai, Hitoshi Nakamura, Tsunenori Asatsuma, Hiroshi Nakajima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 94
  
  ページ: 21104-21104
- NAID
  120005880478
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[雑誌論文] First photopumped yellow-green lasing operation of BeZnSeTe/(MgSe/BeZnTe) doublehetero structures (DHs) grown on InPsubstrates2009
- 著者名/発表者名
  Tomoya Ebisawa, Ichirou Nomura, Katsumi Kishino, Kunihiko Tasai, Hitoshi Nakamura, Tsunenori Asatsuma, Hiroshi Nakajima
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 311
  
  ページ: 2291-2293
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[雑誌論文] Photopumped green lasing on BeZnSeTe double heterostructures grown on InP substrates2009
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
- NAID
  120005880478
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[雑誌論文] Photopumped green lasing on BeZnSeTe double heterostructures grown on InP substrates2009
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
- NAID
  120005880478
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246002
[雑誌論文] Zn irradiation effects in MBE growth of MgSe/BeZnSeTe II-VI compound superlattices on InP substrates2007
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 301/302
  
  ページ: 273-276
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Zn irradiation effects in MBE growth of MgSe/BeZnSeTeII-VI compound superlattices on InP substrates2007
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.301-302
  
  ページ: 273-276
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Zn irradiation effects in MBE growth of MgSeBeZnSeTe II-VI compound superlattices on InP substrates2007
- 著者名/発表者名
  Ichirou, Nomura, Tomohiro, Yamazaki, Hiroaki, Hayashi, Koichi, Hayami, Masaki, Kato, Katsumi, Kishino
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 301-302
  
  ページ: 273-276
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Zn irradiation effects in MBE growth of MgSe/BeZnSeTe II-VI compound superlattices on InP substrates2007
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura, Tomohiro Yamazaki, Hiroaki Hayashi, Koichi Hayami, Masaki Kato, Katsumi Kishino
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 301-302
  
  ページ: 273-276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[雑誌論文] Zn irradiation effects in MBE growth of MgSe/BeZnSeTe II-VI compound superlattices on InP substrates2007
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 301-302
  
  ページ: 273-276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[雑誌論文] Yellow-green lasing operations of ZnCdTe/MgZnSeTe laser diodes on ZnTe substrates2006
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  physica status solidi(b) Vol.243 No.4
  
  ページ: 955-958
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] High p-type doping of MgZnCdSe on InP substrates by inserting ZnTe thin layers2006
- 著者名/発表者名
  Takumi, Saitoh, Ichirou, Nomura, Kan, Sueoka, Akihiko, Kikuchi, Katsumi, Kishino
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c) Vol. 3, No. 4
  
  ページ: 857-860
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Long life operations over 5000 hours of BeZnSeTe/MgZnCdSe visible light emitting diodes on InP substrates2006
- 著者名/発表者名
  Ichirou, Nomura, Yuki, Nakai, Koichi, Hayami, Takumi, Saitoh, Katsumi, Kishino
- 雑誌名
  
  physica status solidi(b) Vol. 243, No. 4
  
  ページ: 924-928
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Yellow-green lasing operations of ZnCdTe/MgZnSeTe laser diodes on ZnTe substrates2006
- 著者名/発表者名
  Ichirou, Nomura, Asuka, Manoshiro, Akihiko, Kikuchi, Katsumi, Kishino
- 雑誌名
  
  physica status solidi(b) Vol. 243, No. 4
  
  ページ: 955-958
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Long life operations over 5000 hours of BeZnSeTe/MgZnCdSe visible light emitting diodes on InP substrates2006
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  physica status solidi(b) Vol.243 No.4
  
  ページ: 924-928
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Yellow-green lasing operations of ZnCdTe/MgZnSeTe laser diodes on ZnTe substrates2006
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  physica status solidi(b) Vol.243,No.4
  
  ページ: 955-958
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Long life operations over 5000 hours of BeZnSeTe/MgZnCdSe visible light emitting diodes on InP substrates2006
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  physica status solidi(b) Vol.243,No.4
  
  ページ: 924-928
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Characterization of ZnCdSeTe/MgZnSeTe materials for ZnTe-based visible optical devices2004
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b) Vol.241,No.3
  
  ページ: 483-486
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[雑誌論文] Proposal of BeZnTe/ZnSeTe superlattice quasi-quaternaries on InP substrates for yellow/green light emitting devices
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, I. Nomura, K. Murakami, and K. Kishino
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
- URL
  http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202481200958X
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[産業財産権] 半導体レーザ2006
- 発明者名
  野村一郎, 岸野克巳, 中村均, 大歳創, 紀川健, 藤崎寿美子, 田中滋久, 朝妻庸紀
- 権利者名
  上智大学
- 産業財産権番号
  2006-228808
- 出願年月日
  2006-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[産業財産権] 半導体積層構造および半導体素子2006
- 発明者名
  野村一郎, 岸野克巳, 中村均, 朝妻庸紀
- 権利者名
  上智大学
- 産業財産権番号
  2006-253765
- 出願年月日
  2006-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[産業財産権] InP基板を有する光半導体装置2005
- 発明者名
  野村一郎, 岸野克巳, 玉村好司, 中村均
- 権利者名
  上智大学
- 出願年月日
  2005-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560308
[学会発表] InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスに向けたZnCdSe/MgZnSeTeダブルヘテロ構造の作製と評価2023
- 著者名/発表者名
  小沼遼、梅田恒、銭増一、鈴木優太、張健一、野村一郎
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03975
[学会発表] 赤色発光MQWｓを有するＩｎＧａＮ系ナノコラムにおけるＡｌＧａＮ小壁装のＡｌ組成非依存性2022
- 著者名/発表者名
  山田順平、本田達也、水野愛、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] 下地コラムトップ角度によるInGaN/GaN ナノコラムの発光スペクトル制御2021
- 著者名/発表者名
  吉村賢哉、高橋昂司、滝本啓司、本田達也、山田純平、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] nGaN系ナノコラムの形状制御とその発光特性2021
- 著者名/発表者名
  山田純平、本田達也、水野愛、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第2回半導体ナノフォトニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] GaN系ナノコラムにおけるn-GaN平坦層がInGaN/AlGaN MQWs発光層に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  山田純平、本田達也、吉田圭吾、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] 高充填率InGaN/GaN規則配列ナノコラムの発光色制御2021
- 著者名/発表者名
  髙橋昂司、滝本啓司、吉村賢哉、山田純平、本田達也、冨樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける発光色制御メカニズムの解析2021
- 著者名/発表者名
  髙橋昂司、滝本啓司、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第2回半導体ナノフォトニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] ハニカム配列GaInN/GaN ナノコラムLED の製作プロセス2021
- 著者名/発表者名
  上野彰大、今村暁、山田純平、本田達也、大音隆男、山口智広、冨樫理恵、野村一郎、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] (0001)および（10-11）面InGaN/GaNナノコラム上InGaN/AlGaN MQWsの発光特性2021
- 著者名/発表者名
  山田純平、本田達也、水野愛、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Fabrication process of GaInN/GaN honeycomb array nanocolumn LEDs for integration of surface plasmonic resonance scheme2020
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ueno, Gyo Imamura, Keigo Yoshida, Keiji Takimoto, Ichirou Nomura, Rie Togashi, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda, Katsumi Kishino
- 学会等名
  8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオード特性の理論解析と素子構造依存性の検討2020
- 著者名/発表者名
  章燕瀛嬌、前田慶治、野村一郎
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] 低充填率と高充填率InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける発光色変化メカニズムの比較検討2020
- 著者名/発表者名
  吉村賢哉、滝本啓司、成田一貴、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第３回結晶工学×ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザ構造におけるp側ヘテロ接合の基礎検討2020
- 著者名/発表者名
  米国シン、野村一郎
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] GaInN/GaN規則配列ナノコラム結晶における活性層の構造と光学特性の関係2020
- 著者名/発表者名
  吉田圭吾、滝本啓司、富樫理恵、野村一郎、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Red Emitting InGaN-based Ordered Nanocolumns Exhibiting Photonic Crystal Effects at 671 nm2019
- 著者名/発表者名
  K. Takimoto, K. Narita, K. Yoshida, T. Oto, T. Yamaguchi, T. Honda, T. Onuma, R. Togashi, I. Nomura and K. Kishino
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Theoretical analysis of current-voltage characteristics in II-VI compound semiconductor hetero-junctions on InP substrates2019
- 著者名/発表者名
  Hodaka Kobayashi, Keiji Maeda, and Ichirou Nomura
- 学会等名
  The 19th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe/MgZnSeTe黄色レーザダイオード構造の検討2019
- 著者名/発表者名
  前田慶治、石井健太、小林穂貴、野村一郎
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] InP基板上MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードの特性解析2019
- 著者名/発表者名
  前田慶治、酒井琢己、野村一郎
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] Electrical characteristic analysis of MgSe/ZnCdSe resonant tunneling diodes on InP substrates2019
- 著者名/発表者名
  Keiji Maeda, Takumi Sakai, and Ichirou Nomura
- 学会等名
  The 19th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] 規則配列InGaNナノコラムを用いた赤色域発光結晶2019
- 著者名/発表者名
  滝本啓司、成田一貴、吉田圭吾、大音隆男、山口智広、本田徹、尾沼猛儀、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] AlNバッファ層Si基板上のInGaN/GaNナノコラム成長2019
- 著者名/発表者名
  十河康治、山野晃司、野村一郎、富樫理恵、岸野克巳
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスにおけるp側正孔伝導特性の理論解析2019
- 著者名/発表者名
  小林穂貴、前田慶治、野村一郎
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] Recent Activities on Visible Range Nanocolumn (NC) Emitting Devices - New development on micro LED-2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishino, K. Narita, A. Yanagihara, D. Hatakeyama, K. Takimoto, N. Sakakibara1, T. Oto, I. Nomura and R. Togashi
- 学会等名
  39th Electronic Materials Symposium (EMS-39)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] MgSe/ZnCdSe II-VI compound semiconductor resonant tunneling diodes on InP substrates,2018
- 著者名/発表者名
  Takumi Sakai and Ichirou Nomura
- 学会等名
  20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] Investigation of the n-side structures of II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates2018
- 著者名/発表者名
  Kennta Ishii, Ryosuke Amagasu, Hodaka Kobayashi, and Ichirou Nomura
- 学会等名
  20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] Investigation of the conduction band discontinuity of the MgSe/ZnCdSe hetero-structure on InP substrates using the n-i-n diode2018
- 著者名/発表者名
  Hodaka Kobayashi, Yudai Momose, Takumi Sakai, and Ichirou Nomura
- 学会等名
  20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスにおけるn側構造の電気特性解析2018
- 著者名/発表者名
  小林穂貴、石井健太、前田慶治、野村一郎
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04243
[学会発表] InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスに向けたn側電流注入構造の検討2017
- 著者名/発表者名
  石井健太，小林亮平，天春良祐，岸野克巳，野村一郎
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] InP基板上MgSe/ZnCdSeⅡ-Ⅵ族半導体共鳴トンネルダイオードの作製2017
- 著者名/発表者名
  酒井琢己，小林亮平，百瀬優大，岸野克已，野村一郎
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] n-i-nダイオードを用いたInP基板上ZnCdSe/BeZnTeヘテロ障壁の評価2017
- 著者名/発表者名
  百瀬優大，小林亮平，酒井琢己，岸野克已，野村一郎
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザに向けたデバイス構造解析2016
- 著者名/発表者名
  天春良祐、小林亮平、岸野克已、野村一郎
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] 規則配列ナノコラムフリップチップLEDの特性向上に向けた素子パターン構造の検討2016
- 著者名/発表者名
  野間友博、林宏暁、福島大史、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24000013
[学会発表] 特性向上に向けたナノコラムフリップチップLEDの構造評価2015
- 著者名/発表者名
  野間友博、林宏暁、福島大史、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場、愛知
- 年月日
  2015-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24000013
[学会発表] Phase diagrams of disordered 3D topological insulators and superconductors2015
- 著者名/発表者名
  T. Ohtsuki, K. Kobayashi, K.-I. Imura, K. Nomura
- 学会等名
  American Physical Society, March Meeting
- 発表場所
  San Antonio, USA
- 年月日
  2015-03-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24000013
[学会発表] Investigation of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates2015
- 著者名/発表者名
  Ryohei Kobayashi, Shingo Takamatsu, Koji Fukushima, Katsumi Kishino, and Ichirou Nomura
- 学会等名
  17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2015)
- 発表場所
  Paris, France
- 年月日
  2015-09-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] Application of indium tin oxide to the p-cladding layers of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates2015
- 著者名/発表者名
  Koji Fukushima, Tomohiro Shiraishi, Ryohei Kobayashi, Katsumi Kishino, and Ichirou Nomura
- 学会等名
  17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2015)
- 発表場所
  Paris, France
- 年月日
  2015-09-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] InP基板上II-VI族半導体光デバイスのp側電極抵抗低減に向けたコンタクト層及び電極材料の検討2014
- 著者名/発表者名
  高松眞吾，野村一郎，白石智裕，岸野克巳
- 学会等名
  第3回結晶工学未来塾(2014)
- 発表場所
  学習院大学（東京）
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] InP基板上II-VI族半導体光デバイスに向けた酸化インジウムスズ透明導電膜の作製と評価2013
- 著者名/発表者名
  白石智裕、野村一郎、村上圭介、小林俊輝、高松眞吾、岸野克巳
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会、16a-B4-9
- 発表場所
  同志社大学、京都
- 年月日
  2013-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24000013
[学会発表] InP 基板上 BeZnSeTe 系II-VI族半導体光デバイスにおける ZnSeTe p 側コンタクト層の効果2013
- 著者名/発表者名
  高松眞吾,野村一郎,小林俊輝,岸野克巳
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2013-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[学会発表] 窒化物半導体の特異ナノ構造制御とデバイス展開2012
- 著者名/発表者名
  岸野克巳, 江馬一弘, 菊池昭彦, 野村一郎
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21310087
[学会発表] 窒化物半導体の特異ナノ構造制御とデバイス展開2012
- 著者名/発表者名
  岸野克巳、江馬一弘、菊池昭彦、野村一郎
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会、15a-F11-2
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21310087
[学会発表] Development of II-VI Compound Semiconductors on InP Substrates for Green and Yellow Lasers2012
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 学会等名
  The 1st Annual World Congress of Advanced Materials Conference (WCAM-2012)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2012-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246002
[学会発表] InP 基板上BeZnTe/ZnSeTe 超格子擬似混晶における発光波長制御2012
- 著者名/発表者名
  小林俊輝,村上佳介,野村一郎,白石智裕,高松眞吾,岸野克巳
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[学会発表] InP 基板上 BeZnTe/ZnSeTe超格子擬似混晶の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  小林俊輝,野村一郎,村石一生,村上圭祐,岸野克巳
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[学会発表] Development of II-VI compound semiconductors on InP substrates for green and yellow lasers2012
- 著者名/発表者名
  I. Nomuraand K. Kishino
- 学会等名
  The 1st Annual World Congress of Advanced Materials Conference
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2012-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[学会発表] Development of II-VI compound semiconductors on InP substrates for green and yellow lasers2012
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 学会等名
  The 1st Annual World Congress of Advanced Materials Conference (WCAM-2012)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[学会発表] InP 基板上ZnCdSe/BeZnTe タイプII超格子におけるフォトルミネッセンス発光特性の評価2012
- 著者名/発表者名
  村上佳介,小林俊輝,野村一郎,白石智裕,高松眞吾,岸野克巳
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[学会発表] Proposal of BeZnTe/ZnSeTe superlattice quasi-quaternaries on InP substrates for yellow/green light-emitting devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, I. Nomura, K. Murakami, and K. Kishino
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[学会発表] InP 基板上 BeZnSeTeII-VI族半導体混晶の発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  村石一生,野村一郎,バディヴェルラメッシュ,澤藤豊,岸野克巳
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560301
[学会発表] InP基板上 BeZnSeTe ダブルヘテロ(DH)構造における黄色-緑色域光励起発振特性2009
- 著者名/発表者名
  澤藤豊, 野村一郎, 蛯沢智也, 櫛田俊, 岸野克巳
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  茨城
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] Green to yellow light emitters with II-VI semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Katsumi Kishino, Ichirou Nomura
- 学会等名
  14th International Conference on II-VI Compounds
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia (Invited)
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] Photopumped lasing characteristics of yellow-green BeZnSeTe double-heterostructures grown on InP substrates2009
- 著者名/発表者名
  Yutaka Sawafuji, Ichirou Nomura, Tomoya Ebisawa, Shun Kushida, Katsumi Kishino
- 学会等名
  14th International Conference on II-VI Compounds
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] InP基板上BeZnSeTeダブルヘテロ構造における緑色域光励起発振特性の評価2009
- 著者名/発表者名
  澤藤豊, 野村一郎, 岸野克巳
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] High reliable BeZnSeTe/MgZnCdSe II-VI compound green lightemitting devices on InP substrates2008
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura
- 学会等名
  The International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2008)
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2008-05-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] InP基板上BeZnSeTe H-VI族半導体の発光特性におけるBe組成依存性2008
- 著者名/発表者名
  蛯沢智也, 野村一郎, 遠山和樹, 黒岩創, 岸野克巳
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  千葉
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] First photo-pumped yellow-green lasing operation of BeZnSeTe/ (MgSe/BeZnTe)2008
- 著者名/発表者名
  Tomoya Ebisawa, Ichirou Nomura, Katsumi Kishino, Kunihiko Tasai, Hitoshi Nakamura, Tsunenori Asatsuma, Hiroshi Nakajima
- 学会等名
  double-hetero (DH) structures grown on InP substrates, 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2008)
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2008-08-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] 中島博, InP基板 BeZnSeTe/(MgSe/BeZnTe)DH構造における光励起緑色発振2008
- 著者名/発表者名
  蛯沢智也, 野村一郎, 岸野克巳, 田才邦彦, 中村均, 朝妻庸紀
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] High reliable BeZnSeTe/MgZnCdSe II-VI compound green light emitting devices on InP substrates2008
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura, Tomoya Ebisawa, Shun Kushida, Kazuki Toyama, Soh Kuroiwa, Katsumi Kishino
- 学会等名
  The International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2008)
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2008-05-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓2008
- 著者名/発表者名
  野村一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2008-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] Proposal of BeZnSeTe/MgZnCdSe II-VI compound semiconductors on InP substrates for green laser diodes2008
- 著者名/発表者名
  Ichirou Nomura, Katsumi Kishino, Tomoya Ebisawa, Shun Kushida, Jun Uota, Kunihiko Tasai, Hitoshi Nakamura, Tsunenori Asatsuma, Hiroshi Nakajima
- 学会等名
  2008 International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2008)
- 発表場所
  Sorrento Italy
- 年月日
  2008-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓2008
- 著者名/発表者名
  野村一郎, 岸野克巳, 蛯沢智也, 櫛田俊, 田才邦彦, 中村均, 朝妻庸紀, 中島博
- 学会等名
  電子情報通信学会, レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] InP基板上II-VI族発光デバイスに向けたMgZnSeTe nクラッド層の検討2007
- 著者名/発表者名
  黒岩創, 野村一郎, 加藤昌己, 蛯沢智也, 岸野克巳
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] InP基板上BeZnCdSe II-VI族半導体の結晶成長と特性評価2007
- 著者名/発表者名
  蛯沢智也, 野村一郎, 加藤昌己, 黒岩創, 岸野克巳
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学科会年末講演会「結晶から拡がる科学」
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] Design and fabrication of BeZnSeTe/MgZnCdSe II-VI green light emitting devices on InP substrates2007
- 著者名/発表者名
  Masaki Kato, Ichirou Nomura, Hiroaki Hayashi, Soh Kuroiwa, Katsumi Kishino
- 学会等名
  The 13th International Conference on II-VI Compounds
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2007-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] nクラッド層材料としてのInP基板上MgZnSeTe II-VI族半導体の作製と評価2007
- 著者名/発表者名
  黒岩創, 野村一郎, 加藤昌己, 蛯沢智也, 岸野克巳
- 学会等名
  応用物理学会結晶から拡がる科学
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] 岸野克巳, InP基板上BeZnCdSe II-VI族半導体の発光特性2007
- 著者名/発表者名
  蛯沢智也, 野村一郎, 加藤昌己, 黒岩創
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] InP基板上BeZnSeTe緑色半導体レーザ構造の検討2007
- 著者名/発表者名
  加藤昌己, 野村一郎, 黒岩創, 蛯沢智也, 岸野克巳
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360166
[学会発表] InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザに向けたpクラッド層材料の検討
- 著者名/発表者名
  小林亮平，野村一郎，高松眞吾，白石智裕，福島浩二，岸野克巳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] スパッタ成膜AIN上単結晶ナノコラムのフィリップチップボンディング
- 著者名/発表者名
  林宏暁、富松大典、福島大史、野間友博、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学、北海道
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24000013
[学会発表] スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製
- 著者名/発表者名
  野間友博, 林宏暁, 福島大史, 今野裕太, 野村一郎, 岸野克巳
- 学会等名
  電子情報通信学会, 電子デバイス研究会, 信学技報, ED2014-97
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24000013
[学会発表] InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザのための酸化インジウムスズpクラッド層の検討
- 著者名/発表者名
  福島浩二，野村一郎，白石智裕，高松眞吾，小林亮平，岸野克巳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE
- 著者名/発表者名
  Shingo Takamatsu, Ichirou Nomura, Tomohiro Shiraishi, and Katsumi Kishino
- 学会等名
  The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2014)
- 発表場所
  Flagstaff, Arizona (USA)
- 年月日
  2014-09-07 – 2014-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279
[学会発表] スパッタAlN上規則配列ナノコラムLEDのフリップチップ加工
- 著者名/発表者名
  野間友博、林宏暁、福島大史、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24000013
[学会発表] Proposal of applying indium tin oxide to p-cladding layers of green/yellow II-VI compound semiconductor laser diode structures
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Shiraishi, Ichirou Nomura, Shingo Takamatsu, and Katsumi Kishino
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung (Taiwan)
- 年月日
  2014-12-14 – 2014-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420279

1. 岸野克巳 (90134824)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 45件
2. 菊池昭彦 (90266073)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 4件
3. 大槻東巳 (50201976)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
4. 関口寛人 (00580599)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 光野徹也 (20612089)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 江馬一弘 (40194021)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 中岡俊裕 (20345143)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 関根智幸 (60110722)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 音賢一 (30263198)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 大音隆男 (20749931)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
11. 富樫理恵 (50444112)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
12. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件

野村 一郎 Nomura Ichiro

研究課題

研究成果

共同研究者

モノリシック三原色半導体レーザへの挑戦研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体によるサブバンド間遷移光デバイスの新展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

タイプⅡヘテロ新材料の開拓とデバイス応用に向けた研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高性能緑色域半導体レーザに向けた新ヘテロ材料の開拓研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

緑色半導体レーザの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イエロー/グリーン半導体レーザの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

野村一郎 Nomura Ichiro