遠藤哲郎 ENDOH Tetsuo

研究者番号	00271990
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東北大学, 工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2018年度: 東北大学, 工学研究科, 教授 2012年度: 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 2012年度: 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2008年度 – 2011年度: 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教授 2007年度: 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 … もっと見る 2006年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 1997年度 – 1999年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 1996年度: 東北大学, 電気通信研究所, 講師隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外工学 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 薄膜・表面界面物性 / 理工系
キーワード	研究代表者 SGT / 3次元MOSトランジスタ / MOSトランジスタ / ナノデバイス / 電子デバイス / 集積回路 / Three dimensional integrated circuit / Three dimensional MOS transistor / MOS transistor / 3次元MOSFET … もっと見る / 3次元集積回路 / Mobility / Threshold Voltage / Voltage Current Characteristics / 3-Demensional MOS Transistor / MOS Transistor / 3次元MOSトランジスター / MOSトランジスター / モビリティー / しきい値 / 電圧電流特性 / スピン制御 / ＭＴＪ / 磁気トンネル接合素子 / ＭＴＪ素子 / スピンダイナミクス / ナノエレクトロニクス / 高速電気信号測定 / MTJ素子 / 電子トンネル / スピンダイナミクス / スピン注入伝達式磁気トンネル接合素子 / スピン反転過程 / スピントロニクス / シリコンデバイス / シリコン結晶 / 半導体 / ナノ電子物性科学 / 移動度 / ひずみ / シリコン / 電子輸送 / 電子物性 / 表面科学 / 不純物ドープ / シリコン結晶シリコンデバイス / 半導体デバイス / LSI / CAD / デバイスシミュレーション / 立体構造デバイス / 縦型トランジスタ … もっと見る研究代表者以外 Flash memory / M-SGT / SGT / スピンエレクトロニクス / 人工知能 / スピントロニクス / Structural analysis / Silicon dioxide / 構造解析 / フラッシュメモリ / シリコン酸化膜 / SGT Flash memory / Three-dimensional MOSFET / M-SGTM-SGT / SGT Flashメモリ / Flashメモリ / 3次元MOSFET / 初期酸化過程 / STM測定 / XPS, SR-XPS測定 / UVオゾン処理 / 表面再配列構造 / 酸化歪 / 放射光 / 光電子分光 / Si酸化 / Si(110)面 / 「その場」走査トンネル顕微鏡測定 / リアルタイム光電子分光測定 / 初期酸化 / Si(110) / 炭素ナノチューブ / 量子効果 / MOSトランジスタ / 半導体 / ナノ物性 / 半導体デバイス / 界面 / ナノサイエンス / 新材料 / ナノ界面 / 理論 / 第一原理計算隠す

スピントロニクスを用いた人工知能ハードウェアパラダイムの創成
- 研究代表者
  
  大野英男
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2021
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  東北大学
スピントロニクス素子におけるスピン反転の中間状態観測とその制御経路の探索研究代表者
- 研究代表者
  
  遠藤哲郎
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
極微細構造シリコン結晶の電子物性に基づくナノスケール半導体デバイスに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  遠藤哲郎
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学
次世代CMOSプロセスを基礎付けるSi(110)表面酸化機構の解明と電気特性
- 研究代表者
  
  末光眞希
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学
第一原理量子論によるナノデバイス材料・界面の物性予測
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
デバイス設計の自由度を向上させる構造を有する縦型トランジスタに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  遠藤哲郎
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学
電気的解析手法と構造的解析手法の融合によるシリコン酸化膜の破壊機構に関する研究
- 研究代表者
  
  舛岡富士雄
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
3次元MOSデバイスを用いた超高性能3次元集積回路に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  遠藤哲郎
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東北大学
集積回路に用いられるナノメータ・スケールMOSトランジスタの研究
- 研究代表者
  
  舛岡富士雄 (桝岡富士雄)
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東北大学
超高集積回路に用いられる3次元トランジスタの動作機構の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  遠藤哲郎
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東北大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell2011
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Sakurai, Y.Takada, Y.Shigeta, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, S.Nomura, K.Shiraishi, T.Endoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell2011
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Sakurai, Y.Takada, Y.Shigeta, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, S.Nomura, K.Shiraishi, T.Endoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: (未定)(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Enhancing Single-ion Detection Efficiency by Applying a Substrate Bias Voltage for Deterministic Single-ion Doping2011
- 著者名/発表者名
  M.Hori, T.Shinada, T.Endoh, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: (未定)(Accepted)
- NAID
  10028210001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and Performance on its CMOS Inverter2011
- 著者名/発表者名
  T.Sasaki, T.Imamoto, T.Endoh
- 雑誌名
  
  MICE Transactions on Electronics
  
  巻: E94-C(印刷中)
- NAID
  110007889996
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Collective Electron Tunneling Model in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Structure2011
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Sakurai, Y.Takada, Y.Shigeta, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, S.Nomura, K.Shiraishi, T.Endoh
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 470 ページ: 48-53
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET2011
- 著者名/発表者名
  T.Imamoto, T.Sasaki, T.Endoh
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E94-C(印刷中)
- NAID
  110007889999
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Collective Tunneling Model between Two-Dimensional Electron Gas to Si-Nano Dot2011
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Sakurai, Y.Takada, S.Nomura, K.Shiraishi, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, Y.Shigets, T.Endoh
- 雑誌名
  
  AIP Conference Series
  
  巻: (未定)(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor2011
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Sakurai, Y.Takada, S.Nomura, K.Shiraishi, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, Y Shigeta, T.Endoh
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E94-C(印刷中)
- NAID
  10029505917
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Enhancing Single-ion Detection Efficiency by Applying a Substrate Bias Voltage for Deterministic Single-ion Doping2011
- 著者名/発表者名
  M.Hori, T.Shinada, K.Taira, A.Komatsubara, T.Tanii, T.Endoh, I.Ohdomari
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol.4
- NAID
  10028210001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method2010
- 著者名/発表者名
  T.Shinada, T.Endoh, et al.
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE 2010
  
  巻: 7637
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices2010
- 著者名/発表者名
  M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Takada, Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta
- 雑誌名
  
  Physica E
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Importance of the Electronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot2010
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Takada, S.Nomura, T.Endoh, Kenji Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E93-C ページ: 563-568
- NAID
  10026825422
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Importance of the Electronic State on theElectrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot2010
- 著者名/発表者名
  Masakazu Muraguchi, Yukihiro Takada, Shintaro Nomura, Tetsuo Endoh, Kenji Shiraishi
- 雑誌名
  
  Physica E 5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文]2010
- 著者名/発表者名
  Y. Sakurai, J-I Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45
  
  ページ: 14001-14001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices2010
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, T.Endoh, Y.Takada, Y.Sakurai, S.Nomura, K.Shiraishi, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, Y.Shigeta
- 雑誌名
  
  Physica E (In Press, 未定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices2010
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, T.Endoh, Y.Takada, Y.Sakurai, S.Nomura, K.Shiraishi, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, Y.Shigeta
- 雑誌名
  
  Physica E 42
  
  ページ: 2602-2605
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Importance of the Electronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot2010
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Takada, S.Nomura, T.Endoh, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE Transacions on Electronics No.5(to be published)
- NAID
  10026825422
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method2010
- 著者名/発表者名
  T.Shinada, M.Hori, Y.Ono, K.Taira, A.Komatsubara, T.Tanii, T.Endoh, I.Ohdomari
- 雑誌名
  
  Proc.of SPIE 7637
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Performance enhancement of semiconductor devices by control of discrete dopant distribution2009
- 著者名/発表者名
  M.Hori, T.Shinada, K.Taira, N.Shimamoto, T.Endoh, I.Ohdomari
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 20
  
  ページ: 365205-365205
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Performance enhancement of semiconductor devices by control of discrete dopant distribution2009
- 著者名/発表者名
  M.Hori, T.Shinada, K.Taira, N.Shimamoto, T.Tanii, T.Endoh, I.Ohdomari
- 雑誌名
  
  IOP PUBLISHING Nanotechnology 20
  
  ページ: 365205-365210
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Performance enhancement of semiconductor devices by control of discrete dopant distribution2009
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Shinada, K. Taira, N. Shimamoto, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari
- 雑誌名
  
  IOP PUBLISHING Nanotechnology Vol. 20、365205
  
  ページ: 1-5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Physical origin of stress-induced leakage currents in ultra-thin silicon dioxide films2007
- 著者名/発表者名
  T., ・Endoh・K., Hirose・K., Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E90C
  
  ページ: 955-961
- NAID
  10018216417
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Study of 30-nm Double-Gate MOSFET with Halo Implantation Technology using a Two-Dimensional Device Simulator2007
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh, Yuto Monma
- 雑誌名
  
  IEICE Trans Electron E90-C
  
  ページ: 1000-1005
- NAID
  110007519666
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Study of Self-Heating in Si Nano Structure for Floating Body-Surround Gate Transistor with High-k Dielectric Films2007
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh and Kousuke Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.46, No.5B
  
  ページ: 3189-3192
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656099
[雑誌論文] Study of 30-nm Double-Gate MOSFET with Halo Implantation Technology using a Two-Dimensional Device Simulator2007
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh and Yuto Monma
- 雑誌名
  
  IEICE Trans Electron E90-C
  
  ページ: 1000-1005
- NAID
  110007519666
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Physical Origin of Stress-Induced Leakage Currents in Ultra-Thin Silicon Dioxide Films2007
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh, Kazuyuki Hirose, and Kenji Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans Electron E90-C:
  
  ページ: 955-961
- NAID
  110007519658
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Physical Origin of Stress-Induced Leakage Currents in Ultra-Thin Silicon Dioxide Films2007
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh, Kazuyuki Hirose, Kenji Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans Electron E90-C
  
  ページ: 955-961
- NAID
  110007519658
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Physical Origin of Stress-Induced Leakage Currents in Ultra-Thin Silicon Dioxide Films2007
- 著者名/発表者名
  T.Endoh, K.Hirose, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE Trans Electron, C E90
  
  ページ: 955-961
- NAID
  110007519658
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Study of 30-nm Double-Gate MOSFET with Halo Implantation Technology using a Two-Dimensional Device Simulator2007
- 著者名/発表者名
  T.Endoh, Y.Monma
- 雑誌名
  
  IEICE Trans Electron, C E90
  
  ページ: 1000-1005
- NAID
  110007519666
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[雑誌論文] Study of Self-Heating in Si Nano Structure for FB-SGT with High-k Dielectric Films2006
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh, Kousuke Tanaka
- 雑誌名
  
  2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices
  
  ページ: 115-116
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656099
[雑誌論文] Study of Effect of Halo Implantation on Nano-Scale Double Gate MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  Yuto Momma, Tetsuo Endoh
- 雑誌名
  
  International Symposium on Bio- and Nano- Electronics P-37
  
  ページ: 119-120
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656099
[雑誌論文] Study of 30-nm Double-Gate MOSFET with Halo Implantation Technology2006
- 著者名/発表者名
  Yuto Monma, Tetsuo Endoh
- 雑誌名
  
  2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices
  
  ページ: 229-232
- NAID
  110004813229
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656099
[産業財産権] 磁気抵抗効果素子、回路装置及び回路ユニット2018
- 発明者名
  深見、Kurenkov、Borders、大野、遠藤
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2018-019686
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06093
[学会発表] Innovative Integrated Systems for IoT/AI2017
- 著者名/発表者名
  T. Endoh
- 学会等名
  Nanotechnology Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06093
[学会発表] Embedded Nonvolatile Memory with STT-MRAMs and its Application for Nonvolatile Brain-Inspired VLSIs2017
- 著者名/発表者名
  T. Endoh
- 学会等名
  2017 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06093
[学会発表] A Flexible Adaptive Matching Cell Circuit with Bell-Shaped Similarity Evaluation Function for High-Speed LowPower Nonlinear Pattern Recognition Systems2013
- 著者名/発表者名
  Yijie Xiong, Yitao Ma, and Tetsuo Endoh
- 学会等名
  2013 International Workshop on Nonlinear Circuits, Communications and Signal Processing NCSP'13, pp.624-627
- 発表場所
  Isrand of Hawaii, Hawaii, USA
- 年月日
  2013-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656006
[学会発表] 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価2011
- 著者名/発表者名
  品田賢宏、遠藤哲郎, 他
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  群馬招待講演
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価2011
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、品田賢宏、遠藤哲郎, 他
- 学会等名
  第58回応用物理学関連連合講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  Takuya Imamoto, Takeshi Sasaki, Tetsuo Endoh
- 学会等名
  2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell2010
- 著者名/発表者名
  Masakazu Muraguchi, Yoko Sakurai, Yukihiro Takada, Yasuteru Shigeta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki, Shintaro Nomura, Kenji Shiraishi, Tetsuo Endoh
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Sub-threshold Characteristics of High-k/Metal Gate MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  Takuya Imamoto, Takeshi Sasaki, Tetsuo Endoh
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2010
- 発表場所
  大阪
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Collective Tunneling Model between Two-Dimensional Electron Gas to Si-Nano Dot2010
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Sakurai, Y.Takada, S.Nomura, K.Shiraishi, K.Makihara, M.Ikeda, S.Miyazaki, Y.Shigets, T.Endoh
- 学会等名
  International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Dependency of Driving Current on Channel Width in High-k/Metal Gate MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  Takeshi Sasaki, Takuya Imamoto, Tetsuo Endoh
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2010
- 発表場所
  大阪
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] 基板バイアス印加による単一イオン個数制御性の検証2010
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、品田賢宏、遠藤哲郎, 他
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter2010
- 著者名/発表者名
  Takeshi Sasaki, Takuya Imamoto, Tatsuo Endoh
- 学会等名
  2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter2010
- 著者名/発表者名
  T.Sasaki, T.Imamoto, T.Endoh
- 学会等名
  2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell2010
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y.Sakurai, Y.Takada, Y.Shigeta, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, S.Nomura, K.Shiraishi, T.Endoh
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor2010
- 著者名/発表者名
  Masakazu Muraguchi, Yoko Sakurai, Yukihiro Takada, Shintaro Nomura, Kenji Shiraishi, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki, Yasuteru Shigeta, Tetsuo Endoh
- 学会等名
  2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Performance evaluation of transistors with discrete dopants by single-ion doping method (Invited)2010
- 著者名/発表者名
  T.Shinada, T.Endoh, et al.
- 学会等名
  International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI2010)
- 発表場所
  Fort Worth, USA
- 年月日
  2010-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Bias Voltage Sweep Speed Dependence of Electron Injection in Si-Nano-Dots Floating Gate MOS Capacitor2010
- 著者名/発表者名
  M.Muraguchi, Y, Sakurai, Y.Takada, S.Nomura, K.Shiraishi, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, Y.Shigeta, T.Endoh
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2010
- 発表場所
  大阪
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance2010
- 著者名/発表者名
  T.Shinada, M.Hori, Y.Ono, K.Taira, A.Komatsubara, T.Tanii, T.Endoh, I.Ohdomari
- 学会等名
  International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Enhancement of electron transport property in FET with asymmetric ordered dopant distribution2010
- 著者名/発表者名
  M.Hori, T.Shinada, T.Endoh, et al.
- 学会等名
  International Conference on Ion Implantation Technology (IIT)
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2010-06-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Physics of Nano-contact between Si Quantum Dots and Inversion Layer2009
- 著者名/発表者名
  S. Nomura, Y. Sakurai, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 学会等名
  216th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Vienna, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Scalability of Vertical MOSFETs in Sub-10nm generation and its Mechanism2008
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh
- 学会等名
  2008 Asia-Paci_c Workshop on Funda mentals and Application of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2008-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656099
[学会発表] Novel Concept Dynamic Feedback MCML Technique for High-Speed and High-Gain MCML type D-Flip Flop2008
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh
- 学会等名
  2008 Asia-Pacic Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2008-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] High Performance Multi-Nano-Pillar Type Vertical MOS FET Scaling to 15nm Node2008
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh
- 学会等名
  2008 International Meeting for Future Electron Devices
- 発表場所
  大阪府吹田市
- 年月日
  2008-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656099
[学会発表] Novel Concept Dynamic Feedback MCML Technique for High-Speed and High-Gain MCML type D-Flip Flop2008
- 著者名/発表者名
  T.Endoh, M.Kamiyanagi
- 学会等名
  2008 Asia-Pacic Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2008-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037
[学会発表] Study of Self-Heating Phenomena in Si Nano Wire MOS Transistor2008
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Endoh
- 学会等名
  2008 Asia-Paci_c Workshop on Funda mentals and Application of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2008-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656099
[学会発表] Analysis of the Dependency of Body Thickness on the Performance of the Nano-Scale Vertical MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  Yuto Norifusa and Tetsuo Endoh
- 学会等名
  IEEE, IMFEDK2007
- 発表場所
  大阪
- 年月日
  2007-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656099
[学会発表] Effects of Threshold Voltage Fluctuations on Stability of MOS Current Mode Logic Inverter Circuit2007
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, H. Na, Y. Narita, H. Nakazawa, T. Itoh, K. Yasui, M. Suemitsu and T. Endoh
- 学会等名
  IEEE, IMFEDK2007
- 発表場所
  大阪
- 年月日
  2007-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206037

1. 舛岡富士雄 (50270822)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 桜庭弘 (60241527)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 中山隆史 (70189075)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
5. 白石賢二 (20334039)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
6. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 村口正和 (90386623)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
8. 岡田晋 (70302388)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 山内淳 (90383984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. BOERO Mauro (40361315)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 野村晋太郎 (90271527)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 知京豊裕 (10354333)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 山田啓作 (30386734)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 品田賢宏 (30329099)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
15. 寺岡有殿 (10343922)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 朝岡秀人 (40370340)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. BERBER Savas (90375402)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 大野英男 (00152215)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 鈴木大輔 (00574675)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 佐藤茂雄 (10282013)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 堀尾喜彦 (60199544)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 深見俊輔 (60704492)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

遠藤 哲郎 ENDOH Tetsuo

研究課題

研究成果

共同研究者

スピントロニクスを用いた人工知能ハードウェアパラダイムの創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

スピントロニクス素子におけるスピン反転の中間状態観測とその制御経路の探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極微細構造シリコン結晶の電子物性に基づくナノスケール半導体デバイスに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代CMOSプロセスを基礎付けるSi(110)表面酸化機構の解明と電気特性

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

第一原理量子論によるナノデバイス材料・界面の物性予測

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

デバイス設計の自由度を向上させる構造を有する縦型トランジスタに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電気的解析手法と構造的解析手法の融合によるシリコン酸化膜の破壊機構に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

3次元MOSデバイスを用いた超高性能3次元集積回路に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

集積回路に用いられるナノメータ・スケールMOSトランジスタの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高集積回路に用いられる3次元トランジスタの動作機構の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Enhancing Single-ion Detection Efficiency by Applying a Substrate Bias Voltage for Deterministic Single-ion Doping2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and Performance on its CMOS Inverter2011

著者名/発表者名

雑誌名

遠藤哲郎 ENDOH Tetsuo