森下義隆 MORISHITA Yoshitaka

研究者番号	00272633
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2006年度: 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 助教授 2005年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 助教授 2004年度: 国立大学法人東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 助教授 1996年度 – 2003年度: 東京農工大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者半導体 / フォトニクス / 陽極酸化 / Quantum dots / Anodization / Photonic crystals / 量子ドット / 磁性体量子ドット / Molecular beam epitaxy / Semiconductor … もっと見る / 陽極化成 / フォトニック結晶 / 磁性体量子細線 / ラテラル成長 / 選択成長 / 分子線エピタキシ法 / 半導体ヘテロ構造 / 磁性体 / フォトニック / 希薄磁性半導体 / semiconductor heterostructures / Ferromagnet / Photonic bandgap / Photonics / Semiconductor quantum dots / Nano-spinics / 幅射場 / 磁性体積層構造 / 輻射場 / 半導体量子ドット / ナノスピニクス / 水素ラジカル … もっと見る研究代表者以外 MnGeP_2 / MnP / MnAs / MnBi / Fe / 非線形磁気光学効果 / self-catalytic growth / nanowhisker / magnetoresistance / magnetic tunnel junction / Molecular beam epitaxy / ternary magnetic semiconductor / 微細加工 / トンネル接合 / 室温磁性半導体 / 自己触媒反応 / ナノウィスカー / 磁気抵抗効果 / 磁気トンネル素子 / MnGeP2 / 分子線エピタキシー / 三元磁性半導体 / nonlinear magneto-optical effect / ocused ion beam fabrication / electron beam lithography / magneto-optical effect / buffer layer / MBE growth / Al_2O_3基板 / MgO基板 / 磁気光学 / 分子線エピタキシー法 / パターンドディスク / 電子線リソグラフィ / 垂直磁化膜 / エピタキシャル成長 / MBE法 / Biシード膜 / Mn / MnBi薄膜 / 集束イオンビーム加工 / 電子ビーム描画 / 磁気光学効果 / 緩衝層 / MBE成長 / electric quadruploe / surface and interface contribution / four-fold symmetry / Au superlattices / nonlinear magnetooptical effect / 人工規則合金 / 酸化物高温超伝導体 / 磁性体半導体ハイブリッド / パルスチタンサファイアレーザ / 電気四重極子 / 表面・界面の情報 / 4回対称パターン / Au人工格子隠す

新しい室温磁性半導体MnGeP_2を用いたトンネル磁気抵抗素子の作製
- 研究代表者
  
  佐藤勝昭
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
高アスペクトGaAsハニカムホールアレイの自己組織的形成・評価と応用研究代表者
- 研究代表者
  
  森下義隆
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
半導体ハニカムホールアレイの自己組織的形成と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  森下義隆
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
高規則性GaAsナノホールアレイの作製・評価と応用研究代表者
- 研究代表者
  
  森下義隆
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
3次元フォトスピニック結晶の作製と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  森下義隆
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
磁性体/半導体ラテラル積層構造の作製と物性研究代表者
- 研究代表者
  
  森下義隆
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  東京農工大学
MnBi系単結晶および人工格子のMBE成長と非線形磁気光学効果による評価
- 研究代表者
  
  佐藤勝昭
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
磁性体低次元量子サイズ構造の分子線エピタキシ法による精密制御作製と物性研究代表者
- 研究代表者
  
  森下義隆
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京農工大学
非線形磁気光学効果による人工格子界面の評価
- 研究代表者
  
  佐藤勝昭
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学

すべて 2005 2004 2003 2002

すべて雑誌論文

[雑誌論文] RHEED observation of the growth of chalcopyrite-type MnGeP_2 on GaAs(001) substrate using Ge-buffer layer2005
- 著者名/発表者名
  K.Minami, J.Jogo, Y.Morishita, T.Ishibashi, K.Sato
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 278[1-2]
  
  ページ: 478-481
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360009
[雑誌論文] RHEED observation of the growth of chalcopyrite-type MnGeP 2on GaAs(001) substrate using Ge-buffer layer2005
- 著者名/発表者名
  K.Minami, J.Jogo, Y.Morishita, T.Ishibashi, K.Sato
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 278
  
  ページ: 478-481
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] RHEED observation of the growth of chalcopyrite-type MnGeP_2 on GaAs(001) substrate using Ge-buffer layer2005
- 著者名/発表者名
  K.Minami, J.Jogo, Y.Morishita, T.Ishibashi, K.Sato
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 278[1-2]
  
  ページ: 478-481
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360009
[雑誌論文] Growth of MnGeP_2 Thin Films by Molecular Beam Epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  K.Minami, J.Jogo, V.Smirnov, H.Yuasa, T.Nagatsuka, T.Ishibashi, Y.Morishita, Y.Matsuo, Y.Kangawa, A.Kumagai, K.Sato
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 44[8]
- NAID
  10014505743
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360009
[雑誌論文] Growth of MnGeP_2 Thin Films by Molecular Beam Epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  K.Minami, J.Jogo, V.Smirnov, H.Yuasa, T.Nagatsuka, T.Ishibashi, Y.Morishita, Y.Matsuo, Y.Kangawa, A.Kumagai, K.Sato
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part 2 44[8]
- NAID
  10014505743
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360009
[雑誌論文] RHHED observation of the growth of chalcopyrite-type MnGeP on GaAs2004
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  2004 Int.Conf.Molecular Beam Epitaxy (発表)
  
  ページ: 103-103
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Fabrication and magnetic characterization of embedded permalloy structures2004
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  Trans.Magn.Soc.Jpn. 4
  
  ページ: 241-244
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] RHHED observation of the growth of chalcopyrite-type MnGeP on GaAs2004
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  2004 Int.Conf.Molecular Beam Epitaxy
  
  ページ: 103-103
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Fabrication and Magnetic Characterization of Embedded Permalloy Structures2004
- 著者名/発表者名
  T.Tezuka, T.Yamamoto, K.Machida, S.Shimizu, T.Ishibashi, Y.Morishita, A.Koukitu, K.Sato
- 雑誌名
  
  Trans.Magn.Soc.Jpn. 4
  
  ページ: 241-244
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Fabrication and magnetic characterization of embedded permalloy structures2004
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  Trans.Magn.Soc.Jpn 4
  
  ページ: 241-244
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Effect of growth interruption on molecular-beam epitaxy of InAs quantum dots2003
- 著者名/発表者名
  K.Osada, Y.Sugai, Y.Morishita
- 雑誌名
  
  Extended Abstract 10th Int.Workshop Femtosec Technology 168,Makuhari, July 2003
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Molecular-beam epitaxial growth of InAs quantum dots on ordered hollows formed by anodization of GaAs substrates2003
- 著者名/発表者名
  T.Miyata, T.Saeki, Y.Morishita
- 雑誌名
  
  Extended Abstract 10th Int.Workshop Femtosec Technology 167,Makuhari, July 2003
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Fabrication and magnetic characterization of embedded permalloy structures2003
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  Trans.Magn.Soc.Jpn 3・3
  
  ページ: 103-107
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Fabrication and magnetic characterization of embedded permalloy structures2003
- 著者名/発表者名
  T.Matsumoto, T.Tezuka, T.Ishibashi, Y.Morishita, A.Koukitu, K.Sato
- 雑誌名
  
  Trans.Magn.Soc.Jpn. 3-3
  
  ページ: 103-107
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Observation of GaAs striped pattern using the alignment system utilizing laser beam diffraction pattern observation technique2003
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  10th Int.Workshop Femtosecond Technology (発表)
  
  ページ: 169-169
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Observation of GaAs striped pattern using the alignment system utilizing laser beam diffraction pattern observation technique2003
- 著者名/発表者名
  E.Kobayashi, Y.Sugisawa, Y.Morishita
- 雑誌名
  
  Extended Abstract 10th Int.Workshop Femtosec Technology 169,Makuhari, July 2003
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Effect of growth interruption on molecular-beam epitaxy of InAs quantum dots2003
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  10th Int.Workshop Femtosecond Technology (発表)
  
  ページ: 168-168
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Molecular-beam epitaxial growth of InAs quantum dots on ordered hollows formed by anodization of GaAs substrates2003
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  10th Int.Workshop Femtosecond Technology (発表)
  
  ページ: 167-167
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Molecular-beam epitaxy of InAs on GaAs substrates with hole arrays patterned by focused ion beams2002
- 著者名/発表者名
  森下義隆
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 237-239
  
  ページ: 1291-1295
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004
[雑誌論文] Molecular-beam epitaxy of InAs on GaAs substrates with hole arrays patterned by focused ion beams2002
- 著者名/発表者名
  Y.Morishita, M.Ishiguro, Y.Enmei
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 237〜239
  
  ページ: 1291-1295
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350004

1. 石橋隆幸 (20272635)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 7件
2. 佐藤勝昭 (50170733)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 7件
3. 高梨弘毅 (00187981)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 覧具博義 (50302914)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

森下 義隆 MORISHITA Yoshitaka

研究課題

研究成果

共同研究者

新しい室温磁性半導体MnGeP_2を用いたトンネル磁気抵抗素子の作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高アスペクトGaAsハニカムホールアレイの自己組織的形成・評価と応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体ハニカムホールアレイの自己組織的形成と評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高規則性GaAsナノホールアレイの作製・評価と応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

3次元フォトスピニック結晶の作製と評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

磁性体/半導体ラテラル積層構造の作製と物性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

MnBi系単結晶および人工格子のMBE成長と非線形磁気光学効果による評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

磁性体低次元量子サイズ構造の分子線エピタキシ法による精密制御作製と物性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

非線形磁気光学効果による人工格子界面の評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] RHEED observation of the growth of chalcopyrite-type MnGeP_2 on GaAs(001) substrate using Ge-buffer layer2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] RHEED observation of the growth of chalcopyrite-type MnGeP 2on GaAs(001) substrate using Ge-buffer layer2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] RHEED observation of the growth of chalcopyrite-type MnGeP_2 on GaAs(001) substrate using Ge-buffer layer2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Growth of MnGeP_2 Thin Films by Molecular Beam Epitaxy2005

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Growth of MnGeP_2 Thin Films by Molecular Beam Epitaxy2005

著者名/発表者名

雑誌名

森下義隆 MORISHITA Yoshitaka