須田淳 Suda Jun

研究者番号	00293887
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度: 京都大学, 大学院工学研究科, 准教授 2012年度 – 2015年度: 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2013年度: 京都大学, 大学院工学研究科, 准教授 2007年度 – 2012年度: 京都大学, 工学研究科, 准教授 2010年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 … もっと見る 2008年度: 京都大学・工学研究科, 准教授 2007年度: 京都大学, 大学院工学研究科, 准教授 2004年度 – 2006年度: 京都大学, 工学研究科, 講師 2002年度: 京都大学, 工学研究科, 講師 2000年度 – 2001年度: 京都大学, 工学研究科, 助手 1999年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外電子・電気材料工学 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用光学・量子光工学 / 理工系
キーワード	研究代表者炭化珪素 / 窒化アルミニウム / SiC / ポリタイプ / 分子線エピタキシー / 炭化硅素 / III族窒化物 / 界面 / MBE / AlN … もっと見る / 成長機構 / 高温デバイス / 検出器 / パッシベーション / リーク電流 / pn接合 / 紫外線 / 厳環境 / 高温 / 光検出器 / センサー / ヘテロ構造 / 格子欠陥 / デバイス / コヒーレント / 超格子 / 転位 / 結晶成長 / 紫外線発光素子 / 深紫外発光素子 / エピタキシー / 窒化物半導体 / 結晶成長機構 / 表面制御 / ヘテロポリタイプ / ヘテロバレント / ヘテロエピタキシー / 無極性 / シリコンカーバイド / 欠陥 / エピタキシャル / GaN / パワーデバイス / MIS / チッ化ガリウム / 有機金属 / 立方晶 / 窒化ガリウム … もっと見る研究代表者以外 MOSFET / パワーデバイス / シリコンカーバイド / Power Device / Silicon Carbide / 点欠陥 / 拡張欠陥 / 炭化珪素 / キャリア寿命 / 波長変換 / 非線形光学定数 / 窒化物半導体 / 不活性化 / リーク電流 / 転位 / MBE / 極微領域評価 / 混晶組成 / InGaN / InN / RESURF Structure / Multi pn Junction / デバイスシミュレーション / 電界集中緩和 / pn接合 / Channel Mobility / Semiconductor Interface / Oxide / チャネル移動度 / 半導体界面 / 酸化膜 / 接合終端 / PiNダイオード / 深い準位 / 絶縁破壊 / 結晶欠陥 / 半導体 / ウェッジ法 / メーカーフリンジ法 / 多重反射効果 / SiC / 電場誘起第2高調波発生 / 内部電界 / 疑似位相整合 / 第2高調波発生 / 非線形光学材料 / 埋め込み成長 / イオン注入 / 超接合隠す

InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  立命館大学
炭化珪素基板上へのⅢ族窒化物の超高品質コヒーレント成長の基礎とデバイス応用研究代表者
- 研究代表者
  
  須田淳
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
温度に依存しない感度特性を持つ５００℃まで動作可能な炭化珪素紫外光検出器の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  須田淳
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  京都大学
炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
新しい結晶構造を持つ窒化アルミニウムの物性制御と深紫外発光デバイスへの展開研究代表者
- 研究代表者
  
  須田淳
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
SiCの2次非線形光学定数精密測定
- 研究代表者
  
  庄司一郎
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  中央大学
窒化物半導体の非線形光学定数の精密評価と内部電界による制御
- 研究代表者
  
  近藤高志
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
イオン注入および埋め込み再成長を利用したSiC超接合パワーMOSFETの研究
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
ヘテロバレント・ヘテロポリタイプSiC上III族窒化物結晶成長の総合的理解と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  須田淳
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
多層Pη接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体ヘテロ界面の電子物性制御とパワーデバイスの高性能化への展開研究代表者
- 研究代表者
  
  須田淳
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長機構の解明と応用研究代表者
- 研究代表者
  
  須田淳
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学

[図書] Silicon Carbide Epitaxy 42012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, G. Feng, K. Danno, T. Hiyoshi and J. Suda
- 出版者
  Research Signpost,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[図書] "4H-SiC epitaxial growth and defect characterization", Silicon Carbide Epitaxy 42012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, G. Feng, K. Danno, T. Hiyoshi and J. Suda
- 出版者
  Publisher Research Signpost
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, R. G. Banal, H. Yoshikawa, A. Yang, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 121 号: 9 ページ: 095703-095703
- DOI
  10.1063/1.4977201
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PROJECT-26600090, KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PLANNED-16H06419
[雑誌論文] Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 025502-025502
- DOI
  10.7567/apex.9.025502
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J07117, KAKENHI-PROJECT-24360009
[雑誌論文] Strain control in AlN top layer by inserting an ultrathin GaN interlayer on an AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE2016
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: - 号: 5 ページ: 814-818
- DOI
  10.1002/pssb.201552649
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J07117, KAKENHI-PROJECT-24360009
[雑誌論文] Formation mechanism of threading-dislocation array in AlN layers grown on 6H-SiC (0001) substrates with 3-bilayer-high surface steps2014
- 著者名/発表者名
  H. Okumura, T. Kimoto and J. Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 7 ページ: 071603-071603
- DOI
  10.1063/1.4892807
- NAID
  120005669315
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[雑誌論文] Effects of TMSb Overpressure on InSb Surface Morphology for InSb Epitaxial Growth Using Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition2014
- 著者名/発表者名
  S. Park, J. Jung, C. Seok, K. Shin, S. Park, Y. Nanishi, Y. Park, E. Yoon
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 401 ページ: 518-522
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.10.062
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[雑誌論文] Deep Levels Generated by Thermal Oxidation in p-type 4H-SiC2013
- 著者名/発表者名
  Koutarou Kawahara, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 113 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4776240
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J05621, KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Deep levels generated by thermal oxidation in n-type 4H-SiC2013
- 著者名/発表者名
  K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto,
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 6 号: 5 ページ: 051301-051301
- DOI
  10.7567/apex.6.051301
- NAID
  10031174299
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001)2013
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 6 ページ: 62604-62604
- DOI
  10.7567/apex.6.062604
- NAID
  10031181971
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001, KAKENHI-PROJECT-24360009
[雑誌論文] Improvement of carrier lifetimes in highly Al-doped p-type 4H-SiC epitaxial layers by hydrogen passivation2013
- 著者名/発表者名
  T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 6
- NAID
  40019923235
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Improvement of Carrier Lifetimes in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation2013
- 著者名/発表者名
  Takafumi Okuda, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 12 ページ: 121301-121301
- DOI
  10.7567/apex.6.121301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J06044, KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Coherent Growth of AlN/GaN Short-Period Superlattice with Average GaN Mole Fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, R. Kikuchi, H. Okumura, T. Kimoto and J. Suda
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JE21-08JE21
- DOI
  10.7567/jjap.52.08je21
- NAID
  210000142665
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[雑誌論文] AlGaN/SiC heterojunction bipolar transistors featuring AlN/GaN short-period superlattice emitter2013
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, T. Kimoto and J. Suda
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 60 号: 9 ページ: 2768-2775
- DOI
  10.1109/ted.2013.2273499
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[雑誌論文] Investigation on Origin of Z_<1/2> Cener in SiC by Deep Level Transient Spectroscopy and Electron Paramagnetic Resonance2013
- 著者名/発表者名
  Koutarou Kawahara, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 102 号: 11
- DOI
  10.1063/1.4796141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J05621, KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Ultrahigh-voltage SiC PiN diodes with an improved junction termination extension structure and enhanced carrier lifetime2013
- 著者名/発表者名
  N. Kaji, H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 52 号: 7R ページ: 070204-070204
- DOI
  10.7567/jjap.52.070204
- NAID
  210000142425
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Carrier recombination in n-type 4H-SiC epilayers with long carrier lifetimes2012
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys Exp.
  
  巻: 5 号: 10 ページ: 101301-101301
- DOI
  10.1143/apex.5.101301
- NAID
  10031117540
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Analytical model for reduction of deep levels in SiC by thermal oxidation2012
- 著者名/発表者名
  K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 111 号: 5
- DOI
  10.1063/1.3692766
- NAID
  120004057133
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Thermo-optic coefficients of 4H-SiC, GaN, and AlN for ultraviolet to infrared regions up to 500 degrees C2012
- 著者名/発表者名
  N.Watanabe, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 11R ページ: 112101-112101
- DOI
  10.1143/jjap.51.112101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656230
[雑誌論文] Carrier recombination in n-type 4H-SiC epilayers with long carrier lifetimes2012
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp
  
  巻: 5
- NAID
  10031117540
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Space-modulated junction termination extension for ultrahigh-voltage p-i-n diodes in 4H-SiC2012
- 著者名/発表者名
  G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 59 号: 2 ページ: 414-418
- DOI
  10.1109/ted.2011.2175486
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Breakdown characteristics of 15-kV-class 4H-SiC PiN diodes with various junction termination structures2012
- 著者名/発表者名
  H. Niwa, G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 59 号: 10 ページ: 2748-2752
- DOI
  10.1109/ted.2012.2210044
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Over-700 nm criical thickness of AIN grown on 6H-SiC(0001)by molecular beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  H.Okumura, T. Kimoto and J. Suda
- 雑誌名
  
  Aplied Physics Express
  
  巻: 5 号: 5 ページ: 051002-051002
- DOI
  10.1143/apex.5.051002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[雑誌論文] 21-kV SiC BJTs with space-modulated junction termination extension2012
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett
  
  巻: 33 ページ: 1598-1600
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] 21.7 kV 4H-SiC diode with a space-modulated junction termination extension2012
- 著者名/発表者名
  H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp
  
  巻: 5 号: 6 ページ: 064001-064001
- DOI
  10.1143/apex.5.064001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] 21-kV SiC BJTs with space-modulated junction termination extension2012
- 著者名/発表者名
  H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett.
  
  巻: 33 号: 11 ページ: 1598-1600
- DOI
  10.1109/led.2012.2215004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] 4H-SiC pn Photodiodes with Temperature-Independent Photoresponse up to 300℃2012
- 著者名/発表者名
  Naoki Watanabe, 他
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 9 ページ: 94101-94101
- DOI
  10.1143/apex.5.094101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J05864, KAKENHI-PROJECT-24656230
[雑誌論文] Nonradiative recombination at threading dislocations in 4H-SiC epilayers studied by micro-photoluminescence mapping2011
- 著者名/発表者名
  G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 110 号: 3
- DOI
  10.1063/1.3622336
- NAID
  120004920356
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocation Density in 2H-AlN Grown on 6H-SiC(0001) by Minimizing Unintentional Active-Nitrogen Exposure before Growth2011
- 著者名/発表者名
  H.Okumura, T.Kimoto, J.Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10027783561
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Origin of Etch Hillocks Formed on On-Axis SiC(000-1) Surfaces by Molten KOH Etching2011
- 著者名/発表者名
  J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Applied Physics 50
  
  ページ: 38002-38002
- NAID
  210000138538
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Impacts of reduction of deep levels and surface passivation on carrier lifetimes in p-tyne 4H-Sic epilavers2011
- 著者名/発表者名
  T.Hayashi, T.Asano, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109 号: 11
- DOI
  10.1063/1.3583657
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Reduction of Threading Dislocation Density in 2H-AlN Grown on 6H-SiC(0001) by Minimizing Unintentional Active-Nitrogen Exposure before Growth2011
- 著者名/発表者名
  H.Okumura, T.Kimoto, J.Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 4
  
  ページ: 25502-25502
- NAID
  10027783561
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Origin of Etch Hillocks Formed on On-Axis SiC(000-1) Surfaces by Molten KOH Etching2011
- 著者名/発表者名
  J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50
- NAID
  210000138538
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Sources of epitaxial growth-induced stacking faults in 4H-SiC2010
- 著者名/発表者名
  G.Feng, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Material
  
  巻: 39 ページ: 1166-1169
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Impacts of recombination at the surface and in the substrate on carrier lifetimes of n-type 4H-SiC epilayers2010
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto, T.Hiyoshi, T.Hayashi, J.Suda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- NAID
  120002661513
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiC(1-100)2010
- 著者名/発表者名
  M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
  
  ページ: 51001-51001
- NAID
  10027014547
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Enhancement of initial layer-by-layer growth and reduction of threading dislocation density by optimized Ga pre-irradiation in molecular-beam epitaxy of 2H-AlN on 6H-SiC(0001)2010
- 著者名/発表者名
  J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C)
  
  巻: 7 ページ: 2094-2096
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Enhancement of initial layer-by-layer growth and reduction of threading dislocation density by optimized Ga pre-irradiation in molecular-beam epitaxy of 2H-AlN on 6H-SiC (0001)2010
- 著者名/発表者名
  H.Okumura, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C7
  
  ページ: 2094-2094
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Nonpolar 4H-Polytype AlN/AlGaN Multiple Quantum Well Structure Grown on 4H-SiC(1-100)2010
- 著者名/発表者名
  M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027014547
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Reduction of deep levels generated by ion implantation into n- and p-type 4H-SiC2010
- 著者名/発表者名
  K.Kawahara, J.Suda, G.Pensl, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- NAID
  120003386608
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] A new class of step-and-terrace structure observed on 4H-SiC(0001) after high-temperature gas etching2009
- 著者名/発表者名
  J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10025518173
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Characterization of major in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers2009
- 著者名/発表者名
  G.Feng, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Physica B : Condensed Matter 23-24
  
  ページ: 4745-4748
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[雑誌論文] A new class of step-and-terrace structure observed on 4H-SiC (0001) after high-temperature gas etching2009
- 著者名/発表者名
  J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 101603-101603
- NAID
  10025518173
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11-20) and (1-100) Planes under Group-III-Rich Conditions2009
- 著者名/発表者名
  M.Horita, T.Kimoto, J.Suda,
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 91003-91003
- NAID
  10025517458
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Accurate measurements of second-order nonlinear-optical coefficients of silicon carbide2009
- 著者名/発表者名
  H. Sato, I. Shoji, J. Suda, and T. Kondo
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 615-617
  
  ページ: 315-318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[雑誌論文] Accurate measurements of second-order nonlinear optical coefficients of 6H and 4H silicon carbide2009
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Sato, Makoto Abe, Ichiro Shoji, Jun Suda, Takashi Kondo
- 雑誌名
  
  J.Opt.Soc.Am.B Vol.26
  
  ページ: 1892-1896
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560038
[雑誌論文] Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (1120) and (1100) Planes under Group-III-Rich Conditions2009
- 著者名/発表者名
  M.Horita, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10025517458
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Hydrogen implantation and annealing-induced exfoliation process in SiC wafers with various crystal orientations2008
- 著者名/発表者名
  K. Senga, T. Kimoto, and J. Suda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 5352-5354
- NAID
  210000065207
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (1-100) with reduced stacking fault density realized by persistent layer-by-layer growth2008
- 著者名/発表者名
  M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 93
  
  ページ: 82106-82106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Simulation and experimental study on the junction termination structure for high-voltage 4H-SiC PiN diodes2008
- 著者名/発表者名
  T. Hiyoshi, T. Hori, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on electron Devices 55
  
  ページ: 1841-1846
- NAID
  120001462508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] 4H-SiC MIS Capacitors and MISFETs with deposited SiNx/Si02 stack-gate structures2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on electron Devices. 55
  
  ページ: 2054-2060
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Comprehensive analysis of multiple-reflection effects on rotational Maker-fringe experiments2008
- 著者名/発表者名
  Makoto Abe, Ichiro Shoji, Jun Suda, Takashi Kondo
- 雑誌名
  
  J.Opt.Soc.Am.B Vol.25
  
  ページ: 1616-1624
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560038
[雑誌論文] Lifetime-killing defects in 4H-SiC epilayers and lifetime control by low-energy electron irradiation2008
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Danno, and J. Suda
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol.(b) 245
  
  ページ: 1327-1336
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Simulation and experimental study on the junction termination structure for high-voltage 4H-SiC PiN diodes2008
- 著者名/発表者名
  T. Hiyoshi, T. Hori, J Suda, T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on electron Devices. 55
  
  ページ: 1841-1846
- NAID
  120001462508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Surface Morphologies of 4H-SiC (11-20) and (1-100) Treated by High-Temperature Gas Etching2008
- 著者名/発表者名
  M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
- 雑誌名
  
  Japanese Applied Physics Letters 47
  
  ページ: 1327-1327
- NAID
  40016346953
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Comprehensive analysis of multiple-reflection effects on rotational Maker-fringe experiments2008
- 著者名/発表者名
  M. Abe, I. Shoji, J. Suda, and T. Kondo
- 雑誌名
  
  J. Opt. Soc. Am B 25
  
  ページ: 1616-1624
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[雑誌論文] 4H-SiC MIS Capacitors and MISFETs with deposited SiNx/SiO2 stack-gate structures2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on electron Devices 55
  
  ページ: 2054-2060
- NAID
  120001462509
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (1-100)with reduced stacking fault density realized by persistent layer-by-layer growth2008
- 著者名/発表者名
  M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 93
  
  ページ: 82106-82106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Improvea perrormance 01 4h-STC double reduced Suriace field metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by increasing RESURF doses2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, T. Kiraoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express. 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Improved performance of 4H-SiC double reduced Surface field metal-oxide- semiconductor field-effect transistors by increasing RESURF doses2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
  
  ページ: 1014031-3
- NAID
  10025082727
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] Surface Morphologies of 4H-SiC (11-20)and (1-100)Treated by High-Temperature Gas Etching2008
- 著者名/発表者名
  M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
- 雑誌名
  
  Japanese Applied Physics Letters 47
  
  ページ: 1327-1336
- NAID
  40016346953
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[雑誌論文] Power conversion with SiC devices at extremely high ambient temperatures2007
- 著者名/発表者名
  T. Funaki, J. C. Balda, J. Junghans, A. S . Kashyap, H. A. Mantooth, F. Barlow, T. Kimoto and T. Hikihara
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Power Electronics 22
  
  ページ: 1321-1329
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] 4H-SiC lateral double RESURF MOSFETs with low on-resistance2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices 54
  
  ページ: 1216-1223
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[雑誌論文] m-plane GaN layers grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy with varying Ga/N flux ratios on m-plane 4H-2007
- 著者名/発表者名
  Armitage R, Horita M, Suda J, Kimoto T
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 101・3
  
  ページ: 33534-33534
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686002
[雑誌論文] Impact of III/V ratio on polytype and crystalline quality of AlN grown on 4H-SiC (110) substrate by molecular-beam2006
- 著者名/発表者名
  M.Horita, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 3・6
  
  ページ: 1503-1506
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686002
[雑誌論文] Epitaxy of nonpolar AlN on 4H-SiC (1-100) substrates2006
- 著者名/発表者名
  R.Armitage, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88・1
  
  ページ: 11908-11908
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686002
[雑誌論文] High-quality nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (11-20) substrate by molecular-beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  Horita M, Suda J, Kimoto T
- 雑誌名
  
  APPLIED PIYSICS LETTERS 45・17-19
  
  ページ: 112117-112117
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686002
[雑誌論文] Heteroepitaxial Growth of AlN on SiC(0001)-Sacking Mismatch2004
- 著者名/発表者名
  J.Suda, N.Onojima, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 23^<rd> Electronic Materials Symposium EMS23
  
  ページ: 150-151
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686002
[雑誌論文] Cathodoluminescence study of AlN grown on 4H-SiC(11-20)2004
- 著者名/発表者名
  M.Horita, N.Onojima, J.Suda, T.Kimoto
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 23^<rd> Electronic Materials Symposium EMS23
  
  ページ: 149-150
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16686002
[雑誌論文] SiCフォトダイオードの500℃動作の報告論文
- 著者名/発表者名
  N.Watanabe, T. Kimoto, and J. Suda
- 巻
  (準備中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656230
[雑誌論文] SiCの光吸収係数の温度依存性に関する論文
- 著者名/発表者名
  N.Watanabe, T. Kimoto, and J. Suda
- 巻
  (投稿済み現在minor revisionで改訂対応中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656230
[産業財産権] 半導体装置、半導体装置の製造方法および熱処理装置2013
- 発明者名
  須田淳、奥田貴史、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-143504
- 出願年月日
  2013-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[産業財産権] 半導体装置の製造方法および熱処理装置2013
- 発明者名
  須田淳、奥田貴史、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-143504
- 出願年月日
  2013-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[産業財産権] 半導体素子及び半導体素子の製造2011
- 発明者名
  木本恒暢、須田淳
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2011-059992
- 出願年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] ステップ高さ制御SiC基板上AlN層の高分解能X線回折評価における界面局在ミスフィット転位に起因する横方向サテライトピーク2016
- 著者名/発表者名
  金子光顕、木本恒暢、須田淳
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] Study on Nitridation of α-(AlGa)2O3 Using Rf Plasma for AlGaN Growth2016
- 著者名/発表者名
  A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, T. Hitora
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市)
- 年月日
  2016-08-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] Fluorine Plasma Treatment on InN Films Grown by RF-MBE2016
- 著者名/発表者名
  S. Fukushima, S. Usuda, T. Araki and Y. Nanishi
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県・守山市）
- 年月日
  2016-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
- 発表場所
  Orlando, Florida (USA)
- 年月日
  2016-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] Study on Nitridation of α-(AlGa)2O3 Using Rf Plasma for AlGaN Growth2016
- 著者名/発表者名
  A. Buma, N. Masuda, M. Oda, T. Hitora, T. Araki and Y. Nanishi
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県・守山市）
- 年月日
  2016-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] Study on Microstructure and Thermal Stability of Rf-Plasma Nitridated α-(AlGa)2O3 Grown by Mist-CVD2016
- 著者名/発表者名
  A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, T. Hitora
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
- 発表場所
  Orlando, Florida (USA)
- 年月日
  2016-10-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] Growth and Characterization of InN on α-In2O3/Sapphire by RF-MBE2015
- 著者名/発表者名
  N. Masuda, A. Buma, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, and T. Hitora,
- 学会等名
  The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Seoul (Korea)
- 年月日
  2015-05-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] RF-MBE Growth of InN on Mist-CVD Grown α-In2O3/Sapphire2015
- 著者名/発表者名
  T. Araki, N. Masuda, A. Buma, Y. Nanishi, M. Oda and T. Hitora
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] Strain controls in AlN layer by ultra-thin GaN interlayer grown on high-quality AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE2015
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda
- 学会等名
  International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijing International conference center
- 年月日
  2015-09-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] Observation of lateral satellite peaks in nitride semiconductor: HRXRD study of AlN layer grown on step-height-controlled SiC substrate2015
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda
- 学会等名
  International Symposium on Growth of Nitride Semiconductors(ISGN-6)
- 発表場所
  Act City Hamamatsu
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] マクロステップバンチングが起こる条件でガスエッチングしたSiC表面のマクロテラス上に並んだ1 unit cell高さステップの発生機構2015
- 著者名/発表者名
  平井和斗、金子光顕、木本恒暢、須田淳
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] Growth and Characterization of Thin InN Films Grown by RF-MBE2015
- 著者名/発表者名
  A. Usuda, K. Komura, M. Aranami, T. Araki, and Y. Nanishi
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
- 発表場所
  アクトシティ浜松（静岡県浜松市）
- 年月日
  2015-11-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] Characterization of RF Plasma Nitridated α-(AlGa)2O3 for AlGaN Growth2015
- 著者名/発表者名
  T. Araki, A. Buma, N. Masuda, M. Oda, T. Hitora, and Y. Nanishi
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2015-05-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] SiC基板上にPAMBE成長したAlN層の成長初期III/V比による貫通転位発生メカニズムの考察2015
- 著者名/発表者名
  金子光顕、木本恒暢、須田淳
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] RF-MBE Growth and Structural Characterization of InN on Mist-CVD-grownα-In2O3/Sapphire2015
- 著者名/発表者名
  A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, and T. Hitora
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides,
- 発表場所
  アクトシティ浜松（静岡県浜松市）
- 年月日
  2015-11-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] 水素ガスエッチングを施した4H-SiC極性面および無極性面基板の表面形状2014
- 著者名/発表者名
  東孝洋，金子光顕，木本恒暢，須田淳
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] 4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (1120)2014
- 著者名/発表者名
  堀田昌宏、登尾正人、木本恒暢、須田淳
- 学会等名
  第14回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」
- 発表場所
  大阪工業大学うめきたナレッジセンター
- 年月日
  2014-11-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] Junction technology in SiC for high-voltage power devices2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, and J. Suda
- 学会等名
  IEEE 13th Int. Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Kyoto
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Structural and Optical Characterization of 2H-AlN Coherently-Grown on 6H-SiC (0001) by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] Junction technology in SiC for high-voltage power devices2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, and J. Suda
- 学会等名
  Ext. Abstr. of IEEE 13th Int. Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] 500℃動作SiC pnフォトダイオード2013
- 著者名/発表者名
  渡辺直樹, 木本恒暢, 須田淳
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656230
[学会発表] Large Shifts of Free Excitonic Transition Energies and (0001) due to Strong In-Plane Compressive Strain2013
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] Temperature dependence of impact ionization coefficients in 4H-SiC2013
- 著者名/発表者名
  H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Miyazaki
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Progress and future challenges of high-voltage SiC power devices2013
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, H. Miyake, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and J. Suda
- 学会等名
  2013 Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Ultrahigh-voltage (> 20 kV) SiC PiN diodes with a space-modulated JTE and lifetime enhancement process via thermal oxidation2013
- 著者名/発表者名
  N. Kaji, H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Miyazaki
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Defect electronics in SiC for high-voltage power devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, J. Suda, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and S. Ichikawa
- 学会等名
  9th Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Progress and future challenges of SiC power devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto and J. Suda
- 学会等名
  8th Handai Nanoscience and Nanotechnology Int. Symp.
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Defect electronics in SiC and fabrication of ultrahigh-voltage bipolar devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, S. Ichikawa, and Y. Nishi
- 学会等名
  Electrochemical. Soc. Fall Meeting 2012
- 発表場所
  Honolulu
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] "Defect electronics in SiC and fabrication of ultrahigh-voltage bipolar devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, S. Ichikawa, and Y. Nishi
- 学会等名
  Electrochemical. Soc. Fall Meeting 2012
- 発表場所
  Honolulu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Generation and elimination of the Z1/2 center in 4H-SiC2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Kawahara, B. Zippelius and J. Suda
- 学会等名
  2012 Spring Meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] High-Al-content AlGaN Digital Alloy with GaN Mole-fraction Up t0 20% Coherently - Grown on 6H-SiC (0001)2012
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, R. Kikuchi, H. Okumura T. Kimoto and J. Suda
- 学会等名
  nternat ional Workshop on Nitride Semiconductors 201
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2012-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] Breakdown characteristics of 12-20 kV-class 4H-SiC PiN diodes with improved junction termination structures2012
- 著者名/発表者名
  H. Niwa, G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  2012 24th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices & IC's
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Fast epitaxial growth and defect control of SiC toward ultra high-voltage power devices2011
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto, J.Suda, G.Feng
- 学会等名
  Asia-Paciffic Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル,鳥羽、三重(招待講演)
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Elimination of deep levels in thick SiC epilayers by thermal oxidation and proposal of the analytical model2011
- 著者名/発表者名
  K.Kawahara, J.Suda, T.Kimoto
- 学会等名
  Int.Conf.on Silicon Carbide and Related Materials 2011
- 発表場所
  ルネッサンスクリーブランドホテル,Cleveland, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Experimental study on various junction terminat ion structures applied to 15kV 4H-SiC PiN diodes2011
- 著者名/発表者名
  H.Niwa, G.Feng, J.Suda, T.Kimoto
- 学会等名
  Int.Conf.on Silicon Carbide and Related Materials 2011
- 発表場所
  ルネッサンスクリーブランドホテル,Cleveland, USA
- 年月日
  2011-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] High-voltage SiC power devices for energy electronics2011
- 著者名/発表者名
  T.Kimoto, J.Suda
- 学会等名
  the 2011 Int.Conf.on Solid state Devices and Materials
- 発表場所
  愛知県産業労働センター,名古屋、愛知(招待講演)
- 年月日
  2011-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Anomalously Low Ga Incorporation in High-Al Content AlGaN Grown on (11-20) Nonpolar Plane by Molecular Beam Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.Ueta, M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA.
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] Reduction of Threading Dislocation Density in 2H-AlN on 6H-SiC (0001) by Minimizing Nitrogen-Plasma Exposure to SiC Surface before Growth2010
- 著者名/発表者名
  H.Okiumura, T.Kimoto, J.Suda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Florida, USA.
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] Anomalously Low Ga Incorporation in High-Al Content AlGaN Grown on (11-20) Nonpolar Plane by Molecular Beam Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.Ueta, M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] Reduction of Threading Dislocation Density in 2H-AlN on 6H-SiC (0001) by Minimizing Nitrogen-Plasma Exposure to SiC Surface before Growth2010
- 著者名/発表者名
  H.Okiumura, T.Kimoto, J.Suda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] n型GaNの2次非線形光学定数精密測定2010
- 著者名/発表者名
  阿部真,庄司一郎,須田淳,近藤高志
- 学会等名
  Optics & Photonics Japan 2010
- 発表場所
  中央大学(神田駿河台)
- 年月日
  2010-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560038
[学会発表] (5-1)-bilayer-height step-and-terrace structures formed on 4H-SiC (0001) Si-face by high-temperature Pas etching2009
- 著者名/発表者名
  J.Suda
- 学会等名
  Int.Conf.Silicon Carbide and Related Materials 2009
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] Defect control in growth and processing of 4H-SiC for power device applications2009
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, G. Feng, T. Hiyoshi, K. Kawahara, M. Noborio, and J. Suda
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2009
- 発表場所
  Nurnberg
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] 4H-AlGaN/AlN MQW structures isopolytypically grown on 4H-SiC (1-100)2009
- 著者名/発表者名
  J.Suda, M.Horita, T.Kimoto,
- 学会等名
  Int.Conf.Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009)
- 発表場所
  Neurnberg, Germany.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] 4H-Polytype AlN/AlGaN MQW Structure Isopolytically grown on m-plane 4H-SiC2009
- 著者名/発表者名
  M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
- 学会等名
  Electromic Materials Conference (EMC2009)
- 発表場所
  Pennsylvania, USA.
- 年月日
  2009-06-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] (5-1)-bilayer-height step-and-terrace structures formed on 4H-SiC (0001) Si-face by high-temperature gas etching2009
- 著者名/発表者名
  J.Suda, T.Kimoto
- 学会等名
  Int.Conf.Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009)
- 発表場所
  Neurnberg, Germany.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] First Demonstration of SiC MISFETs with 4H-AlN Gate Dielectric Heteroepitaxially-grown on 4H-SiC (11-20)2008
- 著者名/発表者名
  M. Horita, T. Kimoto, J. Suda
- 学会等名
  Europian Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2008)
- 発表場所
  Barcelona, Spain
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] 4H-SiC double RESURF MOSFETs with a record perfomance by increasing RESURF dose2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, T. Kimoto
- 学会等名
  Proc. of 20th Int. Symposium on Power Semiconductor Devices &IC's
- 発表場所
  Orlando, Florida
- 年月日
  2008-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] First Demonstration of SiC MISFETs with 4H-AlN Gate Dielectric Heteroepitaxially-grown on 4H-SiC (11-20)2008
- 著者名/発表者名
  M.Horita, T.Kimoto, J.Suda
- 学会等名
  Europian Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2008)
- 発表場所
  Barcelona, Spain.
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360008
[学会発表] 多重反射効果を考慮した回転型メーカーフリンジ精密解析II2008
- 著者名/発表者名
  阿部真, 佐藤弘章, 丸山晃市, 田中宏昌, 須田淳, 庄司一郎, 近藤高志
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日大船橋
- 年月日
  2008-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[学会発表] 4H-SiC double RESURF MOSFETs with a record performance by increasing RESURF dose2008
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  20th Int. Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's
- 発表場所
  Orlando
- 年月日
  2008-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Accurate Measurements of Second-Order Nonlinear-Optical Coefficients of Silicon Carbide2008
- 著者名/発表者名
  H. Sato, I. Shoji, J. Suda, and T. Kondo
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materiak
- 発表場所
  Barcelona, Spain
- 年月日
  2008-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[学会発表] Spatial profilling of planar defects in 4H-SiC epilayers using micro-photoluminescence mapping2008
- 著者名/発表者名
  G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2008
- 発表場所
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] 多重反射効果を考慮した回転型メーカーフリンジ精密解析I2008
- 著者名/発表者名
  佐藤弘章, 阿部真, 丸山晃市, 田中宏昌, 須田淳, 庄司一郎, 近藤高志
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日大船橋
- 年月日
  2008-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[学会発表] First demonstration of SiC MISFETs with 4H-AIN gate dielectric2008
- 著者名/発表者名
  M. Horita, M. Noborio, T. Kimoto, and J. Suda
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2008
- 発表場所
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] ウェッジ法を用いたSiCの2次非線形光学定数精密測定2008
- 著者名/発表者名
  佐藤弘章, 袴田真史, 庄司一郎, 須田淳, 近藤高志
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[学会発表] Accurate Measurements of Second-Order Nonlinear-Optical Coefficients of Silicon Carbide2008
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Sato, Ichiro Shoji, Jun Suda, Takashi Kondo
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  バルセロナ
- 年月日
  2008-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560038
[学会発表] 回転型メーカーフリンジ法を用いた6H-SiCの2次非線形光学定数精密測定2008
- 著者名/発表者名
  阿部真, 佐藤弘章, 須田淳, 庄司一郎, 近藤高志
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[学会発表] Accurate Measurement of Nonlinear Optical Coeffcients of 6H Silicon Carbide by Rotational Maker-Fringe Technique2008
- 著者名/発表者名
  M. Abe, H. Sato, J. Suda, I. Shoji, and T. Kondo
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
- 発表場所
  つくば
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[学会発表] Enhanced Channel Mobility in 4H-SiC MISFETs by Utilizing Deposited SiN/SiO2 Stack Gate Structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Bevel mesa combined with implanted junction termination structure for 10 kV SiC PiN diodes2007
- 著者名/発表者名
  T. Hiyoshi, T. Hori, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Temperature Dependence of Electrical Properties in Al-doped 4H-SiC Epitaxial Layers Investigated by Hall-Effect Measurements2007
- 著者名/発表者名
  A. Koizumi, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] Accurate Determination of Nonlinear Optical Coefficients of Hexagonal Silicon Carbide of Polytype 6H2007
- 著者名/発表者名
  M. Abe, K. Maruyama, H. Sato, H. Tanaka, J. Suda, I. Shoji, T. Kondo
- 学会等名
  Nonlinear Optics: Materials Fundamentals and Applications
- 発表場所
  ハワイ(米国)
- 年月日
  2007-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032003
[学会発表] Enhanced Channel Mobility in 4H-SiC MISFETs by Utilizing Deposited SiN/SiO_2 Stack Gate Structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Noborio, J. Suda and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu, Japan
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206032
[学会発表] PAMBE法によるAlN/GaN多層構造における極薄GaN層の成長制御性に関する検討
- 著者名/発表者名
  金子光顕、木本恒暢、須田淳
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] SiC基板上AlN成長層の貫通転位低減における成長初期V/III比の重要性
- 著者名/発表者名
  金子光顕、木本恒暢、須田淳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009
[学会発表] SiC(0001)基板上に成長した大きな圧縮歪みを内包するAlN薄膜の光学特性および格子振動数評価
- 著者名/発表者名
  金子光顕、奥村宏典、石井良太、船戸充、川上養一、木本恒暢、須田淳
- 学会等名
  第33回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2014-07-09 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360009

1. 木本恒暢 (80225078)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 52件
2. 近藤高志 (60205557)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
3. 西佑介 (10512759)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
4. 庄司一郎 (90272385)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
5. 松波弘之 (50026035)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 名西やす之 (40268157)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
7. 赤坂哲也 (90393735)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
9. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
10. 佐藤弘章

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 阿部真

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
12. 川上養一

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
13. 船戸充

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

須田 淳 Suda Jun

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化珪素基板上へのⅢ族窒化物の超高品質コヒーレント成長の基礎とデバイス応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

温度に依存しない感度特性を持つ５００℃まで動作可能な炭化珪素紫外光検出器の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新しい結晶構造を持つ窒化アルミニウムの物性制御と深紫外発光デバイスへの展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ヘテロバレント・ヘテロポリタイプSiC上III族窒化物結晶成長の総合的理解と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワイドギャップ半導体ヘテロ界面の電子物性制御とパワーデバイスの高性能化への展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長機構の解明と応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

須田淳 Suda Jun