梶川靖友 Kajikawa Yasutomo

研究者番号	00294364
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 島根大学, その他部局等, 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2005年度 – 2006年度: 島根大学, 総合理工学部, 助教授 1998年度 – 2000年度: 島根大学, 総合理工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者分子線エピタキシー / 化合物半導体 / Annealing / Secondary Ion Mass Spectroscopy / X-ray diffraction / Molecular Beam Epitaxy / III-V Compound Semiconductor / 赤外分光 / 熱処理 / 二次イオン質量分析 … もっと見る / X線回折測定 / III-V族化合物半導体 / OPTICAL DEVICE / OPTICAL COMMUNICATION / CRYSTAL GROWTH / ALLOYED CRYSTAL / MOLECULAR BEAM EPITAXY / LASER DIODE / COMPOUND SEMICONDUCTOR / レーザーダイオード / 光デバイス / 光通信 / 結晶成長 / 混晶 / レーザダイオード隠す

環境関連ガス検出用としての赤外線半導体レーザ材料の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  梶川靖友
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  島根大学
新III-V族混晶を用いたガリウム砒素基板上長波半導体レーザ研究代表者
- 研究代表者
  
  梶川靖友
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  島根大学

すべて 2007 2006

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Thallium incorporation during TlInAs growth by low-temperature MBE2007
- 著者名/発表者名
  M.Takushima, N.Kobayashi, Y.Yamashita, Y.Kajikawa, Y.Satou, Y.Tanaka, N.Sumida
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth vol.301-302
  
  ページ: 117-120
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285
[雑誌論文] Effects of annealing on TlGaAs/GaAs single hetero structures and TlGaAs/GaAs multiple quantum well structures grown by low-temperature MBE2007
- 著者名/発表者名
  K.Ohnishi, T.Kanda, H.Kiriyama, Y.Kajikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth vol.301-302
  
  ページ: 113-116
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285
[雑誌論文] Thallium incorporation during TlInAs growth by low-temperature MBE2007
- 著者名/発表者名
  M.Takushima, N.Kobayashi, Y.Yamashita, Y.Kajikawa, Y.Satou, Y.Tanaka, N.Sumida
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth vol.301-3021
  
  ページ: 117-120
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285
[雑誌論文] Properties of low-temperature grown InAs and their changes upon annealing2007
- 著者名/発表者名
  M.Shiba, R.Ikariyama, M.Takushima, Y.Kajikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.301-302
  
  ページ: 256-259
- NAID
  120005587463
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285
[雑誌論文] Properties of low-temperature grown InAs and their changes upon annealing2007
- 著者名/発表者名
  M.Shiba, R.Ikariyama, M.Takushima, Y.Kajikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth vol.301-302
  
  ページ: 256-259
- NAID
  120005587463
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285
[雑誌論文] Effect of rapid thermal annealing on photoluminescence properties of low-temperature grown InGaAs/GaAs multiple quantum wells2006
- 著者名/発表者名
  Y.Kajikawa, N.Nishimoto, D.Fujioka, K.Ichida
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics vol.45
  
  ページ: 2412-2416
- NAID
  40007227439
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285
[雑誌論文] Limits in growing TlGaAs/GaAs quantum-well structures by low-temperature molecular-beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  梶川靖友, 小林信裕, 寺崎博喜
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering B 126
  
  ページ: 86-92
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285
[雑誌論文] Eaffect of rapid thermal annealing on photoluminescence properties of low-temperature grown InGaAs/GaAs multiple quantum wells2006
- 著者名/発表者名
  Y.Kajikawa, N.Nishimoto, D.Fujioka, K.Ichida
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics vol.45 no.4A
  
  ページ: 2412-2416
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285
[雑誌論文] Effects rapid thermal annealing on photoluminescence properties of low-temperature grown InGaAs/GaAs multiple quantum wells2006
- 著者名/発表者名
  梶川靖友, 西本尚己, 藤岡大輔, 市田桂也
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45(4A)(印刷中)
- NAID
  40007227439
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560285

1. 森谷明弘 (70029304)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 三橋豊

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 永井豊

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

梶川 靖友 Kajikawa Yasutomo

研究課題

研究成果

共同研究者

環境関連ガス検出用としての赤外線半導体レーザ材料の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新III-V族混晶を用いたガリウム砒素基板上長波半導体レーザ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Thallium incorporation during TlInAs growth by low-temperature MBE2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Effects of annealing on TlGaAs/GaAs single hetero structures and TlGaAs/GaAs multiple quantum well structures grown by low-temperature MBE2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Thallium incorporation during TlInAs growth by low-temperature MBE2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Properties of low-temperature grown InAs and their changes upon annealing2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Properties of low-temperature grown InAs and their changes upon annealing2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Effect of rapid thermal annealing on photoluminescence properties of low-temperature grown InGaAs/GaAs multiple quantum wells2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Limits in growing TlGaAs/GaAs quantum-well structures by low-temperature molecular-beam epitaxy2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Eaffect of rapid thermal annealing on photoluminescence properties of low-temperature grown InGaAs/GaAs multiple quantum wells2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Effects rapid thermal annealing on photoluminescence properties of low-temperature grown InGaAs/GaAs multiple quantum wells2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

梶川靖友 Kajikawa Yasutomo