大畠昭子 Ohata Akiko

研究者番号	00301747
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2023年度: 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, その他部局等, 特任上席URA 2018年度 – 2020年度: 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 特任准教授 2012年度: 大阪市立大学, 工学(系)研究科(研究院), その他 2010年度 – 2011年度: 大阪市立大学, 大学院・工学研究科, 特任准教授 2004年度: 群馬大学, 工学部, 助手 2003年度: 群馬大学, 工学部電気電子工学科, 助手 1998年度 – 1999年度: 理化学研究所, ナノ電子材料研究チーム, フロンティア研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学研究代表者以外小区分09050:高等教育学関連 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者メモリー / IOT / メモリ / RRAM / 人工知能用デバイス / アナログメモリ / グラフェン / 超消費電力 / 学習機能 / アナログメモリー … もっと見る / 酸化グラフェン / 省エネルギー / 超薄膜 / シリコン / 低消費電力 / 集積回路 / 電子デバイス / ランダム・テレグラフ・ノイズ / フローティングドットメモリー / ホットキャリア / ランダムテレグラフノイズ / トラップ / MOSFET / 単一電子効果 … もっと見る研究代表者以外経営IR / 非負値行列因子分解 / 個人内多様性 / 共著分析 / 研究IR / イノベーション / 薄膜成長機構 / 誘電率 / 赤外特性 / 粒密度 / 臨界核サイズ / ペンタセン接触 / Au / インピーダンス / ペンタセン隠す

大学経営における新たな価値創造へむけた経営IRのありかたの探索
- 研究代表者
  
  水上祐治
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分09050:高等教育学関連
- 研究機関
  日本大学
還元型酸化グラフェンを用いた学習機能を有する超低消費電力デバイスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  大畠昭子
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
低電圧動作用シリコンナノフィルムトランジスタの動作設計と物性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  大畠昭子
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  大阪市立大学
有機薄膜の積層化による伝導キャリアの膜中蓄積効果の研究
- 研究代表者
  
  鳥海明
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
単一電子トランジスタの回路応用の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大畠昭子
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  理化学研究所

すべて 2022 2020 2019 2012 2011 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] International comparison of innovation strategies in artificial intelligence research: an analysis of intrapersonal diversity using bibliographic databases2022
- 著者名/発表者名
  Akiko Ohata, Mika Konuma, Yuji Mizukami
- 雑誌名
  
  International Association for Statistical Computing
  
  巻: 8 ページ: 51-58
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K02668
[雑誌論文] Resistive Switching in Graphene Oxide2020
- 著者名/発表者名
  Romero Francisco J.、Toral Alejando、Medina-Rull Alberto、Moraila-Martinez Carmen Lucia、Morales Diego P.、Ohata Akiko、Godoy Andres、Ruiz Francisco G.、Rodriguez Noel
- 雑誌名
  
  Frontiers in Materials
  
  巻: 7 ページ: 1-5
- DOI
  10.3389/fmats.2020.00017
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04275
[雑誌論文] Memcapacitor emulator based on the Miller effect2019
- 著者名/発表者名
  Romero Francisco J.、Morales Diego P.、Godoy Andres、Ruiz Francisco G.、Tienda‐Luna Isabel M.、Ohata Akiko、Rodriguez Noel
- 雑誌名
  
  International Journal of Circuit Theory and Applications
  
  巻: 47 号: 4 ページ: 572-579
- DOI
  10.1002/cta.2604
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04275
[雑誌論文] Laser-Fabricated Reduced Graphene Oxide Memristors2019
- 著者名/発表者名
  Romero、Toral-Lopez、Ohata、Morales、Ruiz、Godoy、Rodriguez
- 雑誌名
  
  Nanomaterials
  
  巻: 9 号: 6 ページ: 897-897
- DOI
  10.3390/nano9060897
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04275
[雑誌論文] Design, fabrication and characterization of capacitive humidity sensors based on emerging flexible technologies2019
- 著者名/発表者名
  Romero Francisco J.、Rivadeneyra Almudena、Salinas-Castillo Alfonso、Ohata Akiko、Morales Diego P.、Becherer Markus、Rodriguez Noel
- 雑誌名
  
  Sensors and Actuators B: Chemical
  
  巻: 287 ページ: 459-467
- DOI
  10.1016/j.snb.2019.02.043
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04275
[雑誌論文] Mobility Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOI MOSFETs with Thin BOX2012
- 著者名/発表者名
  A.Ohata Y.Bae, C.Fenouillet-Beranger, S.Cristoloveanu
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 33 ページ: 348-350
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334
[雑誌論文] Channel Current Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOIMOSFETs with Thin BOX2011
- 著者名/発表者名
  A.Ohata Y.Bae, C.Fenouillet-Beranger, S.Cristoloveanu
- 雑誌名
  
  IEEE Digital Library, EDSSC Proceedings
  
  ページ: 1-2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334
[雑誌論文] Performance of SOI MOSFETs with Ultra-Thin Body and Buried-Oxide
- 著者名/発表者名
  A.Ohata
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: (掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334
[雑誌論文] Performance of (110) P-channel SOI-MOSFETs Fabricated by Deep-Amorphization and Solid-Phase Epitaxial Regrowth Processes
- 著者名/発表者名
  A.Ohata
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: (掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334
[学会発表] Impact of partial reduction on electrical properties in Graphene Oxide films2020
- 著者名/発表者名
  A. Ohata, Francisco J Romero, Noel Rodriguez
- 学会等名
  MRS 2020 Nov.28, (2020).
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04275
[学会発表] A New Characterization Technique for SOI Wafers : Split-C(V) in Pseudo-MOSFET Configuration2012
- 著者名/発表者名
  A.Diab, C.Fernandez, A.Ohata, N.Rodriguez, I.Ionica, Y.H.Bae, F.Allibert, F.Gamiz, G.Ghibaudo, S.Cristoloveanu
- 学会等名
  EUROSOI
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2012-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334
[学会発表] Electrical Characterization of Retrograded Arsenic Body-Implanted FD-SOI MOSFETs2012
- 著者名/発表者名
  C.Navarro, N.Rodriguez, F.Andrieu, A.Ohata, F.Gamiz, O.Faynot, S.Cristoloveanu
- 学会等名
  EUROSOI
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2012-02-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334
[学会発表] Performance of SOI MOSFETs with Ultra-Thin Body and Buried-Oxide2011
- 著者名/発表者名
  A.Ohata, Y.Bae, C.Fenouillet-Beranger, S.Cristoloveanu
- 学会等名
  219th ECS Meeting
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 年月日
  2011-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334
[学会発表] Channel Current Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOI MOSFETs with Thin BOX2011
- 著者名/発表者名
  A.Ohata, Y.Bae, C.Fenouillet-Beranger, S.Cristoloveanu
- 学会等名
  IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits
- 発表場所
  Tianjin, China
- 年月日
  2011-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334
[学会発表] Performance of (110) P-channel SOI-MOSFETs Fabricated by Deep-Amorphization and Solid-Phase Epitaxial Re growth Processes2011
- 著者名/発表者名
  A.Ohata, Y.Bae, S.Cristoloveanu, T.Signamarcheix, J.Widiez, B.Ghyselen, O.Faynot, L.Clavelier
- 学会等名
  17^<th> biannual conference, Insulating Films on Semiconductor conference
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2011-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560334

1. 水上祐治 (60738649)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
2. 鳥海明 (50323530)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 本多啓介 (50568425)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 濱田ひろか (80797267)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

大畠 昭子 Ohata Akiko

研究課題

研究成果

共同研究者

大学経営における新たな価値創造へむけた経営IRのありかたの探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

還元型酸化グラフェンを用いた学習機能を有する超低消費電力デバイスの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

低電圧動作用シリコンナノフィルムトランジスタの動作設計と物性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機薄膜の積層化による伝導キャリアの膜中蓄積効果の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単一電子トランジスタの回路応用の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] International comparison of innovation strategies in artificial intelligence research: an analysis of intrapersonal diversity using bibliographic databases2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Resistive Switching in Graphene Oxide2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Memcapacitor emulator based on the Miller effect2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Laser-Fabricated Reduced Graphene Oxide Memristors2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Design, fabrication and characterization of capacitive humidity sensors based on emerging flexible technologies2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Mobility Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOI MOSFETs with Thin BOX2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Channel Current Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOIMOSFETs with Thin BOX2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Performance of SOI MOSFETs with Ultra-Thin Body and Buried-Oxide

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Performance of (110) P-channel SOI-MOSFETs Fabricated by Deep-Amorphization and Solid-Phase Epitaxial Regrowth Processes

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Impact of partial reduction on electrical properties in Graphene Oxide films2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] A New Characterization Technique for SOI Wafers : Split-C(V) in Pseudo-MOSFET Configuration2012

著者名/発表者名

大畠昭子 Ohata Akiko