喜多浩之 Kita Kouji

研究者番号	00343145
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2024年度: 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 2016年度 – 2021年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 2017年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 2012年度 – 2015年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2009年度 – 2012年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 … もっと見る 2007年度 – 2008年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 2005年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 助手 2002年度 – 2005年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学 / 構造・機能材料 / 金属物性・材料 / 無機材料・物性 / 理工系 / 金属物性研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学
キーワード	研究代表者表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / 省エネルギー / 欠陥準位 / 移動度 / 炭化ケイ素 / パワーデバイス / 電気・電子材料 … もっと見る / 電界効果 / 不揮発性メモリ / 界面磁気異方性 / 強磁性体 / 酸化物 / 先端機能デバイス / 絶縁膜 / 酸素欠損 / 光吸収 / ゲルマニウム / ナノ薄膜 / HfO2 / 強誘電体 / 応力印加 / 界面双極子 / 誘電体 / 熱処理 / イオン打ち込み / MOSFET / 窒化反応 / 閾値電圧 / 格子歪み / 欠陥構造 / 界面準位 / ゲート絶縁膜 / SiC / インピーダンス解析 / 界面準位密度 / 光照射 / 界面特性 / 電界効果トランジスタ / 熱酸化膜 / デバイスプロセス / 電界効果移動度 / 不揮発メモリ / 化学状態 / 垂直磁気異方性 / 磁性 / 界面制御 / 電界応答 / 印加電圧 / 垂直磁化 / エレクトロクロノミック / セラミックス / イオン伝導 / エレクトロクロミック / 表面界面物性 / 抵抗変化 / 酸化物薄膜 / 欠陥 / 結晶性 / 低電圧化 / 電流-電圧特性 / フォーミング / 抵抗スイッチング / 酸化ニッケル / 抵抗変化メモリー / 表面酸化過程 / 表面酸化渦程 / 表面酸化 / 酸化機構 / 分光エリプソメトリー / 一酸化ゲルマニウム / 二酸化ゲルマニウム / 初期酸化過程 / 律速過程 / 同位体ガス / 酸化イットリウム / 酸化ハフニウム / シリケート / 界面反応 / シリコン / 高誘電率絶縁膜 … もっと見る研究代表者以外 High-k膜 / 表面・界面物性 / ナノ材料 / 計算物理 / 電子・電気材料 / amorphous / polarizability / germanium / silicon / lanthanum oxide / yttrium oxide / hafnium oxide / high-k dielectrics / MISキャパシタ / ゲート絶縁膜 / オフアクシススパッタリング / オープンサーキットポテンシャル / スパックリング / Open Circuit Potential法 / 分光エリプソメトリー / 斜入射X線反射率測定 / 原子状酸素 / 酸化レート / 界面制御 / 基板面方位 / 高誘電率膜 / 光学フォノン / シリケート / Y2O3 / HfO2 / 界面層 / Y_2O_3 on Ge / LaYO_3薄膜 / 遠赤外特性 / Y-doped HfO_2 / Y_2O_3 / La_2O_3 / HfO_2 / アモルファス / 分極率 / ゲルマニウム / シリコン / 酸化ランタン / 酸化イットリウム / 酸化ハフニウム / 高誘電率絶縁膜 / HfLaOx / Si-doped HfO2 / Ge / ショットキーバリア高さ / 高圧酸化 / ESR / Fermi-level Pinning / GeO2 / Higher-k膜 / 構造相転移 / XPS / 界面ダイポール / 超薄膜 / 誘電体物性 / 電気・電子材料 / 高圧アニール / FET / サブミクロン / 粒径 / モビリティ / 有機トランジスタ / ペンタセン / 有機薄膜 / miniaturization / grain / hysteresis / degradation / oganic / Mobility / TFT / Pentacene 隠す

SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
伸長歪みの印加と界面反応抑制による強誘電性Hf系酸化物ナノ薄膜の薄膜化限界の克服研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2025
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
絶縁膜界面バンドアライメント変調のための界面電荷エンジニアリングとその効果の実証研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
ＳｉＣの熱酸化が誘起する界面近傍構造変化の解析とＭＯＳＦＥＴ特性向上指針の明確化研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
光照射キャパシタンス測定による熱酸化処理後のSiC基板中欠陥の半定量的評価研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
高品質界面を有するSiC MOS反転層チャネル移動度の制約因子の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
異種酸化物界面の分極を予測するマテリアル・インフォマティクスの開拓
- 研究代表者
  
  渡邉孝信
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  早稲田大学
強磁性体－酸化物界面の磁気異方性の不揮発変化を利用した超低消費電力メモリーの実証研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  金属物性・材料
- 研究機関
  東京大学
強磁性体金属－酸化物界面で生じる磁気異方性エネルギーとその電界制御の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  東京大学
酸化ニッケル表面のプロトン伝導性の発現とそのエレクトロクロミック素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京大学
抵抗変化メモリーにおける酸化物/電極界面の電気特性と酸化物内結果準位の相関の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
ナノメートル誘電体・薄膜の電子物性の理解と制御の研究
- 研究代表者
  
  鳥海明
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
In-situリアルタイム観察に基づくGe表面の初期酸化過程とその制御の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  東京大学
高誘電率絶縁膜-シリコン界面における界面反応層の形成・消失過程の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  喜多浩之
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  東京大学
ナノ・プラスティックFETの研究開発
- 研究代表者
  
  鳥海明
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京大学
超薄高誘電率ゲート絶縁膜におけるシリコンとの界面制御の研究
- 研究代表者
  
  鳥海明
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学

[図書] Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics 102012
- 著者名/発表者名
  Editors: S. Kar, S. Van Elshocht, K. Kita, and D. Misra
- 総ページ数
  358
- 出版者
  The Electrochemical Society, Pennington, NJ, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[図書] Physicsand Technology of High-k Materials 9",The Electrochemical Society,Pennington, NJ, USA (2011
- 著者名/発表者名
  Editors: S. Kar , M. Houssa, S. VanElshocht, D. Misra, and K. Kita
- 出版者
  ECSTransactions
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[図書] Chap. 11 :"Interface Properties of High-k Dielectrics on Germanium Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, M. Toyama and H. Nomura
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[図書] Materials Engineering of High-k Gate Dielectrics, "Dielectric Films for Advanced Microelectronics, " edited by M. Baklanov, M. Green and K. Maex2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita
- 総ページ数
  40
- 出版者
  John Wiley & Sons, Ltd
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[図書] "Interface Properties of High-k Dielectrics on Germanium", in "Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors", A. Dimoulas, E. Gusev, P.C. Mclntyre and M. Heyns (ed. )2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, M. Toyama, H. Nomura
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[図書] Materials Engineering of High-k Gate Dielectrics in "Dielectric Films for Advanced Microelectronics"(edited by M. Baklanov, M. Green and K. Maex)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita
- 出版者
  John Wiley & Sons, Ltd
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[図書] Interface Properties of High-k Dielectrics On Germanium, Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors, " edited byA. Dimoulas, E. Gusev, P. AcIntyre, M. Heyns2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, M. Toyama, H. Nomura
- 総ページ数
  11
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Enhancement of remnant polarization in ferroelectric HfO2 thin films induced by mechanical uniaxial tensile strain after crystallization process2024
- 著者名/発表者名
  Inoue Tatsuya, ONAYA Takashi, KITA Koji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 5 ページ: 051003-051003
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad379a
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Comparative study of mechanical stress-induced flat-band voltage change in MOS capacitor and threshold voltage change in MOSFET fabricated on 4H-SiC (0001)2024
- 著者名/発表者名
  Chu Qiao、Masunaga Masahiro、Shima Akio、Kita Koji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 3 ページ: 030901-030901
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad2aa6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Verification of modulation mechanism of the interfacial dipole effect by changing the stacking sequence of monatomic layers in perovskite oxides2023
- 著者名/発表者名
  Tamura Atsushi, Kita Koji
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 134 号: 23
- DOI
  10.1063/5.0169529
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Relaxation of the Distorted Lattice of 4H-SiC (0001) Surface by Post-Oxidation Annealing2023
- 著者名/発表者名
  Hatmanto Adhi Dwi, Kita Koji
- 雑誌名
  
  Solid State Phenomena
  
  巻: 345 ページ: 131-136
- DOI
  10.4028/p-n0q5nl
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1-xO2 thin films2023
- 著者名/発表者名
  Onaya Takashi, Nabatame Toshihide, Nagata Takahiro, Tsukagoshi Kazuhito, Kim Jiyoung, Nam Chang-Yong, Tsai Esther H.R., Kita Koji
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 210 ページ: 108801-108801
- DOI
  10.1016/j.sse.2023.108801
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550, KAKENHI-PROJECT-20H02189
[雑誌論文] Structural distortion in ferroelectric HfO2 - The factor that determines electric field-induced phase transformation2023
- 著者名/発表者名
  Nittayakasetwat Siri, Momiyama Haruki, Kita Koji
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 204 ページ: 108639-108639
- DOI
  10.1016/j.sse.2023.108639
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Opportunity to achieve an efficient SiC/SiO2 interface N passivation by tuning the simultaneous oxidation modes during the SiC surface nitridation in N2 + O2 annealing2023
- 著者名/発表者名
  Yang Tianlin, Kita Koji
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 210 ページ: 108815-108815
- DOI
  10.1016/j.sse.2023.108815
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Impacts of Al2O3/SiO2 Interface Dipole Layer Formation on the Electrical Characteristics of 4H-SiC MOSFET2022
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, and Koji Kita
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 43 号: 1 ページ: 92-95
- DOI
  10.1109/led.2021.3125945
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Characterization of deep traps in the near-interface oxide of widegap metal?oxide?semiconductor interfaces revealed by light irradiation and temperature change2022
- 著者名/発表者名
  Rimpei Hasegawa and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SH ページ: SH1006-SH1006
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac6564
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Unexpected fixed charge generation by an additional annealing after interface nitridation processes at the SiO2/4H-SiC (0001) interfaces2022
- 著者名/発表者名
  Kil Tae-Hyeon, Yang Tianlin, Kita Koji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SH ページ: SH1008-SH1008
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac68cd
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Anomalous structural distortion - a possible origin for the waking-up of the spontaneous polarization in ferroelectric HfO22021
- 著者名/発表者名
  Siri Nittayakasetwat and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 7 ページ: 070908-070908
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac085c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Impacts of band alignment change after interface nitridation on the leakage current of SiO2/4H-SiC (0001) and (1-100) MOS capacitors2021
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil, Atsushi Tamura, Sumera Shimizu, and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 8 ページ: 081005-081005
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac16b9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771, KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Opportunity for band alignment manipulation of perovskite oxide stacks by interfacial dipole layer formation2021
- 著者名/発表者名
  Atsushi Tamura, Seungwoo Jang, Young-Geun Park, Hanjin Lim, and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 185 ページ: 108128-108128
- DOI
  10.1016/j.sse.2021.108128
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Flat-band voltage shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by interface dipole layer formation at the oxide-semiconductor and oxide-oxide interfaces2021
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 183 ページ: 108115-108115
- DOI
  10.1016/j.sse.2021.108115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Evidence of ferroelectric HfO2 phase transformation induced by electric field cycling observed at a macroscopic scale2021
- 著者名/発表者名
  Siri Nittayakasetwat and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 184 ページ: 108086-108086
- DOI
  10.1016/j.sse.2021.108086
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771, KAKENHI-PROJECT-21H04550
[雑誌論文] Physical analysis of remained oxidation byproducts as the origins of lattice distortion at the surface of 4H-SiC by Fourier-transform infrared spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 59 号: SM ページ: SMMA02-SMMA02
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab7fe9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Influences of coexisting O2 in H2O-annealing ambient on thermal oxidation kinetics and MOS interface properties on 4H-SiC (1-100)2020
- 著者名/発表者名
  Qiao Chu, Masato Noborio, Sumera Shimizu, and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 116 ページ: 105147-105147
- DOI
  10.1016/j.mssp.2020.105147
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Impacts of density of deposited dielectric films on temperature dependence of interface dipole layer in multilayered dielectric capacitors for energy harvesting2020
- 著者名/発表者名
  Takashi Hamaguchi and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 59 号: SM ページ: SMMA05-SMMA05
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab8bbe
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Significant reduction of interface trap density of SiC PMOSFETs by post-oxidation H2O annealing processes with different oxygen partial pressures2020
- 著者名/発表者名
  Jun Koyanagi, Mizuki Nishida and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 59 号: SM ページ: SMMA06-SMMA06
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab8e1f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Anomalous band alignment change of SiO2/4H-SiC (0001) and (000-1) MOS capacitors induced by NO-POA and its possible origin2020
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 116 号: 12
- DOI
  10.1063/1.5135606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Consideration on SiO2/4H-SiC Band Alignment Modulation by NO Annealing2020
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 号: 3 ページ: 47-53
- DOI
  10.1149/09803.0047ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Similarity and difference of the impact of ion implantation and thermal oxidation on the lattice structure of 4H-SiC (0001) surface2019
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 12 号: 8 ページ: 085507-085507
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab30d4
- NAID
  210000156788
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Study on the Effects of Post-Deposition Annealing on SiO2/β-Ga2O3 MOS Characteristics2019
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Eiki Suzuki, and Qin Mao
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 92 (1) 号: 1 ページ: 59-63
- DOI
  10.1149/09201.0059ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Anomalous temperature dependence of Al2O3/SiO2 and Y2O3/SiO2 interface dipole layer strengths2019
- 著者名/発表者名
  Nittayakasetwat Siri、Kita Koji
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 125 号: 8 ページ: 084105-084105
- DOI
  10.1063/1.5079926
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] The kinetics of lattice distortion introduction and lattice relaxation at the surface of thermally-oxidized 4H-SiC (0001)2019
- 著者名/発表者名
  Hatmanto Adhi Dwi、Kita Koji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 5 ページ: 055505-055505
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab103e
- NAID
  210000135702
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Significant Structural Distortion in the Surface Region of 4H-SiC Induced by Thermal Oxidation and Recovered by Ar Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Kita Koji、Hatmanto Adhi Dwi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 86 号: 12 ページ: 63-67
- DOI
  10.1149/08612.0063ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Low temperature wet-O2 annealing process for enhancement of inversion channel mobility and suppression of Vfb instability on 4H-SiC (0001) Si-face2018
- 著者名/発表者名
  Hirai Hirohisa、Kita Koji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 113 号: 17 ページ: 172103-172103
- DOI
  10.1063/1.5042038
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Thermal-oxidation-induced local lattice distortion at surface of 4H-SiC(0001) characterized by in-plane X-ray diffractometry",2018
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 011201-011201
- DOI
  10.7567/apex.11.011201
- NAID
  210000136054
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[雑誌論文] Minimization of SiO2/4H-SiC (0001) Interface State Density by Low-Temperature Post-Oxidation-Annealing in Wet Ambient after Nitrogen Passivation2018
- 著者名/発表者名
  Kita Koji、Nishida Mizuki、Sakuta Ryota、Hirai Hirohisa
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 86 号: 2 ページ: 61-65
- DOI
  10.1149/08602.0061ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[雑誌論文] Difference of near-interface strain in SiO2 between thermal oxides grown on 4H-SiC by dry-O2 oxidation and H2O oxidation characterized by infrared spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 15 ページ: 152104-152104
- DOI
  10.1063/1.4980093
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969, KAKENHI-PROJECT-15J10704
[雑誌論文] Demonstration of Large Flatband Voltage Shift by Designing Al2O3/SiO2 Laminated Structures with Multiple Interface Dipole Layers2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kita and Hironobu Kamata
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 80 (1) 号: 1 ページ: 379-385
- DOI
  10.1149/08001.0379ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[雑誌論文] Effects of high-temperature diluted-H2 annealing on effective mobility of SiC MOSFETs estimated by split capacitance-voltage technique2017
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 11 ページ: 1113021-4
- DOI
  10.7567/jjap.56.111302
- NAID
  210000148419
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969, KAKENHI-PROJECT-15J10704
[雑誌論文] Design of Al2O3/SiO2 laminated stacks with multiple interface dipole layers to achieve large flatband voltage shifts of MOS capacitors2017
- 著者名/発表者名
  Hironobu Kamata and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 10
- DOI
  10.1063/1.4978223
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969, KAKENHI-PROJECT-16K14227
[雑誌論文] Investigation of origins of the critically different MOS interface characteristics between dry-oxidized and wet-oxidized silicon carbide2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Hirohisa Hirai, Hiroyuki Kajifusa, Kohei Kuroyama, Kei Ishinoda
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 178 ページ: 186-189
- DOI
  10.1016/j.mee.2017.05.042
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969, KAKENHI-PROJECT-15J10704, KAKENHI-PROJECT-16K14227
[雑誌論文] Difference of Near-Interface SiO2 Structures between O2-oxidation and H2O-oxidation of 4H-SiC (0001) and Its Impact on MOS Interface Characteristics2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Hirohisa Hirai, and Kei Ishinoda
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 80 (7) 号: 7 ページ: 123-128
- DOI
  10.1149/08007.0123ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969, KAKENHI-PROJECT-15J10704
[雑誌論文] Opportunity of dipole layer formation at non-SiO 2 dielectric interfaces in two cases: Multi-cation systems and multi-anion systems2017
- 著者名/発表者名
  Fei Jiayang、Kita Koji
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 178 ページ: 225-229
- DOI
  10.1016/j.mee.2017.05.035
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17J10451, KAKENHI-PROJECT-16K14227
[雑誌論文] Anomalous flatband voltage shift of AlFxOy/Al2O3 MOS capacitors: A consideration on dipole layer formation at dielectric interfaces with different anions2017
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe, and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 16 ページ: 1629071-6
- DOI
  10.1063/1.4980059
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03979, KAKENHI-PROJECT-16K14227
[雑誌論文] Estimation of near-interface oxide trap density at SiO2/SiC metal-oxide-semiconductor interfaces by transient capacitance measurements at various temperatures2016
- 著者名/発表者名
  Yuki Fujino and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120 号: 8
- DOI
  10.1063/1.4961871
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969, KAKENHI-PROJECT-16K14227
[雑誌論文] Effects of High-Temperature Diluted-H2 Annealing on Effective Mobility of 4H-SiC MOSFETs with Thermally-Grown SiO22016
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04ER16-04ER16
- DOI
  10.7567/jjap.55.04er16
- NAID
  210000146430
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969, KAKENHI-PROJECT-15J10704
[雑誌論文] Understanding the impact of interface reaction on dipole strength at MgO/SiO2 and Y2O3/SiO2 interfaces2016
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EB11-04EB11
- DOI
  10.7567/jjap.55.04eb11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03979, KAKENHI-PROJECT-26630291
[雑誌論文] Positive and Negative Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interfaces Simulated by Classical Molecular Dynamics2016
- 著者名/発表者名
  Kosuke Shimura, Ryota Kunugi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Jiayang Fei, Koji Kita, Takanobu Watanabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EB03-04EB03
- DOI
  10.7567/jjap.55.04eb03
- NAID
  210000146271
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03979
[雑誌論文] Quantitative Characterization of Near-Interface Oxide Traps in 4H-SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements2015
- 著者名/発表者名
  Yuki Fujino and Koji Kita
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69 (5) 号: 5 ページ: 219-225
- DOI
  10.1149/06905.0219ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[雑誌論文] Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) Interface with Nearly-Ideal Capacitance-Voltage Characteristics by Thermal Oxidation2014
- 著者名/発表者名
  Richard Heihachiro Kikuchi and Koji Kita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 3 ページ: 032106-032106
- DOI
  10.1063/1.4891166
- NAID
  120005537750
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[雑誌論文] Understanding of Growth Kinetics of Thermal Oxides on 4H-SiC (0001) for Control of MOS Characteristics2014
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 61 号: 2 ページ: 135-142
- DOI
  10.1149/06102.0135ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[雑誌論文] Control of 4H-SiC (0001) Thermal Oxidation Process for Reduction of Interface State Density2014
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Yuki Fujino
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 64 号: 8 ページ: 23-28
- DOI
  10.1149/06408.0023ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287, KAKENHI-PROJECT-26630291
[雑誌論文] Conduction band offset at Ge02/Ge interface determined by internal photoemission and charge-corrected x-rav photoelectron spectroscopies2013
- 著者名/発表者名
  W. F. Zhang
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 102 号: 10 ページ: 102106-1
- DOI
  10.1063/1.4794417
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12F02061, KAKENHI-PROJECT-22656142, KAKENHI-PROJECT-25249032
[雑誌論文] QuantitativeCharacterization of Band-Edge EnergyPositions in High-k Dielectrics byX-ray Photoelectron Spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  Y. Chikata, K. K i ta , T. Nishimura, K.Nagashio, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 52 号: 2R ページ: 21101-21101
- DOI
  10.7567/jjap.52.021101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142, KAKENHI-PROJECT-24656200
[雑誌論文] Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides2013
- 著者名/発表者名
  Jiro Koba and Koji Kita
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 58 (5) 号: 5 ページ: 127-133
- DOI
  10.1149/05805.0127ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[雑誌論文] Impact of Ta Diffusion on the Perpendicular Magnetic Anisotropy of Ta/CoFeB/MgO2013
- 著者名/発表者名
  Naruto Miyakawa, D. C. Woriedge, and Koji Kita
- 雑誌名
  
  IEEE Magnetic Letters
  
  巻: 4 ページ: 1000104-1000104
- DOI
  10.1109/lmag.2013.2240266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[雑誌論文] Electrci-field-control of magnetic anisotropy of Co_<0.6>Fe_<0.2>B_<0.2>/oxide stacks using reduced voltage2012
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, David W. Abraham, Martin J. Gajek, and D. C. Worledge
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 112 号: 3 ページ: 33919-33919
- DOI
  10.1063/1.4745901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[雑誌論文] Counter Dipole Layer Formation in Multi-layer High-k Gate Stacks2012
- 著者名/発表者名
  S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Counter DipoleLayer Formation in Multilayer High-kGate Stacks2012
- 著者名/発表者名
  S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 51 号: 8R ページ: 81303-81303
- DOI
  10.1143/jjap.51.081303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142, KAKENHI-PROJECT-24656200
[雑誌論文] Interfacial Dipole at High-k Dielectric/SiO_2 Interface : X-ray PhotoelectronSpectroscopy Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  L. Q. Zhu, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, S. K. Wang, and A. Torium
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 ページ: 31502-31502
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Opportunity for Phase-controlled Higher-k HfO_22011
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, Y. Nakajima, and K. Kita
- 雑誌名
  
  ECS-Trans.
  
  巻: 41(7) ページ: 125-136
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Higher-k Scalability and Leakage Current Reduction of SiO2-Doped HfO2 in Direct Tunneling Regime2011
- 著者名/発表者名
  K.Tomida, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 11R ページ: 111502-111502
- DOI
  10.1143/jjap.50.111502
- NAID
  40019072737
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Interfacial Dipole at High-k Dielectrics/SiO2 Interface: X-ray Photoelectron Spectroscopy Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.50
- NAID
  40018777874
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Higher-k Scalability and Leakage Current Reduction of SiO_2-Doped HfO_2 in Direct Tunneling Regime2011
- 著者名/発表者名
  K. Tomida, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 ページ: 111502-111502
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Study on Dipole Layer Formation between Two Oxides :Experimental Evidences and Possible Models2011
- 著者名/発表者名
  K . K i ta and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  MRS Proceedings
  
  巻: 1331
- DOI
  10.1557/opl.2011.1519
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of moisture absorption phenomena in high-permittivity oxides as gate dielectrics of advanced complementary-metal-oxide semiconductor devices2010
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Letters
  
  巻: 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO_2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027015062
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[雑誌論文] Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO2 through Non equilibrium Thermal Treatment2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 28(2) ページ: 203-212
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Direct LaLuO3/Ge Gate Stack Formation by Interface Scavenging and Subsequent Low Temperature O2 Annealing2010
- 著者名/発表者名
  T.Tabata, C.H.Lee, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 33(3) ページ: 375-382
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  L. Q. Zhu, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, S. K. Wang, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 3 号: 6 ページ: 61501-61501
- DOI
  10.1143/apex.3.061501
- NAID
  210000014682
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[雑誌論文] Oxidation, Diffusion and Desorption in Ge/GeO2 System2010
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, S.K.Wang, C.H.Lee, M.Yoshida, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 28(2) ページ: 171-180
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Resistive Switching Behaviors of NiO Bilayer Films with Different Crystallinity Layers2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, A.Eika, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 28(2) ページ: 315-322
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of moistureabsorption phenomena in high-permittivity oxides as gate dielectrics of advanced complementary-metal-oxide-semiconductor devices2010
- 著者名/発表者名
  Y. Zhao, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 96 ページ: 242901-242901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, L.Q.Zhu T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 33(6) ページ: 463-477
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[雑誌論文] Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS2010
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, C.H.Lee, T, Nishimura, K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, K.Nagashio
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 33(6) ページ: 33-46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] GeO2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上-Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証-2010
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 喜多浩之, 長汐晃輔, 鳥海明
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 109(408)
  
  ページ: 13-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Desorption kinetics of GeO from GeO_2/Ge structure2010
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[雑誌論文] Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol.3
- NAID
  210000014682
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO_2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  L. Q. Zhu, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, S. K. Wang, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 3 ページ: 61501-61501
- NAID
  10027015062
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, L.Q.Zhu T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 33(6) ページ: 463-477
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure2010
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio , A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 王盛凱, 李忠賢, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 110(90) ページ: 55-60
- NAID
  110007890345
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[雑誌論文] GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上-Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証-2010
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 喜多浩之, 長汐晃輔, 鳥海明
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 109(408)
  
  ページ: 13-16
- NAID
  110008001111
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality2009
- 著者名/発表者名
  C.H. Lee, T. Nishimura, N. Saido, K. Nagashio, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  2009 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
  
  ページ: 457-460
- NAID
  110008001111
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at Highk/SiO_2 Interface2009
- 著者名/発表者名
  K. Kita and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO2 Interface2009
- 著者名/発表者名
  K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 94
  
  ページ: 132902-132902
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Ge/GeO2 Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 71404-71404
- NAID
  210000014403
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Comprehensive Study of GeO_2 Oxidation, GeO Desorption and GeO_2-Metal Interaction. Understanding of Ge Processing Kinetics for Perfect Interface Control-2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, C.H.Lee, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2009 IEEE International Electron Device Meetir 2009
  
  ページ: 693-696
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[雑誌論文] Comprehensive Study of GeO_2 Oxidation, GeO Desorption and GeO_2-Metal Interaction. Understanding of Ge Processing Kinetics for Perfect Interface Control-2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, C.H.Lee, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2009 IEEE International Electron Device Meeting 2009
  
  ページ: 693-696
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 19(1)
  
  ページ: 165-173
- NAID
  210000014403
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009
- 著者名/発表者名
  K.Nagashio, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings 1155
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO_2 grown by High Pressure Oxidation2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Nishimura, T.Tabata, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 2009
  
  ページ: 1000-1001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Ge/GeO2 Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 2
  
  ページ: 71404-71404
- NAID
  210000014403
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Control of Properties of GeO_2 Films and Ge/GeO_2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19(2)
  
  ページ: 101-116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO_2 Interface2009
- 著者名/発表者名
  K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett 94
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] On the Origin of anomalous VTH shift in high-k MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, K.Kita
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19(1)
  
  ページ: 243-252
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009
- 著者名/発表者名
  K. Nagashio, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  MRS Symp. Proc.
  
  巻: 1155 ページ: 6-2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Dielectric and electrical properties of amorphous La1.xTaxOy films as higher-k gate insulators2009
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 105
  
  ページ: 42901-42901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO_2 Interface2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 1329032-1329032
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[雑誌論文] Control of Properties of GeO2 Films and Ge/ GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009
- 著者名/発表者名
  K. Kita, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 19(2)
  
  ページ: 101-116
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO2 Interface2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 94
  
  ページ: 132902-132902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Control of Properties of GeO2 Films and Ge/GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19(2)
  
  ページ: 101-116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Band gap enhancement and electrical properties of La_2O_3 films doped with Y_2O_3 as high-k gate insulators2009
- 著者名/発表者名
  Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 94 ページ: 42901-42901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Ge/GeO_2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19(1)
  
  ページ: 165-173
- NAID
  10025087101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at Highk/SiO_2 Interface2009
- 著者名/発表者名
  K. Kita and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appr. Phys. Lett. 94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] ^<18>O isotope tracing of GeO Desorption from GeO_2/Ge Structure2009
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 2009
  
  ページ: 1002-1003
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Control of Properties of GeO_2 Films and Ge/GeO_2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19(2)
  
  ページ: 101-116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Spectroscopic Ellipsometry Study on Defects Generation in GeO_2/Ge stacks2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, M.Yoshida, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 2009
  
  ページ: 1008-1009
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Opportunities and challenges for Ge CMOS-Control of interfacing field on Ge is a key-2009
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 86
  
  ページ: 1571-1576
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Ge/GeO_2 Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 71404-71404
- NAID
  10025087101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19(1)
  
  ページ: 165-173
- NAID
  210000014403
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Dielectric and electrical properties of amorphous La_<1-x> Ta_xO_y films as higher-k gate insulators2009
- 著者名/発表者名
  Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 105 ページ: 34103-34103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Band gap enhancement and electrical properties of La2O3 films doped with Y2O3 as high-k gate insulators2009
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 94
  
  ページ: 42901-42901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Comprehensive Study of GeO2 Oxidation, GeO Desorption and GeO2-Metal Interaction. Understanding of Ge Processing Kinetics for Perfect Interface Control-2009
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S.K. Wang, M. Yoshida, C.H. Lee, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  2009 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
  
  ページ: 693-696
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Control of high-k/germanium interface properties through selection of high-k materials and suppression of GeO volatilization2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 254
  
  ページ: 6100-6100
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] A Significant Shift of Schottky Barrier Heights at Strongly Pinned Metal/Germanium Interface by Inserting an Ultra-Thin Insulating Film2008
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp 1
- NAID
  10025080321
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO_2/Ge and Imapact of Its Suppression on GeO_2/Ge Metal-Insulator-Semicondauctor CharacteristicsDirect Evidence of GeO Volatilization from GeO_2/Ge and Impact of Its Suppression on GeO_2/Ge Metal-Insulator-Semiconductor Characteristics2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47(4B)
  
  ページ: 2349-2354
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Control of high-k/germanium interface properties through selection of high-k materials and suppression of GeO volatilization2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci.
  
  巻: 254 ページ: 6100-6105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Impact of High Pressure O2 Annealing on Amorphous LaLuO3/Ge MIS Capacitors2008
- 著者名/発表者名
  Tabata, C.H. Lee, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 16(5)
  
  ページ: 479-486
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Study of Kinetic Behaviors of GeO in GeO_2/Ge Stacks2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nadashio, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16(5)
  
  ページ: 187-194
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Study of Kinetic Behaviors of GeO in GeO_2/Ge Stacks2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16(5)
  
  ページ: 187-194
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[雑誌論文] Impact of High Pressure _O_2 Annealing on Amorphous LaLuO_3/Ge MIS Caoacitors2008
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, C. H. Lee, K-Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS. Transactions 16(5)
  
  ページ: 479-486
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Study of Kinetic Behaviors of GeO in GeO2/Ge Stacks2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 16(5)
  
  ページ: 187-194
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Control of high-k/germanium interface properties through selection of high-kmaterials and suppression of GeO volatilization2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 254
  
  ページ: 6100-6107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] A Significant Shift of Schottky Barrier Heights at Strongly Pinned Metal/Germanium Interface by Inserting an Ultra-Thin Insulating Film2008
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 1
- NAID
  10025080321
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Control of highk/germanium interface properties through selection of high-k materials and suppression of GeO volatilization2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 254
  
  ページ: 6100-6107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[雑誌論文] Internal Photoemission over HfO_2 and Hf_<1-x> Si_xO_2 High-k Insulating Barriers : Band Offset and Interfacial Dipole Characterization2008
- 著者名/発表者名
  J. Widiez, K. Kita, K. Tomida, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 47 ページ: 2410-2414
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO2/Ge and Impact of Its Suppression on GeO2/Ge Metal-Insulator-Semiconductor Characteristics2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2349-2349
- NAID
  210000064485
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Mechanisms of and Solutions to Moisture Absorption of Lanthanum Oxide as Highk Gate Dielectric2007
- 著者名/発表者名
  Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 6(1)
  
  ページ: 141-148
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 11(4)
  
  ページ: 461-469
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Eividence for strong Fermi-level pinning due to metal-induced gap states at metal/germanium interface2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 91
  
  ページ: 123123-123123
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 11(4)
  
  ページ: 461-469
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Dramatic Improvement of GeO_2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 11(4)
  
  ページ: 461-469
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Evidence for strong Fermi-level pinning due to metal-induced gap states at metal/germanium interface2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 91 ページ: 123123-123123
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/ High-k/Ge CMOS -Ge-intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow2007
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, T. Nishimura, L. Chen, S. Sakata, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  2007 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
  
  ページ: 697-700
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御2007
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 能村英幸, 鈴木翔, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 107(85)
  
  ページ: 85-90
- NAID
  110006343333
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[雑誌論文] Study of La-Induced Flat band Voltage Shift in Metal/HfLaO_x/SiO_2/Si Capacitors2007
- 著者名/発表者名
  Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 46(11) ページ: 7251-7255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Mechanisms of and Solutions to Moisture Absorption of Lanthanum Oxide as High k Gate Dielectric2007
- 著者名/発表者名
  Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS-Trans.
  
  巻: 6(1) ページ: 141-148
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Study of La-Induced Flatband Voltage Shift in Metal/HfLaOx/SiO2/Si Capacitors2007
- 著者名/発表者名
  Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46(11)
  
  ページ: 7251-7255
- NAID
  40015705092
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Suppression of Leakage Current and Moisture Absorption of La2O3 Films with Ultraviolet Ozone Post Treatment2007
- 著者名/発表者名
  Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Pt. 1 46(7)
  
  ページ: 4189-4192
- NAID
  40015465525
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] 分極率の制御による三次元系High-k膜の高誘電化へのアプローチ2006
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 他
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第11回
  
  ページ: 233-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Doped HfO_2 for Higher-k Dielectrics2006
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Tomida, K.Kita
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1(to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Origin of Permittivity Enhancement of HfSiO and HfON Film with High Temperature Annealing2006
- 著者名/発表者名
  K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  International Conference on Microelectronics and Interfaces (ICMI'06)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Dielectric Properties of Metal-Doped HfO_2 for Higher-k Gate Insulators (invited paper)2006
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Tomida, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
  
  ページ: 27-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon2006
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88(7)
  
  ページ: 72904-72904
- NAID
  10022542508
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Dielectric Properties of Metal-Doped HfO^2 for Higher-k Gate Insulators2006
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2006
  
  ページ: 27-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Design Methodology of Higher-k Ternary Dielectric Films with Polarizability Engineering2006
- 著者名/発表者名
  K.Kita, Y.Yamamoto, K.Tomida, Y.Zhao, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 11th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-
  
  ページ: 233-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Doped HfO_2 for Higher-k Dielectrics2006
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Tomida, K.Kita
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1(出版予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon2006
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 88
  
  ページ: 72904-72904
- NAID
  10022542508
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Evolution of Leakage Paths in HfO_2/SiO_2 Stacked Gate Dielectrics : A Stable Direct Observation by Ultrahigh Vacuum Conducting Atomic Force Microscopy2005
- 著者名/発表者名
  K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86(6)
  
  ページ: 63510-63510
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] CVD-SiO^2膜のアニール効果のOCP法による評価2005
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 他
- 雑誌名
  
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第10回
  
  ページ: 265-270
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Design Methodology for La_2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005
  
  ページ: 858-859
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760563
[雑誌論文] Ion-Implanted p/n Junction Characteristics p- and n-type Germanium2005
- 著者名/発表者名
  T.Nishimura, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  
  ページ: 520-521
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Permittivity Increase of YttiriumDoped HfO^2 through Structural Phase Transformation2005
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 86(7)
  
  ページ: 102906-102906
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaOx Films2005
- 著者名/発表者名
  Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 36
  
  ページ: 10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] GIXR Analysis of High-k Multilayer Structure2005
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-
  
  ページ: 167-172
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Thermally Robust Y_2O_3/Ge MOS Capacitors2005
- 著者名/発表者名
  H.Nomura, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  
  ページ: 858-859
- NAID
  10022543442
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Evolution of leakage paths in HfO_2/SiO_2 stacked gate dielectrics : A stable direct observation by ultrahigh vacuum conducting atomic force microscopy2005
- 著者名/発表者名
  K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86(6)
  
  ページ: 63510-63510
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Effects of Germanium Surface Orientation on HfO_2/Ge Interface2005
- 著者名/発表者名
  M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-
  
  ページ: 209-214
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Design Methodology for La_2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  
  ページ: 252-253
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Design Methodology for La2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005
  
  ページ: 858-859
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Polarity Dependence of Leakage Current in HfO_2/SiO_2 Stacked Structures : An Observation by UHV-C-AFM2005
- 著者名/発表者名
  K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-
  
  ページ: 309-314
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Moisture Absorption-Induced Permittivity Deterioration and Surface Roughness Enhancement of Lanthanum Oxide Films on Silicon2005
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  
  ページ: 546-547
- NAID
  10022542508
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing2005
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Pt.1 44(8)
  
  ページ: 6131-6135
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Permittivity Enhancement of Hf_<(1-x)>Si_xO_2 Film with High Temperature Annealing2005
- 著者名/発表者名
  K.Tomida, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  
  ページ: 232-233
- NAID
  10022541528
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] A New Hf-based Dielectric Member, HfLaO_x, for Amorphous High-k Gate Insulators in Advanced CMOS2005
- 著者名/発表者名
  Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  
  ページ: 254-255
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing2005
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Pt.1,44
  
  ページ: 6131-6135
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Far- and Mid- Infrared Absorption Study of HfO_2/SiO_2/Si System (invited paper)2005
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, K.Tomida, H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno
- 雑誌名
  
  207th Meeting of the Electrochemical Society
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Pemittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Modification2005
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86
  
  ページ: 102906-102906
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760563
[雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing2005
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Pt.1,44
  
  ページ: 6131-6135
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760563
[雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaO_x Films2005
- 著者名/発表者名
  Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) P-11
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Thermally Robust Y_2O_3/Ge MOS Capacitors2005
- 著者名/発表者名
  H.Nomura, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005
  
  ページ: 858-859
- NAID
  10022543442
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760563
[雑誌論文] Design Methodology for La^2O^3-Based Ternary Hifher-k Dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005
  
  ページ: 858-859
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Permittivity increase of yttrium-doped HfO_2 through structural phase transformation2005
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86
  
  ページ: 102906-102906
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Annealing Effects on CVD-SiO_2 Films Characterized by OCP Measurement2005
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-
  
  ページ: 265-270
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Ge及びSi基板上のHfO^2薄膜の初期成長過程の違い2004
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 他
- 雑誌名
  
  極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性,第9回薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー文化会共催特別研究会第9回
  
  ページ: 259-264
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Initial Growth Mechanism Difference between HfO_2 Films on Ge and Si Substrates2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita, M.Sasagawa, M.Toyama, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 9th Workshop on Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides
  
  ページ: 259-264
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Sielectric Constant Increase of Yttium-Doped HfO^2 by Structural Phase Modification2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004
  
  ページ: 794-795
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Growth Mechanism Difference of Sputtered HfO^2 between on Ge and on Si2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Lstters 85(1)
  
  ページ: 52-54
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement2004
- 著者名/発表者名
  K.kita et al.
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004
  
  ページ: 786-787
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Growth Mechanism Difference of Sputtered HfO_2 between on Ge and on Si2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85(1)
  
  ページ: 52-54
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Retarded Growth of Squtterfed HfO^2 films on Germanium2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Integration of Advanced Micro and Nanoelectronic Devices-Critical Issues and Solutions, MRS Symp. Proc. 811
  
  ページ: 169-174
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Retarded Growth of Sputtered HfO_2 films on Germanium2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions, MRS Symp.Proc. 811
  
  ページ: 169-174
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Generalized Model of Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface with Post-Deposition Annealing2004
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 796-797
- NAID
  10022540167
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO_2 by Structural Phase Modification2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004
  
  ページ: 794-794
- NAID
  10022540160
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760563
[雑誌論文] Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO_2 by Structural Phase Modification2004
- 著者名/発表者名
  K Kita, K Kyuno, A Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 794-795
- NAID
  10022540160
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface2004
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, K.Tomida, M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 9th Workshop on Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides
  
  ページ: 265-270
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) LP-3
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO_2/SiO_2 Stacked Structures2004
- 著者名/発表者名
  K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 788-789
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] IR Absorption Study of HfO_2 and HfO_2/Si Interface Ranging from 200cm^<-1> to 2000cm^<-1>2004
- 著者名/発表者名
  K.Tomida, H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions, MRS Symp.Proc. 811
  
  ページ: 319-324
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 786-787
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Far Infrared Study of Structural Distortion and Transformation of HfO_2 by Introducing a Slight Amount Si2004
- 著者名/発表者名
  K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 790-791
- NAID
  10022540150
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Growth mechanism difference of sputtered HfO_2 on Ge and on Si2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85(1)
  
  ページ: 52-54
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Generalized Model of Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface with Post-Deposition Annealing2004
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004
  
  ページ: 796-796
- NAID
  10022540167
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760563
[雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86(7)102906(2005).rface Specialists Conference (SISC) LP-3
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Advantages of Ge (111) Surface for High Quality HfO_2/Ge Interface2004
- 著者名/発表者名
  M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 226-227
- NAID
  10022538299
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO^2 through Structural Phase Transformation2004
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2004
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Post-Deposition Annealing Effects on Interface States Generation in HfO_2/SiO_2/Si MOS Capacitors2004
- 著者名/発表者名
  M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 534-535
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement2003
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Pt.2, 42
- NAID
  10011259919
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Oxidation-Induced Damages on Germanium MIS Capacitors with HfO_2 Gate Dielectrics2003
- 著者名/発表者名
  K.Kita, M.Sasagawa, K.Tomida, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. 2003 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 292-293
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] A New CharacterizationTechnique for Depth-Dependent Dielectric Properties of High-k Films by Open-Circuit Potential Measurement,2003
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  2003 Int. Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, AIP Conf. Proc. 550
  
  ページ: 166-170
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Further EOT Scaling of Ge/HfO^2 over Si/HfO^2 MOS Systems2003
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Int. Workshop on Gate Insulator 2003
  
  ページ: 186-191
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement2003
- 著者名/発表者名
  K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42,Pt.2(6B)
- NAID
  10011259919
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] A New Characterization Technique for Depth-Dependent Dielectric Properties of High-k Films by Open-Circuit Potential Measurement2003
- 著者名/発表者名
  K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  2003 Int. Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, AIP Conf.Proc. 550
  
  ページ: 166-170
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Further EOT Scaling of Ge/HfO_2 over Si/HfO_2 MOS Systems2003
- 著者名/発表者名
  K.Kita, M.Sasagawa, K.Tomida, M.Toyama, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Int. Workshop on Gate Insulator (IWGI)
  
  ページ: 186-191
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Interface Oxidation Mechanism in HfO_2/Silicon System with Post-Deposition Annealing2003
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst.Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 486-487
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] Oxidation-Induced Damages on Germanium MIS Capacitors with HfO^2 Gate Dielectrics,2003
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials 2003
  
  ページ: 292-293
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] New method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films Using Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement2002
- 著者名/発表者名
  K.Kita M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Ext.Abst.Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)
  
  ページ: 66-67
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[雑誌論文] New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films Using Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement2002
- 著者名/発表者名
  K.Kita et al.
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials 2002
  
  ページ: 66-67
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[産業財産権] 特許2005
- 発明者名
  鳥海明, 喜多浩之, 富田一行, 山本芳樹
- 権利者名
  国立大学法人東京大学
- 出願年月日
  2005-08-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2004
- 発明者名
  鳥海明, 喜多浩之
- 権利者名
  国立大学法人東京大学
- 産業財産権番号
  2004-250393
- 出願年月日
  2004-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[産業財産権] 特許2004
- 発明者名
  鳥海明, 喜多浩之
- 権利者名
  国立大学法人東京大学
- 産業財産権番号
  2004-250393
- 出願年月日
  2004-08-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13852009
[学会発表] ペロブスカイト酸化物エピタキシャル薄膜における微視的および巨視的なバンドオフセットの値とリーク電流の大きさの関係2024
- 著者名/発表者名
  田村敦史, 喜多浩之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Mechanism of Mechanical Stress-Induced Flat-band Voltage Change in 4H-SiC MOS Structure2024
- 著者名/発表者名
  Qiao Chu, Masahiro Masunaga, Akio Shima, and Koji Kita
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] SiO2との界面付近のβ-Ga2O3 中に酸素欠損が残存する原因の考察2024
- 著者名/発表者名
  片桐浩生, 女屋崇, 喜多浩之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 絶縁膜中の希土類元素の濃度による4H-SiC/絶縁膜界面への窒素導入現象の変化とその原因の考察2024
- 著者名/発表者名
  中島辰海, 女屋崇, 喜多浩之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 強誘電体HfxZr1?xO2/TiN の界面反応に起因する分極疲労抑制メカニズムに関する考察2024
- 著者名/発表者名
  女屋崇，生田目俊秀，長田貴弘，山下良之，塚越一仁，喜多浩之
- 学会等名
  第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大現象とその起源の考察2024
- 著者名/発表者名
  井上辰哉, 女屋崇, 喜多浩之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Investigating the Mechanism of SiO2/4H-SiC Interface Traps Passivation by Boron Incorporation through FT-IR Analysis of Near-Interface SiO22024
- 著者名/発表者名
  Runze Wang, Munetaka Noguchi, Shiro Hino, and Koji Kita
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 高温・低酸素分圧下アニールによる 4H-SiC 中の欠陥生成の FT-IR による検出2024
- 著者名/発表者名
  呂楚陽, 女屋崇, 喜多浩之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] NOによるSiC/SiO2界面への窒素導入速度論に対する雰囲気効果の理解2024
- 著者名/発表者名
  佐々木琉, 女屋崇, 喜多浩之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 絶縁膜への希土類元素の導入による 4H-SiC/絶縁膜界面への窒素導入促進手法の検討2023
- 著者名/発表者名
  中島辰海, 女屋崇，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] アニール時の機械的歪み導入によるHfO2薄膜の強誘電相安定化効果2023
- 著者名/発表者名
  安田滉, 女屋崇, 喜多浩之
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Origin of Interface Dipole Modulation in Perovskite Oxide Epitaxial Stacks by Monatomic Layer Insertion Characterized by Lateral Force Microscopy2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Tamura, Takashi Onaya and Koji Kita
- 学会等名
  23rd Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] The Influence of Boron Concentration on the Reduction of SiO2/4H-SiC MOS Interface Defect Density with Preserved Flatband Voltage Stability2023
- 著者名/発表者名
  Runze Wang, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] NO アニールによる 4H-SiC/SiO2界面への窒素導入反応における酸素分圧の影響の理解2023
- 著者名/発表者名
  佐々木琉, 女屋崇，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Effect of Oxygen Partial Pressure on Nitridation Kinetics at 4H-SiC/SiO2 Interface Using NO Annealing2023
- 著者名/発表者名
  Ryu Sasaki, Takashi Onaya, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大現象とその歪み解放後の緩和現象2023
- 著者名/発表者名
  井上辰哉，女屋崇，喜多浩之
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Structural Analysis of Boron Incorporated SiO2/4H-SiC MOS Interface with Reduced Trap Density2023
- 著者名/発表者名
  Runze Wang, Munetaka Noguchi, Shiro Hino, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] SiO2 成膜とアニールによる β-Ga2O3 表面近傍の酸素欠損の変化の検討2023
- 著者名/発表者名
  片桐浩生, 女屋崇，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 界面形成手法によるSiO2/β-Ga2O3(001)バンドアライメントの違いの考察2023
- 著者名/発表者名
  武田大樹、女屋崇、生田目俊秀、喜多浩之
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Manipulation of Local Band Alignment Distribution by Controlling the Stacking Sequence in Dipole Layer at Perovskite Oxide Interface Characterized by Conductive AFM2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Tamura, Takashi Onaya, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Improvement of Fatigue Properties of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Thin Films Using Surface Oxidized TiN Bottom Electrode2023
- 著者名/発表者名
  T. Onaya, T. Nabatame, T. Nagata, Y. Yamashita, K. Tsukagoshi, Y. Morita, H. Ota, S. Migita, and K. Kita
- 学会等名
  54th IEEE Semiconcuctor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Comparative Study on Local Lattice Distortion of 4H-SiC Surface Induced by Thermal Oxidation and Annealing in Ar Ambient2023
- 著者名/発表者名
  Chuyang Lyu, Takashi Onaya, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Remnant Polarization Enhancement in Ferroelectric HfO2 Thin Films Induced by Mechanical Uniaxial Tensile Strain during Polarization Switching2023
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Inoue, Takashi Onaya, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Anomalous Impact of Mechanical Uniaxial Stress on Threshold Voltage of 4H-SiC (0001) MOSFET2023
- 著者名/発表者名
  Qiao Chu, Masahiro Masunaga, Akio Shima, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] ペロブスカイト酸化物エピタキシャル界面への原子層挿入による積層順序制御効果の検証2023
- 著者名/発表者名
  田村敦史, 喜多浩之
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大の実証2023
- 著者名/発表者名
  井上辰哉, 女屋崇, 喜多浩之
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] N2雰囲気での高温窒化プロセスと O2雰囲気での低温アニール処理の組み合わせによる4H-SiC/SiO2界面品質の向上2023
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang, Takashi Onaya and Koji Kita
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Origin of Fatigue Properties Induced by Oxygen Vacancies Originating from Ferroelectric-HfxZr1-xO2/TiN Interface Reaction During Field Cycling2023
- 著者名/発表者名
  Takashi Onaya, Takahiro Nagata, Toshihide Nabatame, Yoshiyuki Yamashita, Kazuhito Tsukagoshi, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Impact of ALD-ZrO2 nucleation layers on leakage current properties and dielectric constant of ferroelectric HfxZr1-xO2 thin films2023
- 著者名/発表者名
  Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, and Koji Kita
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Low-temperature post nitridation O2 annealing to reduce the fixed charge density while maintaining the high SiC surface N density2023
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang, Takashi Onaya, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Considerations on SiC Surface Oxidation and Nitridation Reactions to Form SiO2/4H-SiC MOS Interface for Advanced Power Devices2023
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  The 9th International Conference on Science and Technology, Universitas Gadjah Mada Annual Scientific Conferences Series (ICST UGM 2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 4H-SiC/ゲート絶縁膜界面への窒素導入プロセスの低温化の検討2023
- 著者名/発表者名
  佐々木琉、中島辰海、女屋崇、喜多浩之
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Understandings of the kinetics of N-incorporation and N-removal reactions for the 4H-SiC surface using the SiC consumption rate as an essential factor2023
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang and Koji Kita
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Opportunity to achieve an efficient SiC/SiO2 interface N passivation by tuning the simultaneous oxidation modes during the SiC surface nitridation in N2 + O2 annealing2023
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang and Koji Kita
- 学会等名
  23rd Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] SiO2/β-Ga2O3界面形成条件が与えるβ-Ga2O3表面近傍の酸素欠損量の違いの検討2023
- 著者名/発表者名
  片桐浩生，女屋崇，喜多浩之
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Possible Origins of Mechanical Stress-Induced Anomalous Impact on Threshold Voltage of 4H-SiC (0001) MOSFET2023
- 著者名/発表者名
  Qiao Chu, Masahiro Masunaga, Akio Shima, and Koji Kita
- 学会等名
  2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Design of Surface Oxidation and Nitridation Reactions on 4H-SiC for the Advanced SiC Gate Stack Formation Processes2023
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  244th ECS Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] SiO2/β-Ga2O3 MOS特性とその熱処理による変化2022
- 著者名/発表者名
  喜多浩之
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] SiC表面の酸化と窒化によるMOS界面形成の科学2022
- 著者名/発表者名
  喜多浩之
- 学会等名
  第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Correlation between Dipole Layer Formation and Surface Terminating Crystal Face in Perovskite Oxide Epitaxial Stacks Clarified by Lateral Force Microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Atsushi Tamura and Koji Kita
- 学会等名
  2022 International Conferene on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 照射光の波長と測定温度によるC-V特性の違いを利用したSiC MOS界面近傍の深い準位の評価2022
- 著者名/発表者名
  長谷川凛平，喜多浩之
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Investigation of SiO2/β-Ga2O3 (001) band alignment considering the effects of interface dipole layer formation2022
- 著者名/発表者名
  Daiki Takeda and Koji Kita
- 学会等名
  The 4th International Woarkshop on Gallium Oxide and Its Related Materials (IWGO2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] SiO2/β-Ga2O3(001)のバンドダイアグラムの成膜後アニールによる変化の検討2022
- 著者名/発表者名
  武田大樹，喜多浩之
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Understandings of the kinetic balance between N incorporation and removal affected by SiC surface oxidation for 4H-SiC/SiO2 structure in high-temperature N (+O ) annealing2022
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang，喜多浩之
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 酸素アニールを用いた酸化ガリウムのMOS界面形成プロセス2022
- 著者名/発表者名
  喜多浩之，武田大樹
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会第9回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Kinetic Study of SiC Surface Nitridation in N2 Ambient with Simultaneous Oxidation in Passive and Active Oxidation Modes2022
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang and Koji Kita
- 学会等名
  The 9th International Conference on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 4H-SiC surface nitridation kinetic model in high temperature N2 (+O2) annealing focusing on the effects of annealing temperature and O2 partial pressure2022
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang and Koji Kita
- 学会等名
  2022 International Conferene on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] SiC表面の酸化と窒化によるMOS界面形成の科学2022
- 著者名/発表者名
  喜多浩之
- 学会等名
  第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] ペロブスカイト酸化物界面におけるダイポール層LaAlO3の原子層積層順序とダイポール方向の相関の水平力顕微鏡による検証2022
- 著者名/発表者名
  田村敦史，喜多浩之
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Clarification of Possible Factors to Determine Flat-Band Voltage in 4H-SiC Gate Stacks with Nitrogen Passivation Processes2022
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  241st ECS Meeting, in Symposium D02 "Dielectrics for Nanosystems 9: Materials Science, Processing, Reliability, and Manufacturing"
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 照射光の波長と測定温度によるC-V特性の違いを利用したSiC MOS界面近傍の深い準位の評価2022
- 著者名/発表者名
  長谷川凛平，喜多浩之
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Study on the Electrical Characteristics and Band Diagrams of Ga2O3 MOS Gate Stacks2022
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  241st ECS Meeting, in Symposium D01 "Solid State Devices, Materials and Sensors: In Memory of Dolf Landheer"
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO2窒化界面構造の変化の違い2021
- 著者名/発表者名
  佐俣勇祐, 増永昌弘, 島明生, 桑名諒, 喜多浩之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 低温化によるキャリア捕獲時定数の増大に着目した4H-SiC MOS界面近傍欠陥の評価手法の検討2021
- 著者名/発表者名
  長谷川凛平, 喜多浩之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Study on Impact of MOS Interface Passivation Processes on Band Alignment and Flat-Band Voltage of 4H-SiC Gate Stacks2021
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  240th ECS Meeting, in Symposium G02 "Semiconductor Process Integration"
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Characterization of Deep Traps in Near-Interface Oxide of Widegap MOS Interfaces Revealed by Light Irradiation and Temperature Change2021
- 著者名/発表者名
  Rimpei Hasegawa and Koji Kita
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Opportunity for band alignment manipulation of perovskite oxide stacks by interfacial dipole layer formation2021
- 著者名/発表者名
  Atsushi Tamura, Seungwoo Jang, Young-Geun Park, Hanjin Lim, and Koji Kita
- 学会等名
  22th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Unexpected Fixed Charge Generation by an Additional Annealing after Interface Nitridation Processes at SiO2/4H-SiC (0001) MOS Interfaces2021
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] キャップ層を用いたアニールによるHfO2膜中歪み操作と強誘電相安定化効果の面内および面外方向へのX線回折を用いた評価2021
- 著者名/発表者名
  籾山陽紀, Siri Nittayakasetwat, 喜多浩之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] β-Ga2O3電子構造のUPS評価に基づくMOS界面固定電荷密度の正確な抽出2021
- 著者名/発表者名
  武田大樹, 喜多浩之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Positive VFB shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by Al2O3/SiO2 interface dipole layer formation2021
- 著者名/発表者名
  Taehyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, and Koji Kita
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Flat-band voltage shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by interface dipole layer formation at the oxide-semiconductor and oxide-oxide interfaces2021
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe and Koji Kita
- 学会等名
  22th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Positive threshold voltage shift of 4H-SiC MOSFET induced by Al2O3 /SiO2 interface dipole layer formation2021
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe and Koji Kita
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] 予め高温N2+H2アニールを施した4H-SiC表面へのMOS形成プロセス2021
- 著者名/発表者名
  佐賀利浩, 喜多浩之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Considerations on competition between SiC surface nitridation and etching at SiO2/SiC interface induced by high-temperature N2 annealing2021
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang and Koji Kita
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Evidence of Ferroelectric HfO2 Phase transformation Induced by Electric Field Cycling Observed at a Macroscopic Scale2021
- 著者名/発表者名
  Siri Nittakayasetwat and Koji Kita
- 学会等名
  22th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Characterization of SiO2/β-Ga2O3(001) MOS Band Diagram with Photoelectron Spectroscopy for the Correct Evaluation of Interface Fixed Charge Density2021
- 著者名/発表者名
  Daiki Takeda and Koji Kita
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Characterization of Deep Traps in Near-Interface Oxide of Widegap MOS Interfaces Revealed by Light Irradiation and Temperature Change2021
- 著者名/発表者名
  Rimpei Hasegawa and Koji Kita
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Considerations on the kinetic correlation between SiC nitridation and etching at the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface in N2 and N2 /H2 ambient2021
- 著者名/発表者名
  Tianlin Yang and Koji Kita
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Direct Evidence of Electric Field driven Phase Transformation in the Waking-up Process of Ferroelectric HfO2 Characterized by Conventional X-ray Diffraction2021
- 著者名/発表者名
  Siri Nittayakasetwat and Koji Kita
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Manipulation of Interfacial Dipole Effect at Perovskite Oxide Heteroepitaxial Interface by Stacking Sequence of Monatomic Layers in LaAlO32021
- 著者名/発表者名
  Atsushi Tamura, Cheol Hyun An, Hanjin Lim, and Koji Kita
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04550
[学会発表] Unexpected Fixed Charge Generation by an Additional Annealing after Interface Nitridation Processes at SiO2/4H-SiC (0001) MOS Interfaces2021
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Insulating Ga2O3 layer formation at SiO2/β-Ga2O3 interface during oxygen annealing at 1000℃ and its impact on Ga2O3 MOS interface characteristics2020
- 著者名/発表者名
  Qin Mao and Koji Kita
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Consideration on SiO2/4H-SiC Band Alignment Modulation by NO Annealing2020
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
- 学会等名
  acific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Mechanical-stress-induced anomalous change of electrical characteristics of 4H-SiC (0001) NMOSFET fabricated on Al-implanted p-type well2020
- 著者名/発表者名
  Qiao Chu, Adhi Dwi Hatmanto, Masahiro Masunaga, Akio Shima and Koji Kita
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Si 面・C 面・a 面上に形成された 4H-SiC/SiO2窒化界面構造の安定性の比較2020
- 著者名/発表者名
  佐俣勇祐，喜多浩之
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 光照射及び低温化により生じるヒステリシスの違いによって検出されるNO-POAと水蒸気POAを行ったp型SiC MOS界面特性の違い2020
- 著者名/発表者名
  長谷川凛平，喜多浩之
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] ウェットPOA処理を用いて形成するp型4H-SiC (0001) MOS界面特性に与える酸素分圧及び温度による影響の考察2020
- 著者名/発表者名
  小柳潤，喜多浩之
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 少量のCO共存下で進行するO2及びH2Oによる熱酸化に伴う酸化膜中欠陥形成機構の考察2020
- 著者名/発表者名
  劉洪波，喜多浩之
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Al2O3/SiO2界面ダイポール層強度の温度依存性と各酸化物の密度の相関2020
- 著者名/発表者名
  濱口高志，喜多浩之
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Relationship between the Waking-up Effect and Structural Distortion in Ferroelectric HfO2 characterized by X-ray Diffraction2020
- 著者名/発表者名
  Siri Nittayakasetwat and Koji Kita
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 水蒸気アニールがp型SiC MOSキャパシタのDitとVFB安定性に与える効果の雰囲気中の酸素分圧による違い2019
- 著者名/発表者名
  小柳潤，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 結晶面の異なる 4H-SiC MOS 界面からのArアニールによるN原子脱離過程2019
- 著者名/発表者名
  佐俣勇祐，喜多浩之
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] NO-POAによるSiO2/4H-SiC MOSキャパシタの異常なバンドアライメント変化とその起源2019
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Similarity and Difference of the Impact of Ion Implantation and Thermal Oxidation on the Lattice Structure of 4H-SiC Surfaces2019
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 低温H2O-POAとH2-POAの組合わせによる4H-SiC pチャネルMOSFETの特性向上2019
- 著者名/発表者名
  小柳潤，喜多浩之
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 異なる結晶面上の4H-SiC/SiO2窒化界面からのArアニールによるN原子脱離過程2019
- 著者名/発表者名
  佐俣勇祐，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Improvement of Channel Characteristics of 4H-SiC PMOSFET by Low Temperature Wet-POA with H2-annealing2019
- 著者名/発表者名
  Jun Koyanagi and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Investigation on the Factors to Determine the Efficiency of Energy Harvesting Method with Multilayered Dielectric Capacitors in Temperature Fluctuating Environment2019
- 著者名/発表者名
  Takashi Hamaguchi and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 温度変動に伴う酸化膜キャパシタの蓄積電荷量の変動に対する界面ダイポール層の温度依存性の寄与の検証2019
- 著者名/発表者名
  濱口高志，喜多浩之
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Physical Analysis of Remained Oxidation Byproducts as the Origins of Lattice Distortion at 4H-SiC Surface2019
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Experimentally Observed Temperature Induced Changes in Interface Dipole Layer Strengths in high‐k/SiO2 and high‐k/high‐k Systems2019
- 著者名/発表者名
  Siri Nittayakasetwat and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Suppression of VFB Instability of p-type 4H-SiC (0001) MOS capacitor by H2O-POA without O2 Introduction2019
- 著者名/発表者名
  Jun Koyanagi and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Formation of Interface Dipole Layers between Two Dielectrics: Considerations on Physical Origins and Opportunities to Manipulate Its Strength2019
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  SEMI Technology Symposium, S2 Advanced Materials & Technologies for Emerging Devices, SEMICON Korea
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Investigation of the Possible Origins of Lattice Distortion at the Surface of Thermally Oxidized 4H-SiC (0001) based on the Physical Analysis of Remained Byproducts2019
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Significant effects on SiO2/4H-SiC band alignment induced by the difference of employed crystal face and post oxidation annealing processes2019
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] An anomalous negative shift of flat-band voltage of NO annealed SiO2/4H-SiC MOS capacitors2019
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil, Atsushi Tamura, and Koji Kita
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Investigation of Thermal Oxidation-induced Lattice Distortion at the Surface of 4H-SiC and Its Origins2019
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Anomalous band alignment change of SiO2/4H-SiC MOS capacitors induced by NO-POA and its possible origin2019
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Anomalous Change of Band Alignment of SiO2/4H‐SiC (0001) Stacks Induced by the Nitrogen Introduction to the Interface2019
- 著者名/発表者名
  Tae-Hyeon Kil, Atsushi Tamura and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] SiO2/4H-SiC界面窒化後のH2OアニールがMOSFET特性に与える効果2019
- 著者名/発表者名
  西田水輝，喜多浩之
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 4H-SiCの水蒸気酸化反応の特徴とそのMOS界面特性に与える効果の理解2019
- 著者名/発表者名
  喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Difference of Temperature Effects on Al2O3/SiO2 Interface Dipole Layer Strength by SiO2 Growth Methods2019
- 著者名/発表者名
  Takashi Hamaguchi and Koji Kita
- 学会等名
  2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devies: Science and Technology (IWDTF2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 温度変動による界面ダイポール層強度の変化の環境発電への応用可能性の検討2018
- 著者名/発表者名
  濱口高志，喜多浩之
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Al2O3/SiO2, MgO/SiO2, MgO/Al2O3各界面におけるダイポール起因のVFBシフトの温度依存性の違い2018
- 著者名/発表者名
  濱口高志，喜多浩之
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Study on interface dipole layer strength change by temperature in high-k/SiO2and high-k/high-k systems and its possible origin2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Hamaguchi, Siri Nittayakasetwat, and Koji Kita
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Recovery of Local Lattice Distortion at the Surface of Thermally-Oxidized 4H-SiC (0001) by Post-Oxidation Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Photo-assisted CV測定で評価するNITにみるNO-POAとwet-POA界面特性の違い2018
- 著者名/発表者名
  西田水輝，作田良太，平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Introduction and Recovery of Thermal-oxidation-induced Lattice Distortion at the Surface of 4H-SiC (0001)2018
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures / 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ACSIN-14/ICSPM26)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Consideration on the effective dipole length in Al2O3/SiO2 and Y2O3/SiO2 interface dipole layers via temperature dependences of their dipole strength2018
- 著者名/発表者名
  Siri Nittayakasetwat, and Koji Kita
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Reduction of SiO2/4H-SiC Interface Defects by H2O-PostNitridation-Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Mizuki Nishida, Ryota Sakuta, Hirohisa Hirai, and Koji Kita
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Thermal-oxidation-induced lattice distortion at 4H-SiC (0001) surface and its recovery by Ar annealing2018
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Introduction and recovery of local lattice distortion at the surface of thermally-oxidized 4H-SiC (0001)2018
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  2018 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Photo-assisted CV測定で評価するNITにみるNO-POAとwet-POA界面特性の違い2018
- 著者名/発表者名
  西田水輝，作田良太，平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Minimization of SiO2/4H-SiC (0001) Interface State Density by Low-Temperature Post-Oxidation-Annealing in Wet Ambient after Nitrogen Passivation2018
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Mizuki Nishida, Ryota Sakuta, and Hirohisa Hirai
- 学会等名
  2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES2018), ECS & SMEQ Joint International Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 熱酸化により4H-SiC（0001）表面に誘起される格子歪みの原因に関する動力学的な考察2018
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  第5回先進パワー半導体分科会講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Significant Structural Distortion in the Surface Region of 4H-SiC Induced by Thermal Oxidation and Recovered by Ar Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Koji Kita and Adhi Dwi Hatmanto
- 学会等名
  2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES2018), ECS & SMEQ Joint International Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] 窒化処理後に低温ウェット酸化処理をした4H-SiC MOS構造における界面準位密度とウェット酸化膜成長量の関係性2018
- 著者名/発表者名
  作田良太，西田水輝，平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Significant Improvement of p-type 4H-SiC MOS Interface Characteristics by Low Temperature Post-Oxidation Annealing in H2O + O2 Ambient2018
- 著者名/発表者名
  Jun Koyanagi, Mizuki Nishida, and Koji Kita
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] Combination of NO-annealing with H2O-annealing at low temperature to reduce SiO2/4H-SiC (0001) interface defect density2018
- 著者名/発表者名
  Mizuki Nishida, Ryota Sakuta, Hirohisa Hirai, Koji Kita
- 学会等名
  2018 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03771
[学会発表] SiC MOSキャパシタにおけるバイアス印加時のVFB安定性に低温ウェット酸化が与える効果2018
- 著者名/発表者名
  小柳潤，平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Temperatures Induced Anomalous Change in Effective Charges of Al2O3/SiO2 Interface Dipole Layer2017
- 著者名/発表者名
  Siri Nittayakasetwat and Koji Kita
- 学会等名
  2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2017 IWDTF)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] 異種元素導入（La, N）による4H-SiC上のSiO(N)成長速度と元素分布の変化2017
- 著者名/発表者名
  作田良太，平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Kinetics of Enhanced Oxide Growth on 4H-SiC in O2 and H2O Coexisting Ambient2017
- 著者名/発表者名
  Kei Ishinoda and Koji Kita
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Investigation of Origins of the Critically Different MOS Interface Characteristics between Dry-oxidized and Wet-Oxidized Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Hirohisa Hirai, Hiroyuki Kajifusa, Kohei Kuroyama and Kei Ishinoda
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Oxidation-induced Lattice Distortion at 4H-SiC (0001) Surface Characterized by Surface Sensitive In-plane X-ray Diffractometry2017
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Difference of Near-Interface SiO2 Structures between O2-oxidation and H2O-oxidation of 4H-SiC (0001) and Its Impact on MOS Interface Characteristics2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Hirohisa Hirai, and Kei Ishinoda
- 学会等名
  232nd The Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 4H-SiC m面上にドライ+ウェット酸化プロセスにより形成されたMOS界面の界面準位密度および電気的ストレスに対する安定性のウェット酸化条件による変化2017
- 著者名/発表者名
  黒山滉平，平井悠久，山本建策，林真理子，細川徳一，喜多浩之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Consideration on the interfacial dipole layer formation at non-SiO2 oxide interfaces in the examples of MgO/Al2O3 and HfO2/Al2O32017
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei and Koji Kita
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] 4H-SiC MOSキャパシタにおける遅い欠陥準位の光照射により観測されるC-V特性ヒステリシス解析による評価2017
- 著者名/発表者名
  西田水輝，喜多浩之
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Lattice Distortion Existing Locally on the Surface of Thermally Oxidaized 4H-SiC (0001)2017
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計2017
- 著者名/発表者名
  喜多浩之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Investigation of Origins of the Critically Different MOS Interface Characteristics between Dry-oxidized and Wet-Oxidized Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Hirohisa Hirai, Hiroyuki Kajifusa, Kohei Kuroyama and Kei Ishinoda
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] 4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計2017
- 著者名/発表者名
  喜多浩之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] 希土類元素存在下でのSiC/SiO2界面での酸窒化の促進2017
- 著者名/発表者名
  作田良太，平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Control of thermal oxidation of 4H-SiC (0001) to enhance MOSFET channel mobility by tuning partial pressures of oxidants (O2 and H2O) and oxidation temperature2017
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai, Kei Ishinoda and Koji Kita
- 学会等名
  48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Change of SiO(N) Thermal Growth Kinetics and Element Distribution on 4H-SiC by Foreign Elements (La and N) Introduction2017
- 著者名/発表者名
  Ryota Sakuta, Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 学会等名
  2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2017 IWDTF)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 4H-SiC熱酸化に伴う基板表面領域における酸素原子侵入とそれに対する酸化条件の影響2017
- 著者名/発表者名
  平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Al2O3/SiO2界面のダイポール層の生成・抑制の制御 -界面の組成急峻性の与える効果-2017
- 著者名/発表者名
  鎌田啓伸，喜多浩之
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] 酸化レートの変化からみた4H-SiC Si面ウェット酸化雰囲気中に共存する酸素の役割2017
- 著者名/発表者名
  石野田圭，平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] ダイポール層の選択的発現を利用したAl2O3/SiO2の繰り返し構造における大きなフラットバンド電圧シフト2017
- 著者名/発表者名
  鎌田啓伸，喜多浩之
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 第22回研究会
- 発表場所
  東レ総合研修センター，静岡県三島市
- 年月日
  2017-01-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Interface-Selective Low-Temperature Wet-O2 Annealing to Enhance 4H-SiC (0001) MOSFET Mobility by Improving Near Interface SiO2 Quality2017
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai, Kei Ishinoda and Koji Kita
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Al2O3/SiO2界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討2017
- 著者名/発表者名
  鎌田啓伸，喜多浩之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] In-Plane X-ray Diffractometry Study on Thermal Oxidation-induced Anomalous Lattice Distortion at 4H-SiC Surfaces2017
- 著者名/発表者名
  Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
- 学会等名
  2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2017 IWDTF)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Interface Dipole Layers between Two Dielectrics: Considerations on Physical Origins and Opportunities to Control Their Formation2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Hironobu Kamata, and Jiayang Fei
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO2 dielectric interface - MgO/Al2O32017
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei and Koji Kita
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] O2共存H2O雰囲気での界面近傍酸化膜成長による4H-SiC MOSFET移動度の向上2017
- 著者名/発表者名
  平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Anomalous temperature dependence of dipole layer strength at the Al2O3/SiO2 interface2017
- 著者名/発表者名
  iri Nittayakasetwa, Hironobu Kamata and Koji Kita
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Interface-Selective Low-Temperature Wet-O2 Annealing to Enhance 4H-SiC (0001) MOSFET Mobility by Improving Near Interface SiO2 Quality2017
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai, Kei Ishinoda and Koji Kita
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Opportunity of dipole layer formationat non-SiO2 dielectric interfaces in two cases: multi-cation systems and multi-anion systems2017
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei and Koji Kita
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] 4H-SiC C面上MOS界面特性のウェット酸化による酸化膜成長量依存性にみられる界面欠陥減少過程と膜中欠陥変化過程の速度的差異2017
- 著者名/発表者名
  平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Evaluation of Deep Trap and Near-interface Oxide Trap Density at SiO2/SiC Interface by Photo-assisted CV Measurement2017
- 著者名/発表者名
  Mizuki Nishida, Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 学会等名
  2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2017 IWDTF)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Demonstration of Large Flatband Voltage Shift by Designing Al2O3/SiO2 Laminated Structures with Multiple Interface Dipole Layers2017
- 著者名/発表者名
  Koji Kita and Hironobu Kamata
- 学会等名
  232nd The Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Demonstration of a large Vfb shift induced by selectively formed multiple dipole layers in Al2O3/SiO2 laminated dielectric stacks2017
- 著者名/発表者名
  Hironobu Kamata and Koji Kita
- 学会等名
  48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Opportunities to Design Thermal Oxidation and Post-OxidationProcesses to Control 4H-SiC MOS Interface Characteristics2016
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  つくば国際会議場，茨城県つくば市
- 年月日
  2016-09-27
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] ウェット酸化雰囲気に共存する酸素の効果の理解に基づく4H-SiC 各結晶面のウェット酸化プロセスの設計2016
- 著者名/発表者名
  平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第３回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県つくば市）
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions2016
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe, Koji Kita
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03979
[学会発表] Design of Al2O3/SiO2 Laminated Stacks with Mutiple Interface Dipole Layers to Induce Large Flatband Voltage Shifts of MOS Capacitors2016
- 著者名/発表者名
  Hironobu Kamata and Koji Kita
- 学会等名
  2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  つくば国際会議場，茨城県つくば市
- 年月日
  2016-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Opportunities to Design Thermal Oxidation and Post-Oxidation Processes to Control 4H-SiC MOS Interface Characteristics2016
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  International Conference of Solid State Device and Materials 2016
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県つくば市）
- 年月日
  2016-09-27
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Enhancement of voltage-induced magnetic anisotropy change by preventing ferromagnetic surface oxidation in CoFeB/Al2O3 and CoFeB/ZrO2 stacks2016
- 著者名/発表者名
  Ryusuke Oishi and Koji Kita
- 学会等名
  2016 Joint MMM -Intermag Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630291
[学会発表] Impacts on 4H-SiC MOSFET Mobility of High Temperatue Annealing in Oxidizing Or Inert Ambient before Gate Oxide Growth2016
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 学会等名
  International Conference of Solid State Device and Materials 2016
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県つくば市）
- 年月日
  2016-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Study on Dipole Layer Formation and its Origin at Al2O3/AlFxOy and Al2O3/AlNxOy Multi-anion Dielectric Interfaces by considering Anion Areal Density and Valence Differences2016
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe and Koji Kita
- 学会等名
  2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  つくば国際会議場，茨城県つくば市
- 年月日
  2016-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] Study on the Guideline to Control Dry and Wet Oxidation Conditions to Improve 4H-SiC (000-1) C-face MOS Interface Characteristics2016
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Kajifusa and Koji Kita
- 学会等名
  International Conference of Solid State Device and Materials 2016
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県つくば市）
- 年月日
  2016-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 酸化性および還元性雰囲気におけるゲート酸化膜成長前の高温熱処理がSiC MOSFET移動度に与える影響2016
- 著者名/発表者名
  平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ(新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Control of SiC thermal oxidation processes for the improvement of MOSFET performance2016
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Hirohisa Hirai, Yuki Fujino and Hiroyuki Kajifusa
- 学会等名
  229th Meeting of the Electrochemical Society
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2016-05-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 4H-SiC MOSFET移動度に対する熱酸化による基板特性劣化とダメージ層除去効果の競合2016
- 著者名/発表者名
  平井悠久，作田良太，喜多浩之
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Impact of Sacrificial Cosumption of Substrate By Thermal Oxidation on Electron Mobility of 4H-SiC MOSFETs2016
- 著者名/発表者名
  Koji Kita and Hirohisa Hirai
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemcal and Solid State Science / 230th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 4H-SiC m 面ウェット酸化によるMOS 界面の電気特性と界面近傍SiO2 微視的構造の特徴の相関2016
- 著者名/発表者名
  黒山滉平，平井悠久，山本建策，林真理子，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第３回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場，茨城県つくば市
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] 4H-SiC MOSキャパシタ界面近傍における電子と正孔の膜中トラップ密度分布の比較2016
- 著者名/発表者名
  藤野雄貴，喜多浩之
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 界面近傍のSiO2微視的構造とMOS界面の電気特性から見た4H-SiC m面のウェット酸化により形成されたMOS界面の特徴2016
- 著者名/発表者名
  黒山滉平，平井悠久，山本建策，林真理子，喜多浩之
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響2016
- 著者名/発表者名
  梶房裕之，喜多浩之
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ(新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions (Fluorine, Oxygen and Nitrogen)2016
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe, and Koji Kita
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14227
[学会発表] 4H-SiC C面における高温・低O2分圧下ドライ酸化によるMOS界面特性の制御2016
- 著者名/発表者名
  梶房裕之，喜多浩之
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 4H-SiC C 面(000-1)のドライ及びウェット酸化条件によるMOS 界面特性への影響の理解2016
- 著者名/発表者名
  梶房裕之，喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第３回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県つくば市）
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] 4H-SiC m面上に形成された熱酸化膜の界面近傍における微視的構造の特徴の赤外分光法による解析2016
- 著者名/発表者名
  黒山滉平，平井悠久，山本建策，金村髙司，喜多浩之
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Different effects between Al- and Zr-insertion on voltage control of PMA at CoFeB/oxide interface2016
- 著者名/発表者名
  大石竜輔，喜多浩之
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630291
[学会発表] Anomalous Flatband Voltage Shift of AlFxOy/Al2O3 MOS Capacitors: Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions2016
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei and Koji Kita
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03979
[学会発表] 4H-SiCの熱酸化過程の理解に基づくMOS特性の制御とその課題2016
- 著者名/発表者名
  喜多浩之
- 学会等名
  第35回電子材料シンポジウム(EMS-35)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県守山市）
- 年月日
  2016-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Characterization of Near-Interface Oxide Trap Density in SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements at Various Temperatures2015
- 著者名/発表者名
  Yuki Fujino and Koji Kita
- 学会等名
  2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] ４H-SiC/SiO2界面に対する高温ドライ酸化および高温希釈水素POAの効果2015
- 著者名/発表者名
  平井悠久, 喜多浩之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第2回講演会
- 発表場所
  大阪国際交流センター（大阪府大阪市）
- 年月日
  2015-11-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Quantitative Characterization of Near-Interface Oxide Traps in 4H-SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements2015
- 著者名/発表者名
  Yuki Fujino and Koji Kita
- 学会等名
  228th Meeting of the Electrochemical Society
- 発表場所
  Phoenix, AZ, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Positive and Negative Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interfaces Simulated by Classical Molecular Dynamics2015
- 著者名/発表者名
  Kosuke Shimura, Ryota Kunugi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Jiayang Fei, Koji Kita, and Takanobu Watanabe
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03979
[学会発表] Effects of High-Temperature Diluted-H2 Annealing on Effective Mobility of 4H-SiC MOSFETs with Thermally-Grown SiO22015
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 学会等名
  2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Removal of Near-Interface Oxide Traps at SiO2/SiC Interface by Post-Oxidation Annealing in Reducing Ambient2015
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Kajifusa and Koji Kita
- 学会等名
  2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Extraction of electron effective mobility of 4H‐SiC MOS inversion channel with thermally‐grown SiO2 by high‐frequency split C‐V technique2015
- 著者名/発表者名
  Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 学会等名
  2015 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Effects of Chemical States at Interface on Electric Field Effects of CoFeB/MOx stacks2015
- 著者名/発表者名
  大石竜輔，喜多浩之
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場(愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630291
[学会発表] Combination of High‐temperature Oxidation and Low‐temperature O2‐Annealing toward Nearly‐Ideal MOS Characteristics on 4H‐SiC (0001)2015
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai
- 学会等名
  2015 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03969
[学会発表] Understanding on the Impact of Interface Reactions on Dipole Strengths at MgO/SiO2 and Y2O3/SiO2 Interfaces2015
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei and Koji Kita
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03979
[学会発表] Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Chemically Reactive and Non-Reactive Oxide/SiO2 Interfaces2015
- 著者名/発表者名
  Jiayang Fei and Koji Kita
- 学会等名
  2015 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF 2015)
- 発表場所
  日本科学未来館
- 年月日
  2015-11-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03979
[学会発表] Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides2013
- 著者名/発表者名
  Jiro Koba and Koji Kita
- 学会等名
  224th ECS Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Internal Photo-emission 法によるGeO2/Ge 界面における伝導帯バンドオフセットの決定2013
- 著者名/発表者名
  張文峰, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第60回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学，厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Characterization of VoltageControl of Magnetic Anisotropy up to 8MV/cm by Using Substrate BiasStructure2013
- 著者名/発表者名
  J. Koba, T. Kuribara, N. Miyakawa, andK. Kita
- 学会等名
  12th Joint MMM/IntermagConference, BF-05
- 発表場所
  米国 Chicago 市
- 年月日
  2013-01-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] 「Internal Photo-emission法によるGeO/Ge 界面における伝導帯バンドオフセットの決定」2013
- 著者名/発表者名
  張文峰, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之,鳥海明
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(厚木)
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] TiOx/CoFeB/Taスタックの磁気異方性の電界による不揮発な制御の実証2013
- 著者名/発表者名
  古場治朗，喜多浩之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス，京都府京田辺市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Characterization of Voltage Control of Magnetic Anisotropy Up to 8 MV/cm by Using Substrate Bias Structure2013
- 著者名/発表者名
  Jiro Koba, Nartuo Miyakawa, and Koji Kita
- 学会等名
  12th Joint MMM/Intermag Conference
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy in TiOx/CoFeB/Ta2013
- 著者名/発表者名
  Jiro Koba and Koji Kita
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Device and Materials
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク，福岡県福岡市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Enhanced Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ta/CoFeB/MgO by Suppression of Ta Diffusion and CoFeB Surface Oxidation2013
- 著者名/発表者名
  N. Miyakawa, D. C. Worledge, and K. Kita
- 学会等名
  12th Joint MMM/Intermag Conference
- 発表場所
  シカゴ, 米国
- 年月日
  2013-01-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] MOx/CoFeB 界面磁気異方性の様々なMに対して普遍的な電圧応答2013
- 著者名/発表者名
  栗原隆帆,古場治朗,宮川成人,喜多浩之
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会 29a-A8-2
- 発表場所
  神奈川工科大学(厚木)
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] XPS によるGeO2/Ge 界面の価電子帯バンドオフセットの決定2013
- 著者名/発表者名
  張文峰, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第60回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学，厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] MOx/CoFeB界面磁気異方性の様々なMに対して普遍的な電圧応答2013
- 著者名/発表者名
  栗原隆帆，古場治朗，宮川成人，喜多浩之
- 学会等名
  第60回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学，厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Characterization of Voltage Control of Magnetic Anisotropy Up to 8 MV/cm by Using Substrate Bias Structure2013
- 著者名/発表者名
  J. Koba, N. Miyakawa, and K. Kita
- 学会等名
  12th Joint MMM/Intermag Conference
- 発表場所
  シカゴ, 米国
- 年月日
  2013-01-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] MOX/COFeB界面磁気異方性の様々なMに対して普遍的な電圧応答2013
- 著者名/発表者名
  栗原隆帆, 古場治朗, 宮川成人, 喜多浩之
- 学会等名
  第60回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 厚木
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] 誘電体/COFeB界面の磁気異方性とその電圧応答に与える誘電体中アニオン種の効果2013
- 著者名/発表者名
  宮川成人, 栗原隆帆, 喜多浩之
- 学会等名
  第60回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 厚木
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] 熱処理雰囲気の違いによる結晶化HfO2薄膜相変態速度への影響2012
- 著者名/発表者名
  岩井貴雅, 中嶋泰大, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] CoFeB表面酸化量による磁気異方性エネルギーの電界応答性の違い2012
- 著者名/発表者名
  宮川成人, D.C. Worledge, 喜多浩之
- 学会等名
  第73回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学, 松山
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Voltage Control of Magnetic Anisotropy of CoFeB Thin Films Stacked with Various Oxides2012
- 著者名/発表者名
  J. Koba, T. Kuribara, N. Miyakawa, and K. Kita
- 学会等名
  Int. Conf. of Asian Union of Magnetic Society 2012
- 発表場所
  奈良県新公会堂, 奈良
- 年月日
  2012-10-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Challenges and Opportunities in Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ultrathin Ferromagnetic Metals for Future Spintronics2012
- 著者名/発表者名
  Koji Kita and D. C. Worledge
- 学会等名
  International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials
- 発表場所
  Brisbane, Australia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Control of Ge/High-kInterface for Ge CMOS Technology2012
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, andA. Toriumi
- 学会等名
  39thConference on the Physics and Chemistryof Surfaces and Interfaces (PCSI-39)(招待講演)(
- 発表場所
  米国SantaFe 市
- 年月日
  2012-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Challengesand Opportunities in Voltage Control ofMagnetic Anisotropy of UltrathinFerromagnetic Metals for FutureSpintronics2012
- 著者名/発表者名
  K. Kita and D. C. Worledge
- 学会等名
  International Conferenceon Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012)
- 発表場所
  オーストラリア,Brisbane 市) 招待講演
- 年月日
  2012-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] SiO2/high-k/SiO2/Siゲートスタック構造による界面ダイポール効果の打ち消し-カウンターダイポール効果の実証-2012
- 著者名/発表者名
  日比野真也, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] HfO2におけるcubic相からmonoclinic相への結晶相変態過程の速度論的解析2012
- 著者名/発表者名
  中嶋泰大, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回研究会)
- 発表場所
  東レ総合研究センター(静岡県)(招待講演)
- 年月日
  2012-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 速度論的考察に基づく良好なSiC/SiO2界面形成2012
- 著者名/発表者名
  中坪俊, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Conduction Band-offset in GeO2/Ge Stack Determined by Internal Photoemission Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  Weng F. Zhang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita and Akira Toriumi
- 学会等名
  2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science
- 発表場所
  Honolulou, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] HfO2のcubic相からmonoclinic相への相変態機構に及ぼす酸素の効果2012
- 著者名/発表者名
  中嶋泰大, 岩井貴雅, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] ECセル用Ta_2O_5薄膜へのプロトン導入法による導電性の変化2012
- 著者名/発表者名
  小橋啓史, 喜多浩之
- 学会等名
  電気化学会第79回大会
- 発表場所
  浜松アクトシティ(静岡県浜松市)
- 年月日
  2012-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] AlN/Ge MISゲートスタックにおける高圧窒素アニールの効果2012
- 著者名/発表者名
  田畑俊行, 李忠賢, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Interface DipoleConcellation in SiO/High-k/SiO2/SiGate Stacks2012
- 著者名/発表者名
  S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K.Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  2012 Pacific Rim Meetingon Electrochemical and Solid-StateScience (PRiME 2012)
- 発表場所
  米国 Honolulu 市
- 年月日
  2012-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] CoFeB薄膜の磁気異方性およびその電界制御性の酸化物による違い2012
- 著者名/発表者名
  古場治朗, 栗原隆帆, 宮川成人, 喜多浩之
- 学会等名
  第73回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学, 松山
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Challenges and Opportunities in Voltage Control of Magnetic Anisotropy of Ultrathin Ferromagnetic Metals for Future Spintronics2012
- 著者名/発表者名
  Koji Kita and D. C. Worledge
- 学会等名
  International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN2012)
- 発表場所
  ブリスベン, オーストラリア(招待講演)
- 年月日
  2012-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Interface Dipole Cancellation in SiO2/High-k/SiO2/Si Gate Stacks2012
- 著者名/発表者名
  Shinji Hibino, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita and Akira Toriumi
- 学会等名
  2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Study on Interface Magnetic Anisotropy Deterioration Mechanisms in Ta/CoFeB/MgO stacks2012
- 著者名/発表者名
  Naruto Miyakawa, D. C. Worledge, and Koji Kita
- 学会等名
  2012 Int. Conf. on Solid State Device and Physics
- 発表場所
  京都国際会館, 京都
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology2012
- 著者名/発表者名
  K.Kita, S.K.Wang, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  39th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-39)
- 発表場所
  La Fonda Hotel, Santa Fe (U.S.A.)(招待講演)
- 年月日
  2012-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology(invited)2012
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. K. Wang, T. Tabata, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
- 学会等名
  39th Conf. Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces,(PCSI-39)
- 発表場所
  Santa Fe, USA
- 年月日
  2012-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology2012
- 著者名/発表者名
  K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  39th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-39)
- 発表場所
  米国SantaFe, NM(招待講演)
- 年月日
  2012-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Counter Dipole Layer Formation in SiO_2/High-k/SiO_2/Si Gate Stacks2012
- 著者名/発表者名
  S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop(2012)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2012-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 「EC セル用 Ta薄膜へのプロトン導入法による導電性の変化」電気化学会2012
- 著者名/発表者名
  小橋啓史,喜多浩之
- 学会等名
  第79回大会
- 発表場所
  浜松市
- 年月日
  2012-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] ConductionBand-offset in GeO/Ge Stack Determinedby Internal PhotoemissionSpectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K.Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  2012 Pacific Rim Meetingon Electrochemical and Solid-StateScience (PRiME 2012), (
- 発表場所
  米国 Honolulu 市
- 年月日
  2012-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Study on DipoleLayer Formation between Two Oxides :Experimental Evidences and PossibleModels2011
- 著者名/発表者名
  K. Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  2011 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  米国 San Francisco 市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Electric-field InducedChange of Magnetic Anisotropy inCoFeB/Oxide Stacks2011
- 著者名/発表者名
  K. Kita, D. W. Abraham, M. J. Gajek, andD. C. Worledge
- 学会等名
  56th Conference onMagnetism and Magnetic Materials (MMM)(
- 発表場所
  米国 Scottsda
- 年月日
  2011-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] CMOS ゲートスタック応用へ向けたGeO/Ge 界面反応の理解2011
- 著者名/発表者名
  喜多浩之,西村知紀,長汐晃輔,鳥海明
- 学会等名
  第31回表面科学学術講演会
- 発表場所
  京都江戸川区
- 年月日
  2011-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Thermodynamic Control of Interface Layer Formation in High-k Gate Stacs on 4H-SiC2011
- 著者名/発表者名
  S.Nakatsubo, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  WINC AICHI, Nagoya (Aichi)
- 年月日
  2011-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] lnterface Layer Scavenging and Defect Generation in LaLuO3/Ge MIS Gate Stack2011
- 著者名/発表者名
  T.Tabata, C.H.Lee, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future Electron Devices(IWDTF2011)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Demonstration of Very High-k HfO2(k～50)by Suppressing Martensitic Transformation in Thin Dielectric Films2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T, Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future Electron Devices(IWDTF2011)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Material Potential and Scalability Challenges of Germanium CMOS2011
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, C.H.Lee, S.K.Wang, T.Tabata, M.Yoshida, D.D.Zhao, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
- 学会等名
  2011 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2011)
- 発表場所
  Hilton Washington Hotel, Washington DC (U.S.A.)(招待講演)
- 年月日
  2011-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Phase Transformation Kinetics of HfO_2 Polymorphs in Ultra-Thin Region2011
- 著者名/発表者名
  Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  2011 Symposia on VLSI Technology
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2011-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Phase Transformation Kinetics of HfO2 Polymorphs in Ultra-Thin Region2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 Symposia on VLSI Ttechnology
- 発表場所
  Rihga Royal Hotel Kyoto, (Kyoto)
- 年月日
  2011-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Material Potential and Scalability Challenges of Germanium CMOS2011
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, C. H. Lee, S. K. Wang, T. Tabata, M. Yoshida, D. D. Zhao, T. Nishimura, K. Kita, and K. Nagashio
- 学会等名
  2011 IEEE International Electron Device Mtg.(IEDM2011)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- 年月日
  2011-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] ElectricElectric-field Induced Change of Magnetic Anisotropy in CoFeB/Oxide Stacks2011
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, D.W.Abraham, M.J.Gajek, D.C.Worledge
- 学会等名
  56th Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM)
- 発表場所
  米国Scottsdale, AZ
- 年月日
  2011-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Opportunities for Phase-controlled Higher-k HfO22011
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, Y.Nakajima, K.Kita
- 学会等名
  220th ECS Meeting
- 発表場所
  Westin Boston Waterfront, Boston (U.S.A.)(招待講演)
- 年月日
  2011-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 1.2 nm-EOT Al2O3 /Ge Gate Stack with GeO X-free Interface2011
- 著者名/発表者名
  T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, S.K.Wang, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  WINC AICHI, Nagoya (Aichi)
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Study on Dipole Layer Formation between Two Oxides : Experimental Evidences and Possible Models2011
- 著者名/発表者名
  K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  米国San Francisco, CA(招待講演)
- 年月日
  2011-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Kinetic Effects of Oxygen Vacancy Formed by GeO2/Ge Interfacial Reaction2011
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, T, Nishimura, K.Nagashio, A, Toriumi
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future Electron Devices(IWDTF2011)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] CMOSゲートスタック応用へ向けたGeO_2/Ge界面反応の理解2011
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第31回表面科学学術講演会
- 発表場所
  タワーホール船堀(東京都江戸川区)(招待講演)
- 年月日
  2011-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Understanding of GeO2 Material Properties for Advanced Ge MIS Stacks2010
- 著者名/発表者名
  Koji Kita
- 学会等名
  The 41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  San Diego, USA 招待講演
- 年月日
  2010-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Direct LaLuO3/Ge Gate Stack Formation by Interface Layer Scavenging and Subsequent Low Temperature O2 Annealing2010
- 著者名/発表者名
  T.Tabata, C.H.Lee, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  The 218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Las Vegas, U.S.A
- 年月日
  2010-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] XPSで決定するHigh-k絶縁膜価電子帯エネルギー準位の定量的再検討2010
- 著者名/発表者名
  近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 王盛凱, 李忠賢, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会/電気通信学会合同研究会「ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜およびメモリ技術」
- 発表場所
  東京大学,目黒区
- 年月日
  2010-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Experimental Demonstration of Higher-k Phase Hf02 through Non-equilibrium Thermal Treatment2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  217th ECS Meeting
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2形成時の高圧酸化と1気圧酸化の本質的な違い-バルクGeO2膜とGeO2/Ge界面の独立な制御-2010
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 高圧O2熱処理がGe/GeO2に及ぼす影響2010
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Effects of GeO2-Metal Interaction on VFB of GeO2 MIS Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  F.I.Alzakia, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices andMaterials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 低圧酸素雰囲気下におけるGe表面の活性酸化2010
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K. Kita, L. Q. Zhu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  218th ECS Mtg.
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Resistiveswitching in NiO bilayer films withdifferent crystallinity layers2010
- 著者名/発表者名
  K. Kita, A. Eika, T. Nishimura, K.Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  The217th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  カナダ Vancouver
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] High-k材料固有のバンド端エネルギー準位のXPSによる定量的評価2010
- 著者名/発表者名
  近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] UV分光エリプソメトリを用いた複素屈折率測定に基づくGe上GeO2薄膜の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/GeO2界面から脱離するGeOのTDSによる解析2010
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 高圧O_2熱処理がGe/GeO_2に及ぼす影響2010
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Resistiveswitching in NiO bilayer films withdifferent crystallinity layers2010
- 著者名/発表者名
  K. Kita, A. Eika, T. Nishimura, K.Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  International Symposium on TechnologyEvolution for Silicon Nano-Electronics(ISTESNE) (
- 発表場所
  東京工業大学,目黒区
- 年月日
  2010-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Formation of Dipole Layers at Oxide lnterfaces in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, L.Q.Zhu T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  The 218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Las Vegas, USA 招待講演
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Formation ofDipole Layers at Oxide lnterfaces inHigh-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K. Kita, L. Q. Zhu T. Nishimura, K.Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  The 218thElectrochemical Society Meeting
- 発表場所
  米国 Las Vegas
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] 極薄TiO2膜の挿入による金属/n-Ge接合におけるオーミック接合の形成2010
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of dipole Effects at High-k/SiO2 Interface2010
- 著者名/発表者名
  L..Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO Desorption Mechanism from GeO2/Ge Stack Determined by 73Ge Labeling Technique in Thermal Desorption Spectroscopy(TDS)Analysis2010
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/GeO2界面から脱離するGeOのTDSによる解析2010
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理ー」
- 発表場所
  三島市
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Dipole Effects at High-k/SiO_2 Interface2010
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
- 発表場所
  三島市
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] GeO2形成時の高圧酸化と1気圧酸化の本質的な違い-バルクGeO2膜とGeO2/Ge界面の独立な制御-2010
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] UV分光エリプソメトリを用いた複素屈折率測定に基づくGe上GeO2薄膜の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理ー」
- 発表場所
  三島市
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] GeO_2形成時の高圧酸化と1気圧酸化の本質的な違い-バルクGeO_2膜とGeO_2/Ge界面の独立な制御-2010
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] TO-and LO-mode analyses in asymmetric stretching vibrations in ultra thinthermally grown GeO2 on Ge substrate2010
- 著者名/発表者名
  M.Yoshida, T.Nishimura, C.H.Lee, K.Kita, K.Nagashio , A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 「High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源」(招待)2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Interfacial dipoles at high-k/SiO2 interface observed by X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  竺立強, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO_2MISスタックのフラットバンド電圧に対するGeO_2/メタル界面の影響2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 西村知紀, 李忠賢, アルザキアファド, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Internal Photo Emission測定における絶縁膜電界の決定方法2010
- 著者名/発表者名
  鷹本靖欣, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Stability origin of metastable higher-k phase HfO2 at room temperature2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Advantage of High-pressure Oxidation for Ge/GeO2 Stack Formation2010
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Nishimura, T.Tabata, S.Wang, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices andMaterials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Oxidation, Diffusion and Desorption in Ge/GeO2 System2010
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, S.K.Wang, C.H.Lee, M.Yoshida, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio
- 学会等名
  217th ECS Meeting
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, L.Q.Zhu T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  The 218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Las Vegas, U.S.A
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2 MISスタックのフラットバンド電圧に対するGeO2/メタル界面の影響2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 西村知紀, 李忠賢, アルザキアファド, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Direct LaLuO3/Ge Gate Stack Formation by Interface Layer Scavenging and Subsequent Low Temperature O2 Annealing2010
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, C. H. Lee, K. Kita, and A. Toriumi
- 学会等名
  218th ECS Mtg.
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2010-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] High-k/SiO_2界面に形成されるダイポールの起源2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
- 発表場所
  三島市
- 年月日
  2010-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] 高圧O2熱処理がGe/GeO2に及ぼす影響2010
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2 MISスタックのフラットバンド電圧に対するGeO2/メタル界面の影響2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 西村知紀, 李忠賢, アルザキアファド, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] XPS による GeO2/Ge 界面の価電子帯バンドオフセットの決定2010
- 著者名/発表者名
  張文峰, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之,鳥海明
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(厚木)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Resistive switching in NiO bilayer films with different crystallinity layers2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, A.Eika, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  The 217th The Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Ge/GeO2界面反応の理解に基づいたGeO2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 王盛凱, 李忠賢, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃浦, 鳥海明
- 学会等名
  電気気学会電子デバイス研究会 EDD-10-037
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO2 through non-equilibrium Thermal Treatment2010
- 著者名/発表者名
  Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  217th ECS Mtg.
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 「Ge CMOSの可能性と課題」(招待)2010
- 著者名/発表者名
  鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃浦
- 学会等名
  2010春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Understanding of GeOMaterial Properties for Advanced Ge MISStacks2010
- 著者名/発表者名
  K. Kita
- 学会等名
  The 41th IEEE SemiconductorInterface Specialists Conference(SISC)
- 発表場所
  米国 SanDiego
- 年月日
  2010-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] Ge/GeO_2界面から脱離するGeOのTDSによる解析2010
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
- 発表場所
  三島市
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS2010
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, K.Nagashio
- 学会等名
  The 218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Las Vegas, U.S.A
- 年月日
  2010-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Resistive switching in NiO bilayer films with different crystallinity layers2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, A.Eika, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
- 発表場所
  東京工業大学,目黒区
- 年月日
  2010-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656142
[学会発表] GeO2 MISスタックのフラットバンド電圧に対するGeO_2/メタル界面の影響2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 西村知紀, 李忠賢, アルザキアファド, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] Interfacial dipoles at high-k/SiO_2 interface observed by X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  竺立強, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第57回応用物群関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] UV分光エリプソメトリを用いた複素屈折率測定に基づくGe上GeO_2薄膜の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
- 発表場所
  三島市
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 低圧酸素雰囲気下におけるGe表面の活性酸化2010
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Properties of GeO_2 Films and Ge/GeO_2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco(USA)
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 高圧酸化によるGeO2膜中欠陥の抑制効果の分光エリプソメトリーによる観察2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] X-ray Photoelectron spectroscopy study of dipole effects at HfO2/SiO2/Si stacks2009
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/GeO_2からのGeO脱離における活性化エネルギーのTDSによる評価2009
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 「Ge-CMOSをめざした固相界面場制御」(招待)2009
- 著者名/発表者名
  鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔
- 学会等名
  2009年秋季70回応用物理学会学術講演会シンポジウム『シリコンナノエレクトロニクスの新展開』
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 180 isotope tracing of GeO Desorption from GeO2/Ge Structure2009
- 著者名/発表者名
  S.Wang, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009
- 著者名/発表者名
  K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  MRS spring meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-04-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2膜のサブギャップ光吸収とGeO脱離量の相関の考察2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] GeO2膜のサブギャップ光吸収とGeO脱離量の相関の考察2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi and K. Kita
- 学会等名
  215th ECS Mtg.
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge高圧酸化におけるGeO脱離抑制に対する全圧と分圧の違い2009
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 高圧酸化によるGeO_2膜中欠陥の抑制効果の分光エリプソメトリーによる観察2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Ge高圧酸化におけるGeO脱離抑制に対する全圧と分圧の違い2009
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2膜のアニール後に観測されるサブギャップ抑制のための高圧酸素圧力の定量化2009
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO_2膜のサブギャップ光吸収とGeO脱離量の相関の考察2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Kinetic Study of GeO Desorption from Ge/GeO2 System2009
- 著者名/発表者名
  S.K. Wang, K. Kita, C.H. Lee, T. Tabata, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlingnton
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Sub-gap Formation and Its Annihilation in Energy Band Gap of GeO2 by Changing O2 Pressure in PDA Process2009
- 著者名/発表者名
  M.Yoshida, K.Kita, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2009)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/GeO2からのGeO脱離における活性化エネルギーのTDSによる評価2009
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Local GeO2 Doping at LaLuO3/Ge Interface for Direct High-k/Ge Gate Stacks2009
- 著者名/発表者名
  T.Tabata, C.H.Lee, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2009)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Spectroscopic Ellipsometry Study on Defects Generation in GeO_2/Ge stacks2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Spectroscopic Ellipsometry Study on Defects Generation in GeO2/Ge stacks2009
- 著者名/発表者名
  K. Kita, M. Yoshida, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Kinetic Study of GeO Desorption from Ge/GeO2 system2009
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, C.H.Lee, T.Tabata, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2009)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO_2膜のサブギャップ光吸収とGeO脱離量の相関の考察2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] "Control of Properties of GeO2 Films and Ge/GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization"(invited)2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, C.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Study of La-doped GeO2 Films from Defect Annihilation Viewpoint2009
- 著者名/発表者名
  T.Tabata, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] "Opportunities and Challenges for Ge CMOS-Control of interfacing fields on Ge is a key-"(invited)2009
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
- 学会等名
  INFOS2009
- 発表場所
  Cambridge, UK
- 年月日
  2009-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Kinetic Study of GeO Desorption from Ge/GeO_2 System2009
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, C.H.Lee, T.Tabata, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlingnton(USA)
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO2 grown by High Pressure Oxidation2009
- 著者名/発表者名
  C.H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 金属/Ge界面におけるショットキー障壁高さのGeO2導入効果-膜厚及び金属による違い-2009
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Sub-gap Formation and Its Annihilation in Energy Band Gap of GeO2 by Changing O2 Pressure in PDA Process2009
- 著者名/発表者名
  M. Yoshida, K. Kita, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlingnton
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Ge/GeO_2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco(USA)
- 年月日
  2009-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Sub-gap Formation and Its Annihilation in Energy Band Gap of GeO_2 by Changing O_2 Pressure in PDA Process2009
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlingnton(USA)
- 年月日
  2009-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Ge/GeO2からのGeO脱離における活性化エネルギーのTDSによる評価2009
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] X-ray photoelectron spectroscopy study of dipole effects at HfO2/SiO2/Si stacks2009
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2009-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性2009
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会)、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2009-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Nishimura, N.Saido, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM)
- 発表場所
  Baltimore, USA
- 年月日
  2009-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2膜のアニール後に観測されるサブギャップ抑制のための高圧酸素圧力の定量化2009
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO2 grown by High Pressure Oxidation2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Nishimura, T.Tabata, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 18O isotope tracing of GeO Desorption from GeO2/Ge Structure2009
- 著者名/発表者名
  S.K. Wang, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] XPS Analysis of High-k/SiO2/Si Stacks through Grounded Gate Metal-Estimation of Energy Levels of Electronic Structures of High-k Dielectric Films2009
- 著者名/発表者名
  Y.Chikata, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2009)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  鳥海明, 喜多浩之
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco(USA)
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] Spectroscopic Ellipsometry Study on Defects Generation in GeO2/Ge stacks2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, M.Yoshida, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf.on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 高圧酸化によるGeO_2膜中欠陥の抑制効果の分光エリプソメトリーによる観察2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] GeO_2膜のアニール後に観測されるサブギャップ抑制のための高圧酸素圧力の定量化2009
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Comprehensive Study of GeO2 Oxidation, GeO Desorption and GeO2-Metal Interaction. Understanding of Ge Processing Kinetics for Perfect Interface Control-2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, C.H.Lee, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 学会等名
  2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM)
- 発表場所
  Baltimore, USA
- 年月日
  2009-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Properties of GeO_2 Films and Ge/GeO_2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, C.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco(USA)
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] "On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs"(invited)2009
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, K.Kita
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Properties of GeO2 Films and Ge/GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009
- 著者名/発表者名
  K. Kita, C. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  米国San Francisco市
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] GeO2/Ge界面からのGeO脱離の抑制によるGeO2/Ge界面特性の向上2008
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 鈴木翔, 能村英幸, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会第13回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  三島市
- 年月日
  2008-01-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Intrinsic Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO_2 Interface2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  2010 IEEE International Electron Device Mtg.(IEDM)
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2008-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO_2/Ge界面からのGeO脱離の抑制によるGeO_2/Ge界面特性の向上2008
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 鈴木翔, 能村英幸, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会第13回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  三島市
- 年月日
  2008-01-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Study of Kinetic Behaviors of GeO in GeO_2/Ge Stacks2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science(PRIME)
- 発表場所
  米国Honolulu市(招待講演)
- 年月日
  2008-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Study of Kinetic Behaviors of GeO in GeO_2/Ge Stacks2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRIME)
- 発表場所
  米国Honolulu市(招待講演)
- 年月日
  2008-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] アモルファス希土類High-k膜LaLuO3の基本特性とGeMISへの適用2008
- 著者名/発表者名
  田畑俊行, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 次世代High-k絶縁膜へ向けた三元系酸化物の材科設計(依頼)2008
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Study of Electron Mobility of Ge n-MOSFETs with High Pressure Oxidized GeO_22008
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, C.H. Lee, K. Kita, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  2008 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future ULSI Devices(IWDTF2008)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 熱処理によるGeO2膜の劣化過程の分光エリプソメトリーによる観察2008
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井市
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Intrinsic Origin of Electric Dipoles Formed at Highk/SiO_2 Interface2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  2008 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  米国San Francisco市
- 年月日
  2008-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035003
[学会発表] 金属/ゲルマニウム接合におけるフェルミレベルピンニングの起源と制御2008
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 高橋俊岳, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2/Ge界面からのGeO脱離の抑制によるGeO2/Ge界面特性の向上2008
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 鈴木翔, 能村英之, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] On the control of GeO2 and metal/Ge interfaces for metal source/drain Ge CMOS (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, T. Nishimura, T. Takahashi, K. Kita
- 学会等名
  2008 Materials Research Society Spring Metting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2008-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of interface properties high-k/Ge with GeO_2 interface layer (招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM)
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2008-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 微量SiO2添加に伴うHfO2の正方晶構造安定化の起源に関する考察2008
- 著者名/発表者名
  富田一行, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 熱処理によるGeO_2膜の劣化過程の分光エリプソメトリーによる観察2008
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井市
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Control of interface properties of high-k/Ge with GeO2 interface layer2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2008-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 次世代High-k絶縁膜へ向けた三元系酸化物の材料設計2008
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野市
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Ge/絶縁膜およびGe/金属界面を制御したGe-MOSFET技術(依頼)2008
- 著者名/発表者名
  鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 金属/極薄絶縁膜/Ge接合におけるショットキー障壁変調量の絶縁膜による違い2008
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 高橋俊岳, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/絶縁膜およびGe/金属界面を制御したGe-MOSFET技術2008
- 著者名/発表者名
  鳥海明, 喜多浩之
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野市
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Phase Controlled HfO_2 for Higher-k Dielectrics2008
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, S. Migita and Y. Watanabe
- 学会等名
  Higher-k Workshop
- 発表場所
  Stanford Univ., USA
- 年月日
  2008-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] On the Control of GeO2/Ge and Metal/Ge Interfaces for Metal Source/drain Ge CMOS2008
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, T. Nishimura, K. Kita, T. Takahashi
- 学会等名
  2007 Materials Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  米国San Francisco市
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Study of Kinetic Behaviors of GeO in GeO2/Ge Stacks2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science
- 発表場所
  米国Honolulu市
- 年月日
  2008-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 基板加熱スパッタリング法により成膜されたHfO2薄膜の誘電緩和とその起源(若手奨励賞のため招待)2008
- 著者名/発表者名
  富田一行, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Study of Electron Mobility of Ge n-MOSFETs with High Pressure Oxidized GeO22008
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, C.H. Lee, K. Kita, K. Nagashio, A. Toriumi
- 学会等名
  2008 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future ULSI Devices
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] 金属/Ge接合界面への極薄GeOxの導入によるフェルミレベルピンニングの緩和2007
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of High-k / Ge Interface Properties through Selection of High-k Materials and Suppression of GeO Volatilizaiton2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface
- 発表場所
  八王子市
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Interfacing Control of Dielectric Films and Metals on Germanium for CMOS Application (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, T. Nishimura, T. Takahashi
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2007-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Thermally Robust Germanium MIS Gate Stacks with LaYO3 Dielectrics Films2007
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, Y. Zhao, T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  212th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  米国
- 年月日
  2007-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Materials Science-based Device Performance Engineering for Metal Gate High-k CMOS (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, K. Tomida, Y. Zhao, J. Widiez, T. Nabatame, H. Ota, M. Hirose
- 学会等名
  2007 International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington, D. C., USA
- 年月日
  2007-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Fermi-Level Pinning at Metal/Germanium. Interface by Inserting Ultra-thin Oxides2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO2 Films and Impact of Its Suppression on GeO2/Ge MIS Characteristics2007
- 著者名/発表者名
  S. Suzuki, K. Kita, H. Nomura, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 基板加熱スパッタによるHfO2膜の結晶化促進と著しい誘電分散の出現2007
- 著者名/発表者名
  富田一行, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会秋季訓演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] High-k Dielectrics and Metals on Germanium2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita and T. Nishimura
- 学会等名
  International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
- 発表場所
  Taiwan
- 年月日
  2007-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Interface Properties of Ge with Dielectrics and Metals (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, K. Kita
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)
- 発表場所
  Marseille, France
- 年月日
  2007-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Advanced Characterization of High-k Gate Stack by Internal Photo Emission (IPE): Interfacial Dipole and Band Diagram in Al/Hf(Si)O2/Si MOS Structure2007
- 著者名/発表者名
  J. Widiez, K. Kita, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSD)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of High-k / Ge Interface Properties through Selection of High-k Materials and Suppression of GeO Volatilizaiton (招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface(ISCSI-V)
- 発表場所
  八王子市
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Control of High-k/Ge Interface Properties through Selection of High-k Materials and Suppression of GeO Volatilization (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] A Significant Shift of Strongly Pinned Charge Neutrality Level at Metal/Germanium Interface by Inserting Ultra-thin Oxides2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2007)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2007-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] On the control of GeO2/Ge and metal/Ge interfaces (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, T. Nishimura, K. Kita
- 学会等名
  3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Effect of Ultra-thin Al2O3 Insertion on Fermi-level Pinning at Metal/Ge Interface2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Mechanisms of and Solutions to Moisture Absorption of Lanthanum Oxide as Highk Gate Dielectric2007
- 著者名/発表者名
  Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
- 学会等名
  211th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)
- 発表場所
  Chicago, USA
- 年月日
  2007-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/High-k/Ge CMOS-Ge-intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow2007
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, T. Nishimura, L. Chen, S. Sakata, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  2007 International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington, D. C., USA
- 年月日
  2007-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/High-k/Ge CMOS-Ge-intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow2007
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, T. Nishimura, L. Chen, S. Sakata, K. Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  2007 International Electron Device Meeting
- 発表場所
  Washington, D.C.
- 年月日
  2007-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Materials Science-based Device Performance Engineering for Metal Gate High-k CMOS2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, K. Tomida, Y. Zhao, J. Widiez, T. Nabatame, H. Ota and M. Hirose
- 学会等名
  2007 International Electron Device Mtg.(IEDM)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- 年月日
  2007-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO_2 Films and Impact of Its Suppression on GeO_2/Ge MIS Characteristics2007
- 著者名/発表者名
  S. Suzuki, K. Kita, H. Nomura, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM)
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Ternary High-k Dielectrics for Advanced CMOS2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi and K. Kita
- 学会等名
  International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
- 発表場所
  Taiwan
- 年月日
  2007-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/High-k絶縁膜の界面反応に着目した電気特性の制御2007
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 能村英幸, 鈴木翔, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第93回研究集会「ゲートスタック構造の新展開」
- 発表場所
  東広島市
- 年月日
  2007-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Ternary High-k Dielectrics for Advanced CMOS (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita
- 学会等名
  International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
- 発表場所
  Taiwan
- 年月日
  2007-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Dramatic Improvement of GeO_2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura and A. Toriumi
- 学会等名
  212th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)
- 発表場所
  Washington, D.C.
- 年月日
  2007-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO2 Films and Impact of Its Suppression on GeO2/Ge MIS Characteristics2007
- 著者名/発表者名
  S. Suzuki, K. Kita, H. Nomura, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Device and Materials
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686037
[学会発表] Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御2007
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 能村英幸, 鈴本翔, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会第93回研究集会「ゲートスタツク構造の新展開」
- 発表場所
  東広島
- 年月日
  2007-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Origin of Structural Phase Transformation of SiO2-doped HfO22007
- 著者名/発表者名
  K. Tomida, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] High-k Dielectrics and Metals on Germanium (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, T. Nishimura
- 学会等名
  International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
- 発表場所
  Taiwan
- 年月日
  2007-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] A Significant Shift of Strongly Pinned Charge Neutrality Level at Metal/Germanium Interface by Inserting Ultra-thin Oxides2007
- 著者名/発表者名
  T. ishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International (SISC2007)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2007-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  212th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Washington, D. C., USA
- 年月日
  2007-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] CoFeB と遷移金属酸化物MOx の界面磁気異方性の電界応答性に遷移金属元素M の性質が与える影響
- 著者名/発表者名
  大石竜輔，喜多浩之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス(平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Quantitative Characterization of Border Traps with Widely-Spread Time Constant in SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements
- 著者名/発表者名
  Yuki Fujino, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai and Koji Kita
- 学会等名
  2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  つくば国際会議場（つくば市）
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] CoFeB と遷移金属酸化物MOx の界面磁気異方性の電界応答性に遷移金属元素M の性質が与える影響
- 著者名/発表者名
  大石竜輔，喜多浩之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630291
[学会発表] 種々の温度における容量の過渡応答(C-t特性)に基づくSiC MOS界面近傍の膜中トラップ密度の定量化
- 著者名/発表者名
  藤野雄貴，菊地リチャード平八郎，喜多浩之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス(平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] CoFeB/MOx界面磁気異方性とその電界応答性の変化に与える金属元素Mの選択の効果
- 著者名/発表者名
  大石竜輔，喜多浩之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Understanding of Growth Kinetics of Thermal Oxides on 4H-SiC (0001) for Control of MOS Characteristics
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, and Hirohisa Hirai
- 学会等名
  225th ECS Meeting
- 発表場所
  Orlando, USA
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-16
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287
[学会発表] Control of 4H-SiC (0001) Thermal Oxidation Process for Reduction of Interface State Density
- 著者名/発表者名
  Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Yuki Fujino
- 学会等名
  226th ECS Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-05 – 2014-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630291
[学会発表] CoFeB/MOx界面磁気異方性とその電界応答性の変化に与える金属元素Mの選択の効果
- 著者名/発表者名
  大石竜輔，喜多浩之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630291
[学会発表] SiC MOS界面近傍の膜中欠陥モデルを用いた容量の過渡応答による遅い準位の定量的解析手法の提案
- 著者名/発表者名
  藤野雄貴，菊地リチャード平八郎，平井悠久，喜多浩之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360287

1. 鳥海明 (50323530)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 196件
2. 西村知紀 (10396781)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 105件
3. 弓野健太郎 (40251467)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 41件
4. 渡邉孝信 (00367153)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
5. 費嘉陽

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
6. 橋本修一郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 富田基裕

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 志村昂亮

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
9. 功刀遼太

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
10. 中根滉稀

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 中川宣拓

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 高橋憶人

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. PEREA CAUSIN Marc

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. ZHANG Wenfeng

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

喜多 浩之 Kita Kouji

研究課題

研究成果

共同研究者

SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

伸長歪みの印加と界面反応抑制による強誘電性Hf系酸化物ナノ薄膜の薄膜化限界の克服研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

絶縁膜界面バンドアライメント変調のための界面電荷エンジニアリングとその効果の実証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ＳｉＣの熱酸化が誘起する界面近傍構造変化の解析とＭＯＳＦＥＴ特性向上指針の明確化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光照射キャパシタンス測定による熱酸化処理後のSiC基板中欠陥の半定量的評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質界面を有するSiC MOS反転層チャネル移動度の制約因子の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

異種酸化物界面の分極を予測するマテリアル・インフォマティクスの開拓

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強磁性体－酸化物界面の磁気異方性の不揮発変化を利用した超低消費電力メモリーの実証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強磁性体金属－酸化物界面で生じる磁気異方性エネルギーとその電界制御の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化ニッケル表面のプロトン伝導性の発現とそのエレクトロクロミック素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

抵抗変化メモリーにおける酸化物/電極界面の電気特性と酸化物内結果準位の相関の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノメートル誘電体・薄膜の電子物性の理解と制御の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

In-situリアルタイム観察に基づくGe表面の初期酸化過程とその制御の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

喜多浩之 Kita Kouji