宮下敦巳 Miyashita Atsumi

研究者番号	00354944
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-2829-1941
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所放射線高度利用施設部, 主幹研究員 2021年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員 2020年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員(定常) 2010年度 – 2012年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 2005年度 – 2008年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分32020:機能物性化学関連 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外小区分80040:量子ビーム科学関連
キーワード	研究代表者分子動力学 / 第一原理計算 / 界面物理 / 欠陥準位 / 界面構造 / 炭化ケイ素 / ポジトロニウム分光 / 表面 / 計算科学 / グラフェン … もっと見る / 陽電子 / Defect Level / Interfacial Structure / Molecular Dynamics / First-Principles Calculation / Silicon Carbide / 界面欠陥 / 炭化ケイ素半導体 / 欠陥構造 / 炭化珪素半導体 … もっと見る研究代表者以外中性化高速ポジトロニウム分光 / 陽電子ビーム / スピン偏極 / スピントロニクス材料評価 / ディレイライン型二次元検出器 / エネルギー・角度分解測定 / スピン偏極電子バンド構造 / スピン偏極低速陽電子ビーム / 高速中性化ポジトロニウム / スピントロニクス / スピン偏極電子バンド状態 / 最表面電子 / スピン偏極陽電子ビーム / 中性化高速ポジトロニウム隠す

新しい最表面分析法-中性化高速ポジトロニウム分光は可能か？
- 研究代表者
  
  前川雅樹
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分80040:量子ビーム科学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
大規模第一原理バンド計算による長周期整合グラフェンの電子・陽電子状態解析研究代表者
- 研究代表者
  
  宮下敦巳
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分32020:機能物性化学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
第一原理計算解析による炭化ケイ素半導体デバイス酸化膜の界面欠陥解明に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宮下敦巳
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
炭化ケイ素半導体の酸化膜界面欠陥構造への計算科学的解析に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宮下敦巳
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
炭化ケイ素半導体単結晶と酸化膜界面の原子構造解析に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宮下敦巳
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構

すべて 2023 2022 2021 2020 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 半導体表面からのポジトロニウム放出2022
- 著者名/発表者名
  河裾厚男、和田健、宮下敦巳、前川雅樹
- 雑誌名
  
  陽電子科学
  
  巻: 18 ページ: 3-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[雑誌論文] Effect of disorder and vacancy defects on electrical transport properties of Co2MnGa thin films grown by magnetron sputtering2021
- 著者名/発表者名
  A. Miyashita, M. Maekawa, C. Suzuki, S. Yamamoto, A. Kawasuso, J. Wang, T. Seki, R. Y. Umetsu, K. Takanashi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 130 号: 22 ページ: 225301-225301
- DOI
  10.1063/5.0071807
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00299, KAKENHI-PROJECT-20K05454
[雑誌論文] Positronium emission from GaN(0001) and AlN(0001) surfaces2021
- 著者名/発表者名
  Kawasuso A、Maekawa M、Miyashita A、Wada K、Nagashima Y、Ishida A
- 雑誌名
  
  Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics
  
  巻: 54 号: 20 ページ: 205202-205202
- DOI
  10.1088/1361-6455/ac32a0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-23K21832, KAKENHI-PROJECT-23K21833
[雑誌論文] High-density magnetic-vacancy inclusion in Co<sub>2</sub>MnGa single crystal probed by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  Miyashita A、Maekawa M、Shimoyama Y、Seko N、Kawasuso A、Umetsu R Y
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Condensed Matter
  
  巻: 34 号: 4 ページ: 045701-045701
- DOI
  10.1088/1361-648x/ac3304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[雑誌論文] Spin-Polarized Positronium Time-of-Flight Spectroscopy for Probing Spin-Polarized Surface Electronic States2021
- 著者名/発表者名
  Maekawa M., Miyashita A., Sakai S., Li S., Entani S., Kawasuso A., Sakuraba Y.
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters
  
  巻: 126 号: 18 ページ: 186401-186401
- DOI
  10.1103/physrevlett.126.186401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13985, KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-23K21833
[雑誌論文] Construction of a Spin-Polarized Positronium Time-of-Flight Measurement Apparatus2020
- 著者名/発表者名
  Maekawa M.、Wada K.、Miyashita A.、Kawasuso A.
- 雑誌名
  
  Acta Physica Polonica A
  
  巻: 137 号: 2 ページ: 105-108
- DOI
  10.12693/aphyspola.137.105
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[雑誌論文] Gadolinium-implanted GaN studied by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  Maekawa M.、Miyashita A.、Sakai S.、Kawasuso A.
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 102 号: 5 ページ: 054427-054427
- DOI
  10.1103/physrevb.102.054427
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-18K04931
[雑誌論文] Positronium formation at 4H SiC(0001) surfaces2020
- 著者名/発表者名
  Kawasuso A、Wada K、Miyashita A、Maekawa M、Iwamori H、Iida S、Nagashima Y
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Condensed Matter
  
  巻: 33 号: 3 ページ: 035006-035006
- DOI
  10.1088/1361-648x/abbe7a
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-18H03476
[雑誌論文] Spin polarization of graphene on Co2FeGe0.5Ga0.5(001) observed by spin-polarized surface positronium spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  Miyashita A.、Li S.、Sakai S.、Maekawa M.、Kawasuso A.
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 102 号: 4 ページ: 045425-045425
- DOI
  10.1103/physrevb.102.045425
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454, KAKENHI-PROJECT-18K13985
[雑誌論文] The atomic networks at the amorphous SiO_2/SiC interface of the slab model generated with first-principles molecular dynamics simulation2013
- 著者名/発表者名
  A. Miyashita, M. Yoshikawa
- 雑誌名
  
  JAEA Takasaki Annual Report 2011
  
  ページ: 12-12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiO2/SiC Interface of Silicon Carbide Devices (II)2012
- 著者名/発表者名
  Atsumi Miyashita
- 雑誌名
  
  JAEA Takasaki Annual Report
  
  巻: 2010 ページ: 17-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[雑誌論文] First- Principles Molecular Dynamics Simulation of SiO_2/SiC Interface of Silicon Carbide Devices (II)2012
- 著者名/発表者名
  A. Miyashita, M. Yoshikawa
- 雑誌名
  
  JAEA Takasaki Annual Report 2010
  
  ページ: 17-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[雑誌論文] SiC パワーデバイス開発のためのシミュレーション2010
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、吉川正人、土田秀一、岩沢美佐子
- 雑誌名
  
  平成21年度先端研究施設共用促進事業「地球シミュレータ産業戦略利用プログラム」利用成果報告書
  
  ページ: 21-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[雑誌論文] SiCパワーデバイス開発のためのシミュレーション2010
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、吉川正人、土田秀一、岩沢美佐子
- 雑誌名
  
  平成21年度先端研究施設共用促進事業「地球シミュレータ産業戦略利用プログラム」利用成果報告書
  
  ページ: 21-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[雑誌論文] Dynamical simulation of SiO2/4H-SiC interface on C-face oxidation process: from first principles2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC interface on C-face oxidation process : from first principles2009
- 著者名/発表者名
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of Oxide Layer for SiC Devices2008
- 著者名/発表者名
  A. Miyashita, T. Ohnuma, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2007-Mar.2008
  
  ページ: 239-243
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of Oxide Layer for SiC Devices2008
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2007-Mar.2008
  
  ページ: 239-243
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] Generation of amorphous SiO_2/SiC interface structure by the firstprinciples molecular dynamics simulation2007
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 521-524
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] Generation of amorphous SiO_2/SiC interface structure by the first-principles molecular dynamics simulation2007
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 521-524
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC(0001) interface oxidation process : from first-principles2007
- 著者名/発表者名
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 615-620
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] Dynamical simulation of SiO2/4H-SiC(0001) interface oxidation process: from firstprinciples2007
- 著者名/発表者名
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 615-620
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC(0001)interface oxidation process:from first-principles2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 615-620
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of Oxide Layer for SiC Devices2007
- 著者名/発表者名
  A. Miyashita, T. Ohnuma, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, et. al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2006-Mar.2007
  
  ページ: 241-245
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of Oxide Layer for SiC Devices2007
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2006-Mar.2007
  
  ページ: 241-245
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] Generation of amorphous SiO_2/SiC interface structure by the first-principles molecular dynamics simulation2007
- 著者名/発表者名
  A. Miyashita, T. Ohnuma, M. Iwasawa, H. Tsuchida, M. Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 521-524
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] Generation of amorphous SiO_2/SiC interface structure by the firstprinciples molecular dynamics simulation2007
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 521-524
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] Generation of amorphous SiO2/SiC interface structure by the first-principles molecular dynamics simulation2007
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 521-524
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[雑誌論文] Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface and Dynamical Simulation of Interface Oxidation Process of SiC Device2006
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2005-Mar.2006
  
  ページ: 287-291
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface and Dynamical Simulation of Interface Oxidation Process of SiC Device2006
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr. 2005 - Mar. 2006
  
  ページ: 287-291
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] Structure of SiO_2/4H-SiC interface probed by positron annihilation spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  M.Maekawa, A.Kawasuso, M.Yoshikawa, A.Miyashita, et al.
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 73
  
  ページ: 14111-14111
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface and Dynamical Simulation of Interface Oxidation Process of SiC Device2006
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa.et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2005-Mar.2006
  
  ページ: 287-291
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] Structure of SiO_2/4H-SiC interface probed by positron annihilation spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  M.Maekaw a, A.Kaw asuso, M.Yoshikaw a, A.Miyashita, et al.
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 73
  
  ページ: 14111-14111
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiC Devices : Generation of Amorphous Si O_2/SiC Interface2005
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2004-Mar.2005
  
  ページ: 287-291
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiC Devices : "Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface"2005
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr. 2004 - Mar. 2005
  
  ページ: 287-291
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiC Devices : "Generation of Amorphous SiO_2/SiC Interface"2005
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, et al.
- 雑誌名
  
  Annual Report of the Earth Simulator Center Apr.2004-Mar.2005
  
  ページ: 287-291
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560298
[学会発表] Positronium emission from semiconductor surfaces2023
- 著者名/発表者名
  河裾厚男、和田健、宮下敦巳、前川雅樹、石田明、長島泰之
- 学会等名
  Symposium on Electron-Molecule Collisions and Swarm
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム飛行時間測定装置の高効率化2023
- 著者名/発表者名
  前川　雅樹, 宮下　敦巳, 河裾　厚男
- 学会等名
  日本物理学会 2023年春季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] TaAsにおける不規則性と磁気輸送特性2023
- 著者名/発表者名
  河裾厚男, 須田理行, 村川寛, 満汐孝治, 鈴木智広, 天田春代, 宮下敦巳, 前川雅樹, 山本春也, 瀬古典明, 花咲徳亮, 関修平, 大島永康
- 学会等名
  日本物理学会2023年春季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] B20型FeSiにおける熱平衡原子空孔生成2022
- 著者名/発表者名
  河裾厚男, 宮下敦巳, 前川雅樹, 金澤直也
- 学会等名
  第59回アイソトープ・放射線研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] 高効率スピン偏極ポジトロニウム分光装置の開発2022
- 著者名/発表者名
  前川　雅樹, 宮下　敦巳, 河裾　厚男
- 学会等名
  令和4年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] Development of spin-polarized positronium time-of-flight method2022
- 著者名/発表者名
  Maekawa Masaki, Miyashita Atsumi, Kawasuso Atsuo
- 学会等名
  19th International Conference on Positron Annihilation
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] プロトンビーム核反応法を用いた陽電子線源開発2022
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  第59回アイソトープ・放射線研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] 高効率ポジトロニウム飛行時間測定装置の開発2022
- 著者名/発表者名
  前川雅樹, 宮下敦巳, 河裾厚男
- 学会等名
  日本物理学会2022年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] Development of spin-polarized positronium time-of-flight method2022
- 著者名/発表者名
  Maekawa Masaki, Miyashita Atsumi, Kawasuso Atsuo
- 学会等名
  9th International Conference on Positron Annihilation
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] Thermal vacancy formation and induced magnetism in B20 FeSi studied by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  Kawasuso Atsuo, Miyashita Atsumi, Maekawa Masaki, Suzuki Chihiro, Yamamoto Shunya, Hori Tomohiro, Kanazawa Naoya
- 学会等名
  19th International Conference on Positron Annihilation
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] 表面ポジトロニウム分光法の高度化2022
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  日本物理学会第77回年次大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] プロトンビーム核反応法を用いた陽電子線源開発2022
- 著者名/発表者名
  前川雅樹, 宮下敦巳, 河裾厚男
- 学会等名
  第59回アイソトープ・放射線研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] NbAs・TaAs単結晶中の点欠陥と電気伝導特性2022
- 著者名/発表者名
  河裾厚男, 鈴木智広, 山本春也, 宮下敦巳, 前川雅樹, 村川寛, 満汐孝治, 大島永康, 関修平, 崔旭鎮
- 学会等名
  日本物理学会2022年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] FeSi中での陽電子の第一原理バンド計算による解析2022
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳, 前川雅樹, 河裾厚男, 金澤直也
- 学会等名
  第59回アイソトープ・放射線研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] 高効率ポジトロニウム飛行時間測定装置の開発2022
- 著者名/発表者名
  前川　雅樹, 宮下　敦巳, 河裾　厚男
- 学会等名
  日本物理学会 2022年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム分光による物質最表面電子状態評価2021
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  日本物理学会2021年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] GaN(0001)表面におけるポジトロニウム生成2021
- 著者名/発表者名
  河裾厚男、前川雅樹、宮下敦巳、和田健、長嶋泰之、石田明
- 学会等名
  第58回アイソトープ・放射線研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] ワイル半金属候補物質Co2MnGaの多量原子空孔内包 ―原子空孔の規則化における役割－2021
- 著者名/発表者名
  河裾厚男、宮下敦巳、前川雅樹、梅津理恵
- 学会等名
  令和3年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム放出エネルギー分光測定による磁性体最表面スピン評価2021
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  第58回アイソトープ・放射線研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] 第一原理バンド計算によるポジトロニウム分光スペクトルの解析 ―放出角制限におけるk空間選択－2021
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、前川雅樹、河裾厚男
- 学会等名
  第58回アイソトープ・放射線研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム分光法の開発2021
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] ワイル半金属候補物質Co2MnGaの多量原子空孔内包 ―原子空孔に付随する電子状態－2021
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、前川雅樹、河裾厚男、梅津理恵
- 学会等名
  令和3年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] Positronium emission from semiconductors2021
- 著者名/発表者名
  A. Kawasuso, A. Miyashita, M. Maekawa, K. Wada, S. Iida, Y. Nagashima
- 学会等名
  12.5th International Workshop on Positron and Positronium Chemistry
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] ワイル半金属候補物質Co2MnGaが内包する多量の磁性空孔－スピン偏極陽電子による観測－2021
- 著者名/発表者名
  河裾厚男、宮下敦巳、前川雅樹、瀬古典明、下山陽子、梅津理恵
- 学会等名
  日本物理学会2021年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム分光法の開発2021
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  令和3年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム放出エネルギー分光測定による磁性体最表スピン評価2021
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  第58回アイソトープ・放射線研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム分光による物質最表電子状態評価2021
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  日本物理学会2021年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21833
[学会発表] 半導体表面におけるポジトロニウム生成2020
- 著者名/発表者名
  河裾厚男、宮下敦巳、前川雅樹、和田健、長嶋泰之、飯田進平、岩森大
- 学会等名
  令和2年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム飛行時間測定装置の開発2020
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、和田健、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  令和2年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] 第一原理バンド計算による表面ポジトロニウム分光解析2020
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、前川雅樹、河裾厚男
- 学会等名
  令和2年度京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] スピン偏極ポジトロニウム放出エネルギー測定による表面電子スピンのエネルギー分解2020
- 著者名/発表者名
  前川雅樹、宮下敦巳、河裾厚男
- 学会等名
  日本物理学会2020秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05454
[学会発表] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファス SiO_2/SiC(11-20)原子構造モデルにおける界面欠陥2012
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  2012 年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO_2/SiC(11-20)原子構造モデルにおける界面欠陥2012
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] 第一原理分子動力学法で生成したa-SiO2/SiC(11-20)原子構造モデルにおける電子構造2012
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳
- 学会等名
  第7回高崎量子応用研究シンポジウム
- 発表場所
  高崎シティギャラリー (高崎)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] 第一原理分子動力学法で生成したa-SiO_2/SiC(11-20)原子構造モデルにおける電子構造2012
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、吉川正人
- 学会等名
  第7回高崎量子応用研究シンポジウム
- 発表場所
  高崎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファス SiO_2/4H-SiC(11-20)原子構造モデル2011
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会
- 発表場所
  名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] Si 面とC 面の違いによる第一原理分子動力学法で生成したアモルファス SiO_2原子構造モデルの界面欠陥2011
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  2011 年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] Si面とC面の違いによる第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO_2原子構造モデルの界面欠陥2011
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(厚木)
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO_2/4H-SiC(11-20)原子構造モデル2011
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センター(名古屋)
- 年月日
  2011-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] 第一原理分子動力学法で生成したアモルファス SiO_2/SiC 界面原子構造モデルにおける欠陥準位2011
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  第6回高崎量子応用研究シンポジウム
- 発表場所
  高崎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560029
[学会発表] 第一分子動力学法によるSiO_2/4H-SiC C面酸化過程シミュレーション:温度の効果2009
- 著者名/発表者名
  大沼敏治, 宮下敦巳, 岩沢美佐子, 吉川正人, 土田秀一
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理分子動力学シミュレーションで生成されたアモルファスSiO2/SiC界面原子構造における界面接続モデル2009
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一分子動力学法によるSiO2/4H-SiC C面酸化過程シミュレーション : 温度の効果2009
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理分子動力学シミュレーションで生成されたアモルファスSiO_2/SiC界面原子構造における界面接続モデル2009
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳, 大沼敏治, 岩沢美佐子, 土田秀一, 吉川正人
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理分子動力学法によるSiO2/SiC界面の大規模数値解析2008
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  第3回高崎量子応用研究シンポジウム
- 発表場所
  高崎
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理分子動力学法にて生成された大規模アモルファスSiO2/SiCモデルにおける界面構造2008
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] SiO_2/4H-SiC C面における酸化過程の動的シミュレーション : 温度の効果2008
- 著者名/発表者名
  大沼敏治, 宮下敦巳, 岩沢美佐子, 吉川正人, 土田秀一
- 学会等名
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] Dynamical simulation of SiO2/4H-SiC C-face interface oxidation process at 1500K2008
- 著者名/発表者名
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- 学会等名
  E-MRS 2008
- 発表場所
  Warsaw
- 年月日
  2008-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] アモルファスSiO2/SiC界面構造の第一原理計算による生成III2008
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] Amorphous SiO2/SiC interface defect structure generated with first-principle molecular dynamics simulation2008
- 著者名/発表者名
  A.Miyashita, T.Ohnuma, M.Iwasawa, H.Tsuchida, M.Yoshikawa
- 学会等名
  2008 MRS fall meeting
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2008-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] Amorphous SiO_2/SiC interface defect structure generated with first-principle molecular dynamics simulation2008
- 著者名/発表者名
  A. Miyashita, T. Ohnuma, M. Iwasawa, H. Tsuchida, M. Yoshikawa
- 学会等名
  2008 MRS fall meeting
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2008-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] SiO2/4H-SiC C面における酸化過程の動的シミュレーション : 温度の効果2008
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- 学会等名
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC C-face interface oxidation process at 1500K2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- 学会等名
  E-MRS 2008
- 発表場所
  Warsaw
- 年月日
  2008-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] アモルファスSiO_2/SiC界面構造の第一原理計算による生成III2008
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講i演会
- 発表場所
  船橋
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理分子動力学法にて生成された大規模アモルファスSiO_2/SiCモデルにおける界面構造2008
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳, 大沼敏治, 岩沢美佐子, 土田秀一, 吉川正人
- 学会等名
  シリコンカーバイドおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] SiO2/4H-SiC(000-1)C面における酸化過程の第一原理分子動力学計算2008
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] SiO_2/4H-SiC(000-1)C面における酸化過程の第一原理分子動力学計算2008
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講i演会
- 発表場所
  船橋
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理分子動力学法によるSiO_2/SiC界面の大規模数値解析2008
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳, 大沼敏治, 岩沢美佐子, 土田秀一, 吉川正人
- 学会等名
  第3回高崎量子応用研究シンポジウム
- 発表場所
  高崎
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] SiO2/4H-SiC(000-1)C面における熱酸化過程の第一原理分子動力学シミュレーション -Si 面との違い-2007
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2007-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理計算によるSiC酸化と界面準位発生の問題-熱酸化過程の動的シミュレーション-2007
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第2回個別討論会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-07-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] Firstprinciples molecular dynamics study of the oxidation process in the SiO2/4HSiC( 0001) interface2007
- 著者名/発表者名
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- 学会等名
  Conference on Computational Physics 2007
- 発表場所
  Brussels
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] SiO_2/4H-SiC(000-1)C面における熱酸化過程の第一原理分子動力学シミュレーション-Si面との違い-2007
- 著者名/発表者名
  大沼敏治、宮下敦巳、岩沢美佐子、吉川正人、土田秀一
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2007-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理計算によるSiC酸化と界面準位発生の問題-界面構造生成と欠陥構造-2007
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第2回個別討論会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-07-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] Dynamical simulation of SiOa/4H-SiC interface on C-face oxidation process:from first principles2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] シミュレーションによるアモルファスSiO_2/SiC界面の生成〜温度条件による界面構造の違い〜2007
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2007-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] Dynamical simulation of SiO2/4H-SiC interface on C-face oxidation process: from first principles2007
- 著者名/発表者名
  T.Ohnuma, A.Miyashita, M.Iwasawa, M.Yoshikawa, H.Tsuchida
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu
- 年月日
  2007-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] 第一原理計算によるSiC酸化と界面準位発生の問題-界面構造生成と欠陥構造-2007
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第2回個別討論会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-07-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] First-principles molecular dynamics study of the oxidation process in theSiO_2/4H-SiC(0001)interface2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida
- 学会等名
  Conference on Computational Physics 2007
- 発表場所
  Brussels
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329
[学会発表] シミュレーションによるアモルファスSiO2/SiC界面の生成 ~温度条件による界面構造の違い~2007
- 著者名/発表者名
  宮下敦巳、大沼敏治、岩沢美佐子、土田秀一、吉川正人
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2007-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560329

1. 吉川正人 (40354948)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
2. 前川雅樹 (10354945)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
3. 河裾厚男 (20354946)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
4. 関剛斎

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
5. 李松田

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

宮下 敦巳 Miyashita Atsumi

研究課題

研究成果

共同研究者

新しい最表面分析法-中性化高速ポジトロニウム分光は可能か？

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

大規模第一原理バンド計算による長周期整合グラフェンの電子・陽電子状態解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

第一原理計算解析による炭化ケイ素半導体デバイス酸化膜の界面欠陥解明に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素半導体の酸化膜界面欠陥構造への計算科学的解析に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素半導体単結晶と酸化膜界面の原子構造解析に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 半導体表面からのポジトロニウム放出2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of disorder and vacancy defects on electrical transport properties of Co2MnGa thin films grown by magnetron sputtering2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Positronium emission from GaN(0001) and AlN(0001) surfaces2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High-density magnetic-vacancy inclusion in Co<sub>2</sub>MnGa single crystal probed by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2021

著者名/発表者名

雑誌名

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[雑誌論文] Spin-Polarized Positronium Time-of-Flight Spectroscopy for Probing Spin-Polarized Surface Electronic States2021

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[雑誌論文] Construction of a Spin-Polarized Positronium Time-of-Flight Measurement Apparatus2020

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[雑誌論文] Gadolinium-implanted GaN studied by spin-polarized positron annihilation spectroscopy2020

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[雑誌論文] Positronium formation at 4H SiC(0001) surfaces2020

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[雑誌論文] Spin polarization of graphene on Co2FeGe0.5Ga0.5(001) observed by spin-polarized surface positronium spectroscopy2020

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[雑誌論文] The atomic networks at the amorphous SiO_2/SiC interface of the slab model generated with first-principles molecular dynamics simulation2013

著者名/発表者名

宮下敦巳 Miyashita Atsumi