高橋正光 Takahashi Masamitsu

研究者番号	00354986
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, NanoTerasuセンター, センター長 2025年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 次世代放射光施設整備開発センター, 次長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 次世代放射光施設整備開発センター, 上席研究員(定常) 2018年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 次世代放射光施設整備開発センター, グループリーダー(定常) 2016年度 – 2017年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 関西光科学研究所放射光科学研究センター, グループリーダー(定常) 2015年度: 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 2013年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 … もっと見る 2009年度 – 2012年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 2007年度 – 2008年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 2004年度: 特殊法人日本原子力研究所, 放射光科学研究センター・構造物性研究グループ, 副主任研究員 2003年度: 特殊法人日本原子力研究所, 放射光科学研究センター・構造物性研究グループ, 研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者理工系 / 応用物性・結晶工学 / 結晶工学 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者分子線エピタキシー / 結晶成長 / その場測定 / X線 / 表面・界面物性 / その場放射光X線回折 / 量子細線 / 量子ドット / 放射光X線回折 / X線逆格子マップ … もっと見る / 高速X線回折 / X線回折 / 窒化物半導体 / III-V族半導体 / その場X線回折 / 窒化物半導体特異構造 / 超薄膜 / 表面特異構造 / 表面X線回折 / 量子ビーム / 半導体ナノワイヤ / エピタキシャル成長 / ナノ構造 / マイクロX線回折 / MBE、エピタキシャル / 放射線、X線、粒子線 / コヒーレントX線 / 逆格子マッピング / 放射光X線回析 / 時分割測定 / 自己形成量子ドット / インジウムひ素 / ガリウムひ素 / その場リアルタイム測定 / GaAs / InAs / X線逆格子空間マッピング隠す

窒化物半導体超薄膜における構造多形の成長と物性研究代表者
- 研究代表者
  
  高橋正光
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
高速X線回折による半導体結晶成長その場測定を基盤とした転位制御技術の構築研究代表者
- 研究代表者
  
  高橋正光
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
半導体量子細線成長における金属触媒の機能の原子レベルでの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  高橋正光
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
   国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
エピタキシャル成長その場マイクロＸ線回折による単一ナノ構造解析と均一性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  高橋正光
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
X線強度ゆらぎ分光法による結晶成長ダイナミクス研究代表者
- 研究代表者
  
  高橋正光
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
分子線エピタキシー法による自己形成量子ドット成長のその場時分割X線回折研究代表者
- 研究代表者
  
  高橋正光
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  特殊法人日本原子力研究所

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN2019
- 著者名/発表者名
  Yamaguchi Tomohiro、Sasaki Takuo、Fujikawa Seiji、Takahasi Masamitu、Araki Tsutomu、Onuma Takeyoshi、Honda Tohru、Nanishi Yasushi
- 雑誌名
  
  Crystals
  
  巻: 9 号: 12 ページ: 631-631
- DOI
  10.3390/cryst9120631
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05298, KAKENHI-PROJECT-19H00874, KAKENHI-PROJECT-17H02778
[雑誌論文] Real-time structural analysis of InGaAs/InAs/GaAs(1 1 1)A interfaces by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping2019
- 著者名/発表者名
  Takuo Sasaki and Masamitu Takahasi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 512 ページ: 33-36
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.02.007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778, KAKENHI-PROJECT-16K17522
[雑誌論文] Influence of indium supply on Au-catalyzed InGaAs nanowire growth studied by in situ X-ray diffraction2017
- 著者名/発表者名
  T. Sasaki and M. Takahasi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中ページ: 135-138
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.11.113
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[雑誌論文] In situ X-ray diffraction of GaAs/MnSb/Ga(In)As heterostructures2017
- 著者名/発表者名
  P. J. Mousley, C. W. Burrows, M. J. Ashwin, M. Takahasi, T. Sasaki, and G. R. Bell
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 2 ページ: 1600503-1600503
- DOI
  10.1002/pssb.201600503
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[雑誌論文] Strain relaxation and compositional separation during growth of InGaAs/GaAs(001)2017
- 著者名/発表者名
  R. Deki, T. Sasaki and M. Takahasi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中ページ: 241-244
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.01.028
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[雑誌論文] Effects of growth temperature and growth rate on polytypes in gold-catalyzed GaAs nanowires studied by in situ X-ray diffraction2016
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, M. Kozu, Takuo Sasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EJ04-04EJ04
- DOI
  10.7567/jjap.55.04ej04
- NAID
  210000146367
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[雑誌論文] 放射光その場X線回折による半導体成長機構の解明2015
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 42 ページ: 201-209
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[雑誌論文] Mechanisms Determining the Structure of Gold-Catalyzed GaAs Nanowires Studied by in Situ X-ray Diffraction2015
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, M. Kozu, T. Sasaki, W. Hu
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 15 号: 10 ページ: 4979-4985
- DOI
  10.1021/acs.cgd.5b00915
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054, KAKENHI-PROJECT-26790020
[雑誌論文] Quantitative monitoring of InAs quantum dot growth using X-ray diffraction2014
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: (in press) ページ: 372-375
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.11.012
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[雑誌論文] In situ three-dimensional X-ray reciprocal-space mapping of GaAs epitaxial films on Si(001)2013
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, Y. Nakata, H. Suzuki, K. Ikeda, M. Kozu, W. Hu and Y. Ohshita
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 378 ページ: 34-34
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.119
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[雑誌論文] X-ray micro-beam focusing system for in situ investigation of single nanowire during MBE growth2013
- 著者名/発表者名
  W. Hu, M. Takahasi, M. Kozu and Y. Nakata
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: Vol.425 号: 20 ページ: 202010-202010
- DOI
  10.1088/1742-6596/425/20/202010
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[雑誌論文] In-situ x-ray characterization of wurtzite formation in GaAs nanowire2012
- 著者名/発表者名
  P. Krogstrup, M. H. Madsen, W. Hu, M. Kozu, Y. Nakata, J. Nygard, M. Takahasi and R. Feidenhans
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: Vol.100 号: 9 ページ: 93103-93103
- DOI
  10.1063/1.3688489
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[雑誌論文] High-speed three-dimensional reciprocal-space mapping during molecular beam epitaxy growth of InGaAs2012
- 著者名/発表者名
  W. Hu, H. Suzuki, T. Sasaki, M. Kozu and M. Takahasi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Cryst.
  
  巻: Vol.45 号: 5 ページ: 1046-1053
- DOI
  10.1107/s0021889812036175
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[雑誌論文] Structural Changes Caused by Quenching of InAs/GaAs(001) Quantum Dots2011
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50
- NAID
  210000070343
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[雑誌論文] Struct ural Changes Caused by Quenching of InAs/GaAs(001) Quantum Dots2011
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi and S. Fujikawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: Vol.50 号: 4S ページ: 04DH06-04DH06
- DOI
  10.1143/jjap.50.04dh06
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[雑誌論文] X-ray diffraction study on GaAs(001)-2x4 surfaces under molecular-beam epitaxy conditions2004
- 著者名/発表者名
  M.Takahasi, Y.Yoneda, J.Mizuki
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 237
  
  ページ: 219-223
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15760014
[雑誌論文] In situ X-ray diffraction study of molecular-beam epitaxial growth of InAs/GaAs(001) quantum dots
- 著者名/発表者名
  M.Takahasi, J.Mizuki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15760014
[学会発表] その場放射光X線回折による結晶成長研究の進展2019
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778
[学会発表] X線CTR散乱測定によるN極性GaN表面のその場構造解析2019
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、高橋正光
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] High-speed X-Ray Reciprocal Space Mapping for Dynamics of Molecular Beam Epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, W. Voegeli, E. Arakawa, T. Shirasawa, T. Sasaki1, T. Yamaguchi and T. Matsushita
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778
[学会発表] Time-Resolved X-ray Diffraction From Nitride Thin Films: Observation of the Specular Rod2019
- 著者名/発表者名
  W. Voegeli, M. Takahasi, T. Sasaki, S. Fujikawa, K. Sugitani, T. Shirasawa, E. Arakawa, T. Yamaguchi
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778
[学会発表] 窒化物半導体成長のその場X線回折測定2018
- 著者名/発表者名
  高橋正光，佐々木拓生、山口智広
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] Liquid-Solid Interface as Crystal Growth Front2018
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi and Takuo Sasaki
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] Time-resolved X-ray diffraction setup for in-situ observation of thin film growth2018
- 著者名/発表者名
  Wolfgang Voegeli、Masamitu Takahasi、Takuo Sasaki、Seiji Fujikawa、Tetsuroh Shirasawa、Etsuo Arakawa、Toshio Takahashi
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778
[学会発表] GaN 表面上Ga吸着層の構造解析2018
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生，岩田卓也，高橋正光
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] GaN表面上Ga吸着層の構造解析2018
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生，岩田卓也，高橋正光
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] GaN表面のX線CTR散乱測定2018
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、岩田卓也、高橋正光
- 学会等名
  第31回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] Dispersive X-ray scattering measurements for time-resolved observation of thin films2018
- 著者名/発表者名
  W. Voegeli, E. Arakawa, T. Takahashi, T. Shirasawa, H. Tajiri, M. Takahasi, T. Sasaki, T. Matsushita
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778
[学会発表] Time-Resolved X-Ray Diffraction Method for Dynamics of Molecular Beam Epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi
- 学会等名
  20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778
[学会発表] III-V Semiconductor Thin-Film Growth2018
- 著者名/発表者名
  W. Voegeli, M. Takahasi, T. Sasaki, S. Fujikawa, T. Shirasawa, E. Arakawa, T. Takahashi, T. Matsushita
- 学会等名
  The 15th International Surface X-ray and Neutron Scattering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02778
[学会発表] GaN表面上Ga吸着層の秩序構造2018
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、岩田卓也、高橋正光
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] Structural analysis of epitaxially grown GaN surface2018
- 著者名/発表者名
  Takuo Sasaki, Takuya Iwata and Masamitu Takahasi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] Atomic order and nucleation at AuGa/GaAs interface studied by in situ X-ray diffraction2017
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi
- 学会等名
  Nanowire Week 2017
- 発表場所
  Scandic Star Hotel & Conference Center (Lund, Sweden)
- 年月日
  2017-05-29
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] Ga-bilayer/GaN表面のX線CTR散乱測定2017
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、高橋正光
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] シンクロトロン放射光を用いた結晶成長プロセス評価2017
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] 放射光X線によるGaAsナノワイヤ成長の微視的機構の解明2017
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会
- 発表場所
  秋田大学（秋田県秋田市）
- 年月日
  2017-03-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] 半導体ナノワイヤ成長における触媒・基板界面構造2017
- 著者名/発表者名
  高橋正光、佐々木拓生
- 学会等名
  第30回日本放射光学会年会
- 発表場所
  神戸芸術センター（兵庫県神戸市）
- 年月日
  2017-01-07
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] In situ X-ray diffraction during epitaxial growth of AlN on SiC(0001)2017
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi1, Takuo Sasaki, Fumitaro Ishikawa, Hidetoshi Suzuki
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05343
[学会発表] In Situ X-Ray Measurement of Changes in Buried Structure during Crystal Growth2016
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県富山市）
- 年月日
  2016-06-26
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] 放射光Ｘ線によるエピタキシャル界面形成過程のその場測定2016
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  第35回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県守山市）
- 年月日
  2016-07-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] その場X線分析によるナノワイヤ形成機構の解明2016
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会結晶工学分科会主催　第144回結晶工学分科会研究会
- 発表場所
  東京都市大学（東京都）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] Strain Relaxation and Phase Separation during Growth of InGaAs/GaAs(001)2016
- 著者名/発表者名
  R. Deki, T. Sasaki and M. Takahasi
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya Congress Center (愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] 化合物半導体結晶成長のその場放射光X線回折2016
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  日本結晶学会平成28年度年会
- 発表場所
  茨城県立県民文化センター（茨城県水戸市）
- 年月日
  2016-11-18
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] SLiT-Jが描く省エネ基盤材料製造プロセスの設計図2016
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  東北大学金属材料研究所共同利用ワークショップ
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所（宮城県仙台市）
- 年月日
  2016-12-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] 化合物半導体のMBE成長過程のX線を用いたその場観察2016
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  日本学術振興会第161委員会第96回研究会
- 発表場所
  主婦会館エフプラザ（東京）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] Au/GaAs(111)B界面に誘起される原子配列構造2016
- 著者名/発表者名
  高橋正光、佐々木拓生
- 学会等名
  第77回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] In situ X-ray study on polytypism of Au-seeded GaAs nanowires grown by MBE2015
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi, Miwa Kozu, Takuo Sasaki
- 学会等名
  5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  2015-09-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] X-ray diffraction study of evolution of polytypes in Au-assisted GaAs nanowires2015
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi, Miwa Kozu, Takuo Sasaki
- 学会等名
  the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H01054
[学会発表] Si(111)上のInAsエピタキシャル成長における界面構造の評価2014
- 著者名/発表者名
  仲田侑加, 佐々木拓生, 出来亮太, 高橋正光
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Si(111)上のInAsエピタキシャル成長における界面構造の評価2014
- 著者名/発表者名
  仲田侑加, 佐々木拓生, 出来亮太, 高橋正光
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Au触媒InGaAsナノワイヤのその場XRD/SAXS測定2014
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生, 出来亮太, 仲田侑加, 高橋正光
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Au触媒InGaAsナノワイヤのその場XRD/SAXS測定2014
- 著者名/発表者名
  佐々木拓生、出来亮太、仲田侑加、高橋正光
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] In-situ monitoring of molecular-beam epitaxial growth of zero-, one-, and two-dimensional structures using synchrotron X-ray diffraction2013
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi
- 学会等名
  17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy - ICCGE-17
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] In Situ X-ray Diffraction Study of GaAs Growth on Si2013
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, Y. Nakata, H. Suzuki, K. Ikeda, W. Hu, M. Kozu and Y. Ohshita
- 学会等名
  40th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
- 発表場所
  Waikoloa, USA
- 年月日
  2013-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Ordered layers in AuGa droplets in contact with GaAs(111)B substrate2013
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, M. Kozu and W. Hu
- 学会等名
  MRS-JSAP Joint Symposia
- 発表場所
  Kyotanabe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] In Situ X-Ray Diffraction Studies on III-V Semiconductor Nanowires2013
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi
- 学会等名
  4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  Lake Arrowhead, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Au触媒GaAsナノワイヤにおける構造多形の成長速度依存性2013
- 著者名/発表者名
  高橋正光, 神津美和, Hu Wen, 仲田侑加
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] GaAsナノワイヤ成長中断時の結晶構造変化2013
- 著者名/発表者名
  神津美和, Hu Wen, 仲田侑加, 高橋正光
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] X-ray diffraction from polytypes in Au-assisted GaAs nanowries2013
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, M. Kozu, W. Hu and Y. Nakata
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- 年月日
  2013-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Three-dimensional X-ray reciprocal-space mapping of GaAs epitaxial films on Si(001)2012
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi, Y. Nakata, H. Suzuki, K. Ikeda, M. Kozu, W. Hu and Y. Ohshita
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Si(001)上のGaAs成長のその場X線回折2012
- 著者名/発表者名
  仲田侑加, 鈴木秀俊, 池田和磨, Hu Wen, 神津美和, 高橋正光, 大下祥雄
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] X-ray micro-beam focusing system for in situ investigation of single nanowire during MBE growth2012
- 著者名/発表者名
  W. Hu, M. Takahasi, M. Kozu and Y. Nakata
- 学会等名
  11th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation
- 発表場所
  Lyon, France
- 年月日
  2012-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Characterization of self-assisted InAs nanowire on Si substrate during MBE growth using in-situ X-ray diffraction2012
- 著者名/発表者名
  W. Hu, M. Takahasi, M. Kozu and Y. Nakata
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] 放射光を用いたナノひずみのその場測定と制御2012
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(招待講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] GaAsナノワイヤの結晶構造変化のその場X線回折測定2012
- 著者名/発表者名
  神津美和, Hu Wen, 高橋正光
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] 放射光を用いたナノひずみのその場測定と制御2012
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-15
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] In-situ X-ray diffraction during Au-assisted growth of GaAs nanowires2012
- 著者名/発表者名
  M. Kozu, W. Hu, Y. Nakata and M. Takahasi
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] High-speed three-dimentional reciprocal-space mapping during MBE growth of InGaAs2011
- 著者名/発表者名
  W. Hu, H. Suzuki, T. Sasaki, M. Kozu, M. Takahasi
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2011
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] High time-resolution three-dimensional reciprocal-space mapping during MBE growth of InGaAs2011
- 著者名/発表者名
  Hu Wen, 高橋正光, 神津美和, 鈴木秀俊, 佐々木拓生
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] 放射光X線回折によるGaAsナノワイヤ成長のその場観察2011
- 著者名/発表者名
  神津美和, Hu Wen, 高橋正光
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Crystal growth dynamics studied using in situ X-ray diffraction : Zero-, one- and two-dimensional structures2011
- 著者名/発表者名
  高橋正光, Hu Wen, 神津美和, 佐々木拓生, 大下祥男, 鈴木秀俊
- 学会等名
  3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  Traunkirchen, Austria
- 年月日
  2011-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Structure changes caused by quenching of InAs/GaAs(001) quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi
- 学会等名
  International Conference on solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Structure changes caused by quenching of InAs/GaAs(001) quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  M. Takahasi
- 学会等名
  International Conference on solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] X-ray diffraction from polytypes in Au-assisted GaAs
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] In situ X-ray diffraction study of GaAs growth on Si
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi
- 学会等名
  40th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
- 発表場所
  Waikoloa, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Au触媒GaAsナノワイヤにおける構造多形の成長速度依存性
- 著者名/発表者名
  高橋正光
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010
[学会発表] Three-dimensional X-ray reciprocal-spacemapping of GaAs epitaxial films on Si(001)
- 著者名/発表者名
  Masamitu Takahasi
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Nara, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360010

1. Voegeli Wolfgang (90624924)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
2. 胡雯

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 19件
3. 神津美和

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 19件
4. 佐々木拓生

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
5. 仲田侑加

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
6. 山口智広

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

高橋 正光 Takahashi Masamitsu

研究課題

研究成果

共同研究者

窒化物半導体超薄膜における構造多形の成長と物性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高速X線回折による半導体結晶成長その場測定を基盤とした転位制御技術の構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体量子細線成長における金属触媒の機能の原子レベルでの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

エピタキシャル成長その場マイクロＸ線回折による単一ナノ構造解析と均一性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

X線強度ゆらぎ分光法による結晶成長ダイナミクス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

分子線エピタキシー法による自己形成量子ドット成長のその場時分割X線回折研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Real-time structural analysis of InGaAs/InAs/GaAs(1 1 1)A interfaces by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influence of indium supply on Au-catalyzed InGaAs nanowire growth studied by in situ X-ray diffraction2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] In situ X-ray diffraction of GaAs/MnSb/Ga(In)As heterostructures2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Strain relaxation and compositional separation during growth of InGaAs/GaAs(001)2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effects of growth temperature and growth rate on polytypes in gold-catalyzed GaAs nanowires studied by in situ X-ray diffraction2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] 放射光その場X線回折による半導体成長機構の解明2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Mechanisms Determining the Structure of Gold-Catalyzed GaAs Nanowires Studied by in Situ X-ray Diffraction2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

高橋正光 Takahashi Masamitsu