CHO Meoung-Whan MEOUNG-WHAN Cho

… 別表記

ちょ明煥 MEOUNG-WHAN Cho

研究者番号	00361171
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2007年度: 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 2005年度 – 2006年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 光素子 / 薄膜成長 / Nitide semiconductors / Optical device / Thin film growth / MBE / HVPE / GaNエピタキシャル / CrN緩衝層 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る MBE / ZnO / surfactant / epitaxial growth / nitride semiconductors / II-VI族化合物 / 窒素 / p型ドーピング / 低温成長 / サーフアクタント / 分子線エピタキシー / 酸化物半導体 / サーファクタント / エピタキシ成長 / 窒化物半導体 / 非線形 / 誘電体物性 / 光物性 / 分子線エピタキシ隠す

CrNナノ微結晶バッファー層を用いたGaN薄膜成長及び縦型発光ダイオードの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  花田貴, ちょ明煥
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
周期分極反転した酸化亜鉛による励起子共鳴非線形波長変換
- 研究代表者
  
  花田貴
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
サーフアクタントMBEによる高ホール濃度・高品質p-型Zn0の成長技術開発
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
CrNをバッファ層として用いたAlGaNテンプレイト作製技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  ちょ明煥
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2009 2008 2007 2006 2005

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009
- 著者名/発表者名
  S. W. Lee, J. S. Ha, Hyun-Jae Lee, Hyo-Jong Lee, H. Goto, T. Hanada, T. Goto, K. Fujii, M. W. Cho, and T. Yao
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560008
[雑誌論文] Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  SW.Lee, DC.Oh, H.Goto, JS.Ha, HJ.Lee, T.Hanada, MW.Cho, et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 4・1
  
  ページ: 37-40
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based Light-emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  SW.Lee, DC.0h, H Goto, JS Ha, HJ Lee, T Hanada, MW.Cho, SK.Hong, HY.Lee, SR.Cho, JW.Choi, JH.Choi, JH.Jang, JE.Shin, JS.Lee, T Yao
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 4・1
  
  ページ: 37-40
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Growth of thick GaN layers on c-plane sapphire substrates using stress absorbing layer (SAL)2007
- 著者名/発表者名
  H Goto, SW Lee, J Kinomoto, ST Kim, HC. Ko, MW. Cho, T Yao
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 4・1
  
  ページ: 116-119
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Growth of thick GaN layers on c-plane sapphire substrates using stress absorbing layer (SAL),2007
- 著者名/発表者名
  H Goto, SW Lee, J Kinomoto, ST Kim, H C. Ko, MW.Cho, T Yao
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 4・1
  
  ページ: 116-119
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] 0rigin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices2006
- 著者名/発表者名
  Lee SW, Oh DC, Goto H, Ha JS, Lee HJ, Hanada T, Cho MW, Yao T, Hong SK, Lee HY, Cho SR, Choi JW, Choi JH, Jang JH, Shin JE, Lee JS
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
  
  ページ: 132117-132117
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Structural properties of CrN buffers for GaN growth2006
- 著者名/発表者名
  Lee WH, Im IH, Minegishi T, Hanada T, Cho MW, Yao T, Oh DC, Han CS, Koo KW, Kim JJ, Sakata 0, Sumitani K, Cho SJ, Lee HY, Hong SK, Kim ST
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49 3
  
  ページ: 928-933
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Structural properties of CrN buffers for GaN growth2006
- 著者名/発表者名
  Lee.WH, Im.IH, Minegishi.T, Hanada.T, Cho MW, Yao T, et al.
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49 3
  
  ページ: 928-933
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Selective Growth of Vertically-Aligned ZnO Nano-Needles.2006
- 著者名/発表者名
  SH Lee, WH Lee, SW Lee, H Goto, T Baba, MW Cho, T Yao, HJ Lee, T Yasukawa, T Matsue, H Ko
- 雑誌名
  
  Journal of Nanoscience and Nanotechnology 6
  
  ページ: 3351-3354
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Origin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices2006
- 著者名/発表者名
  Lee SW, Oh DC, Goto H, Ha JS, Lee HJ, Hanada T, Cho MW, Yao T, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
  
  ページ: 132117-132117
- NAID
  120002337930
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Novel buffer layer for the growth of the GaN on c-sapphire2006
- 著者名/発表者名
  WH Lee, SW Lee, H Goto, H ko, MW Cho, T Yao
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 3・6
  
  ページ: 1388-1391
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Surfactant-mediated molecular beam epitaxy of ZnO.2006
- 著者名/発表者名
  Suzuki H, Minegishi T, Fujimoto G, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49(3)
  
  ページ: 1266-1270
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Growth and characterization of HVPE GaN on c-sapphire with CrN buffer layer2005
- 著者名/発表者名
  H.Goto, W.H.Lee, J.Kinomoto, S.T.Kim, M.W.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 369-372
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Structural variation of cubic and hexagonal MgxZn1-xO layers grown on MgO(111)/C-sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H.Suzuki, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, A.Setiawan
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 98(5)
  
  ページ: 54911-54911
- NAID
  120001182191
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] The effect of surface treatment on Zinc Oxide2005
- 著者名/発表者名
  H.Suzuki, T.Minegishi, Z.Vashaei, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 385-388
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Issues in ZnO homoepitaxy2005
- 著者名/発表者名
  MW Cho, C.Harada, H.Suzuki, T.Minegishi, T.Yao, H.Ko, K.
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 38(4-6)
  
  ページ: 349-363
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electron-trap centers in ZnO layers grown by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(3)
  
  ページ: 329090-329090
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Issues in ZnO homoepitaxy2005
- 著者名/発表者名
  MW Cho
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 38(4-6)
  
  ページ: 349-363
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structural variation of cubic and hexagonal MgxZu1-x0 layers grown on MgO(111) /c-sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H.Suzuki, T.Hanada, MW.Cho
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 98(5)
  
  ページ: 54911-54911
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structure properties and phase evolution of MgxZn1-x0 layers grown on c-sapphire by P-MBE2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H, Suzuki, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 415-418
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Control of crystal polarity of ZnO and GaN epitaxial layers by interfacial engineering2005
- 著者名/発表者名
  KW.Jang, T.Minegishi, T.Suzuki, SK/Hong, DC.Oh, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CERAMIC PRGCESSING RESEARCH 6(2)
  
  ページ: 167-183
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Issues in ZnO homoepitaxy2005
- 著者名/発表者名
  MW Cho, C.Harada, H.Suzuki, T.Minegishi, T.Yao, H.Ko, K.Maeda, I.Nikura
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures 38(4-6)
  
  ページ: 349-363
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electron-trap centers in ZnO layers grown by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, N.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(3)
  
  ページ: 329090-329090
- NAID
  120001182186
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electrical characterization for ZnO layers grown on GaN templates by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, JS.So
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE＆TECHNOLOGY B23(3)
  
  ページ: 1281-1285
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Characteristics of Schottky contacts to ZnO:N layers grown by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(4)
  
  ページ: 42110-42110
- NAID
  120001182187
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] CrN buffer layer study for GaN growth using molecular beam epitaxy (MBE)2005
- 著者名/発表者名
  Lee W.H., Kim JJ, Lee HS, Zahra V, Kim ST, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 365-368
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] ZnO epitaxial layers grown on APO c-sapphire substrate with MgO buiter by plasma-assisted molecular beam epitaxy(p-MBE)2005
- 著者名/発表者名
  MW.Cho, A.Setiawan, HJ.Ko, SK.Hong, T.Yao
- 雑誌名
  
  SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 20(4)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structure properties and phase evolution of MgxZn1-xO layers grown on c-sapphire by P-MBE2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H, Suzuki, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 415-418
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] ZnO epitaxial layers grown on APO c-sapphire substrate with MgO buiter by plasma-assisted molecular beam epitaxy(P-MBE)2005
- 著者名/発表者名
  MW.Cho, A.Setiawan, HJ.Ko, SK.Hong, T.Yao
- 雑誌名
  
  SEMICUNDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 20(4)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] ZnO epitaxial layers grown on APO c-sapphire substrate with Mg0 buiter by plasma-assisted molecular beam epitaxy (p-MBE)2005
- 著者名/発表者名
  MW.Cho
- 雑誌名
  
  SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 20(4)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electrical characterization for ZnO layers grown on GaN templates by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, JS.Song, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOLOGY B23(3)
  
  ページ: 1281-1285
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Characteristics of Schottky contacts to ZnO : N layers grown by molecular- beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(4)
  
  ページ: 42110-42110
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Growth and characterization of HVPE CaN on c-sapphire with CrN buffer layer2005
- 著者名/発表者名
  H.Goto, W.H.Lee, J.Kinomoto, S.T.Kim, M.W.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 184
  
  ページ: 369-372
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[産業財産権] GaN単結晶成長方法,GaN系素子製造方法およびGaN系素子2005
- 発明者名
  八百隆文, ちょ明煥
- 権利者名
  東北テクノアーチ
- 産業財産権番号
  2005-108072
- 出願年月日
  2005-04-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[産業財産権] GaN単結晶成長方法,GaN系素子製造方法およびGaN系素子2005
- 発明者名
  八百隆文ちょ明煥
- 権利者名
  東北テクノアーチ
- 産業財産権番号
  2005-108072
- 出願年月日
  2005-04-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[学会発表] Crystallo -graphic Investigation of Nitride C- Sapphire Substrate by Grazing Incidence X-ray Diffraction and Transmission Electron Microscopy2008
- 著者名/発表者名
  H. J. Lee, J. S. Ha, S. K. Hong, S. W. Lee, H. J. Lee, S. H. Lee, T. Minegishi, T. Hanada, M. W. Cho, and T. Yao
- 学会等名
  The International Conference on the Textures of Materials
- 発表場所
  Pittsburgh, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560008

1. 花田貴 (80211481)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 17件
2. 八百隆文 (60230182)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
3. 任寅縞 (00400408)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

CHO Meoung-Whan MEOUNG-WHAN Cho

ちょ 明煥 MEOUNG-WHAN Cho

研究課題

研究成果

共同研究者

CrNナノ微結晶バッファー層を用いたGaN薄膜成長及び縦型発光ダイオードの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

周期分極反転した酸化亜鉛による励起子共鳴非線形波長変換

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

サーフアクタントMBEによる高ホール濃度・高品質p-型Zn0の成長技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

CrNをバッファ層として用いたAlGaNテンプレイト作製技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emitting devices2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based Light-emitting devices2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of thick GaN layers on c-plane sapphire substrates using stress absorbing layer (SAL)2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Growth of thick GaN layers on c-plane sapphire substrates using stress absorbing layer (SAL),2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 0rigin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Structural properties of CrN buffers for GaN growth2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Structural properties of CrN buffers for GaN growth2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Selective Growth of Vertically-Aligned ZnO Nano-Needles.2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Origin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Novel buffer layer for the growth of the GaN on c-sapphire2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

ちょ明煥 MEOUNG-WHAN Cho