崔成伯 Che Songbek

研究者番号	00361410
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 招へい准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度: 千葉大学, 大学院・工学研究科, 助教 2009年度: 千葉大, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2007年度 – 2008年度: 千葉大学, 大学院・工学研究科, 助教 2006年度: 千葉大学, 工学部, 助手 2003年度 – 2004年度: 千葉大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 理工系
キーワード	研究代表者窒化インジウム / 窒化物半導体 / 半導体レーザ / 青緑域発光デバイス / ナノ構造研究代表者以外窒化インジウム / ZnO / InN / AlN / GaN … もっと見る / Wide bandgap semiconductors / Crystal Polarity / Epitaxy / III-V nitrides / -族窒化物 / 分子線エピタキシー / 窒化カリウム / 酸化亜鉛 / 窒化アルミニュウム / 窒化ガリウム / ワイドギャップ化合物半導体 / 結晶極性 / エピタキシー / III-V族窒化物 / 貫通転位 / 分光エリプソメトリ / バンドパラメータ / 超格子・量子井戸 / 窒化インジウム(InN) / p型窒化インジウム / エピタキシ制御 / 空間・時間分解ルミネッセンス測定 / 光電子物性の赤外分光評価 / 超格子・量子構造 / 光物性・分光計測 / 短周期超格子 / MBE、エピタキシャル / ナノ構造光デバイス / 極広域分光計測 / 擬似混晶 / 超格子 / MBEエピタキシャル / ナノ構造デバイス / 表面・界面物性 / キャリアダイナミクス / 極広域分光 / 窒化物半導体隠す

1〜2分子層窒化インジウムナノ構造を用いた新規窒化物緑色半導体レーザの開拓研究代表者
- 研究代表者
  
  崔成伯
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  千葉大学
極広域分光による窒化物半導体ナノデバイス構造の精密評価
- 研究代表者
  
  吉川明彦
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  千葉大学
六方晶系ワイドギャップ化合物半導体の極性制御による光電子物性の飛躍的改善の研究
- 研究代表者
  
  吉川明彦
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  千葉大学

すべて 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 月刊ディスプレイ2009年2月号特集2 : 「LEDとデバイス技術」、「窒化インジウム系ナノ構造発光デバイスの技術開発」2009
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 総ページ数
  9
- 出版者
  株式会社テクノタイムズ社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760007
[雑誌論文] Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, K.Kato, H.Ogiwara, S.B.Che, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  106
  
  ページ: 113515-113515
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Advances in InN epitaxy and its material control by MBE towards novel InN-based QWs2009
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, S.B.Che, Y.Ishitani, X.Wang
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 311(7)
  
  ページ: 2073-2073
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Fabrication of Asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN Quantum-Well Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum-Confined Stark Effect in the Blue-Green Region2009
- 著者名/発表者名
  S.B.Che, A.Yuki, H.Watanabe, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 21001-21001
- NAID
  10025084321
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Fabrication of asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN quantum-well light emitting diodes for reducing the quantum-confined Stark effect in the blue-green region2009
- 著者名/発表者名
  S.B.Che
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10025084321
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Fabrication of Asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN Quantum-well Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum-Confined Stark Effect in the Blue-green Region2009
- 著者名/発表者名
  Songbek Che
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 21001-21001
- NAID
  10025084321
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760007
[雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
  
  ページ: 132108-132108
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
  
  ページ: 132108-132108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Anisotropic damping of longitudinal optical phonon-plasmon coupling modes of InN films2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, M.Fujiwara, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
  
  ページ: 251901-251901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス2008
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 雑誌名
  
  信学技報 (掲載確定)
- NAID
  110007127199
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760007
[雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
  
  ページ: 53515-53515
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 103
  
  ページ: 53515-53515
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス2008
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 108
  
  ページ: 51-56
- NAID
  110007127199
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Proposal of Novel Structure Light Emitting Devices Consisting of InN/GaN MQWs with Ultrathin InN Wells in GaN Matrix2008
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, S.B.Che
- 雑誌名
  
  International Journal of High Speed Electronics and Systems 18
  
  ページ: 993-993
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Infrared analysis of Mg-doped p-type InN films2008
- 著者名/発表者名
  M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 93
  
  ページ: 231903-231903
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Infrared analysis of hole properties of Mg-doped p-type InN films2008
- 著者名/発表者名
  M.Fujiwara, Y.Ishitani, X.Wang, S.B.Che, and A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 93
  
  ページ: 231903-231903
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] In situ spectroscopic ellipsometry and RHEED monitored growth of InN nanocolumns by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 301/302
  
  ページ: 496-496
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Systematic study on p-type doping control of InN with different Mg concentrations in both In and N polarities2007
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 91
  
  ページ: 242111-242111
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Polarity inversion in high Mg-doped In-polar InN epitaxial layers2007
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, H.Sasaki, T.Shinagawa, S.Yoshida
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 91
  
  ページ: 81912-81912
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Proposal and achievement of novel structure InN/GaN multiple quantum wells consisting of one monolayer and fractional monolayer InN wells inserted in GaN matrix2007
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, S.B.Che, W.Yamaguchi, H.Saito, X.Wang, Y.Ishitani, E.S.Hwang
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 90
  
  ページ: 73101-73101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Fabrication and properties of coherent-structure In-polarity InN /In_<0.7>Ga_<0.3>N multi-quantum wells emitting at around 1.55μm2007
- 著者名/発表者名
  S.B.Che, T.Mizuno, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 102
  
  ページ: 83539-83539
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Threading dislocations in In-polar InN films and their effects on surface morphology and electrical properties2007
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 90
  
  ページ: 151901-151901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Broadening factors of E1(LO) phonon-plasmon coupled modes of hexagonal InN investigated by infrared reflectance measurements2007
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, T.Ohira, X.Q.Wang, S.B.Che, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Physical Review B 76
  
  ページ: 45206-45206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Growth and properties of Mg-doped In-polar InN films2007
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 90
  
  ページ: 201913-201913
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Fabrication and properties of coherent-structure In-polarity InN/ln0.7Ga0.3N multi-quantum wells emitting at around 1.55 μm2007
- 著者名/発表者名
  S. B. Che
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Effect of precise control of V/III ratio on In-rich InGaN epitaxial growth2006
- 著者名/発表者名
  S.B.Che
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45 Part 2
- NAID
  10018460978
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Effect of epitaxial temperature on N-polar InN films grown by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 90
  
  ページ: 73512-73512
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Study on influence of atomic hydrogen irradiation on growth and property of N-polarity InN2006
- 著者名/発表者名
  S.B.Che
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol. 3, (6)
  
  ページ: 1540-1543
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Effect of precise control of V/III ratio on In-rich InGaN epitaxial growth2006
- 著者名/発表者名
  S.B.Che, T.Shinada, T.Mizuno, X.Wang, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10018460978
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Step-flow growth of In-polar InN by molecular beam epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
- NAID
  10017653670
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] Fabrication and characterization of 20 periods InN/InGaN MQWs2006
- 著者名/発表者名
  S.B.Che
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol. 3, (6)
  
  ページ: 1953-1957
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[雑誌論文] InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE2005
- 著者名/発表者名
  S.B.Che, W.Terashima, T.Ohkubo, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) Vol.2, No.7
  
  ページ: 2258-2262
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers ; Comparison between N-polarity and In-polarity Growth Processes2005
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, K.Xu, X.Wang, M.Yoshitani, W.Terashima, N.Hashimoto
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831, E4.1
  
  ページ: 1-13
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Bandgap energy of InN and its temperature dependence2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, S.B.Che, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) Vol.2, No.7
  
  ページ: 2276-2280
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] RF-MBE Growth of InN Dots on N-polar GaN Grown on Vicinal c-plane Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  N.Hashimoto, N.Kikuwaka, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE2005
- 著者名/発表者名
  S.B.Che, W.Terashima, T.Ohkubo, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) Vol.2,No.7
  
  ページ: 2258-2262
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Bandgap energy of InN and its temperature dependence2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, S.B.Che, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) Vol.2,No.7
  
  ページ: 2276-2280
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Fine-structure N-polarity InN/InGaN multiple quantum wells grown on GaN underlayer by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  Song-Bek Che, Wataru Terashima, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, N.Hashimoto, N.Kikukawa, S.B.Che, Y.Ishitani
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.86
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers ; Comparison between N-polarity and In-polarity Growth Processes2005
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, K.Xu, X.Wang, M.Yoshitani, W.Terashima, N.Hashimoto
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] RF-MBE Growth of InN Dots on N-polar GaN Grown on Vicinal c-plane Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  N.Hashimoto, N.Kikuwaka, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.831, E4.4
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE2005
- 著者名/発表者名
  Song-Bek Che
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) (未定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, N.Hashimoto, N.Kikukawa, S.B.Che, Y.Isihtani
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.86
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown on nitrided c-sapphire by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-Hwan Roh, Masayuki Ohsugi, Song-Bek Che, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.86
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Polarity control of ZnO films grown on nitrided c-sapphire by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  Xinqiang Wang, Yusuke Tomita, Ok-Hwan Roh, Masayuki Ohsugi, Song-Bek Che, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.86, 01192
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Temperature dependence of the optical properties of InN films grown by RF-MBE2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, K.Xu, H.Masuyama, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, Che Song-Bek, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.798
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Properties of fundamental absorption edge of InN crystal investigated by optical reflection and transmission spectra2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, K.Xu, Che Song-Bek, H.Masuyama, W.Terashima, M.Yoshitani, N.Hashimoto, K.Akasaka, T.Okubo, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) Vol.241
  
  ページ: 2849-2853
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Temperature dependence of the optical properties of InN films grown by RF-MBE2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ishitani, K.Xu, H.Masuyama, W.Terashima, N.Hashimoto, M.Yoshitani, Che Song-Bek, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.798, Y12.5
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[産業財産権] 量子構造の評価方法、量子構造の製造方法、及び量子構造2010
- 発明者名
  吉川明彦、崔成伯、橋本直樹、深田善樹
- 権利者名
  吉川明彦、崔成伯、橋本直樹、深田善樹
- 公開番号
  2010-085330
- 出願年月日
  2010-04-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[産業財産権] 結晶軸配向性とファセット(結晶面)を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子2008
- 発明者名
  崔成伯、吉川明彦
- 権利者名
  千葉大学
- 出願年月日
  2008-10-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[産業財産権] 結晶軸配向性とファセット(結晶面)を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子2007
- 発明者名
  崔成伯、吉川明彦
- 権利者名
  千葉大学
- 出願年月日
  2007-10-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[産業財産権] 半導体素子、光スイッチング素子及び量子カスケードレーザ素子2006
- 発明者名
  崔成伯, 吉川明彦, 石谷善博
- 権利者名
  千葉大学学長
- 出願年月日
  2006-06-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[産業財産権] 半導体光素子2006
- 発明者名
  崔成伯, 石谷善博, 吉川明彦
- 権利者名
  千葉大学学長
- 出願年月日
  2006-05-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] Towards fabrication of very thin InN quantum wells in GaN matrix by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Songbek Che
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760007
[学会発表] Towards fabrication of very thin InN quantum wells in GaN matrix by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  S.B.Che
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] 超薄膜InN/GaN量子井戸からの誘導放出2008
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] 超薄膜InN/GaN量子井戸からの誘導放出2008
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760007
[学会発表] 近赤外域光デバイスを目指したInN/InGaN多重量子井戸のシミュレーション、超薄膜InN/GaN量子井戸構造のシミュレーションと半導体レーザ構造への応用2008
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 学会等名
  クロスライトソフトウェアセミナー
- 発表場所
  カナダ大使館
- 年月日
  2008-09-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス2008
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  名古屋工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760007
[学会発表] 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス2008
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  名古屋工業大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] Characterization of one monolayer-thick InN QWs in GaN matrix and their application for light-emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  S.B.Che
- 学会等名
  International symposium on semiconductor light emitting devices 2008
- 発表場所
  Arizona, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] InN:state of the art- advances in epitaxy control, p-type doping, and novel nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, Y.Ishitani, S.B.Che, X.Wang
- 学会等名
  Plenary talk in International workshop on nitride semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] Characterization of onemonolayer-thick InN QWs in GaN matrix and their application for light-emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  Songbek Che
- 学会等名
  International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED 2008)
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760007
[学会発表] One monolayer-thick InN QWs in GaN matrix and their application for light-emitting devices2008
- 著者名/発表者名
  S. B. Che
- 学会等名
  Workshops on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  Hakone, Kanagawa, Japan
- 年月日
  2008-03-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] One monolayer InN quantum wells in GaN matrix and Their application for visible light emitters2007
- 著者名/発表者名
  S. B. Che
- 学会等名
  International Workshop on Advanced Photonic, Electronic, and Energy-Related Materials and Devices
- 発表場所
  Jeonju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] Optical Emission Properties of InN/In0.7Ga0.3N Multi-Quantum Wells on Bulk-GaN Substrates2007
- 著者名/発表者名
  S. B. Che
- 学会等名
  The 7th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] 高密度光励起によるInN/InGaN多重量子井戸構造の光学特性評価2007
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] Study on p-type dopability and polarity inversion in Mg-doped In-polar InN2007
- 著者名/発表者名
  X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa
- 学会等名
  7^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] MBEによるInNの高品質エピタキシャル成長制御と物性制御」-"1分子層"InNナノ構造制御とその光デバイス応用について-2007
- 著者名/発表者名
  崔成伯
- 学会等名
  プレISGN-2シンポジウム「未来を切り開く窒化物半導体結晶」
- 発表場所
  田町キャンパスイノベーションセンター
- 年月日
  2007-12-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002
[学会発表] 1.55μm emission from In-polarity InN/In_<0.7>Ga_<0.3>N multi-quantum wells at room temperature2006
- 著者名/発表者名
  S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 他2名
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069002

1. 吉川明彦 (20016603)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 41件
2. 石谷善博 (60291481)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 39件
3. 草部一秀 (40339106)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 賈岸偉 (90280916)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 岡本保 (80233378)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

崔 成伯 Che Songbek

研究課題

研究成果

共同研究者

1〜2分子層窒化インジウムナノ構造を用いた新規窒化物緑色半導体レーザの開拓研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極広域分光による窒化物半導体ナノデバイス構造の精密評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

六方晶系ワイドギャップ化合物半導体の極性制御による光電子物性の飛躍的改善の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 月刊ディスプレイ2009年2月号特集2 : 「LEDとデバイス技術」、「窒化インジウム系ナノ構造発光デバイスの技術開発」2009

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Carrier recombination processes in In-polar n-InN in regions of low residual electron density2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Advances in InN epitaxy and its material control by MBE towards novel InN-based QWs2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Fabrication of Asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN Quantum-Well Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum-Confined Stark Effect in the Blue-Green Region2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Fabrication of asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN quantum-well light emitting diodes for reducing the quantum-confined Stark effect in the blue-green region2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Fabrication of Asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN Quantum-well Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum-Confined Stark Effect in the Blue-green Region2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Hole mobility in Mg-doped p-type InN films2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Anisotropic damping of longitudinal optical phonon-plasmon coupling modes of InN films2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of electron distribution in InN films on infrared reflectance spectrum of longitudinal optical phonon-plasmon interaction region2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

崔成伯 Che Songbek