小椋厚志 OGURA ATSUSHI

研究者番号	00386418
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 明治大学, 理工学部, 専任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度: 明治大学, 公私立大学の部局等, 教授 2012年度 – 2016年度: 明治大学, 理工学部, 教授 2009年度: 明治大学, 理工学部, 教授 2007年度 – 2008年度: 明治大学, 理工学部, 准教授
審査区分/研究分野	研究代表者理工系 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電力工学・電力変換・電気機器
キーワード	研究代表者物性実験 / マイコロナノデバイス / 半導体物性 / フォノン変形ポテンシャル / 異方性歪 / 有限要素法 / 歪 / 応力 / 電気・電子材料 / 国際情報交換 … もっと見る / 有限差分時間領域法（FDTD） / 有限要素法（FEM / 表面増強ラマン分光法 / 電子・電気材料 / 第一原理計算（ab initio） / 有限要素法（FEM） / フォノン変形ポテンシャル（PDPs） / 液浸ラマン分光法 / 応力・歪 / SiGe … もっと見る研究代表者以外分子 / 水素貯蔵 / 貯蔵 / 変換 / 発生 / 電気エネルギー / 太陽光発電 / 自然エネルギー / 燃料電池 / 天然由来分子 / エネルギー貯蔵 / 再生可能エネルギー / 太陽電池隠す

天然化合物をベースとした水素キャリアに関する研究
- 研究代表者
  
  大下祥雄
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  豊田工業大学
超薄膜ＧｅおよびＳｉＧｅの極微小領域に導入された歪場のラマン分光法による多軸解析研究代表者
- 研究代表者
  
  小椋厚志
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  明治大学
LSIプロセスによりシリコン結晶に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小椋厚志
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  明治大学
シリコン最表面の微小領域に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小椋厚志
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  明治大学

すべて 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2010 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectrosopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, and A. Ogura
- 出版者
  InTech, Croatia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] In-Plane Biaxial Strain Evaluation Induced in Ge1-XSnx Films Using Oil-Immersion Raman Spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  K. Takeuchi, K. Suda, R. Suzuki, R. Yokogawa, N. Sawamoto, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 75 号: 8 ページ: 589-597
- DOI
  10.1149/07508.0589ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Examination of phonon deformation potentials for accurate strain measurements in silicon-germanium alloys with the whole composition range by Raman spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, S. Yamamoto, K. Takeuchi, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 2 ページ: 026602-026602
- DOI
  10.7567/jjap.55.026602
- NAID
  210000146043
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Origin of additional broad peaks in Raman spectra　from thin germanium-rich silicon-germanium films2016
- 著者名/発表者名
  Kazuma Takeuchi、Daisuke Kosemura, Ryo Yokogawa, Koji Usuda, and Atsushi Ogura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 7 ページ: 071301-071301
- DOI
  10.7567/apex.9.071301
- NAID
  210000137963
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Biaxial stress evaluation in GeSn film epitaxially grown on Ge substrate by oil-immersion Raman spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  Kazuma Takeuchi, Kohei Suda, Ryo Yokogawa, Koji Usuda, Naomi Sawamoto and Atsushi Ogura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. App. Phys.
  
  巻: 55 号: 9 ページ: 095502-095502
- DOI
  10.7567/jjap.55.095502
- NAID
  210000147055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 66 号: 4 ページ: 39-45
- DOI
  10.1149/06604.0039ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Biaxial Stress Evaluation in SiGe Epitaxially Grown on Ge Substrate by oil-immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  K. Takeuchi, D. Kosemura, S. Yamamoto, M. Tomita, K. Usuda, N. Sawamoto, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 69 号: 10 ページ: 81-87
- DOI
  10.1149/06910.0081ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Anisotropic strain evaluation in the finite Si area by surface plasmon enhanced Raman spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  A. Ogura and D. Kosemura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 64 号: 6 ページ: 67-77
- DOI
  10.1149/06406.0067ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125, KAKENHI-PROJECT-25790049
[雑誌論文] Electrical field analysis of　metal-surface plasmon resonance using a biaxially strained Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura,Siti Norhidayah binti CheMohd Yusoff and Atsushi Ogura
- 雑誌名
  
  J. Raman Spectrosc.
  
  巻: 45 号: 6 ページ: 414-417
- DOI
  10.1002/jrs.4478
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125, KAKENHI-PROJECT-25790049
[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, D. Kosemura, M. Tomita, S. Che Mohd Yusoff, T. Kijima, R. Imai, K. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 64 号: 6 ページ: 841-847
- DOI
  10.1149/06406.0841ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10247, KAKENHI-PROJECT-24360125, KAKENHI-PROJECT-25790049
[雑誌論文] 高分解能ラマン分光測定による最先端LSIのひずみ評価2013
- 著者名/発表者名
  小椋厚志、小瀬村大亮
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 82 ページ: 317-321
- NAID
  10031159922
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Measurement of Anisotropic Biaxial Stresses in Sil-xGex /Si Mesa Structures bu Oil-Immersion Raman Spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  D. Kosenura, M. Tonita. K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 4S ページ: 04CA05-04CA05
- DOI
  10.7567/jjap.52.04ca05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10247, KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Stress evaluation in thin strained-Si film by polarized Raman spectroscopy using localized surface plasmon resonance2012
- 著者名/発表者名
  Hiroki Hashiguchi, Munehisa Takei
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 101 号: 17
- DOI
  10.1063/1.4761959
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J09826, KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Investigation of Phonon DeformationPotentials in Si_<1_x>Ge_x by Oil-ImmersionRaman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 111301-111301
- DOI
  10.1143/apex.5.111301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic StrainRelaxation in Strained Silicon-on-Insulator Nanostructure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, and A.Ogura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of AppliedPhysics
  
  巻: 51 号: 2S ページ: 02BA03-02BA03
- DOI
  10.1143/jjap.51.02ba03
- NAID
  210000140194
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Channel Strain Measurement in 32-nm-Node Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  Munehisa Takei
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 4S ページ: 04DA04-04DA04
- DOI
  10.1143/jjap.51.04da04
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J09826, KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] A Comparative Study of Nitrogen Gas Flow Ratio Dependence on the Electrical Characteristics of Sputtered Titanium Nitride Gate Bulk Planar Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors and Fin-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2009
- 著者名/発表者名
  Tetsuro Hayashida, Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066790
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Study on the Degradation of p-n Diode Characteristics Caused by Small Angle Grain Boundary in Multi-Crystalline Silicon Substrate for Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  Tomihisa Tabana, Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 48
- NAID
  210000067693
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Improvement of CVD SiO2 by Post Deposition Microwave Plasma Treatment2009
- 著者名/発表者名
  Kohki Nagata, A.Ogura, 他
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19
  
  ページ: 55-66
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Evaluation of super-critical thickness strained-Si on insulator (sc-SSOI) substrate2009
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  Study of Strain Induction for Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors using Transparent Dummy Gates and Stress Liners 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] UV-Raman Spectroscopy Study on SiO2/Si Interface2009
- 著者名/発表者名
  Maki Hattori, Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 45-51
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Evaluation of local strain in Si using UV-Raman spectroscopy2009
- 著者名/発表者名
  Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering B 159-160
  
  ページ: 206-211
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Channel-Stress Enhancement for Scaled pMOSFETs by using Damascene Gate with Top-Cut Compressive Stress Liner and eSiGe2009
- 著者名/発表者名
  Satoru Mayuzumi, Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices 56
  
  ページ: 620-626
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Nitrogen Gas Flow Ratio and Rapid Thermal Annealing Tempera ture Dependences of Sputtered Titanium Nitride Gate Work Func tion and Their Effect on Device Characteristics2008
- 著者名/発表者名
  Yongxun Liu, Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2433-2437
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] UV-ラマン分光法によるSiの高空間分解能ひずみ評価2008
- 著者名/発表者名
  小椋厚志
- 雑誌名
  
  応用物理 77(校正中)
- NAID
  10024191821
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026013
[雑誌論文] W-CVD using(i-C3H7C5H4)2WH22008
- 著者名/発表者名
  A. Ogura, 他
- 雑誌名
  
  J. Vacume Science & Tech. 26
  
  ページ: 561-564
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Evaluation of Si_3N_4/Si interface by UV Raman spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 254
  
  ページ: 6229-6231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Characterization of Strain for High Performance Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor2008
- 著者名/発表者名
  Disuke Kosemura, Atsushi Ogurat
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2538-2543
- NAID
  210000064529
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Evaluation of super-critical thickness strained-Si on insulator (sc-SSOI) substrate2008
- 著者名/発表者名
  Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics. 52
  
  ページ: 1845-1848
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Evaluation and Control of Strain in Si Induced by Patterned Si N Stressor2008
- 著者名/発表者名
  Atsushi Ogura, 他
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters 12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[雑誌論文] Evaluation of Si_3N_4/Si interface by UV Raman spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  A. Ogura, T. Yoshida, 他
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science (校正中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026013
[産業財産権] アニール装置及びこれを用いたアニール方法2009
- 発明者名
  小椋厚志
- 権利者名
  明治大学
- 取得年月日
  2009-04-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] X線回折によるGe1-xSnx薄膜の組成深さ分布非破壊測定2017
- 著者名/発表者名
  廣沢一郎、須田耕平, 澤本直美, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 小椋厚志
- 学会等名
  第30回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  柏
- 年月日
  2017-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 選択的イオン注入法で作製した一軸性歪Geの異方性応力評価2016
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、武内一真、小瀬村大亮、此島詩織、澤野憲太郎、小椋厚志
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演
- 発表場所
  東京工業大学、東京
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] In-Plane Biaxial Strain Evaluation Induced in Ge1-XSnx Films Using Oil-Immersion Raman Spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  K. Takeuchi, K. Suda, R. Suzuki, R. Yokogawa, N. Sawamoto, K. Usuda, and A. Ogura
- 学会等名
  230th ECS Meeting/Passific Rim Meeting 2016
- 発表場所
  Honolulu, HI
- 年月日
  2016-10-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Anisotropic Strain Evaluation Induced in Group IV Materials using Liquid-Immersion Raman Spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  A. Ogura, and D. Kosemura
- 学会等名
  16th International Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2016-05-10
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] SiGe薄膜のラマンスペクトルに見られるブロードピークの起源の検討2016
- 著者名/発表者名
  武内一真、小瀬村大亮、横川凌、澤本直美、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内のフォノン再現に関する考察2016
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小椋厚志、渡邉孝信
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演
- 発表場所
  東京工業大学、東京
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 液浸ラマン分光法による歪Ge1-xSnxのフォノン変形ポテンシャル導出2016
- 著者名/発表者名
  武内一真、須田耕平、山本章太郎、横川凌、小椋厚志
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学、東京
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 液浸ラマン分光法によるSi基板上歪Si:C薄膜に印加された応力評価2016
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、武内一真、石原聖也、小椋厚志
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学、東京
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性2軸応力評価2016
- 著者名/発表者名
  村上達海、武内一真、横川凌、須田耕平、石原聖也、小椋厚志
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟
- 年月日
  2016-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Biaxial Stress Evaluation in SiGe Epitaxially Grown on Ge Substrate by oil-immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  K. Takeuchi, D. Kosemura, S. Yamamoto, M. Tomita, K. Usuda, N. Sawamoto, and A. Ogura
- 学会等名
  228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona
- 年月日
  2015-10-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 液浸ラマン分光法によるGe基板上Ge1-xSnx薄膜の応力評価2015
- 著者名/発表者名
  武内一真、山本章太郎、横川凌、澤本直美、須田耕平、石原聖也、小椋厚志
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場、愛知
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 高Ge濃度SiGeにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出2015
- 著者名/発表者名
  武内一真、小瀬村大亮, 山本章太郎, 富田基裕, 臼田宏治, 小椋厚志
- 学会等名
  第６2回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
- 学会等名
  227th ECS Meeting
- 発表場所
  Chicago, Illinois
- 年月日
  2015-05-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] EBSP法を用いた微細な全Ge濃度域における歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布の評価2015
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮, 臼田宏治, 小椋厚志
- 学会等名
  第６2回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] EBSP法を用いたSiGe/Geナノワイヤー構造に生じる応力緩和分布の高空間分解能測定2015
- 著者名/発表者名
  富田基裕、武内一真、山本章太郎、小瀬村大亮、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場、愛知
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内の原子間ポテンシャルに関する考察2015
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小椋厚志、渡邉孝信
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場、愛知
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 高Ge濃度歪SiGeメサ構造に印加された異方性2軸応力評価2015
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、武内一真, 富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏冶, 小椋厚志
- 学会等名
  第６2回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, D. Kosemura, S. N. C.M.Yusoff, T. Kijima, R. Imai, K. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Usuda, and A. Ogura
- 学会等名
  2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Stress Relaxation in Strained SiGe Wire by Two-dimensional Super-resolution Raman S2014
- 著者名/発表者名
  Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Tsutomu Tezuka, Atsushi Ogura
- 学会等名
  24nd International Conference on Raman Spectroscopy (23rd ICORS)
- 発表場所
  Yena, Germany
- 年月日
  2014-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 液浸ラマン分光法を用いた TO/LOフォノンスペクトル励起による高 Ge濃度歪 SiGe メサ構造の異方性 2 軸応力緩和の観測2014
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮，富田基裕，武内一真，横川　凌，臼田宏冶，小椋厚志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Anisotropoic Strain Evaluation in the Finite Si Area by Surface Plasmon Enhanced Raman Spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  A. Ogura and D. Kosemura
- 学会等名
  2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] EBSP 法を用いた微細な歪 SiGe メサ構造に生じる応力緩和分布の Ge 濃度依存性評価2014
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮，臼田宏治，小椋厚志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪 SiGe/Siの異方性 2軸応力評価2014
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮，富田基裕，武内一真，横川　凌，米倉瑛介，澤野憲太郎，野平博司，小椋厚志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] プラズマ励起ALD SiN 膜構造における応力評価2013
- 著者名/発表者名
  長坂将也、永田晃基、山口拓也、小椋厚志、陰地宏、孫珍永、広沢一郎、渡部佳優、廣田良浩
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 舳構造歪SiGe層に生じる応力緩和分布のテンソル評価2013
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  舳構造歪SiGe層に生じる応力緩和分布のテンソル評価
- 発表場所
  神奈川県
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 学会等名
  nternational Conference on Raman Spectroscopy
- 発表場所
  Bangalore, India
- 年月日
  2012-08-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 有限要素法による微細構造歪SSOI層の応力緩和に対する膜厚依存性の評価2012
- 著者名/発表者名
  富田基裕,小瀬村大亮,臼田宏治,手塚勉,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Anisotropic Biaxial Stress Evaluation in SiGe/Si Mesa Structures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, MダTomita, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion hman method2012
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, A. Ogura, and T. Tezuka
- 学会等名
  International SiGe Technology and Deice Meeting
- 発表場所
  Berkeley, CA
- 年月日
  2012-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] ラマン分光法による超薄膜SOIフォノン閉じ込めの評価2012
- 著者名/発表者名
  武井宗久,橋口裕樹,小瀬村大亮,内藤大明。黒澤裕也,内田健,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation2012
- 著者名/発表者名
  M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Strain relaxation at mesa edge of strained SiGe layer on Si by oil-immersion Raman spectroscopy, NBD, and FEM simulation2012
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, A. Ogura, and T. Tezuka
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 局所表面プラズモン共鳴を用いたラマン分光法による歪Si基板の応力評価2012
- 著者名/発表者名
  橋口裕樹,武井宗久,小瀬村大亮,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] EBSP法を用いたSiGe/Siメサ構造における異方性応力緩和評価2012
- 著者名/発表者名
  長坂将也,富田基裕,小瀬村大亮,臼田宏治,手塚勉,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] TO phonon Excitation using Surface Enhanced Raman Scattering for Stress Evaluation2012
- 著者名/発表者名
  H. Hashiguchi, M. Takei, D. Kosemura, and A. Ogura
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] High-mobility and Low-parasitic Resistance Characteristics in Strained Ge Nanowire pMOSFETs with Metal Source/Drain Structure Formed by Doping-free Processes2012
- 著者名/発表者名
  K. Ikeda, M. Ono, D. Kosemura, K. Usuda, M. Oda, Y. Kamimuta, T. Irisawa, Y. Moriyama, A. Ogura, and T. Teuka
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology and Circuit
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- 年月日
  2012-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Strain Evaluation in the State-of-・the-art CMOS Devices2012
- 著者名/発表者名
  A. Ogura
- 学会等名
  Annual World Congress ofNano-S&T 2012
- 発表場所
  Qingdao, China(招待講演)
- 年月日
  2012-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 微細構造Sil-xGexに印加された異方性応力の加工形状およびGe濃度依存性2012
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮,富田基裕,臼田宏治,手塚勉,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP2012
- 著者名/発表者名
  M. Tomita, M. Nagasaka, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka。and A. Ogura
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Material
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] SSOI微細構造における異方性応力緩和の膜羣依存性評価2012
- 著者名/発表者名
  シテイノルヒダヤーチェモハマドユソフ,富田基裕,小瀬村大亮,臼田宏治,手塚勉,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Raman Spectroscopy for strain measurement in state-of-the-art LSI2012
- 著者名/発表者名
  A. Ogura
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto, Japan(招待講演)
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 高NA、油浸ラマン分光によるメサ分離ひずみSGOI層の異方性ひずみ評価2012
- 著者名/発表者名
  臼田宏治,小瀬村大亮,富田基裕,小椋厚志,手塚勉
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Polarization Dependence of Intensity from Strained Si on Insulator in Tip-Enhanced Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D, Kosemura, J. M. Atkin, S. Berweger, R. L. Olmon, M. B. Raschke, and A. Ogura
- 学会等名
  International Conference on Raman Spectroscopy
- 発表場所
  Bangalore, India
- 年月日
  2012-08-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Material Exploration of ZrO2-Based Dielectric Thin Films for DRAM Capacitors by Composition-Spread Film Method2010
- 著者名/発表者名
  Yuji Kiyota, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  The 4th Global COE International Symposium on "Practical Chemical Wisdom"～ Joint Symposium with MANA, NIMS ～Advanced Materials Design at Nano-and Mesoscales toward Practical Chemical Wisdom
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2010-01-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] UV-Raman spectroscopy study on SiO2/Si interface2009
- 著者名/発表者名
  Maki Hattori, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  215th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Improvement of CVD SiO2 by post deposition microwave plasma treatment2009
- 著者名/発表者名
  Kouki Nagata, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  215th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2009-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Observation of Two-Dimensional Distribution of Lattice Inclination and Strain in Strained Si Wafers by Synchrotron X-Ray Topography2009
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  13th International Conference on Defects -Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIPXIII)
- 発表場所
  Wheering, West Virginia
- 年月日
  2009-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] GeSbTe-thin film formation by CVD for next generation memory(PCRAM : Phase Change RAM) materials2009
- 著者名/発表者名
  Hideaki Machida, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 19th Asian Session
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Channel Strain Analysis in Damascene-gate pMOSFETs on Si (100) and (110) Substrate by Conventional and Cross-sectional Raman Spectroscopy2009
- 著者名/発表者名
  Munehisa Takei, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  2009 Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Impact of adequate selection of channel direction on(001) and (110) waferorientation for strained nanowire transistors2009
- 著者名/発表者名
  A.Seike, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Electron-phonon Scattering Effect on Strained Si Nanowire FETs at Low Temperature2009
- 著者名/発表者名
  I.Tsuchida, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  216th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 年月日
  2009-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Evaluation of Multi-crystalline Silicon Substrates for Solar Cells by Raman Spectroscopy2009
- 著者名/発表者名
  Tomihisa Tachibana, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  216th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 年月日
  2009-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Demonstration of Transconductance Enhancement on (110) and (100) Strained-nanowire FETs2009
- 著者名/発表者名
  A.Seike, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  216th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 年月日
  2009-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Photoluminescence analysis of impurity precipitation on small angle grain boundaries in multi-crystalline Silicon2009
- 著者名/発表者名
  Michio Tajima, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  20th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules : Materials and Processes
- 発表場所
  Vail, Co
- 年月日
  2009-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Experimental investigation of electron-phonon scattering effect2009
- 著者名/発表者名
  I.Tsuchida, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Recombination velocities at grain boundaries in polycrystalline silicon2009
- 著者名/発表者名
  Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  19th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules : Materials and Processes
- 発表場所
  Vail, Co
- 年月日
  2009-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Superiority of ALD TiN with TDMAT Precursor for Metal-Gate MOSFET2009
- 著者名/発表者名
  Tetsurou Hayashida, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Evaluation of Strain and Crystal Quality in Si during Shallow Trench Isolation Process Using UV-Raman Spectroscopy2009
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  13th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
- 発表場所
  Wheering, West Virginia
- 年月日
  2009-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] HAX-PES Study of SiN Film for Charge Storage Layer in High Performance SONOS Type Flash Memory Cell2009
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Evaluation of interfacial Layer for Restraint of Fermi Level Pinning2009
- 著者名/発表者名
  Yuta Iwashita, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2009-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Channel Strain Analysis in High Performance Damascene-gate pMOSFETs by High Spatial Resolution Raman Spectroscopy2009
- 著者名/発表者名
  Munehisa Takei, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Detail analysis of Σ9 grain boundaries in multi-crystalline silicon substrates for solar cell2009
- 著者名/発表者名
  Junichi Masuda, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  19th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules : Materials and Processes
- 発表場所
  Vail, Co
- 年月日
  2009-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Evaluation of anisotropic biaxial stress using an immersion Evaluation of anisotropic biaxial stress using an immersion lens by Raman analysis based on the polarization rules2009
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Evaluation of multi-crystalline silicon substrates for solar cells by Raman spectroscopy2009
- 著者名/発表者名
  Michio Tajima, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  13th Intemational Conference on Defects -Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIPXIII)
- 発表場所
  Wheering, West Virginia
- 年月日
  2009-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Investigation of Structural Defects in Strained Si Wafers by Syn chrotron X-rav Tonoeranhv2008
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Shimura, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Evaluation of multi-crystalline silicon substrates with p-n diode array2008
- 著者名/発表者名
  T. Tachibana, A. Ogura, 他
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
- 発表場所
  Denver, USA
- 年月日
  2008-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Micro-Raman study of channel strain in high performance pFE Ts with compressive stress liner and eSiGe using damascene gate technolog2008
- 著者名/発表者名
  M. Takei, A. Ogura, 他
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Study of Stress Effect on Replacement Gate Technology with C ompressive Stress Liner and eSiGe for pFETs2008
- 著者名/発表者名
  S. Yamakawa, A. Ogura, 他
- 学会等名
  2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
- 発表場所
  Hakone, Japan
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] S Evaluation and control of strain in Si induced by patterned Si N stressor2008
- 著者名/発表者名
  H. Saito, A. Ogura, 他
- 学会等名
  213th Electrochemical Society Meeting I
- 発表場所
  Phonix, USA
- 年月日
  2008-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Behaviors of ultra thin SiGe layer by annealing2008
- 著者名/発表者名
  Yu Yamamoto, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] High Spatial Resolution Evaluation of Strain in High-Performance Si MOSFET by UV-Raman Spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, A. Ogura, 他
- 学会等名
  21th International Conference on Raman Spe ctroscopy
- 発表場所
  Uxbridge, Great Britein
- 年月日
  2008-08-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Evaluation of local strain in Si using UV-Raman spectro scopy2008
- 著者名/発表者名
  Atsushi Ogura
- 学会等名
  Euro-MRS 2008, Symposium on Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications,
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2008-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] SiN膜により導入された歪の熱処理特性の評価2008
- 著者名/発表者名
  斉藤博之、小椋厚志, 他
- 学会等名
  春季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋校
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026013
[学会発表] The in-situ measurement of thermal expansion coefficient of thin SiGe layer on Si (001) by XRD2008
- 著者名/発表者名
  Hirotaka Kurozaki, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Suppression of SiC Surface Roughening during High Temperatur e Annealing by Atmospheric Control2008
- 著者名/発表者名
  S. Kinoshita, A. Ogura, 他
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Channel-Stress Study on Gate-Size Effects for Damascene-Gate p MOSFETs with Top-Cut Compressive Stress Liner and eSiGe2008
- 著者名/発表者名
  S. Mayuzumi, A. Ogura, 他
- 学会等名
  2008 Symposium on VLSI Technology and c ircuit.
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Study on Stress Memorization by Argon Implantation and Annea ling2008
- 著者名/発表者名
  M. Hino, A. Ogura, 他
- 学会等名
  214th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Application of Synchrotron X-ray Diffraction2008
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, A. Ogura, 他
- 学会等名
  213th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Phonix, USA
- 年月日
  2008-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] New Analysis of Heavily Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-ray Photoelectron Spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, A. Ogura, 他
- 学会等名
  ESSDERC2008
- 発表場所
  Edinburgh, Great Britein
- 年月日
  2008-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] A Comparative Study of the Electrical Characteristics of Sputter ed TiN. Gate Planar MOSFETs and FinFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Hayashida, A. Ogura, 他
- 学会等名
  2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices : Scieince and Technology
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2008-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Chemical Vapor deposition using Pt (PF3) 4 and Ni (PF3) 42008
- 著者名/発表者名
  M. Ishikawa, A. Ogura, 他
- 学会等名
  213th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Phonix, USA
- 年月日
  2008-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] 透明ダミーゲートを有したMOSFETチャネル領域に導入された歪のUVラマン解析2008
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮、小椋厚志, 他
- 学会等名
  春季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋校
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026013
[学会発表] Application of Synchrotron X-ray Diffraction Methods to Gate S tacks of Advanced MOS devices2008
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  213th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Arizona, USA
- 年月日
  2008-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Ion Beam Irradiation to Type IV Collagen for Biologic Reactivity2008
- 著者名/発表者名
  Yuichiro Shiga, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Study of Strain Introduction in the Channel of MOSFET with T ransparent Dummy Gate and Si_3N_4 Stressor2008
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, 他
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Transconductance Enhancement by Utilizing Pattern Depe ndent Oxidation in Silicon Nanowire Field-Effect Transis tors.2008
- 著者名/発表者名
  A. Seike, A. Ogura, 他
- 学会等名
  213th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Phonix, USA
- 年月日
  2008-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Transconductance Enhancement of Strained <110> and <100> S Nanowire Channel Field-Effect Transistors2008
- 著者名/発表者名
  I. Tsuchida, A. Ogura, 他
- 学会等名
  214th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] Evaluation of Transconductance Enhancement of <110> and <100> -Channel Strained Si Nanowire Field-Effect Transistors2008
- 著者名/発表者名
  A. Seike, A. Ogura, 他
- 学会等名
  2008 International Workshop on Dielectric T hin Films for Future ULSI Devices : Scieince and Technology
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2008-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035012
[学会発表] 高移動度LSIに用いられるSiN歪印加膜の密度評価2007
- 著者名/発表者名
  斉藤博之、小椋厚志, 他
- 学会等名
  秋季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026013
[学会発表] SiNパターン膜により導入されたSOI表面の歪分布評価2007
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮、小椋厚志, 他
- 学会等名
  秋季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026013
[学会発表] 液浸ラマン分光法による高Ge濃度圧縮歪SiGeメサ構造/Ge基板からのLO, TOフォノンスペクトルの観測
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮、富田基裕、臼田宏治、手塚勉、小椋厚志
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Analysis of Electrical Field in Surface Enhanced Raman Spectroscopy Using Strained-Si Substrate
- 著者名/発表者名
  シティノルヒダヤーチェモハマドユソフ、小瀬村大亮、木嶋隆浩、小椋厚志
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate
- 著者名/発表者名
  M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, A. Ogura
- 学会等名
  223rd ECS Meeting
- 発表場所
  Tront, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Characterization of Anisotropic Strain Relaxation of Ge-Rich SGOI Nanowire Formed by the Two-Step Ge-Condensation Technique with High-NA and Oil-Immersion Raman Spectroscopy
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, D. Kosemura, K. Ikeda, H. Hashiguti, M. Tomita, A. Ogura, T. Tezuka
- 学会等名
  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Fukuoka、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 高Ge濃度SGOIワイヤーの異方性ひずみ評価
- 著者名/発表者名
  臼田宏治、池田圭司、小瀬村大亮、富田基裕、小椋厚志、手塚勉
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮、シティノルヒダヤーモハマドユソフ、木嶋隆浩、今井亮佑、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第６１回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 有限要素法による異種の構造から導入される重畳応力の評価
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮、小椋厚志
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125

1. 沼澤陽一郎 (50569837)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 澤本直美 (20595087)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
3. 大下祥雄 (10329849)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 廣沢一郎 (00360834)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
5. 小瀬村大亮 (00608284)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 49件
6. 高田俊和 (20500458)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 町田英明 (30535670)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 臼田宏治

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 37件
9. 木村正和

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

小椋 厚志 OGURA ATSUSHI

研究課題

研究成果

共同研究者

天然化合物をベースとした水素キャリアに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超薄膜ＧｅおよびＳｉＧｅの極微小領域に導入された歪場のラマン分光法による多軸解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

LSIプロセスによりシリコン結晶に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコン最表面の微小領域に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[図書] Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectrosopy2012

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] In-Plane Biaxial Strain Evaluation Induced in Ge1-XSnx Films Using Oil-Immersion Raman Spectroscopy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Examination of phonon deformation potentials for accurate strain measurements in silicon-germanium alloys with the whole composition range by Raman spectroscopy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Origin of additional broad peaks in Raman spectra from thin germanium-rich silicon-germanium films2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Biaxial stress evaluation in GeSn film epitaxially grown on Ge substrate by oil-immersion Raman spectroscopy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-immersion Raman Spectroscopy2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Biaxial Stress Evaluation in SiGe Epitaxially Grown on Ge Substrate by oil-immersion Raman Spectroscopy2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Anisotropic strain evaluation in the finite Si area by surface plasmon enhanced Raman spectroscopy2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical field analysis of metal-surface plasmon resonance using a biaxially strained Si substrate2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

小椋厚志 OGURA ATSUSHI

[雑誌論文] Origin of additional broad peaks in Raman spectra　from thin germanium-rich silicon-germanium films2016

[雑誌論文] Electrical field analysis of　metal-surface plasmon resonance using a biaxially strained Si substrate2014