• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

鈴木 秀俊  Suzuki Hidetoshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00387854
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 宮崎大学, 工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度 – 2023年度: 宮崎大学, 工学部, 准教授
2016年度 – 2018年度: 宮崎大学, 工学部, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学
研究代表者以外
デバイス関連化学
キーワード
研究代表者
原子層エピタキシー / 半導体物性 / 結晶成長 / 太陽電池 / 希薄窒化物半導体 / 多接合型太陽電池 / 希薄N化合物 / III-V族化合物半導体 / 逆格子マッピング / X線回折 … もっと見る / 多接合太陽電池 / 超格子 / Dilute Nitride / Photo Reflectance / Atomic Layer Epitaxy / GaAsN / III-V族半導体 / 窒素局在準位 … もっと見る
研究代表者以外
センサー / X線 / ルミネッセンス / X線ルミネッセンス / 硫酸バリウム / イオン価数変化 / X線照射 / X線励起 / フォトルミネッセンス / サマリウム / 蛍光体 / 価数変化 / ホウリン酸塩 / 希土類 / X線検出 / ラジオフォトルミネッセンス 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (13件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  格子不整合エピタキシャル膜における転位異方性が異なる「結晶粒」発生起源の解明研究代表者

    • 研究代表者
      鈴木 秀俊
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      宮崎大学
  •  原子層エピタキシー法を用いた希薄窒化物半導体中の窒素分布三次元制御研究代表者

    • 研究代表者
      鈴木 秀俊
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      宮崎大学
  •  希土類の価数変化を利用した新しいタイプの高分解能X線検出材料の開発

    • 研究代表者
      前田 幸治
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      デバイス関連化学
    • 研究機関
      宮崎大学
  •  原子層エピタキシー法を用いた希薄窒化物半導体の窒素空間分布制御研究代表者

    • 研究代表者
      鈴木 秀俊
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      宮崎大学

すべて 2023 2022 2021 2019 2018 2017 2016

すべて 学会発表

  • [学会発表] Mapping of Dislocation-Related Carrier Nonradiative Recombination in InGaAs Solar Cells Using a Laser Heterodyne Photothermal Displacement Method2023

    • 著者名/発表者名
      Shogo Harada, Tomoki Harada, Hidetoshi Suzuki, Akio Ogura, Mitsuru Imaizumi, Tetsuo Ikari, Atsuhiko Fukuyama
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K04603
  • [学会発表] Effects of the distribution of dislocation glide planes on electrical properties of lattice-mismatched InGaAs solar cells2023

    • 著者名/発表者名
      Hidetoshi Suzuki, Kosei Kurisaki, Akio Ogura, Mitsuru Imaizumi, and Atsuhiko Fukuyama
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K04603
  • [学会発表] 原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価2022

    • 著者名/発表者名
      高木 俊作、河野 将大、中島 凌、鈴木 秀俊
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05346
  • [学会発表] 原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価2022

    • 著者名/発表者名
      高木 俊作、河野 将大、中島 凌、鈴木 秀俊
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05346
  • [学会発表] ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響2021

    • 著者名/発表者名
      中島 凌、河野 将大、峰松 遼、原口 智宏、鈴木 秀俊
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05346
  • [学会発表] ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性2019

    • 著者名/発表者名
      河野 将大、上田 大貴、峰松 遼、原口 智宏、鈴木 秀俊
    • 学会等名
      2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17515
  • [学会発表] ALE法を用いて作製したGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性の関係2018

    • 著者名/発表者名
      河野 将大、上田 大貴、原口 智宏、鈴木 秀俊
    • 学会等名
      第15回「次世代の太陽光システム」シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17515
  • [学会発表] 原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価2017

    • 著者名/発表者名
      上田 大貴、横山 祐貴、原口 智宏、山内 俊浩、鈴木 秀俊
    • 学会等名
      第78回応用物理学界秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17515
  • [学会発表] 原子層エピタキシー法を用いて作製したGaAsN薄膜のN分布と電気特性の関係2017

    • 著者名/発表者名
      吉田和麻、上田 大貴、横山 祐貴、原口 智宏、山内 俊浩、鈴木 秀俊
    • 学会等名
      2017年応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17515
  • [学会発表] 偏光ラマン測定を用いたN分布の異なるGaAsN薄膜の評価2017

    • 著者名/発表者名
      麻生大輝、和田季己、横山祐貴、堀切将、上田大貴、鈴木秀俊
    • 学会等名
      2017年応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17515
  • [学会発表] 偏光ラマン測定を用いたGaAsN薄膜のアニール処理が及ぼす影響の評価2017

    • 著者名/発表者名
      和田 季己、橋本 英明、横山 祐貴、前田 幸治、鈴木 秀俊
    • 学会等名
      第78回応用物理学界秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17515
  • [学会発表] ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響2016

    • 著者名/発表者名
      横山祐貴、堀切将、原口智宏、山内俊浩、鈴木秀俊、碇哲雄、福山敦彦
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟県新潟市朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17515
  • [学会発表] The Influence of Substrate Orientation on Localized Nitrogen State in GaAsN Films Grown on Vicinal GaAs (001) Substrates2016

    • 著者名/発表者名
      M. Horikiri, W. Ding, Y. Yokoyama, H. Suzuki, T. Ikari, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, A. Fukuyama
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba International congress center
    • 年月日
      2016-09-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K17515
  • 1.  前田 幸治 (50219268)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  境 健太郎 (20336291)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  福山 敦彦
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi