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任 寅鎬  INHO Im

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

任 寅縞  INHO Im

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研究者番号 00400408
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2008年度: 東北大, 金属材料研究所, 助教
2007年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助授
2006年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
AFM / SIMS / XPS / RHEED / 低温成長 / ZnO基板 / AlNバッファー層 / ヘテロ界面反応制御
研究代表者以外
MBE / ZnO … もっと見る / surfactant / epitaxial growth / nitride semiconductors / II-VI族化合物 / 窒素 / p型ドーピング / 低温成長 / サーフアクタント / 分子線エピタキシー / 酸化物半導体 / サーファクタント / エピタキシ成長 / 窒化物半導体 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 研究成果

    (2件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  ヘテロ界面制御によるZnO基板上への高品質GaNの低温成長研究代表者

    • 研究代表者
      任 寅鎬
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  サーフアクタントMBEによる高ホール濃度・高品質p-型Zn0の成長技術開発

    • 研究代表者
      八百 隆文
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学

すべて 2007

すべて 学会発表

  • [学会発表] Heterogrowth of GaN films on ZnO substrates using AlN interlayers by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      任寅 鎬、他
    • 学会等名
      25th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Albuquerque, NM, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560007
  • [学会発表] Suppression of interdiffusion at the heterointerface of AlN/ZnO2007

    • 著者名/発表者名
      任寅 鎬、他
    • 学会等名
      7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Las Vegas, Nevada, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560007
  • 1.  花田 貴 (80211481)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  ちょ 明煥 (00361171)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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