根石浩司 NEISHI Koji

研究者番号	00404020
その他のID	https://orcid.org/0000-0003-4088-1829
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度: 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 2007年度 – 2008年度: 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 2006年度: 東北大学, 大学院工学研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者以外構造・機能材料
キーワード	研究代表者以外電解促進拡散 / 対数成長則 / 電界促進拡散 / バリア層 / リフロー / 界面 / 半導体 / 配線 / 薄膜 / 銅合金 … もっと見る / 転位すべり / 破壊 / 双晶 / 変形 / マグネシウム隠す

半導体多層配線のプロセス限界を超越する拡散バリア層の開発原理
- 研究代表者
  
  小池淳一
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  東北大学
マグネシウム合金の変形と破壊に及ぼす変形双晶の役割
- 研究代表者
  
  小池淳一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  東北大学

すべて 2011 2010

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Effects of adsorbed moisture in SiO_2 substrates on the formation of a Mn oxide layer by chemical vapor deposition2011
- 著者名/発表者名
  N.M.Phuong, K.Neishi, Y.Sutou, J.Koike
- 雑誌名
  
  J.Physical Chemistry C
  
  巻: 115 号: 34 ページ: 16731-16738
- DOI
  10.1021/jp201299w
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[雑誌論文] Structure and electronic properties of a Mn oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition2011
- 著者名/発表者名
  V.K.Dixit, K.Neishi, N.Akao, J.Koike
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Device and Materials Reliability
  
  巻: (accepted)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[雑誌論文] Structural and electronic properties of a Mn oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition2011
- 著者名/発表者名
  V.K.Dixit, K.Neishi, N.Akao, J.Koike
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Device and Materials Reliability
  
  巻: 11 号: 2 ページ: 295-302
- DOI
  10.1109/tdmr.2011.2141671
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[雑誌論文] Effects of water desorption from SiO2 substrates on the thickness of manganese oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition2010
- 著者名/発表者名
  K.Matsumoto, K.Neishi, H.Itoh, H.Miyoshi, H.Sato, S.Hosaka, J.Koike
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[産業財産権] 半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器、半導体製造装置及び記憶媒体2010
- 発明者名
  松本賢治、伊藤仁、佐藤浩、小池淳一、根石浩司
- 権利者名
  東北大学、東京エレクトロン
- 出願年月日
  2010-07-12
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[産業財産権] コンタクトプラグ、配線、半導体装置およびコンタクトプラグ形成方法2010
- 発明者名
  根石浩司、小池淳一、柴富昭洋
- 権利者名
  東北大学、先端配線材料研究所
- 産業財産権番号
  2010-016550
- 出願年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[産業財産権] 成膜方法、前処理装置及び処理系統2010
- 発明者名
  松本賢治、保坂重敏、根石浩司、小池淳一
- 権利者名
  東北大学、東京エレクトロン
- 出願年月日
  2010-06-15
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[産業財産権] 成膜方法、前処理装置及び処理系統2010
- 発明者名
  松本賢治、保坂重敏、根石浩司、小池淳一
- 権利者名
  東北大学、東京エレクトロン
- 出願年月日
  2010-06-16
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[産業財産権] 半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器、半導体製造装置及び記憶媒体2010
- 発明者名
  松本賢治、伊藤仁、佐藤浩、小池淳一、根石浩司
- 権利者名
  東北大学、東京エレクトロン
- 出願年月日
  2010-07-27
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[産業財産権] Contact plug structure, semiconductor device, and method for forming contact plug2010
- 発明者名
  小池淳一、柴富昭洋、根石浩司
- 権利者名
  東北大学、先端配線材料研究所
- 出願年月日
  2010-09-07
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[産業財産権] 金属酸化膜の成膜方法、酸化マンガンの成膜方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体2010
- 発明者名
  松本賢治、根石浩司、小池淳一
- 権利者名
  東北大学、東京エレクトロン
- 出願年月日
  2010-09-17
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012
[学会発表] Novel Cu alloy interconnections for advanced semiconductors and displays2010
- 著者名/発表者名
  J.Koike, S.M.Chung, K.Neishi, Y.Sutou
- 学会等名
  2010 i-SEDEX
- 発表場所
  Seoul, Korea(招待)
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22226012

1. 小池淳一 (10261588)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 5件
2. 山崎仁丈 (30292246)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 須藤祐司 (80375196)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
4. 安藤大輔 (50615820)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

根石 浩司 NEISHI Koji

研究課題

研究成果

共同研究者

半導体多層配線のプロセス限界を超越する拡散バリア層の開発原理

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

マグネシウム合金の変形と破壊に及ぼす変形双晶の役割

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effects of adsorbed moisture in SiO_2 substrates on the formation of a Mn oxide layer by chemical vapor deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Structure and electronic properties of a Mn oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Structural and electronic properties of a Mn oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effects of water desorption from SiO2 substrates on the thickness of manganese oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[産業財産権] 半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器、半導体製造装置及び記憶媒体2010

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] コンタクトプラグ、配線、半導体装置およびコンタクトプラグ形成方法2010

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 成膜方法、前処理装置及び処理系統2010

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 成膜方法、前処理装置及び処理系統2010

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器、半導体製造装置及び記憶媒体2010

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] Contact plug structure, semiconductor device, and method for forming contact plug2010

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 金属酸化膜の成膜方法、酸化マンガンの成膜方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体2010

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[学会発表] Novel Cu alloy interconnections for advanced semiconductors and displays2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

根石浩司 NEISHI Koji