高橋光恵 Takahashi Mitsue

研究者番号	00415704
その他のID	https://orcid.org/0000-0003-2639-8742
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 研究員 2007年度: 産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 研究員 2006年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者強誘電体 / 集積回路 / 電子デバイス

低電圧動作強誘電体ゲート不揮発FET作製プロセスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  高橋光恵
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所

すべて学会発表

[学会発表] Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si 強誘電体ゲートトランジスタへのシリコン表面窒化の効果2007
- 著者名/発表者名
  堀内健史、大橋憲太郎、Shouyu Wang、Qiu-Hong Li、高橋光恵、酒井滋樹
- 学会等名
  (社) 日本セラミックス協会北陸支部平成19年度秋季研究発表会
- 発表場所
  金沢工業大学, 石川県
- 年月日
  2007-11-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686032
[学会発表] Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si MFIS FETへのSiN 層挿入の効果2007
- 著者名/発表者名
  堀内健史、高橋光恵、Shouyu Wang、Qiu-Hong Li、齊藤丈靖、大橋憲太郎、酒井滋樹
- 学会等名
  第24回強誘電体応用会議 (FMA-24)
- 発表場所
  コープイン京都, 京都府
- 年月日
  2007-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686032
[学会発表] Pt/SrBiTa209/HfO2/Si強誘電体ゲートトランジスタへのシリコン表面窒化の効果2007
- 著者名/発表者名
  堀内健史, 大橋憲太郎, Shouyu Wang, Qiu-Hong Li, 高橋光恵, 酒井滋樹
- 学会等名
  (社)日本セラミックス協会北陸支部平成19年度秋季研究発表会
- 発表場所
  金沢工業大学,石川県
- 年月日
  2007-11-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686032

1. 堀内健史

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件