海津利行 Kaizu Toshiyuki

研究者番号	00425571
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 電気通信大学, 量子未来創生デバイス開発センター, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2023年度: 京都大学, 産官学連携本部, 特定研究員 2021年度: 神戸大学, 工学研究科, 助教 2016年度 – 2020年度: 神戸大学, 研究基盤センター, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者光物性 / MBE / 窒素ドープシーケンス / 発光波長 / GaAsキャップ温度 / 発光強度向上 / InAs量子ドット / 発光強度 / 長波長発光 / キャップ成長温度 / 窒素ドープ / 量子ドット … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る量子ドット超格子 / InAs量子ドット / 電気光学効果 / テラヘルツ波検知 / 電界センサ / 電界増強構造 / 光導波路構造 / 電気光学係数 / 光導電型デバイス / THｚ発生・検知 / テラヘルツ波デバイス / テラヘルツ波発生 / 電場増強構造 / 光電流特性 / 光Hall効果 / 超高速キャリア緩和 / 光伝導アンテナ（PCA） / 低温成長GaAs / 薄膜・量子構造 / 光物性 / 電子・電気材料 / 光アンプ / 量子ドット / 量子構造 / 薄膜隠す

量子ドット超格子を用いた集積化高感度電界センサの実現
- 研究代表者
  
  和田修
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  神戸大学
量子ドット超格子を用いた光導電型テラヘルツ発生・検知デバイスの実現
- 研究代表者
  
  和田修
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  神戸大学
窒素デルタドープによるGaAs基板上InAs量子ドット発光の1.5μm帯長波長化研究代表者
- 研究代表者
  
  海津利行
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  神戸大学
未踏光周波数帯域を開拓する広帯域偏波無依存光アンプ基盤技術の構築
- 研究代表者
  
  喜多隆
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  神戸大学

すべて 2021 2020 2019 2018 2017 2016

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Polarization-insensitive fiber-to-fiber gain of semiconductor optical amplifier using closely stacked InAs/GaAs quantum dots2020
- 著者名/発表者名
  Kaizu Toshiyuki、Kakutani Tomoya、Akahane Kouichi、Kita Takashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 3 ページ: 032002-032002
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab7060
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[雑誌論文] Wide-wavelength-range control of photoluminescence polarization in closely stacked InAs/GaAs quantum dots2019
- 著者名/発表者名
  Kaizu Toshiyuki、Tajiri Yusuke、Kita Takashi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 125 号: 23 ページ: 234304-234304
- DOI
  10.1063/1.5096411
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04532, KAKENHI-PROJECT-17K06352
[雑誌論文] Spatially resolved electronic structure of an isovalent nitrogen center in GaAs2017
- 著者名/発表者名
  Plantenga R. C.、Kortan V. R.、Kaizu T.、Harada Y.、Kita T.、Flatte M. E.、Koenraad P. M.
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 96 号: 15
- DOI
  10.1103/physrevb.96.155210
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352, KAKENHI-PROJECT-16H04331
[雑誌論文] Two-step photon up-conversion solar cells2017
- 著者名/発表者名
  Asahi Shigeo、Teranishi Haruyuki、Kusaki Kazuki、Kaizu Toshiyuki、Kita Takashi
- 雑誌名
  
  Nature Communications
  
  巻: 8 号: 1 ページ: 14962-14962
- DOI
  10.1038/ncomms14962
- NAID
  120006220826
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[雑誌論文] Two-step photocurrent generation enhanced by miniband formation in InAs/GaAs quantum dot superlattice intermediate-band solar cells2017
- 著者名/発表者名
  Watanabe Sho、Asahi Shigeo、Kada Tomoyuki、Hirao Kazuki、Kaizu Toshiyuki、Harada Yukihiro、Kita Takashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 19 ページ: 193104-193104
- DOI
  10.1063/1.4983288
- NAID
  120006318808
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[雑誌論文] Efficient two-step photocarrier generation in bias-controlled InAs/GaAs quantum dot superlattice intermediate-band solar cells2017
- 著者名/発表者名
  Kada T.、Asahi S.、Kaizu T.、Harada Y.、Tamaki R.、Okada Y.、Kita T.
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 7 号: 1 ページ: 5865-5865
- DOI
  10.1038/s41598-017-05494-8
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352, KAKENHI-PROJECT-26246017
[雑誌論文] Two-step photocurrent generation enhanced by the fundamental-state miniband formation in intermediate-band solar cells using a highly homogeneous InAs/GaAs quantum-dot superlattice2017
- 著者名/発表者名
  Hirao Kazuki、Asahi Shigeo、Kaizu Toshiyuki、Kita Takashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 012301-012301
- DOI
  10.7567/apex.11.012301
- NAID
  210000136065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352, KAKENHI-PROJECT-16H04331
[雑誌論文] Emission-Wavelength Tuning of InAs Quantum Dots Grown on Nitrogen-d-Doped GaAs(001)2016
- 著者名/発表者名
  T. Kaizu, K. Taguchi, and T. Kita
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 119 号: 19 ページ: 1-8
- DOI
  10.1063/1.4951719
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331, KAKENHI-PROJECT-15K13953
[雑誌論文] Polarization Characteristics of Electroluminescence and Net Modal Gain in Highly Stacked InAs/GaAs Quantum-Dot Laser Devices2016
- 著者名/発表者名
  M. Suwa, T. Andachi, T. Kaizu, Y. Harada, and T. Kita
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 120 号: 13 ページ: 1-6
- DOI
  10.1063/1.4964446
- NAID
  120006318806
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331, KAKENHI-PROJECT-15K13953
[雑誌論文] Photocarrier Transport Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells Using Time-of-Flight Spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  T. Tanibuchi, T. Kada, S. Asahi, D. Watanabe, T. Kaizu, Y. Harada, and T. Kita
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 94 号: 19 ページ: 1-9
- DOI
  10.1103/physrevb.94.195313
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331, KAKENHI-PROJECT-14F04733, KAKENHI-PROJECT-15K13953
[学会発表] 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの光学特性評価2021
- 著者名/発表者名
  海津利行, 小濱一晟, 南康夫, 北田貴弘, 原田幸弘, 小島磨, 喜多隆, 和田修
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会(講演予稿集19a-Z23-3, オンライン, 2021年3月19日)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04532
[学会発表] 光電流マッピング法を用いた多重積層InAs/GaAs量子ドット構造光伝導アンテナの電気特性評価2021
- 著者名/発表者名
  南康夫, 中塚玲雄, 北田貴弘, 原田幸弘, 海津利行, 小島磨, 喜多隆, 和田修
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 12p-N303-9, 講演予稿集, p. 12-201, オンライン
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04532
[学会発表] 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの電気特性評価2021
- 著者名/発表者名
  南康夫, 新免歩, 北田貴弘, 原田幸弘, 海津利行, 小島磨, 喜多隆, 和田修
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会(講演予稿集 p. 12-258, オンライン, 2021年3月19日)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04532
[学会発表] 多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの作製2020
- 著者名/発表者名
  海津利行、北田貴弘、南康夫、原田幸弘、小島磨、喜多隆、和田修
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会(上智大学、2020. 3. 12-15)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04532
[学会発表] 近接積層InAs/GaAs量子ドット超格子の1次元電子状態の測定温度依存性2019
- 著者名/発表者名
  海津利行、喜多隆
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Polarization-insensitive optical gain of highly stacked InAs/GaAsquantum dot semiconductor optical amplifier2019
- 著者名/発表者名
  T. Kaizu, T. Kakutani, T. Kita
- 学会等名
  7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures ( Kobe, September 24-27, 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04532
[学会発表] 多重積層InAs/GaAs量子ドット光増幅器の偏波無依存光利得2019
- 著者名/発表者名
  海津利行、角谷智哉、喜多隆
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] Polarization-insensitive optical gain of highly stacked InAs/GaAs quantum dot semiconductor optical amplifier2019
- 著者名/発表者名
  Kaizu Toshiyuki、Kakutani Tomoya、Kita Takashi
- 学会等名
  SmiconNano
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] One-dimensional electronic states in highly-stacked InAs/GaAs quantum dot superlattices2019
- 著者名/発表者名
  Kaizu Toshiyuki、Kita Takashi
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] GaAsキャップ温度による窒素ドープGaAs(001)面上InAs量子ドットの発光波長への影響2018
- 著者名/発表者名
  海津利行、上西奈緒人、喜多隆
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] GaAsキャップ温度による窒素ドープGaAs(001)面上InAs量子ドットの発光波長への影響2018
- 著者名/発表者名
  海津利行，上西奈緒人，喜多隆
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] One-Dimensional Electronic States in Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Different Growth Temperatures2018
- 著者名/発表者名
  T. Kaizu, K. Hirao, and T. Kita
- 学会等名
  International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Multiple Stacking of Capping Temperature-Controlled InAs/GaAs Quantum Dots with AlGaAs Barrier Layers for Broadband Emission”2018
- 著者名/発表者名
  T. Kaizu, T. Koike, and T. Kita
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] AlGaAs障壁層を挿入した波長制御InAs/GaAs量子ドットの積層成長2018
- 著者名/発表者名
  海津利行、小池孝彰、喜多隆
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Effects of GaAs-Capping Temperature on The Emission Wavelength of InAs Quantum Dots Grown on Nitrogen-Doped GaAs(001)Surfaces2018
- 著者名/発表者名
  N. Uenishi, T. Kaizu, T. Kita
- 学会等名
  20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Effects of GaAs-capping Temperature on The Emission Wavelength of InAs Quantum Dots Grown on Nitrogen-doped GaAs(001) Surfaces2018
- 著者名/発表者名
  Naoto Uenishi, Toshiyuki Kaizu, and Takashi Kita
- 学会等名
  The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] GaAs中のエピタキシャル窒素膜における反ストークス発光2017
- 著者名/発表者名
  小川泰弘、原田幸弘、海津利行、喜多隆
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] AlGaAs障壁層を挿入した波長制御InAs/GaAs量子ドットの積層成長2017
- 著者名/発表者名
  海津利行、小池　孝彰、喜多　隆
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] InAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池特性のミニバンド形成の効果2017
- 著者名/発表者名
  平尾和輝、朝日重雄、海津利行、喜多隆
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Stokes and Anti-Stokes Photoluminescence in Nitrogen δ-Doped Layer in GaAs2017
- 著者名/発表者名
  Y. Harada, Y. Ogawa, T. Kaizu, and T. Kita
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] One-Dimensional Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice2017
- 著者名/発表者名
  T. Kaizu, and T. Kita
- 学会等名
  International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth -Material Research, Characterization and Imaging by In situ/Operando XAFS and X-ray Techniques-
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Broadband control of polarization characteristics in closely-stacked InAs/GaAs quantum dots2017
- 著者名/発表者名
  Kaizu T.、Tajiri Y.、Kita. T
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] 近接積層InAs/GaAs量子ドットの成長温度による電子状態の変化2017
- 著者名/発表者名
  海津利行、喜多　隆
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] Broadband Control of Polarization Characteristics in Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots2017
- 著者名/発表者名
  T. Kaizu, Y. Tajiri, and T. Kita
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] One-dimensional miniband formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice2017
- 著者名/発表者名
  Kaizu T.、Kita. T
- 学会等名
  International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06352
[学会発表] 近接積層InAs/GaAs量子ドットの成長温度による電子状態の変化2017
- 著者名/発表者名
  海津利行、喜多隆
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] 近接積層InAs/GaAs量子ドットのGaAsスペーサ層膜厚と成長温度による広帯域偏光特性制御（2）2017
- 著者名/発表者名
  海津利行、田尻祐介、喜多隆
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] InAs/GaAs量子ドット超格子を用いた偏波制御型半導体光増幅幅デバイスの基礎特性2017
- 著者名/発表者名
  中廣光、海津敏行、喜多隆、赤羽浩一
- 学会等名
  平成29年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Extended Optical Response of Two-Step Photoexcitation in InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cells2017
- 著者名/発表者名
  K. Hirao, S. Asahi, T. Kaizu, and T. Kita
- 学会等名
  33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Enhancement of Two-Step Photon Absorption Due to Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cell2016
- 著者名/発表者名
  S. Watanabe, S. Asahi, T. Kada, T. Kaizu, Y. Harada, and T. Kita
- 学会等名
  32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Munich（ドイツ）
- 年月日
  2016-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Two-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs2016
- 著者名/発表者名
  Y. Ogawa, Y. Harada, T. Kaizu, and T. Kita
- 学会等名
  2016 Compound Semiconductor Week
- 発表場所
  Toyama International Conference Center（富山県・富山市）
- 年月日
  2016-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Control In-Ga Intermixing in InAs Quantum Dot on Nitrogen d-Doped GaAs2016
- 著者名/発表者名
  T. Kaizu, and T. Kita
- 学会等名
  19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy
- 発表場所
  Montpellier（フランス）
- 年月日
  2016-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Dot-in-Well中間バンド型太陽電池における長い電子寿命の観測2016
- 著者名/発表者名
  寺西陽之、朝日重雄、海津利行、喜多隆
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] GaAs中のデルタドーピング窒化層を利用した光によるフォノン制御2016
- 著者名/発表者名
  小川泰弘、原田幸弘、海津利行、喜多隆
- 学会等名
  第27回光物性研究会(2016)
- 発表場所
  神戸大学（兵庫県・神戸市）
- 年月日
  2016-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] 近接積層InAs/GaAs量子ドットのGaAsスペーサ層膜厚と成長温度による広帯域偏光特性制御2016
- 著者名/発表者名
  海津利行、田尻祐介、喜多隆
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Spatial Electronic Structure of an Isovalent Nitrogen Center in GaAs2016
- 著者名/発表者名
  R. Plantenga, V. Kortan, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, M. Flatte, and P. Koenraad
- 学会等名
  33rd International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Beijing（中華人民共和国）
- 年月日
  2016-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] Thermal Carrier-Escape Process from the Intermediate Band in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells2016
- 著者名/発表者名
  K. Hirao, S. Asahi, S. Watanabe, T. Kaizu, Y. Harada, and T. Kita
- 学会等名
  第35回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県・守山市）
- 年月日
  2016-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] ヘテロ界面を利用した光アップコンバージョン太陽電池の2段階光吸収による大幅な電流増加2016
- 著者名/発表者名
  朝日重雄、寺西陽之、海津利行、喜多隆
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331
[学会発表] GaAs First-Spacer-Layer Thickness Dependence of Polarized Photoluminescence Properties of Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Long-Wavelength Emission2016
- 著者名/発表者名
  Y. Tajiri, T. Kaizu, and T. Kita
- 学会等名
  2016 Compound Semiconductor Week
- 発表場所
  Toyama International Conference Center（富山県・富山市）
- 年月日
  2016-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04331

1. 原田幸弘 (10554355)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 13件
2. 和田修 (90335422)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
3. 小島磨 (00415845)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
4. 南康夫 (60578368)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
5. 喜多隆 (10221186)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 28件
6. 北田貴弘 (90283738)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
7. 赤羽浩一

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

海津 利行 Kaizu Toshiyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

量子ドット超格子を用いた集積化高感度電界センサの実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

量子ドット超格子を用いた光導電型テラヘルツ発生・検知デバイスの実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒素デルタドープによるGaAs基板上InAs量子ドット発光の1.5μm帯長波長化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

未踏光周波数帯域を開拓する広帯域偏波無依存光アンプ基盤技術の構築

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[雑誌論文] Polarization-insensitive fiber-to-fiber gain of semiconductor optical amplifier using closely stacked InAs/GaAs quantum dots2020

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[雑誌論文] Wide-wavelength-range control of photoluminescence polarization in closely stacked InAs/GaAs quantum dots2019

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[雑誌論文] Spatially resolved electronic structure of an isovalent nitrogen center in GaAs2017

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[雑誌論文] Two-step photon up-conversion solar cells2017

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[雑誌論文] Two-step photocurrent generation enhanced by miniband formation in InAs/GaAs quantum dot superlattice intermediate-band solar cells2017

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[雑誌論文] Efficient two-step photocarrier generation in bias-controlled InAs/GaAs quantum dot superlattice intermediate-band solar cells2017

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[雑誌論文] Two-step photocurrent generation enhanced by the fundamental-state miniband formation in intermediate-band solar cells using a highly homogeneous InAs/GaAs quantum-dot superlattice2017

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[雑誌論文] Emission-Wavelength Tuning of InAs Quantum Dots Grown on Nitrogen-d-Doped GaAs(001)2016

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[雑誌論文] Polarization Characteristics of Electroluminescence and Net Modal Gain in Highly Stacked InAs/GaAs Quantum-Dot Laser Devices2016

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[雑誌論文] Photocarrier Transport Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells Using Time-of-Flight Spectroscopy2016

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海津利行 Kaizu Toshiyuki

[学会発表] GaAsキャップ温度による窒素ドープGaAs(001)面上InAs量子ドットの発光波長への影響2018