川津琢也 KAWAZU Takuya

研究者番号	00444076
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主任研究員 2018年度 – 2019年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 2016年度 – 2017年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料拠点, 主任研究員 2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主任研究員 … もっと見る 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主任研究員 2013年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端的共通技術部門先端フォトニクス材料ユニット量子ナノ構造グループ, 主任研究員 2010年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主任研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 小区分30010:結晶工学関連 / ナノマイクロシステム
キーワード	研究代表者量子ドット / 赤外材料・素子 / 量子構造 / 電子デバイス / 電界効果トランジスター / 光起電流 / 半導体 / 高指数面基板 / アルミニウムアンチモン / ガリウムアンチモン … もっと見る / 2次元電子 / ショットキバリア光検出器 / n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合 / 電界効果トランジスタ … もっと見る研究代表者以外 GaAs / 光検出器 / 量子ドット / 転位 / InAs / 結晶成長 / 赤外線センサー / 赤外検出器 / 中赤外光 / 量子井戸 / メタ表面 / メタマテリアル / マイクロ・ナノデバイス / 光通信波長 / GaSb / 光検出 / 単一光子検出 / 分子線エピタキシー / 量子ロッド / 三角障壁 / 光伝導 / 1次元電子 / 量子細線 / 量子ナノ構造 / スピンデバイス / 量子デバイス隠す

格子不整合界面における欠陥を利用した新原理赤外センサー素子に関する研究
- 研究代表者
  
  間野高明
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
光ガルバノ効果を利用した半導体量子構造光AND素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  川津琢也
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
量子井戸・メタ表面の融合による低毒性中赤外検出器の開発
- 研究代表者
  
  宮崎英樹
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  ナノマイクロシステム
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
半導体量子構造における光ガルバノ効果の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  川津琢也
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学
量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学

すべて 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Valence band mixing in GaAs/AlGaAs quantum wells adjacent to self-assembled InAlAs antidots2019
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu
- 雑誌名
  
  Journal of Nanomaterials
  
  巻: 2019 ページ: 1-7
- DOI
  10.1155/2019/5349291
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[雑誌論文] Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor2019
- 著者名/発表者名
  Kawazu Takuya、Noda Takeshi、Sakuma Yoshiki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SI ページ: SIIB05-SIIB05
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0c76
- NAID
  210000156351
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[雑誌論文] Optical AND operation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor2018
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu, Takeshi Noda, and Yoshiki Sakuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 112 号: 7
- DOI
  10.1063/1.5010845
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[雑誌論文] Optical anisotropy of InGaAs quantum dot arrays aligned along multiatomic steps on vicinal GaAs(111)B2017
- 著者名/発表者名
  Kawazu Takuya
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 122 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4996058
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[雑誌論文] Photoinduced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor driven by local illumination in edge regions of Schottky metal gate2017
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, and Y. Sakuma
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 4S ページ: 04CG04-04CG04
- DOI
  10.7567/jjap.56.04cg04
- NAID
  210000147611
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[雑誌論文] Effects of Ga deposition rate and Sb flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs2017
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma, and H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 14 号: 1-2
- DOI
  10.1002/pssc.201600109
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[雑誌論文] Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma and H. Sakaki
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 6 号: 4
- DOI
  10.1063/1.4947464
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095, KAKENHI-PROJECT-26420288
[雑誌論文] Optical anisotropy of InGaAs quantum wire arrays on vicinal (111)B GaAs2016
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120 号: 13
- DOI
  10.1063/1.4964338
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[雑誌論文] Growth and optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots with and without wetting layer2015
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, and H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DH01-04DH01
- DOI
  10.7567/jjap.54.04dh01
- NAID
  210000145025
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289091, KAKENHI-PROJECT-26289095, KAKENHI-PROJECT-26420288
[雑誌論文] Lateral current generation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels by Schottky-barrier gate illumination2015
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma, and H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 106 号: 2
- DOI
  10.1063/1.4905661
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289091, KAKENHI-PROJECT-26289095, KAKENHI-PROJECT-26420288
[雑誌論文] GaAs/AlGaAs quantum wells with indirect-gap AlGaAs barriers for solar cell applications2014
- 著者名/発表者名
  T. Noda, L. M. Otto, M. Elborg, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 104 号: 12
- DOI
  10.1063/1.4869148
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 378 ページ: 475-479
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.11.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-25289091
[雑誌論文] Photo-induced current in n-AlGaAs/ GaAs heterojunction channels driven by local illumination at the edge regions of Hall bar2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 102, 25 号: 25 ページ: 252104-252104
- DOI
  10.1063/1.4812293
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-25289091
[雑誌論文] Fabrication of InAs nanoscale rings by droplet epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 378 ページ: 529-531
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.11.036
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Current-voltage characteristics of GaAs/AlGaAs coupled multiple quantum well solar cells2012
- 著者名/発表者名
  Y. Ding, T. Noda, T. Mano, M. Jo, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J. Appl. Phys
  
  巻: 51, 10 号: 10S ページ: 10ND08-10ND08
- DOI
  10.1143/jjap.51.10nd08
- NAID
  210000141492
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Self-assembly of InAs ring complexes on InP substrates by droplet epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  T. Noda, T. Mano, M. Jo, T. Kawazu, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 112, 6 号: 6
- DOI
  10.1063/1.4752255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Anomalous capacitance-voltage characteristics of GaAs/AlGaAs multiple quantum well solar cells2012
- 著者名/発表者名
  T. Noda, T. Mano, M. Jo, Y. Ding, T. Kawazu, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 51, 10 号: 10S ページ: 10ND07-10ND07
- DOI
  10.1143/jjap.51.10nd07
- NAID
  210000141491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Effects of Sb/As Interdiffusion on Optical Anisotropy of GaSb Quantum Dots in GaAs Grown by Droplet Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu et al.
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 51 号: 11R ページ: 115201-115201
- DOI
  10.1143/jjap.51.115201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360133, KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Optical Anisotropy of GaSb Type-II Nanorods on Vicinal (111)B GaAs2011
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu, et al
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 23
- DOI
  10.1063/1.3665394
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360133, KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Effects of interface grading on electronic states and optical transitions in GaSb type-II quantum dots in GaAs2011
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Japanese J. Appl. Phys
  
  巻: 50 号: 4S ページ: 04DJ06-04DJ06
- DOI
  10.1143/jjap.50.04dj06
- NAID
  210000070360
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Self-assembled growth of GaSb type- II nanorods aligned along quasiperiodic multiatomic steps on vicinal (111)B GaAs2011
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, Y. Akiyama, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 335, 1 号: 1 ページ: 1-3
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.09.016
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Temperature dependence of magnetocapacitance in n-AlGaAs/GaAs selectively doped heterojunction with InGaAs quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  40017294699
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2010
- 著者名/発表者名
  Y.Akiyama, T.Kawazu, T.Noda, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  AIP Conf.Proc Vol.1199
  
  ページ: 265-266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Thermal annealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 雑誌名
  
  Physica E-Low-Dimensional Systems & Nano-structures
  
  巻: 42 ページ: 2742-2744
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Effects of Sb/As intermixing on optical properties of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Temperature dependence of magneto-capacitance in n-AlGaAs/GaAs selectively doped heterojunction with InGaAs quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49, 9
  
  ページ: 90205-90205
- NAID
  40017294699
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Effects of antimony flux on morphology and photo-luminescence spectra of GaSb quantum dots formed on GaAs by droplet epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 雑誌名
  
  J.Nonlinear Optical Physics & Material
  
  巻: 19 ページ: 819-826
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Two different growth modes of GaSb dots on GaAs(100)by droplet epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 311
  
  ページ: 2255-2257
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Growth of GaSb dots on GaAs (100) by droplet epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu
- 雑誌名
  
  Physica status Solidi (b)246, No. 4
  
  ページ: 733-735
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots grown by droplet epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 81911-81911
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Formation of ultra-low density (≦104 cm-2) self-organized InAs quantum dots on GaAs by a modified molecular beam epitaxy method2008
- 著者名/発表者名
  M.Ohmori, T.Kawazu, K.Torii, T.Takahashi, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp. Vol.1
- NAID
  10025080675
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Electron scatterings, in selectively doped n-AlGaAs/GaAsheterojunctions with high density self-assembled InAlAs antidots2008
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Electron scatterings in selectively doped n-AlGaAs/GaAs heterojunctions with high density self-assembled InAlAs antidots2008
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Magneto-capacitance study of an n-AlGaAs/GaAs heterojunction supporting a sizable dc current2008
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi, (c) 5 No.9
  
  ページ: 2879-2881
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Magnetocapacitance measurement of selectively doped n-AlGaAs/GaAs heterojunction with InGaAs quantum dots2008
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.47, (5), pt.1
  
  ページ: 3763-3765
- NAID
  10022549917
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Magnetocapacitance measurement of selectively doped n-AlGaAs/GaAs heterojunction with InGaAs quantum dots2008
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Part 1, Vol. 47, (5), pt. 1
  
  ページ: 3763-3765
- NAID
  10022549917
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Magneto-capacitance study of an n-AlGaAs/GaAs heterojunction supporting a sizable dc current2008
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 5, No. 9
  
  ページ: 2879-2881
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Metamaterial quantum well infrared photodetectors based on plasmon-enhanced intersubband transition2019
- 著者名/発表者名
  H. T. Miyazaki, T. Mano, T. Kasaya, H. Oosato, K. Watanabe, Y. Sugimoto, T. Kawazu, T. Ochiai, Y. Arai, and A. Shigetou
- 学会等名
  the 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02011
[学会発表] Enhancement of Infrared Photo-responses of the Schottky Gate Region of an n-AlGaAs/GaAs Heterojunction FET by a Second Light Illumination2019
- 著者名/発表者名
  Kawazu Takuya、Noda Takeshi、Sakuma Yoshiki
- 学会等名
  The 46th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[学会発表] 局所光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキー光電流増強効果2019
- 著者名/発表者名
  川津琢也，野田武司, 佐久間芳樹
- 学会等名
  第66回応用物理学春季学術講演会(2019年春季)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[学会発表] n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおける光AND演算動作2018
- 著者名/発表者名
  川津琢也，野田武司, 佐久間芳樹
- 学会等名
  第65回応用物理学(2018年春季)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B 基板上に作製したInGaAs量子細線列の光学異方性2018
- 著者名/発表者名
  川津琢也、野田武司、佐久間芳樹
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会(2018年春季)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[学会発表] メタ表面量子井戸赤外線検出器2018
- 著者名/発表者名
  宮崎英樹, 間野高明, 笠谷岳士, 大里啓孝, 渡邉一弘, 杉本喜正, 川津琢也, 新井志大, 重藤暁津
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02011
[学会発表] Temperature Dependence of Schottky Photocurrent for Local Gate Edge Illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs Double-Heterojunction Field-Effect Transistor2018
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu, Takeshi Noda, and Yoshiki Sakuma
- 学会等名
  14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[学会発表] n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキーゲート端照射による光電流生成2017
- 著者名/発表者名
  川津琢也，野田武司, 佐久間芳樹
- 学会等名
  第78回応用物理学(2017年春季)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06364
[学会発表] Ga堆積速度およびSb分子線圧のGaSb量子ドット形成への影響2016
- 著者名/発表者名
  川津琢也、野田武司、佐久間芳樹
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[学会発表] Photoinduced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor driven by local illumination in edge regions of Schottky metal gate2016
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, and Y. Sakuma
- 学会等名
  2016 International Conference on Sｏｌｉｄ Sｔａｔｅ Dｅｖｉｃｅｓａｎｄ　Mａｔｅｒｉａｌｓ (SSDM2016)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[学会発表] Effects of Ga deposition rate and antimony flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs2016
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, and Hiroyuki Sakaki
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor
- 発表場所
  Toyama International Conference Center
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製したGaSbタイプIIナノロッドの光学異方性2016
- 著者名/発表者名
  川津琢也、野田武司、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大　大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[学会発表] ショットキバリアゲート光照射によるn-AlGaAs/GaAs(001) ヘテロ接合チャネルの面内電流生成2015
- 著者名/発表者名
  川津琢也、野田武司、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[学会発表] GaSb/GaAs量子ドットの光学異方性における後熱処理の効果2015
- 著者名/発表者名
  川津琢也，野田武司，佐久間芳樹，榊　裕之
- 学会等名
  第62回応用物理学会（2015年春季)
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[学会発表] 高指数面GaAs基板上のGaSbおよびAlSb量子ドットの成長2014
- 著者名/発表者名
  川津琢也，野田武司，間野高明，佐久間芳樹，榊　裕之
- 学会等名
  第75回応用物理学会（2014年秋季)
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420288
[学会発表] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ACSIN-12 & ICSPM21)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
- 年月日
  2013-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Post-growth anealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe Convention Center, Kobe, Japan
- 年月日
  2013-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 液滴エピタキシーで形成したInAs リングの光学特性2012
- 著者名/発表者名
  野田武司, 間野高明, 定昌史, 川津琢也, 丁毅, 榊裕之
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Fabrication of InAs nanoscale rings by droplet epitaxy and their optical properties2012
- 著者名/発表者名
  T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B 基板上のGaSb タイプII ナノロッドの自己形成2012
- 著者名/発表者名
  川津琢也, 秋山芳広, 野田武司, 間野高明, 佐久間芳樹, 榊裕之
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] GaAs(311)A 基板上のGaSb ドットの成長2012
- 著者名/発表者名
  川津琢也, 野田武司, 間野高明, 佐久間芳樹, 榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A2012
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs 量子ドットの後熱処理効果2011
- 著者名/発表者名
  川津琢也, 野田武司, 間野高明, 佐久間芳樹, 榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Effects of antimony flux on morphology and photoluminescence spectra of GaSb quantum dots formed on GaAs by droplet epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 学会等名
  The International Conference on Nanophotonics 2010
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] GaSb/GaAsタイプII量子ドットにおけるSb/As相互拡散の効果2010
- 著者名/発表者名
  川津琢也
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Effects of interface grading on electronic states and optical transitions in GaSb type-II quantum dots in GaAs2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 学会等名
  2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM 2010)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流2010
- 著者名/発表者名
  秋山芳広、川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Growth of GaSb and InSb Quantum dots on GaAs(311)A by droplet epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu, Japan
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Effects of interface grading on electronic states and optical transitions in GaSb type-II quantum dots in GaAs2010
- 著者名/発表者名
  川津琢也, 榊裕之
- 学会等名
  2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM2010)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの熱アニーリング効果2009
- 著者名/発表者名
  川津琢也
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的電子伝導の温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  秋山芳広, 川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Thermal annealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu
- 学会等名
  The 14<th> International Conf. on Modulated Semiconductor Structures(MSS14)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs タイプII量子ドットの光学特性2008
- 著者名/発表者名
  川津琢也
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2008
- 著者名/発表者名
  秋山芳広, 川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Optical properties of GaSb/GaAs type-II dots by droplet epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Takuya Kawazu
- 学会等名
  2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM2008)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 結合量子ドット太陽電池における電荷蓄積
- 著者名/発表者名
  野田武司、定昌史、間野高明、川津琢也、榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 試料端局所照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの光電流
- 著者名/発表者名
  川津琢也，野田武司，間野高明，佐久間芳樹，榊　裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Evidence of charge accumulation in GaAs/AlGaAs coupled quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki
- 学会等名
  Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Hangzhou, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Interface roughness scattering at AlGaN/GaN heterojunctions
- 著者名/発表者名
  R. Niwa, Y. Akiyama, H. Murayama, H. Sakashita, T. Kawazu,T. Kachi, M. Sugimoto, H. Sakaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012（IWN2012）
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 液滴エピタキシーで形成したInAsリングの光学特性
- 著者名/発表者名
  野田武司、間野高明、定昌史、川津琢也、丁　　毅、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 量子井戸太陽電池を用いた二段階光吸収によるフォトカレント生成
- 著者名/発表者名
  野田武司，間野高明，Martin Elborg，川津琢也，Liyuan Han，榊裕之
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Post-growth anealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] GaAs/AlGaAs多重量子井戸太陽電池のCV特性
- 著者名/発表者名
  野田武司、間野高明、定昌史、川津琢也、丁　　毅、韓礼元、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長
- 著者名/発表者名
  川津琢也、野田武司、間野高明、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの後熱処理効果
- 著者名/発表者名
  川津琢也、野田武司、間野高明、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Anomalous capacitance-voltage characteristics of GaAs/AlGaAs multiple quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, T. Mano, M. Jo, Y. Ding, T. Kawazu, H. Sakaki
- 学会等名
  21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Current-voltage characteristics and their wavelength dependences of GaAs/AlGaAs coupled quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, Y. Ding, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki
- 学会等名
  1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)
- 発表場所
  Brisbane, Australia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B基板上のGaSbタイプIIナノロッドの自己形成
- 著者名/発表者名
  川津琢也、秋山芳広、野田武司、間野高明、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTにおける界面凹凸散乱
- 著者名/発表者名
  丹羽亮介、秋山芳広、村山裕明、坂下大樹、川津琢也、加地徹、杉本雅裕、榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] InP(111)A基板上のInAsドットの液滴エピタキシー
- 著者名/発表者名
  野田武司，間野高明，川津琢也，榊　裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  ACSIN-12 & ICSPM21
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Photocurrent studies of GaAs/AlGaAs coupled quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki
- 学会等名
  EP2DS-20 & MSS-16 (20th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-20) and 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures(MSS-16)
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164

1. 大森雅登 (70454444)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 1件
2. 秋山芳広 (60469773)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 9件
3. PAVEL Vitushinskiy (30545330)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 榊裕之 (90013226)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 45件
5. 野田武司 (90251462)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 34件
6. 宮崎英樹 (10262114)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
7. 間野高明 (60391215)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
8. 石田暢之 (10451444)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 大竹晃浩 (30267398)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 笠谷岳士

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 佐久間芳樹

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

川津 琢也 KAWAZU Takuya

研究課題

研究成果

共同研究者

格子不整合界面における欠陥を利用した新原理赤外センサー素子に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光ガルバノ効果を利用した半導体量子構造光AND素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子井戸・メタ表面の融合による低毒性中赤外検出器の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体量子構造における光ガルバノ効果の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Valence band mixing in GaAs/AlGaAs quantum wells adjacent to self-assembled InAlAs antidots2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Optical AND operation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Optical anisotropy of InGaAs quantum dot arrays aligned along multiatomic steps on vicinal GaAs(111)B2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Photoinduced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor driven by local illumination in edge regions of Schottky metal gate2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Effects of Ga deposition rate and Sb flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Optical anisotropy of InGaAs quantum wire arrays on vicinal (111)B GaAs2016

著者名/発表者名

雑誌名

川津琢也 KAWAZU Takuya