垣内拓大 KAKIUCHI Takuhiro

研究者番号	00508757
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 准教授 2022年度: 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師(特任准教授) 2021年度: 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師 2017年度 – 2019年度: 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師 2015年度: 愛媛大学, 理工学研究科, 講師 … もっと見る 2014年度: 愛媛大学, 大学院理工学研究科, 助教 2011年度 – 2014年度: 愛媛大学, 理工学研究科, 助教 2012年度: 愛媛大学, 大学院・理工学研究科, 助教隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / デバイス関連化学 / 物性Ⅰ / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者高誘電体材料 / 局所価電子状態 / 表面界面 / 二酸化ハフニウム / 表面界面反応 / シンクロトロン放射光 / Si半導体 / 光電子分光法 / 超薄膜 / 光電子分光 … もっと見る / Si(110) / コインシデンス分光 / シリコン半導体 / 金属薄膜酸化 / 放射光軟X線光電子分光 / 表面界面酸化反応 / 高誘電率ゲート絶縁膜材料 / 酸化反応 / ヘテロ界面 / 分子ビーム / X線光電子分光法 / ゲート絶縁膜 / 酸窒化反応 / 量子閉じ込め / 高誘電率材料 / マイクロ・ナノデバイス / オージェ電子分光法 / 光電子-オージェ電子コインシデンス分光法 / 酸化ハフニウム超薄膜 / 酸化ダイナミクス / ハフニウムシリサイド / 時間分解光電子分光法 / 表面界面反応追跡 / 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ / 表面化学反応 / 酸化反応ダイナミクス / コインシデンス分光法 / 金属半導体ヘテロ界面 / 酸化ハフニウム / 表面界面物性 / シングルドメイン / MOS-FET / 高誘電体 / 半導体 / 界面物性 / 表面物性 / 薄膜 / photoelectron / Auger electron / HfO2 / coincidence spectroscopy / 微細加工 / 省エネルギー / 水素 / ハフニウム / 高誘電体超薄膜 / オージェ電子-光電子コインシデンス分光 / シリコン … もっと見る研究代表者以外電子励起誘起イオン脱離 / 半導体表面 / 吸着分子 / 半導体 / コインシデンス分光 / オージェ電子分光 / 光電子分光 / 電子励起ダイナミクス / 局所電子状態 / 表面隠す

金属（Hf・Zr）／Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  垣内拓大
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  愛媛大学
凹凸あるSi表面でのhigh-k材料超薄膜の成長過程とその低次元物性発現の観測研究代表者
- 研究代表者
  
  垣内拓大
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  デバイス関連化学
- 研究機関
  愛媛大学
不活性Si(110)表面の1次元構造を利用した高誘電体超薄膜作製と薄膜物性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  垣内拓大
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  愛媛大学
分子／半導体表面の個々の原子サイトを選別した局所電子状態、電子励起ダイナミクス
- 研究代表者
  
  間瀬一彦
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
金属・金属酸化物高誘電体超薄膜の表面界面近傍に特異な局所価電子状態の定量的観測研究代表者
- 研究代表者
  
  垣内拓大
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  愛媛大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2016 2015 2014 2013 2012 2011 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Oxidation Mechanisms of Hafnium Overlayers Deposited on an Si(111) Substrate2022
- 著者名/発表者名
  Kakiuchi Takuhiro、Matoba Tomoki、Koyama Daisuke、Yamamoto Yuki、Yoshigoe Akitaka
- 雑誌名
  
  Langmuir
  
  巻: 38 号: 8 ページ: 2642-2650
- DOI
  10.1021/acs.langmuir.1c02711
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05338, KAKENHI-PROJECT-21K04882
[雑誌論文] Initial oxidation processes of ultrathin hafnium film and hafnium disilicide islands on Si(100)-2 × 1 surfaces studied using core-level X-ray photoelectron spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  Takuhiro Kakiuchi、Hideki Yamasaki、Chie Tsukada、Akitaka Yoshigoe
- 雑誌名
  
  Surface Science
  
  巻: 693 ページ: 121551-121551
- DOI
  10.1016/j.susc.2019.121551
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06030
[雑誌論文] Local valence electronic states of silicon (sub)oxides on HfO_(2)/Si-(sub)oxide/Si(110) and HfSi_(2)/Si-(sub)oxide/Si(110) Islands2019
- 著者名/発表者名
  Takuhiro Kakiuchi, Kyouhei Ikeda, Kazuhiko Mase, Shin-ichi Nagaoka
- 雑誌名
  
  Surface Science
  
  巻: 681 ページ: 9-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06030
[雑誌論文] Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7×7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements2014
- 著者名/発表者名
  K. Mase, K. Hiraga, S. Arae, R. Kanemura, Y. Takano, K. Yanase, Y. Ogashiwa, N. Shohata, N. Kanayama, T. Kakiuchi, S. Ohno, D. Sekiba, K. K. Okudaira, M. Okusawa and M. Tanaka
- 雑誌名
  
  J. Phys. Soc. Jpn.
  
  巻: 83 号: 9 ページ: 094704-094704
- DOI
  10.7566/jpsj.83.094704
- NAID
  210000133259
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360021
[雑誌論文] Site-specific ion desorption from condensed F3SiCD2CH2Si(CH3)3 induced by Si-2p core-level ionizations studied with photoelectron photoion coincidence (PEPICO) spectroscopy, Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS) and Auger electron photoion coincidence (AEPICO) spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  Kazuhiko Mase, Eiichi Kobayashi, Akira Nambu, Takuhiro Kakiuchi, Osamu Takahashi, Kiyohiko Tabayashi, Joji Ohshita, Shogo Hashimoto, Masatoshi Tanaka, Shin-ichi Nagaoka
- 雑誌名
  
  Surf. Sci.
  
  巻: 607 ページ: 174-180
- DOI
  10.1016/j.susc.2012.09.003
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540476, KAKENHI-PROJECT-24360021
[雑誌論文] Attempts to Improve the Sensitivity and the Energy Resolution of an Analyzer for Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy and Electron Ion Coincidence Spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  Sadanori Arae, Rui Kanemura, Kenta Hiraga, Yosuke Ogashiwa, Kohtaro Yanase, Noritsugu Kanayama, Shinya Ohno, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase, Koji K. Okudaira, Makoto Okusawa, Masatoshi Tanaka
- 雑誌名
  
  Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ
  
  巻: 56 号: 12 ページ: 507-510
- DOI
  10.3131/jvsj2.56.507
- NAID
  130004512908
- ISSN
  1882-2398, 1882-4749
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360021
[学会発表] ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構～Hfの蒸着量に依存した表面界面酸化状態の違い～2023
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、津田泰孝、吉越章隆
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04882
[学会発表] 超音速酸素分子線照射による非平衡ハフニウム吸着シリコン(111) 表面界面での酸化反応2022
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、穴井亮太、佐伯大殊、津田泰孝、吉越章隆
- 学会等名
  第16回分子科学討論会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04882
[学会発表] 内殻光電子分光法によるHf/Si(111)超薄膜表面界面の酸化ダイナミクス2021
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、的場友希、小山大輔、山本優貴、吉越章隆
- 学会等名
  第15回分子科学討論会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04882
[学会発表] 超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ2021
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、白石朗、山根亮太郎、矢野貴大、津田泰孝、吉越章隆
- 学会等名
  2021年日本表面真空学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04882
[学会発表] Initial oxidation process of ultrathin hafnium film on Si(111) surface studied by Hf 4f, Si 2p, and O 1s core-level spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Takuhiro Kakiuchi, Daisuke Koyama, Akitaka Yoshigoe
- 学会等名
  日本表面真空学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06030
[学会発表] HfO2/Si超薄膜からのハフニウムジシリサイド形成とその表面局所電子状態2019
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、小山大輔、間瀬一彦
- 学会等名
  2018年度量子ビームサイエンスフェスタ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06030
[学会発表] Si-(sub)oxides selective local valence electronic states of HfSi_(2)/Si-(sub)oxides/Si(110) and HfO_(2)/Si-(sub)oxides/Si(110)2018
- 著者名/発表者名
  Takuhiro Kakiuchi, Kyohei Ikeda, Kazuhiko Mase, Shin-ichi Nagaoka
- 学会等名
  The International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06030
[学会発表] Influence of hafnium chemical state difference on initial silicon oxidation at interface between hafnium deposition and Si(100) substrate2018
- 著者名/発表者名
  Takuhiro Kakiuchi, Hideki Yamasaki, Chie Tsukada, Akitaka Yoshigoe
- 学会等名
  2018年日本表面真空学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06030
[学会発表] Thickness Dependency of Local Valence Electronic State at Surface/Interface of Ultrathin HfSi2/Si(110) Film2018
- 著者名/発表者名
  Daisuke Koyama, Masahiro Yamasaki, Takuhiro Kakiuchi, Shin-ichi Nagaoka, Kazuhiko Mase
- 学会等名
  日本化学会第98春季年会 (2018)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06030
[学会発表] Si(100)-2×1清浄表面に作製したハフニウム超薄膜の酸素吸着と脱離2018
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、山崎英輝、塚田千恵、吉越章隆
- 学会等名
  第12回分子科学討論会2018福岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06030
[学会発表] Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したSiO2超薄膜の膜厚に依存した表面局所価電子状態の変化2016
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、池田恭平、長岡伸一、間瀬一彦
- 学会等名
  2015年度量子ビームサイエンスフェスタ（第33回PFシンポジウム）
- 発表場所
  つくば国際会議場、茨城県つくば市
- 年月日
  2016-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] Si(110）-16x2シングルドメイン表面上に作製したHfおよびHfO2超薄膜の界面を選別した局所価電子状態2016
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、池田恭平、長岡伸一、間瀬一彦
- 学会等名
  2015年度量子ビームサイエンスフェスタ（第33回PFシンポジウム）
- 発表場所
  つくば国際会議場、茨城県つくば市
- 年月日
  2016-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] Hafnium adsorption to clean Si(110)-16x2 single domain surface studied with photoelectron spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  Takuhiro Kakiuchi, Takuma Katsuragi, Yuji Nakano, Shin-ichi Nagaoka, Kazuhiko Mase
- 学会等名
  13th International conference on electronic structure and spectroscopy
- 発表場所
  Stony Brook University, Stony Brook NY, USA
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] Hydrogen adsorption to clean Si(110)-16x2 single domain surface and its chemical states2015
- 著者名/発表者名
  Takuhiro Kakiuchi, Yuji Nakano, Shin-ichi Nagaoka, Kazuhiko Mase
- 学会等名
  13th International conference on electronic structure and spectroscopy
- 発表場所
  Stony Brook University, Stony Brook NY, USA
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] 低速電子回折と光電子分光法によるHf蒸着Si(110)-16x2シングルドメイン表面の研究2015
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、桂木拓磨、中納佑二、長岡伸一、間瀬一彦
- 学会等名
  2015年真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場、茨城県つくば市
- 年月日
  2015-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] X線光電子分光法、光電子-オージェ電子分光法による水素吸着Si(110)-16x2シングルドメイン表面の研究2015
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、中納佑二、長岡伸一、間瀬一彦
- 学会等名
  2015年真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場、茨城県つくば市
- 年月日
  2015-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] Au-N6,7VVオージェ電子－Au-4f光電子コインシデンス分光測定によるAu-4f内殻正孔緩和過程の研究2015
- 著者名/発表者名
  小玉開，田中正人，大野真也，垣内拓大，間瀬一彦，奥平幸司，田中正俊，田中慎一郎
- 学会等名
  第3回物構研サイエンスフェスタ
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2015-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360021
[学会発表] Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7×7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements2014
- 著者名/発表者名
  K. Mase, K. Hiraga, S. Arae, R. Kanemura, Y. Takano, K. Yanase, Y. Ogashiwa, N. Shohata, N. Kanayama, T. Kakiuchi, S. Ohno, D. Sekiba, K. Okudaira, M. Okusawa, M, Tanaka
- 学会等名
  Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2014)
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2014-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360021
[学会発表] Construction and Evaluation of Auger-photoelectron Coincidence Apparatus at BL13 of HiSOR2012
- 著者名/発表者名
  T. Kakiuchi, Y. Sato, S. Hanaoka, S. Kajikawa, H. Hayashita, M. Ogawa, S. Arae, S. Wada, T. Sekitani, M. Tanaka, and K. Mase
- 学会等名
  The 16th Hiroshima International Symposium on Synchrotron Radiation
- 発表場所
  Hiroshima University
- 年月日
  2012-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760035
[学会発表] Local Valence Electronic States of Si(110)-16×2 Clean Surface Studied Using Auger-photoelectron Coincidence spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  T Kakiuchi, Y. Sato, S. Hanaoka, R. Sakao, S. Arae, M. Tanaka, S. Nagaoka and K. Mase
- 発表場所
  Epochal Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760035
[学会発表] オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による Si(110)-16×2 清浄表面の局所価電子状態の観測2012
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、佐藤勇輝、花岡咲、長岡伸一、間瀬一彦
- 学会等名
  第6回分子科学討論会2012東京
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス
- 年月日
  2012-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760035
[学会発表] APECSを用いたSi(110)-16×2清浄表面の局所価電子状態の研究2012
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、佐藤勇輝、花岡咲、坂尾諒、新江定憲、田中正俊、長岡伸一、間瀬一彦
- 学会等名
  第29回　PF Symposium
- 発表場所
  つくば国際会議場エポカル
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760035
[学会発表] Construction and Evaluation of APECS at BL13 HiSOR2012
- 著者名/発表者名
  T. Kakiuchi, S. Nagaoka, and K. Mase
- 学会等名
  The 16th 広島放射光国際シンポジウム
- 発表場所
  Hiroshima University Faculty Club
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760035
[学会発表] オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による SiO_2/Si 超薄膜の表面界面基板を選別した局所価電子状態の研究2012
- 著者名/発表者名
  垣内拓大
- 学会等名
  第32回表面科学学術講演会
- 発表場所
  東北大学さくらホール
- 年月日
  2012-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760035
[学会発表] オージェ電子-光電子コインシデンス分光法によるSi(110)-16×２清浄表面の局所価電子状態の観測2012
- 著者名/発表者名
  垣内拓大
- 学会等名
  第６回分子科学討論会
- 発表場所
  東京大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760035
[学会発表] Si(110)-16×2 清浄表面の最安定構造モデル2011
- 著者名/発表者名
  垣内拓大、久保田裕之、田原雅士、間瀬一彦、長岡伸一
- 学会等名
  第5回分子科学討論会2011年札幌
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2011-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760035
[学会発表] 水の解離吸着によるSi(110)-16×2清浄面の表面構造と局所価電子状態の変化
- 著者名/発表者名
  垣内拓大，西浦伸吾，川本淳滋，長岡伸一，間瀬一彦
- 学会等名
  第34回表面科学学術講演会
- 発表場所
  くにびきメッセ（島根県・松江市）
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] Surface Structure and Local Valence Electronic States of Si(110)-16×2 Surface after Exposure to Water: XPS and Auger-Photoelectron Coincidence Study
- 著者名/発表者名
  T. Kakiuchi, S. Nishiura1, J. Kawamoto1, S. Nagaoka, K. Mase
- 学会等名
  Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2014)
- 発表場所
  Hapuna Beach Prince Hotel （Kohala coast, Hawaii, USA)
- 年月日
  2014-12-07 – 2014-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] Si(110)-16×2シングルドメイン清浄表面への水素吸着過程とその表面物性
- 著者名/発表者名
  垣内拓大，中納佑二，長岡伸一，間瀬一彦
- 学会等名
  第3回物構研サイエンスフェスタ（第32回PFシンポジウム）
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県・つくば市）
- 年月日
  2015-03-17 – 2015-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416
[学会発表] Si(110)-16×2清浄表面へのH2O解離吸着：表面物性と表面１次元構造の変化
- 著者名/発表者名
  垣内拓大，西浦伸吾，川本淳滋，長岡伸一，間瀬一彦
- 学会等名
  第8回分子科学討論会
- 発表場所
  広島大学（広島県・東広島市）
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870416

1. 間瀬一彦 (40241244)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
2. 小澤健一 (00282822)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 長岡伸一 (30164403)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 奥平幸司 (50202023)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
5. 田中正俊 (90130400)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
6. 奥沢誠 (50112537)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
7. 高橋修

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
8. 吉越章隆

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

垣内 拓大 KAKIUCHI Takuhiro

研究課題

研究成果

共同研究者

金属（Hf・Zr）／Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

凹凸あるSi表面でのhigh-k材料超薄膜の成長過程とその低次元物性発現の観測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

不活性Si(110)表面の1次元構造を利用した高誘電体超薄膜作製と薄膜物性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

分子／半導体表面の個々の原子サイトを選別した局所電子状態、電子励起ダイナミクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属・金属酸化物高誘電体超薄膜の表面界面近傍に特異な局所価電子状態の定量的観測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Oxidation Mechanisms of Hafnium Overlayers Deposited on an Si(111) Substrate2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Initial oxidation processes of ultrathin hafnium film and hafnium disilicide islands on Si(100)-2 × 1 surfaces studied using core-level X-ray photoelectron spectroscopy2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Local valence electronic states of silicon (sub)oxides on HfO_(2)/Si-(sub)oxide/Si(110) and HfSi_(2)/Si-(sub)oxide/Si(110) Islands2019

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7×7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Attempts to Improve the Sensitivity and the Energy Resolution of an Analyzer for Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy and Electron Ion Coincidence Spectroscopy2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

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[学会発表] ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構 ～Hfの蒸着量に依存した表面界面酸化状態の違い～2023

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[学会発表] 超音速酸素分子線照射による非平衡ハフニウム吸着シリコン(111) 表面界面での酸化反応2022

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[学会発表] 内殻光電子分光法によるHf/Si(111)超薄膜表面界面の酸化ダイナミクス2021

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[学会発表] 超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ2021

著者名/発表者名

垣内拓大 KAKIUCHI Takuhiro

[学会発表] ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構～Hfの蒸着量に依存した表面界面酸化状態の違い～2023