岡本浩 OKAMOTO Hiroshi

研究者番号	00513342
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度 – 2021年度: 弘前大学, 理工学研究科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学 / 結晶工学
キーワード	研究代表者ナノドット / 量子ドット / GeSn / Bi / Ge / 半導体ナノ構造 / サーファクタント / Sn / IV族半導体 / 低温形成 … もっと見る / Ⅳ族ナノドット / ビスマス / ゲルマニウム / Ⅳ族半導体 / DLTS法 / DLTS … もっと見る研究代表者以外六方晶窒化ホウ素 / 分子線エピタキシー / GaN / MBE / BN / 半導体物性 / 結晶成長 / 半導体 / 金属基板 / ガラス基板 / 窒化ホウ素 / 窒化物半導体 / ＭＩＳ構造 / MIS構造 / ラジカル酸化 / 誘電体物性 / ゲルマニウム / 金属ジャーマネイト / 原子層堆積法 / プラズマ酸化 / MOS構造 / 超薄膜 / 表面・界面物性 / 誘電体薄膜 / 分子線エピタキシー装置 / 機械的転写 / GaN系薄膜 / 六方晶BN 隠す

将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  岡本浩
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  弘前大学
層状BNを用いた大面積可能な金属基板、ガラス基板上へのGaN系デバイス成長
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  弘前大学
半金属（金属）を媒介したⅣ族半導体ナノ構造の形成と次世代デバイス要素技術への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  岡本浩
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  弘前大学
層状BNを用いたGaN系デバイスの機械的転写
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  弘前大学
Biサーファクタントを用いたⅣ族ナノドットの低温形成並びに素子応用の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  岡本浩
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  弘前大学
新規ジャーマネイト系高誘電率ゲート絶縁膜材料の探索と低温直接形成法に関する研究
- 研究代表者
  
  福田幸夫
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  諏訪東京理科大学
高効率光デバイスの実現に向けた低欠陥量子ドットの特性解明に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  岡本浩
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  弘前大学

すべて 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Low-temperature formation of GeSn nanodots by Sn mediation2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okamoto, Kensuke Takita, Kazuto Tsushima, Takehiko Tawara, Kouta Tateno, Guoqiang Zhang, and Hideki Gotoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 未定（Accepted for publication）
- NAID
  210000156276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[雑誌論文] Study on the formation mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation2019
- 著者名/発表者名
  Kazuto Tsushima, Kensuke Takita, Hideki Nakazawa, Takehiko Tawara, Kouta Tateno, Guoqiang Zhang, Hideki Gotoh, and Hiroshi Okamoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 未定（Accepted for publication）
- NAID
  210000156275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[雑誌論文] Self-Organized Nanostructure Formation of III-V and IV Semiconductors with Bismuth2016
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okamoto
- 雑誌名
  
  Journal of Advances in Nanomaterials
  
  巻: 1 号: 2 ページ: 82-94
- DOI
  10.22606/jan.2016.12005
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[雑誌論文] Role of low-energy ion irradiation in the formation of an aluminum germanate layer on a germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2016
- 著者名/発表者名
  Y. Fukuda, D. Yamada, T. Yokohira, K. Yanachi, C. Yamamoto, B. Yoo, J. Yamanaka, T. Sato, T. Takamatsu, and H. Okamoto
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology A
  
  巻: 34 号: 2
- DOI
  10.1116/1.4932039
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[雑誌論文] Interface State Density Evaluation of p-Type and n-Type Ge/GeNx Structures by Conductance Technique2015
- 著者名/発表者名
  T. Iwasaki, T. Ono, Y. Otani, Y. Fukuda, and H. Okamoto
- 雑誌名
  
  Electronics and Communications in Japan
  
  巻: 98 号: 6 ページ: 8-15
- DOI
  10.1002/ecj.11655
- NAID
  210000188429
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[雑誌論文] Deep level transient spectroscopy characterization of In(Ga)As-quantum dots fabricated using Bi as a surfactant2014
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H. Gotoh
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: vol. 53 号: 6S ページ: 06JG11-06JG11
- DOI
  10.7567/jjap.53.06jg11
- NAID
  210000144119
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[雑誌論文] Deep level transient spectroscopy (DLTS) characterization of In(Ga)As-quantum dots fabricated using Bi as a surfactant2014
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H. Gotoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of applied physics
  
  巻: 未定
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[雑誌論文] ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2013
- 著者名/発表者名
  岡本浩, 成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）
  
  巻: 133 号: 8 ページ: 1481-1484
- DOI
  10.1541/ieejeiss.133.1481
- NAID
  10031189039
- ISSN
  0385-4221, 1348-8155
- 言語
  日本語
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[雑誌論文] ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2013
- 著者名/発表者名
  岡本浩、成田英史、佐藤真哉、岩崎拓郎、小野俊郎、王谷洋平、福田幸夫
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C
  
  巻: Vol. 133
- NAID
  10031189039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[雑誌論文] Distinctive Feature of Ripening During Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy Using Bi as a Surfactant2011
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, T. Tawara, T. Tateno, H. Gotoh, H. Kamada, and T. Sogawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: vol. 50 号: 6S ページ: 06GH07-06GH07
- DOI
  10.1143/jjap.50.06gh07
- NAID
  210000070725
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[産業財産権] ナノ構造の製造方法2014
- 発明者名
  俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、岡本浩
- 権利者名
  俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、岡本浩
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-123112
- 出願年月日
  2014-06-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Plasma-assisted MBE Grown h-BN Thin Films on Glass Substrates2022
- 著者名/発表者名
  N. Hatakeyama, T. Azuhata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura, and Y. Kobayashi
- 学会等名
  14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] MBEによるガラス基板上h-BN薄膜の膜厚評価2021
- 著者名/発表者名
  畠山直樹、小豆畑敬、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英、小林康之
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] 真空蒸着法によるMOSキャパシタの作製2020
- 著者名/発表者名
  前田猛，岡本浩
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第75 回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04557
[学会発表] MBEによるAlN/h-BNバッファ層上GaN薄膜のエピタキシャル成長2020
- 著者名/発表者名
  原田文矢、中澤日出樹、岡本　浩、廣木正伸、熊倉一英、小林康之
- 学会等名
  2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrates Using h-BN/AlN Buffer Layers2019
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
- 学会等名
  11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] MBEによるガラス基板上BN薄膜成長2019
- 著者名/発表者名
  小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] ガラス基板上MBE成長BN薄膜のラマン散乱2019
- 著者名/発表者名
  小林康之、小豆畑敬、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] Bi-mediated formation of Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation2018
- 著者名/発表者名
  Kazuto Tsushima, Kensuke Takita, Takehiko Tawara, Kouta Tateno, Guoqiang Zhang, Hideki Gotoh, and Hiroshi Okamoto
- 学会等名
  電気関係学会東北支部連合大会Student Session
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] 真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討2018
- 著者名/発表者名
  対馬和都，滝田健介，中澤日出樹，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，池田高之，水野誠一郎，岡本浩
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告(CPM2018-12)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] 真空蒸着と低温アニールによるSn媒介GeSnナノドット形成2018
- 著者名/発表者名
  対馬和都，滝田健介，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] h-BN/AlNバッファ層を用いたサファイア基板上GaN薄膜のMBE成長2018
- 著者名/発表者名
  小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] Low-Temperature Formation of GeSn Nanodots by Tin Mediation2018
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okamoto, Kensuke Takita, Kazuto Tsushima, Takehiko Tawara, Kouta Tateno, Guoqiang Zhang, and Hideki Gotoh
- 学会等名
  31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] Study on the Formation Mechanism of Bismuth-Mediated Ge Nanodots Fabricated by Vacuum Evaporation2018
- 著者名/発表者名
  Kazuto Tsushima, Kensuke Takita, Hideki Nakazawa, Takehiko Tawara, Kouta Tateno, Guoqiang Zhang, Hideki Gotoh, and Hiroshi Okamoto
- 学会等名
  31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] MBEによるh-BNバッファ層を用いた(0001)サファイア基板上GaN成長2018
- 著者名/発表者名
  小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] Growth of Single-Crystal (0001) GaN Films on (0001) Sapphire Substrates Using h-BN Buffer Layers by Molecular Beam Epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] p-Ge基板上にALD堆積したAl2O3への酸素ラジカル照射の及ぼす影響2017
- 著者名/発表者名
  王谷洋平、山田大地、白倉麻依、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、岡本浩、福田幸夫
- 学会等名
  平成29年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-１2017
- 著者名/発表者名
  滝田健介、対馬和都、遠田義晴、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、池田高之、水野誠一郎、岡本浩
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] 原子層堆積法によりGe基板上に形成したAl2O3への酸素ラジカル照射がAl2O3/p-Ge界面特性に及ぼす影響2017
- 著者名/発表者名
  山田大地、王谷洋平、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、岡本浩、福田幸夫
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] Alジャーマネイト絶縁層を有するn型基板Ge-MIS構造の電気的特性評価2017
- 著者名/発表者名
  上西理加, 山田大地, 王谷洋平, 福田幸夫, 岡本浩
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第72回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] Boron Nitride Thin Films Grown on (0001) Sapphire Substrates by Molecular Beam Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Kimura, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] 真空蒸着法によるBi 媒介Ge ナノドットの形成過程評価2017
- 著者名/発表者名
  滝田健介，対馬和都, 遠田義晴, 俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩
- 学会等名
  平成29年度電気関係学会東北支部連合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-32017
- 著者名/発表者名
  対馬和都、滝田健介、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、池田高之、水野誠一郎、岡本浩
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-22017
- 著者名/発表者名
  対馬和都、滝田健介、中澤日出樹、遠田義晴、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、岡本浩
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] RE-ALD形成Al2O3/GeO2/p-Ge MOSキャパシタの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響 -２2017
- 著者名/発表者名
  長浜優、山田大地、王谷洋平、福田幸夫、岡本浩
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] MBEによる(0001)サファイア基板上BN薄膜成長2017
- 著者名/発表者名
  小林康之、木村拓磨、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] Formation of Al and Hf Germanates as Interlayers between High-κ Dielectrics and Ge Substrates by Radical-Enhanced Atomic Layer Deposition2017
- 著者名/発表者名
  D. Yamada, Y. Otani, C. Yamamoto, J. Yamanaka, T. Sato, H. Okamoto, Y. Fukuda
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成2017
- 著者名/発表者名
  岡本浩、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告（電子情報通信学会研究会）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06338
[学会発表] Effects of gate-electrode metals and postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2016
- 著者名/発表者名
  Yukio Fukuda, Daichi Yamada, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Hiroshi Okamoto
- 学会等名
  ALD 2016 Ireland
- 発表場所
  Dublin Convention Center, Dublin
- 年月日
  2016-07-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] ラジカル援用原子層堆積法で形成したAl2O3/GeO2/p-Ge基板上のゲート電極金属が電気的特性に及ぼす影響2016
- 著者名/発表者名
  山田大地、王谷洋平、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、岡本浩、福田幸夫
- 学会等名
  応用物理学会北陸・信越支部第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
- 発表場所
  石川県政記念しいのき迎賓館
- 年月日
  2016-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Self-organized nanostructure formation of III-V and grope IV semiconductors by using bismuth2016
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okamoto
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D and Materials Research (CC3DMR)
- 発表場所
  Incheon/Seoul, Korea
- 年月日
  2016-06-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Effects of postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2016
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okamoto, Daichi Yamada, Hidefumi Narita, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, and Yukio Fukuda
- 学会等名
  9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan
- 年月日
  2016-01-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Effects of electrode metal and thermal treatment on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2016
- 著者名/発表者名
  Yukio Fukuda, Daichi Yamada, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Hiroshi Okamoto
- 学会等名
  16th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2016)
- 発表場所
  Dublin, Ireland
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価価(2);熱処理効果2016
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、岡本浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] REALD形成Al2O3/GeO2/p-Ge MOSキャパシターの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響2016
- 著者名/発表者名
  山田大地, 王谷洋平,　山本千綾，山中淳二，佐藤哲也, 岡本浩，福田幸夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Effects of postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical enhanced atomic layer deposition2016
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, D. Yamada, H. Narita, Y. Otani, C. Yamamoto, J. Yamanaka, T. Sato, and Y. Fukuda
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2016-01-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] REALD形成Al2O3/GeO2/p-GeMOSキャパシターの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響2016
- 著者名/発表者名
  山田大地、王谷洋平、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、岡本浩、福田幸夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市・朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価(2)2016
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、岡本浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Role of low-energy ion irradiation in the formation of aluminum germanate layer on germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2015
- 著者名/発表者名
  T. Yokohira, K. Yanachi, D. Yamada, C. Yamamoto, B. Yoo, J. Yamanaka, T. Sato, T. Takamatsu, H. Okamoto, and Y. Fukuda
- 学会等名
  The 13th International Symposium on Sputtering and Plasma Process
- 発表場所
  Kyoto　Research Park
- 年月日
  2015-07-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Formation mechanism of aluminum germanate layer on germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Okamoto, Tomoya Yokohira, Kosei Yanachi, Chiaya Yamamoto, Byeonghaku Yoo, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Toshiyuki Takamatsu, Hidefumi Narita, and Yukio Fukuda
- 学会等名
  8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2015-01-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価2015
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、鹿糠洋介、岡本浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Radical-enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価2015
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、鹿糠洋介、岡本浩
- 学会等名
  電子通信情報学会電子部品・材料研究会(CPM)
- 発表場所
  弘前大学
- 年月日
  2015-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Bi プレディポジションによる Ge ナノドットの石英基板上への低温形成2015
- 著者名/発表者名
  鈴木良優, 滝田健介, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹, 岡本浩
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第７０回学術講演会
- 発表場所
  ホテルアップルランド(青森県平川市)
- 年月日
  2015-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価2015
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、鹿糠洋介、岡本浩
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  弘前大学(弘前市)
- 年月日
  2015-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価2015
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、鹿糠洋介、岡本浩
- 学会等名
  第76 回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] Biサーファクタントを用いたGeナノドットの低温形成2014
- 著者名/発表者名
  岡本浩、林一稀、小林弓華、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] ALD法によるAlジャーマネイト絶縁層を用いたGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2014
- 著者名/発表者名
  成田英史, 福田幸夫, 王谷洋平, 梁池昂生, 花田毅広, 石崎博基, 岡本浩
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学(19p-PG2-6)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] Biサーファクタントを用いたGeナノドットの低温形成2014
- 著者名/発表者名
  岡本浩, 林一稀, 小林弓華, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学(18p-F6-7)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] ALD法によるAlジャーマネイト絶縁層を用いたGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2014
- 著者名/発表者名
  成田英史，福田幸夫，王谷洋平，梁池昂生, 花田毅広, 石崎博基，岡本浩
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] DLTS Characterization of In(Ga)As-quantum DotsFabricated using Bi as a Surfactant2013
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H.Gotoh
- 学会等名
  26th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC 2013)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] DLTS法によるECRプラズマ法GeNx/Geの界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価II2013
- 著者名/発表者名
  成田英史，岩崎拓郎，福田幸夫，王谷洋平，小野俊郎，岡本浩
- 学会等名
  第74 回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] Biサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドットのDLTS評価2013
- 著者名/発表者名
  鈴木聡一郎, 岡本浩, 舘野功太, 俵毅彦, 後藤秀樹, 寒川哲臣
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(29a-PB7-4)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] DLTS Characterization of In(Ga)As-quantum DotsFabricated using Bi as a Surfactant2013
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H.Gotoh
- 学会等名
  26th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC 2013)
- 発表場所
  Sapporo, Japan(8D-9-2)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] DLTS法によるECRプラズマ法GeNx/Geの界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価II2013
- 著者名/発表者名
  成田英史, 岩崎拓郎, 福田幸夫, 王谷洋平, 小野俊郎, 岡本浩
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(18p-P9-6)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] DLTS法によるECRプラズマ法GeNx/Geの界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価2012
- 著者名/発表者名
  成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫,岡本浩
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学(11a-PB1-6)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2012
- 著者名/発表者名
  岡本浩, 成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫
- 学会等名
  平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会
- 発表場所
  弘前大学(講演論文集、MC6-8, pp,1276-1279)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] In(Ga)As積層量子ドット構造のDLTS評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木聡一郎，佐藤真哉，岩崎拓郎，俵毅彦，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣，岡本　浩
- 学会等名
  平成23年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  東北学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入／放出特性のDLTS評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木聡一郎、佐藤真哉、岩崎拓郎、俵毅彦、舘野功太、後藤秀樹、寒川哲臣、岡本浩
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  弘前大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木聡一郎, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 俵毅彦, 舘野功太, 後藤秀樹, 寒川哲臣, 岡本浩
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  弘前大学(vol.111, no.176, CPM2011-57, pp. 7-10)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] In(Ga)As積層量子ドット構造のDLTS評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木聡一郎, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 俵毅彦, 舘野功太, 後藤秀樹,寒川哲臣,岡本浩
- 学会等名
  平成23年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  東北学院大学(講演論文集2F19,p. 230)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] Biｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用いたIn(Ga)As量子ﾄﾞｯﾄのDLTS評価
- 著者名/発表者名
  鈴木聡一郎，岡本浩，舘野功太，俵毅彦，後藤秀樹，寒川哲臣
- 学会等名
  第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] DLTS 法によるECR プラズマ法GeNx/Ge の界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価
- 著者名/発表者名
  成田英史，佐藤真哉，岩崎拓郎，小野俊郎，王谷洋平，福田幸夫，岡本浩
- 学会等名
  第73 回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価
- 著者名/発表者名
  岡本浩, 成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫
- 学会等名
  平成２４年電気学会電子・情報・システム部門大会
- 発表場所
  弘前大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560354
[学会発表] Radical-Enhanced ALD法によるGe基板上Alジャーマネイトの形成機構に関する検討
- 著者名/発表者名
  横平知也、梁池昂生、柳炳學、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、岡本浩、福田幸夫
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Formation mechanism of aluminum germanate layer on germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, T. Yokohira, K. Yanachi, C. Yamamoto, B. Yoo, J. Yamanaka, T. Takamatsu, H. Narita, and Y. Fukuda
- 学会等名
  The 8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281

1. 俵毅彦 (40393798)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 16件
2. 小林康之 (90393727)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
3. 中澤日出樹 (90344613)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
4. 遠田義晴 (20232986)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
5. 舘野功太 (20393796)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
6. 章国強 (90402247)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
7. 福田幸夫 (50367546)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
8. 王谷洋平 (40434485)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
9. 佐藤哲也 (60252011)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
10. 伊高健治 (40422399)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 小豆畑敬 (20277867)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
12. 熊倉一英

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
13. 廣木正伸

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
14. 鈴木良優

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
15. 滝田健介

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
16. 対馬和都

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

岡本 浩 OKAMOTO Hiroshi

研究課題

研究成果

共同研究者

将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

層状BNを用いた大面積可能な金属基板、ガラス基板上へのGaN系デバイス成長

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

半金属（金属）を媒介したⅣ族半導体ナノ構造の形成と次世代デバイス要素技術への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

層状BNを用いたGaN系デバイスの機械的転写

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Biサーファクタントを用いたⅣ族ナノドットの低温形成並びに素子応用の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新規ジャーマネイト系高誘電率ゲート絶縁膜材料の探索と低温直接形成法に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高効率光デバイスの実現に向けた低欠陥量子ドットの特性解明に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Low-temperature formation of GeSn nanodots by Sn mediation2019

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Study on the formation mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation2019

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Self-Organized Nanostructure Formation of III-V and IV Semiconductors with Bismuth2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Role of low-energy ion irradiation in the formation of an aluminum germanate layer on a germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Interface State Density Evaluation of p-Type and n-Type Ge/GeNx Structures by Conductance Technique2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Deep level transient spectroscopy characterization of In(Ga)As-quantum dots fabricated using Bi as a surfactant2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Deep level transient spectroscopy (DLTS) characterization of In(Ga)As-quantum dots fabricated using Bi as a surfactant2014

著者名/発表者名

岡本浩 OKAMOTO Hiroshi