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角田 功  Tsunoda Isao

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 00585200
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 熊本高等専門学校, 電子情報システム工学系TEグループ, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2019年度: 熊本高等専門学校, 拠点化プロジェクト系先端研究コアグループ, 准教授
2017年度 – 2018年度: 熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 准教授
2015年度: 熊本高等専門学校, その他部局等, 准教授
2014年度 – 2015年度: 熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 結晶工学
キーワード
研究代表者
ゲルマニウム / 低温結晶成長 / 結晶成長 / 電子・電気材料 / 非熱エネルギー / シリコンゲルマニウム / 半導体
  • 研究課題

    (2件)
  • 研究成果

    (36件)
  •  低温(≦150℃)成長法によるIV族半導体結晶の面方位制御研究代表者

    • 研究代表者
      角田 功
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      熊本高等専門学校
  •  触媒成長を用いたⅣ族半導体結晶形成プロセスの極低温化研究代表者

    • 研究代表者
      角田 功
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      熊本高等専門学校

すべて 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Au induced lateral crystallization of amorphous Ge with stress stimulation at 130 oC2020

    • 著者名/発表者名
      Taiki Nishijima, Satoshi Shimizu, Kinta Kusano, Kazuki Kudo, Masahiro Furuta, Yutaka Kusuda, Shinichi Motoyama, Nobuyuki Naka, Tomoko Numata, Kenichiro Takakura, and Isao Tsunoda
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 10 号: 5 ページ: 055306-055306

    • DOI

      10.1063/5.0004326

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [雑誌論文] Au induced low-temperature formation of perferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator2016

    • 著者名/発表者名
      岡本 隼人, 工藤 康平, 野満 建至, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 4S ページ: 04EJ10-04EJ10

    • DOI

      10.7567/jjap.55.04ej10

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [雑誌論文] Enhancement of Au-induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO22016

    • 著者名/発表者名
      茂藤 健太, 崎山 晋, 岡本 隼人, 原 英之, 西村 浩人, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 4S ページ: 04EJ06-04EJ06

    • DOI

      10.7567/jjap.55.04ej06

    • NAID

      210000146369

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [雑誌論文] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすTEOS-SiO2キャップ層の影響2015

    • 著者名/発表者名
      工藤 和樹, 草野 欽太, 酒井 崇嗣, 本山 慎一, 楠田 豊, 古田 真浩, 中 庸行,沼田 朋子, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 115 ページ: 41-44

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [雑誌論文] 面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長2015

    • 著者名/発表者名
      野満 建至, 岡本 隼人, 工藤 康平, 坂口 大成, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 115 ページ: 45-48

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [産業財産権] ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板2014

    • 発明者名
      角田功、高倉健一郎、本山慎一、楠田豊、古田真浩
    • 権利者名
      (独)国立高等専門学校機構、サムコ(株)
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2014-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] 触媒結晶性変調法を用いた高品質Ge (111)の低温形成2019

    • 著者名/発表者名
      角 和章,清水 昇,角田 功
    • 学会等名
      2019年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Sn誘起横方向成長により低温形成した結晶GeSn/SiO2の評価2019

    • 著者名/発表者名
      小川大輔,高倉健一郎,角田 功
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Low Temperature (< 130℃) Formation of Crystalline Ge Film on Insulator by Stress Stimulated GILC2019

    • 著者名/発表者名
      Taiki Nishijima, Kinta Kusano, Kazuki Kudo, Masahiro Furuta, Yutaka Kusuda, Shinichi Motoyama, Nobuyuki Naka, Tomoko Numata and Isao Tsunoda
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Sn誘起成長法を用いた結晶Ge1-xSnx(x≧15%)の低温形成2019

    • 著者名/発表者名
      小川大輔,高倉健一郎,角田 功
    • 学会等名
      2019年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] 電子線照射した非晶質Ge/SiO2のAu誘起横方向成長過程の評価2019

    • 著者名/発表者名
      清水 智,高倉健一郎,角田 功
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Au結晶性を変調した非晶質Ge/Au/SiO2積層構造の低温固相成長2019

    • 著者名/発表者名
      角 和章,清水 昇,角田 功
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] 非晶質Ge/SiO2のSn誘起横方向低温(≦200℃)固相成長2018

    • 著者名/発表者名
      鹿子木嘉城、佐藤亮起、西嶋泰樹、小川大輔、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Au誘起横方向成長した結晶Ge内のAu濃度評価2018

    • 著者名/発表者名
      濵崎健、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Electron irradiation effect on Sn induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate2018

    • 著者名/発表者名
      鹿子木嘉城、西嶋泰樹、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Low temperature formation of Ge(111)/Au/SiO2 by two step annealing2018

    • 著者名/発表者名
      清水昇、森貴礼、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Au誘起横方向成長により形成した低温結晶化Ge薄膜の結晶性評価2018

    • 著者名/発表者名
      西嶋泰樹、濱崎健、草野欽太、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] 2段階熱処理による結晶Ge/Au/SiO2積層構造の低温形成2018

    • 著者名/発表者名
      清水昇、森貴礼、岡本健人、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Evaluation of Au concentration for Au induced lateral crystallized Ge on insulating substrate2018

    • 著者名/発表者名
      濵崎健、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Influence of Au film thickness on Au induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate2017

    • 著者名/発表者名
      坂井拓也、草野欽太、佐藤亮起、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすAu結晶性の影響2017

    • 著者名/発表者名
      森貴礼、岡本健人、清水昇、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] Catalyst dependence of metal induced lateral crystallization (MILC) for amorphous Ge on insulator2017

    • 著者名/発表者名
      佐藤亮起、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] 絶縁基板上における非晶質Ge薄膜のSn誘起横方向成長2017

    • 著者名/発表者名
      佐藤亮起、城土卓巳、井芹健人、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06363
  • [学会発表] 非晶質SixGe1-x/SiO2のAu誘起成長に及ぼす圧縮応力の影響2016

    • 著者名/発表者名
      草野 欽太, 工藤 和樹, 坂井 拓也, 本山 慎一, 楠田 豊, 古田 真浩, 中 庸行, 沼田 朋子, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] Preferentially (111) Oriented Crystalline Ge by Low Temperature (~200 ℃) Au Induced Solid Phase Crystallization2016

    • 著者名/発表者名
      工藤 康平,餅井 亮介,野満 建至,高倉 健一郎,角田 功
    • 学会等名
      8th International SiGe Technology and Device Meeting 2016
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2016-06-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] Stress stimulation effect on Au induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate2016

    • 著者名/発表者名
      工藤 和樹,草野 欽太,坂口 大成,酒井 崇嗣,本山 慎一,楠田 豊,古田 真浩,中 庸行,沼田 朋子,高倉 健一郎,角田 功
    • 学会等名
      8th International SiGe Technology and Device Meeting 2016
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2016-06-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす熱処理温度の影響(2)-Au膜厚依存性-2015

    • 著者名/発表者名
      工藤 康平, 野満 建至, 餅井 亮介, 岡本 隼人, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] 面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長2015

    • 著者名/発表者名
      野満 建至, 岡本 隼人, 工藤 康平, 坂口 大成, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 学会等名
      電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
    • 発表場所
      大濱信泉記念館(沖縄県)
    • 年月日
      2015-04-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすTEOS-SiO2キャップ層の影響2015

    • 著者名/発表者名
      工藤 和樹, 草野 欽太, 酒井 崇嗣, 本山 慎一, 楠田 豊, 古田 真浩, 中 庸行,沼田 朋子, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 学会等名
      電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
    • 発表場所
      大濱信泉記念館(沖縄県)
    • 年月日
      2015-04-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] Au induced low-temperature formation of perferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator2015

    • 著者名/発表者名
      岡本 隼人, 工藤 康平, 野満 建至, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] Enhancement of Au-induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO22015

    • 著者名/発表者名
      茂藤 健太, 崎山 晋, 岡本 隼人, 原 英之, 西村 浩人, 高倉 健一郎, 角田 功
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] TEOS内部応力を利用した非晶質Ge薄膜のAu誘起成長

    • 著者名/発表者名
      酒井崇嗣, 草野欽太, 岡本隼人, 本山慎一, 楠田豊, 古田真浩, 中 庸行, 沼田朋子, 高倉健一郎, 角田 功
    • 学会等名
      平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      大分大学
    • 年月日
      2014-12-06 – 2014-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] 非晶質 Ge/SiO2の Au 誘起横方向成長に及ぼす応力印加効果

    • 著者名/発表者名
      酒井崇嗣、中嶋一敬、茂藤健太、本山慎一、楠田豊、古田真浩、中庸行、沼田朋子、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] 絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の【電子線+金属触媒】誘起成長

    • 著者名/発表者名
      茂藤健太, 岡本隼人, 崎山晋, 原英之, 西村浩人, 高倉健一郎, 角田功
    • 学会等名
      平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      大分大学
    • 年月日
      2014-12-06 – 2014-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] 非晶質Ge薄膜のAu誘起低温成長による面方位制御

    • 著者名/発表者名
      岡本隼人, 工藤康平, 高倉健一郎, 角田功
    • 学会等名
      平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      大分大学
    • 年月日
      2014-12-06 – 2014-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815
  • [学会発表] 非晶質 Ge/SiO2の Au 誘起横方向成長に及ぼす電子線照射効果

    • 著者名/発表者名
      茂藤健太、崎山晋、岡本隼人、酒井崇嗣、中嶋一敬、原英之、西村浩人、高倉健一郎、角田功
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870815

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