角田功 Tsunoda Isao

研究者番号	00585200
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 熊本高等専門学校, 電子情報システム工学系TEグループ, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度: 熊本高等専門学校, 拠点化プロジェクト系先端研究コアグループ, 准教授 2017年度 – 2018年度: 熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 准教授 2015年度: 熊本高等専門学校, その他部局等, 准教授 2014年度 – 2015年度: 熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 准教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 結晶工学
キーワード	研究代表者ゲルマニウム / 低温結晶成長 / 結晶成長 / 電子・電気材料 / 非熱エネルギー / シリコンゲルマニウム / 半導体

研究課題
(2件)
研究成果
(36件)

低温（≦150℃）成長法によるIV族半導体結晶の面方位制御研究代表者
- 研究代表者
  
  角田功
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  熊本高等専門学校
触媒成長を用いたⅣ族半導体結晶形成プロセスの極低温化研究代表者
- 研究代表者
  
  角田功
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  熊本高等専門学校

すべて 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Au induced lateral crystallization of amorphous Ge with stress stimulation at 130 oC2020
- 著者名/発表者名
  Taiki Nishijima, Satoshi Shimizu, Kinta Kusano, Kazuki Kudo, Masahiro Furuta, Yutaka Kusuda, Shinichi Motoyama, Nobuyuki Naka, Tomoko Numata, Kenichiro Takakura, and Isao Tsunoda
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 5 ページ: 055306-055306
- DOI
  10.1063/5.0004326
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[雑誌論文] Au induced low-temperature formation of perferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator2016
- 著者名/発表者名
  岡本　隼人，工藤　康平，野満　建至，高倉　健一郎，角田　功
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EJ10-04EJ10
- DOI
  10.7567/jjap.55.04ej10
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[雑誌論文] Enhancement of Au-induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO22016
- 著者名/発表者名
  茂藤　健太，崎山　晋，岡本　隼人，原　英之，西村　浩人，高倉　健一郎，角田　功
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EJ06-04EJ06
- DOI
  10.7567/jjap.55.04ej06
- NAID
  210000146369
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[雑誌論文] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすTEOS-SiO2キャップ層の影響2015
- 著者名/発表者名
  工藤　和樹，草野　欽太，酒井　崇嗣，本山　慎一，楠田　豊，古田　真浩，中　庸行，沼田　朋子，高倉　健一郎，角田　功
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 115 ページ: 41-44
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[雑誌論文] 面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長2015
- 著者名/発表者名
  野満　建至，岡本　隼人，工藤　康平，坂口　大成，高倉　健一郎，角田　功
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 115 ページ: 45-48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[産業財産権] ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板2014
- 発明者名
  角田功、高倉健一郎、本山慎一、楠田豊、古田真浩
- 権利者名
  （独）国立高等専門学校機構、ｻﾑｺ（株）
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] 触媒結晶性変調法を用いた高品質Ge (111)の低温形成2019
- 著者名/発表者名
  角和章，清水昇，角田功
- 学会等名
  2019年度応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Sn誘起横方向成長により低温形成した結晶GeSn/SiO2の評価2019
- 著者名/発表者名
  小川大輔，高倉健一郎，角田功
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Low Temperature (< 130℃) Formation of Crystalline Ge Film on Insulator by Stress Stimulated GILC2019
- 著者名/発表者名
  Taiki Nishijima, Kinta Kusano, Kazuki Kudo, Masahiro Furuta, Yutaka Kusuda, Shinichi Motoyama, Nobuyuki Naka, Tomoko Numata and Isao Tsunoda
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Sn誘起成長法を用いた結晶Ge1-xSnx(x≧15%)の低温形成2019
- 著者名/発表者名
  小川大輔，高倉健一郎，角田功
- 学会等名
  2019年度応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] 電子線照射した非晶質Ge/SiO2のAu誘起横方向成長過程の評価2019
- 著者名/発表者名
  清水智，高倉健一郎，角田功
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Au結晶性を変調した非晶質Ge/Au/SiO2積層構造の低温固相成長2019
- 著者名/発表者名
  角和章，清水昇，角田功
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] 非晶質Ge/SiO2のSn誘起横方向低温（≦200℃）固相成長2018
- 著者名/発表者名
  鹿子木嘉城、佐藤亮起、西嶋泰樹、小川大輔、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Au誘起横方向成長した結晶Ge内のAu濃度評価2018
- 著者名/発表者名
  濵崎健、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Electron irradiation effect on Sn induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate2018
- 著者名/発表者名
  鹿子木嘉城、西嶋泰樹、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  37th Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Low temperature formation of Ge(111)/Au/SiO2 by two step annealing2018
- 著者名/発表者名
  清水昇、森貴礼、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  37th Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Au誘起横方向成長により形成した低温結晶化Ge薄膜の結晶性評価2018
- 著者名/発表者名
  西嶋泰樹、濱崎健、草野欽太、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] 2段階熱処理による結晶Ge/Au/SiO2積層構造の低温形成2018
- 著者名/発表者名
  清水昇、森貴礼、岡本健人、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Evaluation of Au concentration for Au induced lateral crystallized Ge on insulating substrate2018
- 著者名/発表者名
  濵崎健、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  37th Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Influence of Au film thickness on Au induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate2017
- 著者名/発表者名
  坂井拓也、草野欽太、佐藤亮起、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすAu結晶性の影響2017
- 著者名/発表者名
  森貴礼、岡本健人、清水昇、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  平成２９年度応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] Catalyst dependence of metal induced lateral crystallization (MILC) for amorphous Ge on insulator2017
- 著者名/発表者名
  佐藤亮起、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] 絶縁基板上における非晶質Ge薄膜のSn誘起横方向成長2017
- 著者名/発表者名
  佐藤亮起、城土卓巳、井芹健人、坂井拓也、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  平成２９年度応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06363
[学会発表] 非晶質SixGe1-x/SiO2のAu誘起成長に及ぼす圧縮応力の影響2016
- 著者名/発表者名
  草野　欽太，工藤　和樹，坂井　拓也，本山　慎一，楠田　豊，古田　真浩，中　庸行，沼田　朋子，高倉　健一郎，角田　功
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] Preferentially (111) Oriented Crystalline Ge by Low Temperature (~200 ℃) Au Induced Solid Phase Crystallization2016
- 著者名/発表者名
  工藤　康平，餅井　亮介，野満　建至，高倉　健一郎，角田　功
- 学会等名
  8th International SiGe Technology and Device Meeting 2016
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2016-06-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] Stress stimulation effect on Au induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate2016
- 著者名/発表者名
  工藤　和樹，草野　欽太，坂口　大成，酒井　崇嗣，本山　慎一，楠田　豊，古田　真浩，中　庸行，沼田　朋子，高倉　健一郎，角田　功
- 学会等名
  8th International SiGe Technology and Device Meeting 2016
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2016-06-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす熱処理温度の影響（２）－Au膜厚依存性－2015
- 著者名/発表者名
  工藤　康平，野満　建至，餅井　亮介，岡本　隼人，高倉　健一郎，角田　功
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] 面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長2015
- 著者名/発表者名
  野満　建至，岡本　隼人，工藤　康平，坂口　大成，高倉　健一郎，角田　功
- 学会等名
  電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｲｴﾃｨｼﾘｺﾝ材料・ﾃﾞﾊﾞｲｽ（SDM）研究会
- 発表場所
  大濱信泉記念館（沖縄県）
- 年月日
  2015-04-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすTEOS-SiO2キャップ層の影響2015
- 著者名/発表者名
  工藤　和樹，草野　欽太，酒井　崇嗣，本山　慎一，楠田　豊，古田　真浩，中　庸行，沼田　朋子，高倉　健一郎，角田　功
- 学会等名
  電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｲｴﾃｨｼﾘｺﾝ材料・ﾃﾞﾊﾞｲｽ（SDM）研究会
- 発表場所
  大濱信泉記念館（沖縄県）
- 年月日
  2015-04-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] Au induced low-temperature formation of perferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator2015
- 著者名/発表者名
  岡本　隼人，工藤　康平，野満　建至，高倉　健一郎，角田　功
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] Enhancement of Au-induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO22015
- 著者名/発表者名
  茂藤　健太，崎山　晋，岡本　隼人，原　英之，西村　浩人，高倉　健一郎，角田　功
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] TEOS内部応力を利用した非晶質Ge薄膜のAu誘起成長
- 著者名/発表者名
  酒井崇嗣, 草野欽太, 岡本隼人, 本山慎一, 楠田豊, 古田真浩, 中　庸行, 沼田朋子, 高倉健一郎, 角田　功
- 学会等名
  平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-06 – 2014-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] 非晶質 Ge/SiO2の Au 誘起横方向成長に及ぼす応力印加効果
- 著者名/発表者名
  酒井崇嗣、中嶋一敬、茂藤健太、本山慎一、楠田豊、古田真浩、中庸行、沼田朋子、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] 絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の【電子線＋金属触媒】誘起成長
- 著者名/発表者名
  茂藤健太, 岡本隼人, 崎山晋, 原英之, 西村浩人, 高倉健一郎, 角田功
- 学会等名
  平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-06 – 2014-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] 非晶質Ge薄膜のAu誘起低温成長による面方位制御
- 著者名/発表者名
  岡本隼人, 工藤康平, 高倉健一郎, 角田功
- 学会等名
  平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-06 – 2014-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815
[学会発表] 非晶質 Ge/SiO2の Au 誘起横方向成長に及ぼす電子線照射効果
- 著者名/発表者名
  茂藤健太、崎山晋、岡本隼人、酒井崇嗣、中嶋一敬、原英之、西村浩人、高倉健一郎、角田功
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870815

角田 功 Tsunoda Isao

研究課題

研究成果

低温（≦150℃）成長法によるIV族半導体結晶の面方位制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

触媒成長を用いたⅣ族半導体結晶形成プロセスの極低温化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Au induced lateral crystallization of amorphous Ge with stress stimulation at 130 oC2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Au induced low-temperature formation of perferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Enhancement of Au-induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO22016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすTEOS-SiO2キャップ層の影響2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[産業財産権] ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板2014

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[学会発表] 触媒結晶性変調法を用いた高品質Ge (111)の低温形成2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Sn誘起横方向成長により低温形成した結晶GeSn/SiO2の評価2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Low Temperature (< 130℃) Formation of Crystalline Ge Film on Insulator by Stress Stimulated GILC2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Sn誘起成長法を用いた結晶Ge1-xSnx(x≧15%)の低温形成2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 電子線照射した非晶質Ge/SiO2のAu誘起横方向成長過程の評価2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Au結晶性を変調した非晶質Ge/Au/SiO2積層構造の低温固相成長2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 非晶質Ge/SiO2のSn誘起横方向低温（≦200℃）固相成長2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Au誘起横方向成長した結晶Ge内のAu濃度評価2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Electron irradiation effect on Sn induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate2018

著者名/発表者名

学会等名

角田功 Tsunoda Isao