小瀬村大亮 KOSEMURA Daisuke

研究者番号	00608284
所属 (現在)	2025年度: 明治大学, 研究・知財戦略機構, 研究推進員(客員研究員)
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度 – 2016年度: 明治大学, 公私立大学の部局等, 研究員 2014年度: 明治大学, 研究・知財戦略機構, 研究員 2013年度 – 2014年度: 明治大学, 研究・知財戦略機構, 客員研究員 2011年度 – 2013年度: 明治大学, 理工学部, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者フォノン変形ポテンシャル / 異方性応力 / パワーデバイス / 化合物半導体 / カソードルミネッセンス / ウルツ鉱構造 / フォノン / 表面増強ラマン分光法 / 液浸ラマン分光法 / 非極性面 … もっと見る / GaN / III-V化合物半導体 / ラマン散乱 / 応力 / シリコン / 光物性 / 半導体物性 / 結晶工学 / 偏光ラマン / SiGe / 歪Si / 近接場 / 原子間力顕微鏡 / ラマン分光法 / polarized-Raman / stress / strain / Si, SiGe / AFM Raman / tip-enhanced Raman … もっと見る研究代表者以外フォノン変形ポテンシャル / 異方性歪 / 有限要素法 / 歪 / 応力 / 電気・電子材料 / 国際情報交換 / 有限差分時間領域法（FDTD） / 有限要素法（FEM / 表面増強ラマン分光法 / 電子・電気材料 / 第一原理計算（ab initio） / 有限要素法（FEM） / フォノン変形ポテンシャル（PDPs） / 液浸ラマン分光法 / 応力・歪 / SiGe 隠す

液浸ラマン分光法によるIII-V化合物半導体最表面の異方性応力評価技術の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  小瀬村大亮
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  明治大学
超薄膜ＧｅおよびＳｉＧｅの極微小領域に導入された歪場のラマン分光法による多軸解析
- 研究代表者
  
  小椋厚志
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  明治大学
近接場チップ増強ラマン分光法による半導体デバイスの局所領域応力分布評価に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小瀬村大亮
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  明治大学

すべて 2016 2015 2014 2013 2012 2011 その他

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectrosopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, and A. Ogura
- 出版者
  InTech, Croatia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[図書] Advanced Aspects of Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura
- 総ページ数
  32
- 出版者
  InTech, Croatia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[雑誌論文] Examination of phonon deformation potentials for accurate strain measurements in silicon-germanium alloys with the whole composition range by Raman spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, S. Yamamoto, K. Takeuchi, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 2 ページ: 026602-026602
- DOI
  10.7567/jjap.55.026602
- NAID
  210000146043
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Origin of additional broad peaks in Raman spectra　from thin germanium-rich silicon-germanium films2016
- 著者名/発表者名
  Kazuma Takeuchi、Daisuke Kosemura, Ryo Yokogawa, Koji Usuda, and Atsushi Ogura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 7 ページ: 071301-071301
- DOI
  10.7567/apex.9.071301
- NAID
  210000137963
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Oil-Immersion Raman Spectroscopy for c-Plane GaN on Si and Al2O3 substrates2015
- 著者名/発表者名
  R. Imai, D. Kosemura, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: TBD
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 66 号: 4 ページ: 39-45
- DOI
  10.1149/06604.0039ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: TBD
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[雑誌論文] Biaxial Stress Evaluation in SiGe Epitaxially Grown on Ge Substrate by oil-immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  K. Takeuchi, D. Kosemura, S. Yamamoto, M. Tomita, K. Usuda, N. Sawamoto, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 69 号: 10 ページ: 81-87
- DOI
  10.1149/06910.0081ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Anisotropic strain evaluation in the finite Si area by surface plasmon enhanced Raman spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  A. Ogura and D. Kosemura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 64 号: 6 ページ: 67-77
- DOI
  10.1149/06406.0067ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125, KAKENHI-PROJECT-25790049
[雑誌論文] Electrical field analysis of　metal-surface plasmon resonance using a biaxially strained Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura,Siti Norhidayah binti CheMohd Yusoff and Atsushi Ogura
- 雑誌名
  
  J. Raman Spectrosc.
  
  巻: 45 号: 6 ページ: 414-417
- DOI
  10.1002/jrs.4478
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125, KAKENHI-PROJECT-25790049
[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, D. Kosemura, M. Tomita, S. Che Mohd Yusoff, T. Kijima, R. Imai, K. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 64 号: 6 ページ: 841-847
- DOI
  10.1149/06406.0841ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10247, KAKENHI-PROJECT-24360125, KAKENHI-PROJECT-25790049
[雑誌論文] 高分解能ラマン分光測定による最先端LSIのひずみ評価2013
- 著者名/発表者名
  小椋厚志、小瀬村大亮
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 82 ページ: 317-321
- NAID
  10031159922
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Measurement of Anisotropic Biaxial Stresses in Sil-xGex /Si Mesa Structures bu Oil-Immersion Raman Spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  D. Kosenura, M. Tonita. K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 4S ページ: 04CA05-04CA05
- DOI
  10.7567/jjap.52.04ca05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10247, KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Iensor Evaluation of Anisotropic stress Relaxation in Mesa-shaped Sige Layer on Si Substpate by Electron Back Scattering Pattern Measureaent : Comparison between Raman Measurement and Finite Element Method Simulation2013
- 著者名/発表者名
  M, Tomita, M. Nagasaka, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 4S ページ: 04CA06-04CA06
- DOI
  10.7567/jjap.52.04ca06
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10247, KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Super-Resolution Raman Spectroscopy by Digital Image Processing2013
- 著者名/発表者名
  M. Tomita. H. Hashiguchi, T. Yaiiaguchi, D. Kosemura, M. Takei, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Journal of Spectroscopy
  
  巻: 2013 ページ: 1-9
- DOI
  10.1155/2013/459032
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10247, KAKENHI-PROJECT-23860051
[雑誌論文] Characterization of anisotropic strain relaxation after isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method2013
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, T. Tezuka, D. Kosemura, M. Tomita, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: Vol.83 ページ: 46-49
- DOI
  10.1016/j.sse.2013.01.042
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10247, KAKENHI-PROJECT-23860051
[雑誌論文] Stress evaluation in thin strained-Si film by polarized Raman spectroscopy using localized surface plasmon resonance2012
- 著者名/発表者名
  Hiroki Hashiguchi, Munehisa Takei
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 101 号: 17
- DOI
  10.1063/1.4761959
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J09826, KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Investigation of Phonon DeformationPotentials in Si_<1_x>Ge_x by Oil-ImmersionRaman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 111301-111301
- DOI
  10.1143/apex.5.111301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic StrainRelaxation in Strained Silicon-on-Insulator Nanostructure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, and A.Ogura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of AppliedPhysics
  
  巻: 51 号: 2S ページ: 02BA03-02BA03
- DOI
  10.1143/jjap.51.02ba03
- NAID
  210000140194
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[雑誌論文] Channel Strain Measurement in 32-nm-Node Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  Munehisa Takei
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 4S ページ: 04DA04-04DA04
- DOI
  10.1143/jjap.51.04da04
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J09826, KAKENHI-PROJECT-23860051, KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 選択的イオン注入法で作製した一軸性歪Geの異方性応力評価2016
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、武内一真、小瀬村大亮、此島詩織、澤野憲太郎、小椋厚志
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演
- 発表場所
  東京工業大学、東京
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Anisotropic Strain Evaluation Induced in Group IV Materials using Liquid-Immersion Raman Spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  A. Ogura, and D. Kosemura
- 学会等名
  16th International Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2016-05-10
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] SiGe薄膜のラマンスペクトルに見られるブロードピークの起源の検討2016
- 著者名/発表者名
  武内一真、小瀬村大亮、横川凌、澤本直美、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 高Ge濃度歪SiGeメサ構造に印加された異方性2軸応力評価2015
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、武内一真、富田基裕、小瀬村大亮、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Biaxial stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
- 学会等名
  ECS Meeting
- 発表場所
  Chicago, USA
- 年月日
  2015-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] Biaxial Stress Evaluation in SiGe Epitaxially Grown on Ge Substrate by oil-immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  K. Takeuchi, D. Kosemura, S. Yamamoto, M. Tomita, K. Usuda, N. Sawamoto, and A. Ogura
- 学会等名
  228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona
- 年月日
  2015-10-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 高Ge濃度SiGeにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出2015
- 著者名/発表者名
  武内一真、小瀬村大亮、山本章太郎、富田基裕、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 高Ge濃度SiGeにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出2015
- 著者名/発表者名
  武内一真、小瀬村大亮, 山本章太郎, 富田基裕, 臼田宏治, 小椋厚志
- 学会等名
  第６2回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-immersion Raman Spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
- 学会等名
  227th ECS Meeting
- 発表場所
  Chicago, Illinois
- 年月日
  2015-05-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Oil-Immersion Raman Spectroscopy for c-Plane GaN on Si and Al2O3 substrates2015
- 著者名/発表者名
  R. Imai, D. Kosemura, and A. Ogura
- 学会等名
  ECS meeting
- 発表場所
  Chicago, USA
- 年月日
  2015-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] EBSP法を用いた微細な全Ge濃度域における歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布の評価2015
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮, 臼田宏治, 小椋厚志
- 学会等名
  第６2回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] EBSP法を用いたSiGe/Geナノワイヤー構造に生じる応力緩和分布の高空間分解能測定2015
- 著者名/発表者名
  富田基裕、武内一真、山本章太郎、小瀬村大亮、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場、愛知
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 局在プラズモン共鳴を用いたラマン分光法におけるひずみSi表面のAg粒子被覆率と信号増強の関係2015
- 著者名/発表者名
  木嶋隆浩、山本章太郎、横川凌、武内一真、村上達美、小瀬村大亮、小椋厚志
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 高Ge濃度歪SiGeメサ構造に印加された異方性2軸応力評価2015
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、武内一真, 富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏冶, 小椋厚志
- 学会等名
  第６2回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 局在プラズモン共鳴を用いたトランジスタチャネル領域最表面のラマン評価2014
- 著者名/発表者名
  木嶋隆浩、小瀬村大亮、シティノルヒダヤー・ビンティ・チェモハマドユソフ、山本章太郎、今井亮佑、小椋厚志
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 液浸ラマン分光法を用いたTO/LOフォノンスペクトル励起による高Ge濃度歪SiGeメサ構造の異方性2軸応力緩和の観測2014
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮、富田基裕、武内一真、横川凌、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, D. Kosemura, S. N. C.M.Yusoff, T. Kijima, R. Imai, K. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Usuda, and A. Ogura
- 学会等名
  2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 銀ナノ粒子による電場増強効果を用いたGaN最表面のラマン測定2014
- 著者名/発表者名
  今井亮佑、小瀬村大亮、永田晃基、シティノルヒダヤー・ビンティ・チェモハマドユソフ、木嶋隆浩、山本章太郎、小椋厚志
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] Evaluation of Stress Relaxation in Strained SiGe Wire by Two-dimensional Super-resolution Raman S2014
- 著者名/発表者名
  Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Tsutomu Tezuka, Atsushi Ogura
- 学会等名
  24nd International Conference on Raman Spectroscopy (23rd ICORS)
- 発表場所
  Yena, Germany
- 年月日
  2014-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  S. Yamamoto, D. Kosemura, M. Tomita, S. N. Che Mohd Yusoff, K. Kijima, R. Imai, K. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Usuda, and A. Ogura
- 学会等名
  ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 液浸ラマン分光法を用いた TO/LOフォノンスペクトル励起による高 Ge濃度歪 SiGe メサ構造の異方性 2 軸応力緩和の観測2014
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮，富田基裕，武内一真，横川　凌，臼田宏冶，小椋厚志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Anisotropoic Strain Evaluation in the Finite Si Area by Surface Plasmon Enhanced Raman Spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  A. Ogura and D. Kosemura
- 学会等名
  2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Strain evaluation in the Si channels of transistors by surface-enhanced Raman spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  T. Kijima, D. Kosemura, S. N. Che Mohd Yusoff, S. Yamamoto, R. Imai, and A. Ogura
- 学会等名
  International Conference on Raman Spectroscopy
- 発表場所
  Yena, Germany
- 年月日
  2014-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価2014
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮、富田基裕、武内一真、横川凌、米倉瑛介、澤野憲太郎、野平博司、小椋厚志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] EBSP 法を用いた微細な歪 SiGe メサ構造に生じる応力緩和分布の Ge 濃度依存性評価2014
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮，臼田宏治，小椋厚志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Anisotropic strain evaluation in the finite Si area by surface plasmon enhanced Raman spectroscopy2014
- 著者名/発表者名
  A. Ogura and D. Kosemura
- 学会等名
  ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪 SiGe/Siの異方性 2軸応力評価2014
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮，富田基裕，武内一真，横川　凌，米倉瑛介，澤野憲太郎，野平博司，小椋厚志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] チップ増強ラマン分光法による歪Si評価2014
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮、富田基裕、シティノルヒダヤー・ビンティ・チェモハマドユソフ、後藤千絵、川口哲成、三澤真弓、小椋厚志
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起2014
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮、シティノルヒダヤー・ビンティ・チェモハマドユソフ、木嶋隆浩、今井亮佑、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 表面増強ラマン散乱を用いた歪Si異方性二軸応力のパターンサイズ依存測定2014
- 著者名/発表者名
  岩崎竜平、永田晃基、小瀬村大亮、小椋厚志
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790049
[学会発表] 舳構造歪SiGe層に生じる応力緩和分布のテンソル評価2013
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  舳構造歪SiGe層に生じる応力緩和分布のテンソル評価
- 発表場所
  神奈川県
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 学会等名
  nternational Conference on Raman Spectroscopy
- 発表場所
  Bangalore, India
- 年月日
  2012-08-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Raman spectroscopy for strain measurement in state-of-the-art LSI2012
- 著者名/発表者名
  A. Ogura, D. Kosemura, M. Takei, and M.Tomita
- 学会等名
  International Conference on Solid StateDevices and Materials
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Biaxial Stress Measurements in Mesa-shaped Strained Si Layers by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura, Motohiro Tomita, Koji Usuda, Atsushi Ogura
- 学会等名
  International Symposium on "Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics"
- 発表場所
  Tsukuba, Japna
- 年月日
  2012-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] 有限要素法による微細構造歪SSOI層の応力緩和に対する膜厚依存性の評価2012
- 著者名/発表者名
  富田基裕,小瀬村大亮,臼田宏治,手塚勉,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] High-mobility and Low-parasitic Resistance Characteristics in Strained Ge Nanowire pMOSFETs with Metal Source/Drain Structure Formed by Doping-free Processes2012
- 著者名/発表者名
  Keiji Ikeda, Mizuki Ono, Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Minoru Oda, Yuuichi Kamimuta, Toshifumi Irisawa, Yoshihiko Moriyama, Atsushi Ogura, Tsutomu Tezuka
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology
- 発表場所
  Hawai
- 年月日
  2012-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Anisotropic Biaxial Stress Evaluation in SiGe/Si Mesa Structures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, MダTomita, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Anisotropic Biaxial Stress Evaluation in SiGe/Si Mesa Structures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Measurements of Anisotropic Biaxial Stresses in x=0.15 and 0.30 Si1-xGex Nanostructures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method and NBD2012
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, T. Tezuka, and A. Ogura
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] 異方的SSOI層の軸分解ラマン測定2012
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮、富田基裕、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2012-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion hman method2012
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, A. Ogura, and T. Tezuka
- 学会等名
  International SiGe Technology and Deice Meeting
- 発表場所
  Berkeley, CA
- 年月日
  2012-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] ラマン分光法による超薄膜SOIフォノン閉じ込めの評価2012
- 著者名/発表者名
  武井宗久,橋口裕樹,小瀬村大亮,内藤大明。黒澤裕也,内田健,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 微細構造Si1-xGexに印加された異方性応力の加工形状およびGe濃度依存性2012
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮
- 学会等名
  応用物理学会学術会議
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation2012
- 著者名/発表者名
  M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 液浸技術および超解像技術を用いたラマン分光法の高空間分解能化2012
- 著者名/発表者名
  富田基裕、橋口祐樹、山口拓也、武井宗久、小瀬村大亮、小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2012-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Polarized Dependence of Intensity from Strained Si on Insulator in Tip-Enhanced Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura
- 学会等名
  International Conference on Raman Spectroscopy
- 発表場所
  Bangalore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Evaluation of Strain relaxation at mesa edge of strained SiGe layer on Si by oil-immersion Raman spectroscopy, NBD, and FEM simulation2012
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, A. Ogura, and T. Tezuka
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-Shaped Strained Si Layers by FEM Simulation2012
- 著者名/発表者名
  Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Tsutomu Tezuka, Atsushi Ogura
- 学会等名
  International Symposium on "Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics"
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2012-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] 局所表面プラズモン共鳴を用いたラマン分光法による歪Si基板の応力評価2012
- 著者名/発表者名
  橋口裕樹,武井宗久,小瀬村大亮,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Characterization ofanisotropic strain relaxation after mesaisolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NAand oil-immersion Raman method2012
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, A.Ogura, and T. Tezuka
- 学会等名
  2012 Intl.SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Berkley, USA
- 年月日
  2012-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] EBSP法を用いたSiGe/Siメサ構造における異方性応力緩和評価2012
- 著者名/発表者名
  長坂将也,富田基裕,小瀬村大亮,臼田宏治,手塚勉,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] TO phonon Excitation using Surface Enhanced Raman Scattering for Stress Evaluation2012
- 著者名/発表者名
  H. Hashiguchi, M. Takei, D. Kosemura, and A. Ogura
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] High-mobility and Low-parasitic Resistance Characteristics in Strained Ge Nanowire pMOSFETs with Metal Source/Drain Structure Formed by Doping-free Processes2012
- 著者名/発表者名
  K. Ikeda, M. Ono, D. Kosemura, K. Usuda, M. Oda, Y. Kamimuta, T. Irisawa, Y. Moriyama, A. Ogura, and T. Teuka
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology and Circuit
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- 年月日
  2012-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 有限要素法による微細構造歪SiGe層の異方性応力緩和評価2012
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] 微細構造Sil-xGexに印加された異方性応力の加工形状およびGe濃度依存性2012
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮,富田基裕,臼田宏治,手塚勉,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Measurements ofAnisotropic Biaxial Stresses in x=0.15 and0.30 Si1〓xGex Nanostructures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, T.Tezuka, and A. Ogura
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP2012
- 著者名/発表者名
  M. Tomita, M. Nagasaka, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka。and A. Ogura
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Material
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] SSOI微細構造における異方性応力緩和の膜羣依存性評価2012
- 著者名/発表者名
  シテイノルヒダヤーチェモハマドユソフ,富田基裕,小瀬村大亮,臼田宏治,手塚勉,小椋厚志
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] TO Phonon Excitation Using Surface Enhanced Raman Scattering for Stress Evaluation2012
- 著者名/発表者名
  H. Hashiguchi, M. Takei, D. Kosemura, A.Ogura
- 学会等名
  The 6th InternationalSymposium on Advanced Science andTechnology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Polarized Dependence of Intensity from Strained Si on Insulator in Tip-Enhanced RamanSpectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D. kosemura, J. M. Atkin, S. Berweger, R. L.Olmon, M. B. Raschke, A. Ogura
- 学会等名
  International Conference on Raman Spectroscopy
- 発表場所
  Bangalore, India
- 年月日
  2012-08-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] 高NA、油浸ラマン分光によるメサ分離ひずみSGOI層の異方性ひずみ評価2012
- 著者名/発表者名
  臼田宏治,小瀬村大亮,富田基裕,小椋厚志,手塚勉
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛県
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 液浸ラマン分光法による歪SiGeの異方性応力評価2012
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮、富田基裕、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Polarization Dependence of Intensity from Strained Si on Insulator in Tip-Enhanced Raman Spectroscopy2012
- 著者名/発表者名
  D, Kosemura, J. M. Atkin, S. Berweger, R. L. Olmon, M. B. Raschke, and A. Ogura
- 学会等名
  International Conference on Raman Spectroscopy
- 発表場所
  Bangalore, India
- 年月日
  2012-08-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Strain Relaxation in SSOI Nanostructure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kosemura, Motohiro Tomita, Koji Usuda, Atsushi Ogura
- 学会等名
  International Conference on Solid State Device and Materials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] Channel Strain measurements in 32-nm-node CMOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  Munehisa Takei, Hiroki Hashiguchi, Takuya Yamaguchi, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Atsushi Ogura
- 学会等名
  International Conference on Solid State Device and Materials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860051
[学会発表] 液浸ラマン分光法による高Ge濃度圧縮歪SiGeメサ構造/Ge基板からのLO, TOフォノンスペクトルの観測
- 著者名/発表者名
  小瀬村大亮、富田基裕、臼田宏治、手塚勉、小椋厚志
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Analysis of Electrical Field in Surface Enhanced Raman Spectroscopy Using Strained-Si Substrate
- 著者名/発表者名
  シティノルヒダヤーチェモハマドユソフ、小瀬村大亮、木嶋隆浩、小椋厚志
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate
- 著者名/発表者名
  M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, A. Ogura
- 学会等名
  223rd ECS Meeting
- 発表場所
  Tront, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] Characterization of Anisotropic Strain Relaxation of Ge-Rich SGOI Nanowire Formed by the Two-Step Ge-Condensation Technique with High-NA and Oil-Immersion Raman Spectroscopy
- 著者名/発表者名
  K. Usuda, D. Kosemura, K. Ikeda, H. Hashiguti, M. Tomita, A. Ogura, T. Tezuka
- 学会等名
  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Fukuoka、Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 高Ge濃度SGOIワイヤーの異方性ひずみ評価
- 著者名/発表者名
  臼田宏治、池田圭司、小瀬村大亮、富田基裕、小椋厚志、手塚勉
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起
- 著者名/発表者名
  山本章太郎、小瀬村大亮、シティノルヒダヤーモハマドユソフ、木嶋隆浩、今井亮佑、臼田宏治、小椋厚志
- 学会等名
  第６１回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125
[学会発表] 有限要素法による異種の構造から導入される重畳応力の評価
- 著者名/発表者名
  富田基裕、小瀬村大亮、小椋厚志
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360125

1. 小椋厚志 (00386418)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 47件
2. 沼澤陽一郎 (50569837)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 澤本直美 (20595087)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
4. 廣沢一郎 (00360834)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 臼田宏治

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 34件

小瀬村 大亮 KOSEMURA Daisuke

研究課題

研究成果

共同研究者

液浸ラマン分光法によるIII-V化合物半導体最表面の異方性応力評価技術の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超薄膜ＧｅおよびＳｉＧｅの極微小領域に導入された歪場のラマン分光法による多軸解析

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

近接場チップ増強ラマン分光法による半導体デバイスの局所領域応力分布評価に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectrosopy2012

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Advanced Aspects of Spectroscopy2012

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Examination of phonon deformation potentials for accurate strain measurements in silicon-germanium alloys with the whole composition range by Raman spectroscopy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Origin of additional broad peaks in Raman spectra from thin germanium-rich silicon-germanium films2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Oil-Immersion Raman Spectroscopy for c-Plane GaN on Si and Al2O3 substrates2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-immersion Raman Spectroscopy2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Biaxial Stress Evaluation in SiGe Epitaxially Grown on Ge Substrate by oil-immersion Raman Spectroscopy2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Anisotropic strain evaluation in the finite Si area by surface plasmon enhanced Raman spectroscopy2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical field analysis of metal-surface plasmon resonance using a biaxially strained Si substrate2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 高分解能ラマン分光測定による最先端LSIのひずみ評価2013

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

小瀬村大亮 KOSEMURA Daisuke

[雑誌論文] Origin of additional broad peaks in Raman spectra　from thin germanium-rich silicon-germanium films2016

[雑誌論文] Electrical field analysis of　metal-surface plasmon resonance using a biaxially strained Si substrate2014