谷田部然治 YATABE ZENJI

研究者番号	00621773
その他のID	https://orcid.org/0000-0003-2069-6677
所属 (現在)	2024年度: 熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構, 准教授 2020年度 – 2021年度: 熊本大学, 大学院先端科学研究部(工), 准教授 2019年度 – 2021年度: 熊本大学, 大学院先導機構, 助教 2015年度 – 2017年度: 熊本大学, 大学院先導機構, 助教 2015年度: 熊本大学, 学内共同利用施設等, 助教 2014年度: 北海道大学, 学内共同利用施設等, 特任助教 2013年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 中区分27:化学工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者高電子移動度トランジスタ / 窒化物半導体 / 窒化ガリウム / 表面パッシベーション / ゲート絶縁膜 / ミストCVD / 界面準位 / 界面準位密度 / 非線形最小二乗法 / ミストCVD法 … もっと見る / トランジスタ / 電子準位 / 高周波デバイス / パワーデバイス / MIS / HEMT / MIS構造 … もっと見る研究代表者以外 GaN / AlGaN / Hi-K dielectric / MIS / HEMT / AlGaN/GaN / Normally-off / 相互作用 / 流動現象 / 積分変換法 / スペクトル解析 / 分布 / 相転移 / 複雑流体 / ナノ材料 / 電子・電気材料 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / エネルギー変換 / 高電子移動度トランジスタ / 低損傷プロセス / 多孔質構造 / 光電気化学 / 化学センサ / 窒化物半導体隠す

Study on high-K dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors
- 研究代表者
  
  ASUBAR JOEL
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  福井大学
ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用研究代表者
- 研究代表者
  
  谷田部然治
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  熊本大学
ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  谷田部然治
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  熊本大学
高分子溶液の流動挙動を相転移の観点から明らかにする積分変換法の提案
- 研究代表者
  
  日出間るり
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分27:化学工学およびその関連分野
- 研究機関
  神戸大学
絶縁膜/窒化物半導体界面の評価・制御とトランジスタ応用への基礎的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  谷田部然治
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  熊本大学
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation2021
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 129 号: 12 ページ: 121102-121102
- DOI
  10.1063/5.0039564
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473, KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique2021
- 著者名/発表者名
  Rui Shan Low, Joel T. Asubar, Ali Baratov, Shunsuke Kamiya, Itsuki Nagase, Shun Urano, Shinsaku Kawabata, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Yusui Nakamura, Kenta Naito, Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 3 ページ: 031004-031004
- DOI
  10.35848/1882-0786/abe19e
- NAID
  120007160996
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473, KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] Inverse integral transformation method to derive local viscosity distribution measured by optical tweezers2020
- 著者名/発表者名
  Ruri Hidema, Zenji Yatabe, Hikari Takahashi, Ryusei Higashikawa, Hiroshi Suzuki
- 雑誌名
  
  Soft Matter
  
  巻: 16 号: 29 ページ: 6826-6833
- DOI
  10.1039/d0sm00887g
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22083
[雑誌論文] Synthesis and characterization of mist chemical vapor deposited aluminum titanium oxide films2019
- 著者名/発表者名
  Zenji, Yatabe, Koshi Nishiyama, Takaaki Tsuda, Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 7 ページ: 070905-070905
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab29e3
- NAID
  120006951248
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[雑誌論文] State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, K. Nishiguch, S. Kaneki, J. Kuzmik, Z. Yatabe
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 78 ページ: 85-95
- DOI
  10.1016/j.mssp.2017.09.028
- NAID
  120006456416
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034, KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction2017
- 著者名/発表者名
  R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, M. Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 32 号: 4 ページ: 045018-045018
- DOI
  10.1088/1361-6641/aa5fcb
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034, KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces2016
- 著者名/発表者名
  M. Matys, B. Adamowicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 120 号: 22
- DOI
  10.1063/1.4971409
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04672, KAKENHI-PROJECT-15K18034
[雑誌論文] Large photocurrents in GaN porous structures with a redshift of the photoabsorption edge2016
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, H. Kida, A. Watanabe, Z. Yatabe and S. Matsuda
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 31 号: 1 ページ: 014012-014012
- DOI
  10.1088/0268-1242/31/1/014012
- NAID
  120005905606
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937, KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures2016
- 著者名/発表者名
  M. Matys, R. Stoklas, J. Kuzmik, B. Adamowicz, Z. Yatabe, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 119 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4952708
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[雑誌論文] Z. Yatabe, J. T. Asubar, and T. Hashizume2016
- 著者名/発表者名
  Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 49 号: 39 ページ: 1-19
- DOI
  10.1088/0022-3727/49/39/393001
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-15K18034
[雑誌論文] Formation of GaN porous structures with improved structural controllability by photoassisted electrochemical etching2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, Z. Yatabe, and T. Sato
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EJ12-04EJ12
- DOI
  10.7567/jjap.55.04ej12
- NAID
  120005981365
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937, KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Highly-stable and low-state-density Al2O3/GaN interfaces using epitaxial n-GaN layers grown on free-standing GaN substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Kaneki, J. Ohira, S. Toiya, Z. Yatabe, J. T. Asubar and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 109 号: 16
- DOI
  10.1063/1.4965296
- NAID
  120006360059
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-15K18034
[雑誌論文] Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, Z. Yatabe, K. Nishiguchi
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
  
  巻: - ページ: 51-54
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[雑誌論文] Formation of GaN-Porous Structures Using Photo-Assisted Electrochemical Process in Back-Side Illumination Mode2015
- 著者名/発表者名
  A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, and T. Sato
- 雑誌名
  
  ECS Electrochemical Letters
  
  巻: 4 号: 5 ページ: H11-H13
- DOI
  10.1149/2.0031505eel
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価2015
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 橋詰保
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
  
  巻: 115 ページ: 1-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[雑誌論文] Bias-dependent Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures under Back-side Illumination2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, H. Kida, Y. Kumazaki, and Z. Yatabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69 号: 2 ページ: 161-166
- DOI
  10.1149/06902.0161ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937, KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用2015
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 115-63 ページ: 63-66
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性2015
- 著者名/発表者名
  喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 115-170 ページ: 51-54
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Correlation between Structural and Photoelectrochemical Properties of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-Assisted Electrochemical Etching2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe, and T. Sato
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society
  
  巻: 141 号: 10 ページ: H705-H709
- DOI
  10.1149/2.1101410jes
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Investigation on Optical Absorption Properties of Electrochemically Formed Porous InP using Photoelectric Conversion Devices2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, T. Kudo, Z. Yatabe and T. Sato
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 279 ページ: 116-120
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2013.04.046
- NAID
  120005322421
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Formation and Photoelectrical Measurements of Pt Schottky Interfaces on InP Porous Structures2013
- 著者名/発表者名
  R. Jinbo, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 50 ページ: 247-252
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 神保亮平, 谷田部然治, 佐藤威友
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: vol. 113, no. 39, ED2013-27 ページ: 61-64
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] GaN自立基板上に作製したmist-Al2O3/n-GaN構造の評価2024
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 福光将也, ラズアンハディラ, 尾藤圭悟, 越智亮太, 中村有水, 佐藤威友
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] 1/f雑音の電子トラップ時定数分布2024
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 葛西誠也
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] Al2O3/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの閾値変動と界面準位の関連性2023
- 著者名/発表者名
  福光将也, 谷田部然治
- 学会等名
  2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] ゲート絶縁膜堆積プロセスとデバイス評価技術の開拓2023
- 著者名/発表者名
  谷田部然治
- 学会等名
  電子情報通信学会北海道支部講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] ミストCVD法によるアモルファスAl2O3薄膜とmist-Al2O3/AlGaN/GaN MISキャパシタの界面評価2023
- 著者名/発表者名
  廣重輝, 尾藤圭悟, 橋本蓮, 石黒真輝, アスバルジョエル, 中村有水, 谷田部然治
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] GaN-based MOS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Gate Insulator2023
- 著者名/発表者名
  Keigo Bito, Hikaru Hiroshige, Ren Hashimoto, Masaki Ishiguro, Joel T. Asubar, Yusui Nakamura, Zenji Yatabe
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] GaN-based MOS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Insulator2023
- 著者名/発表者名
  K. Bito, H. Hiroshige, R. Hashimoto, M. Ishiguro, J. T. Asubar, Y. Nakamura, and Z. Yatabe
- 学会等名
  14th international Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] 界面準位がワイドバンドギャップ半導体MOSキャパシタの容量-電圧特性に与える影響2023
- 著者名/発表者名
  福島匠, 谷田部然治
- 学会等名
  第14回半導体材料・デバイスフォーラム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] 次世代パワー・高周波デバイスの実現に向けたワイドギャップ半導体界面の評価と制御2023
- 著者名/発表者名
  谷田部然治
- 学会等名
  日本セラミックス協会 2024年年会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] ミストCVD法により堆積したAl2O3絶縁膜の評価とmist-Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTへの応用2022
- 著者名/発表者名
  本山智洋, 浦野駿, バラトフアリ, 中村有水, 葛原正明, アスバルジョエル, 谷田部然治
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Mist-Al2O3とALD-Al2O3を絶縁膜としたAlGaN/GaN MIS-HEMTs2022
- 著者名/発表者名
  浦野駿, アスバルジョエル, ロウルイシャン, ムハンマドファリス, 石黒真輝, 永瀬樹, バラトフアリ, 本山智洋, 中村有水, 葛原正明, 谷田部然治
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] ミストCVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの作製と評価2021
- 著者名/発表者名
  本山智洋, Ali Baratov, Rui Shan Low, 浦野駿, 中村有水, 葛原正明, 谷田部然治, Joel T. Asubar
- 学会等名
  第10回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs2021
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Ali Baratov, Rui Shan Low, Shun Urano, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用2021
- 著者名/発表者名
  本山智洋, Ali Baratov, Rui Shan Low, 浦野駿, 中村有水, 葛原正明, Joel T. Asubar, 谷田部然治
- 学会等名
  2021年日本表面真空学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method2021
- 著者名/発表者名
  M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara
- 学会等名
  The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Electrical properties of GaN-based MISHEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques2021
- 著者名/発表者名
  S. Urano, R. S. Low, M. Faris, M. Ishiguro, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara
- 学会等名
  The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] 溶液中の高分子の堅さと絡まり合いが局所粘度分布に与える影響2020
- 著者名/発表者名
  東川竜晟，日出間るり，谷田部然治，鈴木洋
- 学会等名
  第68回レオロジー討論会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22083
[学会発表] 溶液中の高分子の絡まり合いが局所の粘度分布に与える影響2020
- 著者名/発表者名
  東川竜晟，日出間るり，谷田部然治，鈴木洋
- 学会等名
  日本レオロジー学会第47年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22083
[学会発表] Characterization of mist-CVD deposited Al2O3 films on AlGaN/GaN heterostructures2020
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Motoyama, Kenta Naito, Yusui Nakamura, Zenji Yatabe, Rui Shan Low, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Joel T. Asubar
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2020 Satellite event
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] 高分子溶液および界面活性剤溶液の局所粘度測定と分布抽出2020
- 著者名/発表者名
  日出間るり，東川竜晟，谷田部然治，鈴木洋
- 学会等名
  第68回レオロジー討論会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22083
[学会発表] Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性2020
- 著者名/発表者名
  ロールイシャン, 永瀬樹, バラトフアリ, アスバルジョエルタクラ, 徳田博邦, 葛原正明, 谷田部然治, 内藤健太, 本山智洋, 中村有水
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] ミストCVD法による4-nm Al2O3ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性2020
- 著者名/発表者名
  Low Rui Shan, 河端晋作, Joel T. Asubar, 徳田博邦, 葛原正明, 谷田部然治, 内藤健太, 西村和樹, 中村有水
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Distribution of local viscosity of viscoelastic solutions measured by using optical tweezers2019
- 著者名/発表者名
  Ruri Hidema, Hikari Takahashi, Zenji Yatabe, Hiroshi Suzuki
- 学会等名
  The 18th Asian Pacific Confederation of Chemical Engineering
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22083
[学会発表] Calculating charge relaxation time distribution in a transistor device from noise spectrum2019
- 著者名/発表者名
  Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Seiya Kasai
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22083
[学会発表] Formation of amorphous Al2O3 thin films by mist chemical vapor deposition2019
- 著者名/発表者名
  Kazuki Nishimura, Kenta Naito, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura
- 学会等名
  14th International Student Conference on Advanced Science and Technology 2019 (ICAST 2019)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Characterization of AlxTi1-xOy thin films synthesized using mist-CVD2019
- 著者名/発表者名
  Zenji Yatabe, Koshi Nishiyama, Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Characterization of amorphous aluminium oxide thin films synthesized by mist-CVD2019
- 著者名/発表者名
  Zenji Yatabe, Koshi Nishiyama, Takaaki Tsuda, Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Characterization of Al1-xTixOy thin films deposited by mist-CVD2019
- 著者名/発表者名
  Zenji Yatabe, Koshi Nishiyama, Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] 光ピンセットによる粘弾性流体の粘度測定と粘度分布の抽出2019
- 著者名/発表者名
  日出間るり，髙橋光，谷田部然治，鈴木洋
- 学会等名
  第67回レオロジー討論会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22083
[学会発表] Synthesis and characterization of AlTiO films by mist-CVD2019
- 著者名/発表者名
  Zenji Yatabe, Koshi Nishiyama, Takaaki Tsuda, Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] 光ピンセットによる粘弾性流体の局所粘度の分布測定2019
- 著者名/発表者名
  高橋光，日出間るり，谷田部然治，鈴木洋
- 学会等名
  日本レオロジー学会第46年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K22083
[学会発表] Al2O3 thin films deposited by mist-CVD for gate insulator application in GaN-based devices2019
- 著者名/発表者名
  Kenta Naito, Kazuki Nishimura, Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Yusui Nakamura
- 学会等名
  The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Mist-chemical vapor deposition grown-single crystalline oxide semiconductors2017
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, H. Tanoue, K. Okita, M. Takenouchi, T. Ishida, T. Tsuda, T. Mikuriya, S. Nagaoka, K. Sue, Y. Nakamura
- 学会等名
  35th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Conference and Annual Meeting (SPP 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] ミストCVD法によるAlTiO薄膜の形成2017
- 著者名/発表者名
  津田貴昭, 西山光士, 谷田部然治, 須恵耕二, 中村有水
- 学会等名
  平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs2016
- 著者名/発表者名
  J. T. Asubar, H. Tokuda, M. Kuzuhara, Z. Yatabe, K. Nishiguchi, T. Hashizume
- 学会等名
  The 34th SPP Physics Conference and Annual Meeting
- 発表場所
  University of the Philippines Visayas (Philippines))
- 年月日
  2016-08-18
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors2016
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 堀祐臣, 馬万程, Joel T. Asubar, 赤澤正道, 佐藤威友橋詰保
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市)
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Effects of Electronic States at Insulator/AlGaN Interfaces on Threshold Voltage Instability of Al2O3/AlGaN/GaN Structures2016
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, J. T. Asubar, Y. Nakamura, T. Hashizume
- 学会等名
  2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
- 発表場所
  Tsukuba (Japan)
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Size-controlled formation of high-aspect ratio porous nanostructures on GaN substrates utilizing photo-assisted electrochemical etching for photovoltaic applications2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Hynes Convention Center, Boston, USA
- 年月日
  2015-11-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 裏面光照射電気化学法によるGaN陽極酸化表面の分析2015
- 著者名/発表者名
  枝元将彰, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場，名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Characterization and Control of Insulated Gate Interfaces for Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2015 Compound Semiconductor Week (CSW 2015)
- 発表場所
  Santa Barbara (USA)
- 年月日
  2015-06-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Influence of dry etching on Al2O3/AlGaN/GaN MOS interface properties2015
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, J. Ohira, T. Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Formation of Self-aligned Pore Arrays on n-GaN Substrates by Photo-assisted Electrochemical Etching Process2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, T. Sato and Z. Yatabe
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Characterization and control of GaN MOS interfaces for power transistor application2015
- 著者名/発表者名
  Tamotsu Hashizume, Zenji Yatabe
- 学会等名
  2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (2015 IWDTF)
- 発表場所
  日本科学未来館 (東京都江東区)
- 年月日
  2015-11-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Characterization of Surface/Interface States for Stability Improvement of GaN-Based HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  Tamotsu Hashizume, Zenji Yatabe
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  San Francisco (USA)
- 年月日
  2015-04-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] 界面電子準位とGaNパワーデバイスの動作安定性2015
- 著者名/発表者名
  橋詰保, 西口賢弥, 谷田部然治
- 学会等名
  日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第95回研究会
- 発表場所
  東京工業大学 (東京都港区)
- 年月日
  2015-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Effect of High Electric Field on Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki and Z. Yatabe
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, Z. Yatabe, K. Nishiguchi
- 学会等名
  39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2015)
- 発表場所
  Smolenice (Slovakia)
- 年月日
  2015-06-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Nature and origin of interface states at dielectric/III-N heterojunction interfaces2015
- 著者名/発表者名
  Maciej Matys, Boguslawa Adamowicz, Roman Stoklas, Masamichi Akazawa, Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Boston (USA)
- 年月日
  2015-11-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価2015
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会/応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第182回研究集会
- 発表場所
  名古屋大学 (愛知県名古屋市)
- 年月日
  2015-06-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性2015
- 著者名/発表者名
  喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会/電気学会フィジカルセンサ/バイオ・マイクロシステム合同研究会
- 発表場所
  機会振興会館, 東京都芝区
- 年月日
  2015-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Effect of High Electric Field on Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, Z. Yatabe
- 学会等名
  228th ECS meeting
- 発表場所
  Hyatt Regency Phoenix and Phoenix Convention Center, Phoenix, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用2015
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  豊橋技術科学大学, 豊橋市
- 年月日
  2015-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Influence of the Oxygen-Plasma Treatment on the AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO2 by ALD to Reduce Leakage Current2015
- 著者名/発表者名
  Roman Stoklas, Dagmar Gregusova, Michal Blaho, Karol Frohlich, Jozef Novak, Peter Kordos, Maciek Matys, Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2015 Compound Semiconductor Week (CSW 2015)
- 発表場所
  Santa Barbara (USA)
- 年月日
  2015-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] Influence of dry etching on Al2O3/AlGaN/GaN MOS interface properties2015
- 著者名/発表者名
  Zenji Yatabe, Joji Ohira, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  ひだホテルプラザ (岐阜県高山市)
- 年月日
  2015-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18034
[学会発表] High-selective etching of p-GaN layers on AlGaN/GaN heterostructures by electrochemical process2015
- 著者名/発表者名
  M. Edamoto, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, T. Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 界面・バルク電子準位がGaNトランジスタの動作特性に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  橋詰保, 西口賢弥, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第1回先進パワー半導体分科会研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの信頼性」
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2014-07-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法と裏面光照射法によるGaN多孔質ナノ構造の形成2013
- 著者名/発表者名
  渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府京田辺市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Structural and Optical Characterization of GaN Porous Structures Formed by Photo-assisted Electrochemical Process2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  224th ECS meeting
- 発表場所
  Hilton Hotel（San Francisco, USA）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] GaN多孔質構造の形状制御と化学センサへの応用2013
- 著者名/発表者名
  渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第49回応用物理学会北海道支部学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, R. Jinbo, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
- 発表場所
  神戸コンベンションセンター（神戸市、兵庫県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 神保亮平, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  静岡大学（静岡県浜松市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] GaN多孔質ナノ構造の表面形状と光電気化学特性2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府京田辺市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Photoabsorption and Photoelectric Conversion Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process2013
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, R. Jinbo and Z. Yatabe
- 学会等名
  224th ECS meeting
- 発表場所
  Hilton Hotel（San Francisco, USA）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, R. Jinbo, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium (EMS32)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺（滋賀県守山市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  大阪大学（大阪府吹田市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Correlation between Structural and Optical Properties of GaN Porous Structures Formed by Photo-assisted Electrochemical Etching
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe, T. Sato
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Wroclaw Congress Center (WROCLAW, POLAND)
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation of III-V Semiconductor Porous Nanostructures
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe
- 学会等名
  The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-07-28 – 2014-07-31
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Structural control of GaN porous structures for high-sensitive chemical sensors
- 著者名/発表者名
  A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, T. Sato
- 学会等名
  The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-07-28 – 2014-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation of GaN Porous Structures Under UV-Light Irradiation for Photoelectrochemical Application
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe
- 学会等名
  The 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 発表場所
  Moon Palace Resort (Cancun, Mexico)
- 年月日
  2014-10-05 – 2014-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] ドライエッチングがAl2O3/AlGaN/GaN MOS界面特性に与える影響
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 大平城二, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] III-V族化合物半導体の電気化学エッチングと微細加工への応用
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 熊崎祐介, 渡部晃生，谷田部然治
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学堆積法によるCu2O/GaNヘテロ構造の形成と特性評価
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 近江沙也夏, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Structural Properties and Control of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-assisted Electrochemical Process
- 著者名/発表者名
  A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  The 7th International symposium on Surface Science
- 発表場所
  くにびきメッセ（島根県松江市）
- 年月日
  2014-11-02 – 2014-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成
- 著者名/発表者名
  渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第50回応用物理学会北海道支部学術講演会
- 発表場所
  旭川市勤労者福祉会館（北海道旭川市）
- 年月日
  2015-01-09 – 2015-01-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成と形状制御の向上
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生，谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学エッチングを用いた窒化物半導体多孔質構造の形成
- 著者名/発表者名
  渡部晃生，熊崎祐介，谷田部然治，佐藤威友
- 学会等名
  2014年電気化学会秋期大会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-27 – 2014-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079

1. ASUBAR JOEL (10574220)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 16件
2. 中村有水 (00381004)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 21件
3. 佐藤威友 (50343009)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 38件
4. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
5. 本久順一 (60212263)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 日出間るり (20598172)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
7. 末吉哲郎 (20315287)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 鈴木洋 (90206524)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
9. 葛原正明 (20377469)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 赤澤正道

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

谷田部 然治 YATABE ZENJI

研究課題

研究成果

共同研究者

Study on high-K dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高分子溶液の流動挙動を相転移の観点から明らかにする積分変換法の提案

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

絶縁膜/窒化物半導体界面の評価・制御とトランジスタ応用への基礎的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Inverse integral transformation method to derive local viscosity distribution measured by optical tweezers2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Synthesis and characterization of mist chemical vapor deposited aluminum titanium oxide films2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Large photocurrents in GaN porous structures with a redshift of the photoabsorption edge2016

著者名/発表者名

谷田部然治 YATABE ZENJI