松本翼 Matsumoto Tsubasa

研究者番号	00739568
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2023年度: 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 准教授 2019年度: 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード	研究代表者パワーデバイス / MOSFET / ダイヤモンド / 炭素固溶反応 / CVD / エッチング / 半導体 / 高周波 / 反転層 / MOS

原子レベルの構造制御技術開発によるダイヤモンドMOSFETの高移動度・高耐圧化研究代表者
- 研究代表者
  
  松本翼
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  金沢大学
窒素ドーピング技術を用いた超低損失反転層ダイヤモンドMOSFETの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  松本翼
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  金沢大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped films2024
- 著者名/発表者名
  Matsushima Yuki、Mura Mikiya、Matsumoto Tsubasa、Ichikawa Kimiyoshi、Hayashi Kan、Yamasaki Satoshi、Inokuma Takao、Yoshikawa Taro、Makino Toshiharu、Tokuda Norio
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 145 ページ: 111116-111116
- DOI
  10.1016/j.diamond.2024.111116
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[雑誌論文] Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers with step-free surfaces in N doped diamond (1 1 1) by homoepitaxial lateral growth2022
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Kazuki、Zhang Xufang、Makino Toshiharu、Matsumoto Tsubasa、Inokuma Takao、Yamasaki Satoshi、Nebel Christoph E.、Tokuda Norio
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 593 ページ: 153340-153340
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2022.153340
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0383, KAKENHI-PROJECT-21H01363
[雑誌論文] Mechanical damage-free surface planarization of single-crystal diamond based on carbon solid solution into nickel2021
- 著者名/発表者名
  Sakauchi Kazuto、Nagai Masatsugu、Tabakoya Taira、Nakamura Yuto、Yamasaki Satoshi、Nebel Christoph E.、Zhang Xufang、Matsumoto Tsubasa、Inokuma Takao、Tokuda Norio
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 116 ページ: 108390-108390
- DOI
  10.1016/j.diamond.2021.108390
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15042, KAKENHI-PROJECT-18KK0383
[雑誌論文] Fabrication of inversion p-channel MOSFET with a nitrogen-doped diamond body2021
- 著者名/発表者名
  Matsumoto Tsubasa、Yamakawa Tomoya、Kato Hiromitsu、Makino Toshiharu、Ogura Masahiko、Zhang Xufang、Inokuma Takao、Yamasaki Satoshi、Tokuda Norio
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 119 号: 24 ページ: 242105-242105
- DOI
  10.1063/5.0075964
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363, KAKENHI-PROJECT-18KK0383
[雑誌論文] Inversion channel MOSFET on heteroepitaxially grown free-standing diamond2021
- 著者名/発表者名
  Zhang Xufang、Matsumoto Tsubasa、Nakano Yuta、Noguchi Hitoshi、Kato Hiromitsu、Makino Toshiharu、Takeuchi Daisuke、Ogura Masahiko、Yamasaki Satoshi、Nebel Christoph E.、Inokuma Takao、Tokuda Norio
- 雑誌名
  
  Carbon
  
  巻: 175 ページ: 615-619
- DOI
  10.1016/j.carbon.2020.11.072
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0383, KAKENHI-PROJECT-19K15042, KAKENHI-PROJECT-20K14773
[雑誌論文] Insight into Al2O3/diamond interface states with high-temperature conductance method2020
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Mitsuru Sometani, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, Takao Inokuma, and Norio Tokuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 9 ページ: 092104-092104
- DOI
  10.1063/5.0021785
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14773, KAKENHI-PROJECT-18KK0383, KAKENHI-PROJECT-19K15042
[雑誌論文] Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method2020
- 著者名/発表者名
  Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Satoshi Yamasaki, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, Takao Inokuma, and Norio Tokuda
- 雑誌名
  
  CARBON
  
  巻: 168 ページ: 659-664
- DOI
  10.1016/j.carbon.2020.07.019
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K14773, KAKENHI-PROJECT-18KK0383, KAKENHI-PROJECT-19K15042
[雑誌論文] Inversion channel mobility and interface state density of diamond MOSFET using N-type body with various phosphorus concentrations2019
- 著者名/発表者名
  Matsumoto Tsubasa、Kato Hiromitsu、Makino Toshiharu、Ogura Masahiko、Takeuchi Daisuke、Yamasaki Satoshi、Inokuma Takao、Tokuda Norio
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 114 号: 24 ページ: 242101-242101
- DOI
  10.1063/1.5100328
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15042, KAKENHI-PROJECT-17H02786
[学会発表] n型ダイヤモンド半導体における不純物濃度と接触抵抗の関係2024
- 著者名/発表者名
  松本翼，村光希哉，松島優希，宮崎泰一，林寛1，市川公善1，牧野俊晴2，猪熊孝夫1，　山崎聡1，徳田規夫
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] Proposal of inversion channel diamond MOSFET with drift layer-free for low-loss and high-voltage2024
- 著者名/発表者名
  Tsubasa Matsumoto, Kai Sato, Yuto Nakamura, Toshiharu Makino, Hiromitsu Kato, Masahiko Ogura, Traore Aboulaye, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, Takako Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda
- 学会等名
  Hasselt Diamond Workshop 2024 - SBDD XXVIII
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] New structure of inversion channel diamond MOSFET for high power operation2024
- 著者名/発表者名
  Tsubasa Matsumoto, Kai Sato, Yuto Nakamura, Traore Aboulaye, Toshiharu Makino, Hiromitsu Kato, Masahiko Ogura, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda
- 学会等名
  Kanazawa Diamond Workshop 2024
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] Advances in diamond MOSFET technologies2023
- 著者名/発表者名
  Norio Tokuda, Kazuki Kobayashi, Kan Hayashi, Kimiyoshi Ichikawa, Tsubasa Matsumoto, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Xufang Zhang1†, Hiromitsu Kato2, Masahiko Ogura, Toshiharu Makino, Daisuke Takeuchi2, Christoph E. Nebel
- 学会等名
  E-MRS 2023 Spring Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] 高濃度窒素ドーピングによる接触抵抗低減とダイヤモンド(100) p+-i-n+ダイオードの実証2023
- 著者名/発表者名
  松島優希, 村光希哉, 松本翼, 市川公善, 林寛, 山崎聡, 猪熊孝夫, 徳田規夫
- 学会等名
  第37回　ダイヤモンドシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] Evaluation of Contact Resistance of Diamond MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  Kai Sato1, Kimiyoshi Ichikawa1, Kan Hayashi1, Hiromitsu Kato2 , Toshiharu Makino2 Masahiko Ogura2, Takao Inokuma1, Satoshi Yamasaki1, Norio Tokuda1, Tsubasa Matsumoto
- 学会等名
  The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] Lateral growth over holes on diamond (111) substrate2023
- 著者名/発表者名
  Kouryou Morishita1, Kimiyoshi Ichikawa2, Kan Hayashi1,2, Tsubasa Matsumoto, Satoshi Yamasaki2, Takao Inokuma1,2, Norio Tokuda
- 学会等名
  The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] Fabrication of PIN Diodes with Heavily Nitrogen Doped Diamond Film2023
- 著者名/発表者名
  Yuki Matsushima, Mikiya Mura, Tsubasa Matsumoto, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi1,2, Satoshi Yamasaki2, Takao Inokuma1, Norio Tokuda
- 学会等名
  The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] ダイヤモンドMOSFETにおけるドリフト抵抗フリー構造の提案2023
- 著者名/発表者名
  松本翼、佐藤解、中村勇斗、Traore Aboulaye、牧野俊晴、加藤宙光3、小倉政彦3 、市川公善1 、林寛1 、猪熊孝夫1 、山﨑聡1 、德田規夫
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] Fabrication of Schottky-pn diodes using lightly nitrogen doped diamond film2023
- 著者名/発表者名
  Shota Abe1, Kai Sato1, Yuki Matsushima1, Kimiyoshi Ichikawa2, Kan Hayashi, Satoshi Yamasaki, Takao Inokuma, Norio Tokuda, Tsubasa Matsumoto
- 学会等名
  The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] Niの炭素固溶反応による平坦化技術を応用した埋込ソース・ドレイン構造を有するMOSFETの作製と実証2023
- 著者名/発表者名
  加納翼1　佐藤解1　林寛1,2　市川公善2　吉川太朗2　猪熊孝夫1　山崎聡, 徳田規夫, 松本翼
- 学会等名
  第37回　ダイヤモンドシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] Diamond MOSFET for Next-Generation Power Devices2021
- 著者名/発表者名
  Tsubasa Matsumoto, Tomoya Yamakawa, Xufang Zhang, Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Daisuke Takeuchi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda
- 学会等名
  3D PEIM'2021 symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] チャネル部追成長による反転層ダイヤモンドMOSFETの電気特性改善2021
- 著者名/発表者名
  山河智哉，松本翼，猪熊孝夫，山崎聡，張　旭芳, 加藤宙光, 小倉政彦, 牧野俊晴, C.E.Nebel, 徳田規夫
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01363
[学会発表] ダイヤモンドデバイスとMOS界面の現状2020
- 著者名/発表者名
  松本翼、桜井海匡、加藤宙光、牧野俊晴、小倉政彦、竹内大輔、山崎聡、猪熊孝夫、徳田規夫
- 学会等名
  第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15042
[学会発表] ダイヤモンドデバイスとMOS界面の現状2020
- 著者名/発表者名
  松本翼,　桜井海匡,加藤宙光,　牧野俊晴,　小倉政彦,　竹内大輔,　山崎聡,　猪熊孝夫,　徳田規夫
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15042
[学会発表] Recent progress for inversion channel mobility improvement in diamond MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  T.Matsumoto,　U.Sakurai, T.Yamakawa, H.Kato, T.Makino, M.Ogura, D.Takeuchi, S.Yamasaki, T.Inokuma, N.Tokuda,
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15042
[学会発表] 水素プラズマ処理導入によるダイヤモンド(111)MOS構造の界面準位密度低減とMOSFETのチャネル移動度向上2019
- 著者名/発表者名
  桜井海匡，松本翼，長井雅嗣，加藤宙光，牧野俊晴，小倉政彦，竹内大輔，山崎聡，猪熊孝夫，C. E. Nebel，德田規夫
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15042
[学会発表] 窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性2019
- 著者名/発表者名
  松本翼、桜井海匡，山河智哉、加藤宙光、牧野俊晴、小倉政彦、竹内大輔、猪熊孝夫、山崎聡、徳田規夫
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15042

1. 徳田規夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
2. 張旭芳

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

松本 翼 Matsumoto Tsubasa

研究課題

研究成果

共同研究者

原子レベルの構造制御技術開発によるダイヤモンドMOSFETの高移動度・高耐圧化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒素ドーピング技術を用いた超低損失反転層ダイヤモンドMOSFETの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped films2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers with step-free surfaces in N doped diamond (1 1 1) by homoepitaxial lateral growth2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Mechanical damage-free surface planarization of single-crystal diamond based on carbon solid solution into nickel2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Fabrication of inversion p-channel MOSFET with a nitrogen-doped diamond body2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Inversion channel MOSFET on heteroepitaxially grown free-standing diamond2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Insight into Al2O3/diamond interface states with high-temperature conductance method2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Inversion channel mobility and interface state density of diamond MOSFET using N-type body with various phosphorus concentrations2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] n型ダイヤモンド半導体における不純物濃度と接触抵抗の関係2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Proposal of inversion channel diamond MOSFET with drift layer-free for low-loss and high-voltage2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] New structure of inversion channel diamond MOSFET for high power operation2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Advances in diamond MOSFET technologies2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 高濃度窒素ドーピングによる 接触抵抗低減とダイヤモンド(100) p+-i-n+ダイオードの実証2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Evaluation of Contact Resistance of Diamond MOSFETs2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

松本翼 Matsumoto Tsubasa

[学会発表] 高濃度窒素ドーピングによる接触抵抗低減とダイヤモンド(100) p+-i-n+ダイオードの実証2023

[学会発表] Niの炭素固溶反応による平坦化技術を応用した埋込ソース・ドレイン構造を有するMOSFETの作製と実証2023